CN101196652B - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种安装接触传感器的液晶显示装置，包括：第一基板，具有图像显示器件；第二基板，具有多个柱形隔离部；液晶层，设置在第一基板与第二基板之间。接触传感器通过在第二基板上按压而被驱动。间隙保持区域与柱形隔离部结合，以保持第一基板与第二基板之间的间隙，形成得比间隙保持区域低的检测区域响应第二基板上的按压来实现接触传感器的检测。

Description

液晶显示装置及其制造方法

相关申请

本申请要求于2006年12月8日向韩国知识产权局提交的第10-2006-0124513号韩国专利申请的优先权，其公开内容全部结合于此作为参考。

技术领域

本公开涉及一种安装接触传感器的液晶显示装置及其制造方法。

背景技术

通常，安装接触传感器的液晶显示装置具有布置在薄膜晶体管基板与滤色片基板之间的接触传感器。

液晶显示(“LCD”)装置包括具有薄膜晶体管(“TFT”)开关装置的薄膜晶体管基板以及具有在其中形成有滤色片的滤色片基板。液晶层布置在TFT基板与滤色片基板之间。

在安装接触传感器的LCD装置中，如图1所示，多个支撑柱形隔离部130在滤色片基板120与TFT基板110之间彼此隔开。柱形隔离部130在基板120和110之间保持均匀间隙。在两块基板120和110之间的检测柱形隔离部140检测滤色片基板120被按压的坐标。传感器电极160布置在检测柱形隔离部140之下。

预定间隙，或者传感器间隙d’，布置在传感器电极160与检测柱形隔离部140之间。因此，检测柱形隔离部140比支撑柱形隔离部130短相应等于传感器间隙d’的大小的距离。当按压滤色片基板120时，通常与传感器电极160隔开的检测柱形隔离部140与传感器电极160相接触，从而对应于按压位置的坐标值向传感器电极160传递信号电压。可以通过检测来自传感器电极160的信号电压，可以识别按压位置的坐标值。

但是，由于支撑柱形隔离部130和检测柱形隔离部140具有不同的高度，所以形成柱形隔离部的过程是复杂的。

此外，由于传感器间隙由柱形隔离部的长度确定，所以可能难以控制接触传感器的灵敏度。

发明内容

根据此处公开的示例性实施例，液晶显示装置包括：第一基板，具有图像显示器件；第二基板，具有多个柱形隔离部；液晶层，设置在第一基板与第二基板之间；接触传感器，通过在第二基板上按压而被驱动，间隙保持区域，与柱形隔离部结合来保持第一基板与第二基板之间的间隙；以及检测区域，形成得比间隙保持区域低，以便响应第二基板上的按压来实现接触传感器的检测。

多个柱形隔离部在高度上基本上彼此相等。

柱形隔离部可以包括：第一柱形隔离部，接触间隙保持区域；以及第二柱形隔离部，设置于检测区域，其中第一柱形隔离部的面积可以比第二柱形隔离部的面积大。

间隙保持区域可以包括绝缘层和间隙保持层。在该情况下，间隙保持层可以包括栅极金属层、数据金属层和半导体层中的至少一个。

间隙保持区域可以进一步包括弹性层。弹性层可以由有机材料形成。

检测区域可以包括绝缘层。进一步地，检测区域可以具有检测凹部。

图像显示器件可以包括：薄膜晶体管，具有栅电极、半导体层、源电极、以及漏电极；像素电极，连接至薄膜晶体管；以及公共电极，接收公共电压，并且和像素电极一起产生电场。

接触传感器可以包括：第一导线；第二导线，与第一导线交叉；第一导电焊盘，连接至第一导线；第二导电焊盘，连接至第二导线，并且与第一导电焊盘隔开；以及连接电极，形成在柱形隔离部的表面上，以通过第二基板上的按压而将第一和第二导电焊盘电连接。

第一和第二导电焊盘可以形成于基本上相同的高度处。连接电极与第一和第二导电焊盘中的每一个隔开大约4,000至大约5,000

根据此处公开的示例性实施例，制造液晶显示装置的方法包括：在第一基板上形成间隙保持区域和比间隙保持区域低的检测区域；在检测区域中形成连接至第一导线的第一导电焊盘和连接至第二导线的第二导电焊盘；形成第二基板，该第二基板在与间隙保持区域和检测区域相对应的位置处形成有至少一个柱形隔离部；在柱形隔离部的表面上形成连接电极；以及在待粘合在一起的第一基板与第二基板之间注入液晶层。

形成间隙保持区域和检测区域的步骤可以包括：在第一基板上形成具有薄膜晶体管和像素电极的图像显示器件；在第一基板上形成第一和第二导线以及第一和第二导电焊盘；对金属层或半导体层进行图案化，以形成间隙保持区域；以及利用绝缘层形成检测区域。

形成间隙保持区域的步骤可以进一步包括：形成向上突出的弹性层。

形成检测区域的步骤可以进一步包括：通过蚀刻绝缘层形成检测凹部。

在形成第二基板的步骤中，可以将所述至少一个柱形隔离部形成为具有基本上相同的高度。

可以理解，本公开的上面的总体说明以及下面的详细说明都是示例性的和解释性的，并且旨在对所要求保护的发明提供进一步的解释。通过下面的详细描述，可以获得对本发明的上述的和许多特征和优点的更好理解，尤其如果该描述是结合附图的多个视图而进行的话，那么在全文中，相同元件通过相同的参考标号来表示。

附图说明

图1是安装接触传感器的LCD装置的示例性实施例的横截面图；

图2是LCD装置的示例性实施例的布局图；

图3是沿图2所示的线I-I’截取的横截面图；

图4是沿图2所示的线II-II’截取的横截面图；

图5是沿图2所示的线III-III’截取的横截面图；

图6是检测区域的示例性实施例的横截面图；

图7A、图7B、和图7C是示出了在制造LCD装置的方法中用于形成第一导电图案的过程的示例性实施例的横截面图；

图8A、图8B、和图8C是示出了在制造LCD装置的方法中用于形成半导体层的过程的示例性实施例的横截面图；

图9A、图9B、和图9C是示出了在制造LCD装置的方法中用于形成第二导电图案的过程的示例性实施例的横截面图；

图10A、图10B、和图10C是示出了在制造LCD装置的方法中用于形成钝化层的过程的示例性实施例的横截面图；

图11A、图11B、和图11C是示出了在制造LD装置的方法中用于形成第三导电图案的过程的示例性实施例的横截面图；

图12是示出了根据本发明示例性实施例的用于形成弹性层的过程的示例性实施例的横截面图；以及

图13、图14、和图15是示出了用于制造第二基板的过程的示例性实施例的横截面图。

具体实施方式

图2到图6示出了LCD装置的示例性实施例。

图2是LCD装置的示例性实施例的布局图，图3、图4、和图5分别是沿图1所示的线I-I’，线II-II’和线III-III’截取的横截面图，并且图6是检测区域的可替换示例性实施例的横截面图。

参照图2到图5，LCD装置的示例性实施例可以包括：第一基板1、第二基板2、液晶层60、接触传感器20、图像显示器件10、间隙保持区域30，以及检测区域40。

第一基板1设置有栅极线11、数据线12、和图像显示器件10。第一基板1可以包括透明的绝缘基板，诸如玻璃基板或者塑料基板。

例如，多条栅极线11被布置成彼此平行地隔开。用于驱动TFT的扫描信号施加于相应的栅极线11。栅极线11可以被形成为基于金属的单层或基于金属的多层。在多层的情况下，栅极线11可以由透明导电层和堆叠在该透明导电层上的不透明金属层形成。

数据线12与栅极线11绝缘，且数据线12被布置成基本上垂直于栅极线11。与栅极线11相同，多条数据线12被布置成彼此平行。在本实施例中，每三个子像素分配一个接触传感器。因此，在一组三个子像素的第一数据线与相邻组三条数据线的第三数据线之间的间距比每一组三条数据线内的数据线之间的间距宽，以便提供具有容纳相应的接触传感器的空间的布置。根据接触式传感器是如何布置的，在LCD装置内可以以各种方式改变给定布置的接触传感器的密度(布置密度)。当接触传感器被布置得较密时，就能够更精确地检测坐标值。当接触传感器被布置得较不密时，就较不精确地检测坐标值。

与栅极线11相同，数据线12可以由基于金属的单层或者基于金属的多层形成。像素信号施加于数据线12，且通过TFT传递到像素电极。

TFT包括栅电极、半导体层13、源电极14、以及漏电极15。栅电极连接至栅极线11。扫描信号通过栅极线11传递，以控制TFT的接通时间。半导体层13覆盖栅电极，并且栅极绝缘层16设置在半导体层与栅电极之间。半导体层13可以由非晶硅或者多晶硅形成。可替换地，欧姆接触层17可以进一步形成在半导体层13上。设置欧姆接触层17，以便在半导体层13与源电极14或漏电极15之间形成欧姆接触。

源电极14的一端连接至数据线12，且源电极14的另一端部分地与半导体层13交迭。因此，像素信号从数据线12施加于源电极14，然后通过形成于半导体层13中的通道传递到漏电极15。漏电极15的一端部分地与半导体层13交迭，且漏电极15的另一端连接至像素电极18。

如2和图3所示，像素电极18连接至漏电极15且布置在像素区域内。像素电极18可以具有增加视角或侧面可视性的各种图案中的一种。

第二基板2设置有滤色片(未示出)、公共电极52、以及第一柱形隔离部51a和第二柱形隔离部51b。可替换地，滤色片可以形成在第一基板1上。设置滤色片，以便为每个像素区域显示颜色。滤色片包括三种颜色：红(R)、绿(G)、和蓝(B)。单色滤色片设置于每个子像素。像素可以由呈现例如红、绿和蓝的三个子像素组成。

公共电极52和像素电极18一起形成用于驱动液晶的电场。公共电压作为基准电压施加于公共电极52，以产生电场。

为了增大视角，公共电极52可以在第二基板2的表面上广阔延伸，并且可以被图案化。由于在本实施例中公共电极52形成在第二基板2上，所以由像素电极18和公共电极52产生的电场是垂直电场或者边缘型电场。

可替换地，公共电极可以形成在第一基板1上。在示例性实施例中，由设置于第一基板1的像素电极18和公共电极52产生水平电场或者边缘型电场。

第一柱形隔离部51a和第二柱形隔离部51b从第二基板2突出，并且涂覆有公共电极52。第一柱形隔离部51a布置在间隙保持区域30(见图2)中，而第二柱形隔离部51b布置在检测区域40(见图2)中。如图4所示，第一柱形隔离部51a在间隙保持区域30中与第一基板1相接触，并且第一柱形隔离部起到保持第一基板1与第二基板2之间的间隙的支撑柱形隔离部的作用。第一柱形隔离部51a可以具有弹性以改进灵敏度，从而使得当按压第二基板2时第一柱形隔离部51a被轻微压缩，并且当第二基板2上的力释放时第一柱形隔离部51a又扩展至其初始状态。

如图5所示，第二柱形隔离部51b设置成与第一基板1隔开预定间隙D1，并且当力施加于第二基板2时，第二柱形隔离部起到接触导电焊盘的检测柱形隔离部的作用。在本实施例中，所有的柱形隔离部51a和51b具有基本上相同的高度。

柱形隔离部51a和51b可以由导电聚合物形成，诸如聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT)、PProDOT-(CH₃)₂、或者聚磺苯乙烯(PSS)或者诸如丙烯酸树脂的有机绝缘材料。

第一柱形隔离部51a的面积比第二柱形隔离部51b的面积大。柱形隔离部的面积是指柱形隔离部的上表面或下表面的表面积，并且可以相当于柱形隔离部的其中一个水平横截面。第一柱形隔离部51a一致地保持第一基板1与第二基板2之间的间隙。另一方面，第二柱形隔离部51b不保持第一基板1与第二基板2之间的间隙。因此，第一柱形隔离部51a具有足够的刚性来保持第一基板1与第二基板2之间的间隙。另一方面，第二柱形隔离部51b不必具有与第一柱形隔离部51a相同的刚性。

由于第一柱形隔离部51a和第二柱形隔离部51b两者均不显示图像，所以有利的是将它们构造成具有小尺寸，以便使显示器的图像生成表面最大化。即使为了保持间隙而增大第一柱形隔离部51a的面积，第二柱形隔离部51b也可以具有最小面积。

间隙保持区域30形成在第一基板1上，以保持第一基板1与第二基板2之间的间隙。根据本实施例的LCD装置是安装接触传感器的LCD装置。因此，第一基板1与第二基板2之间的间隙应该是一致的，以便为接触传感器提供良好的灵敏度。

在本实施例中，基板1的间隙保持区域30被构造在基板1的位置处，该位置相对于基板1的表面比检测区域40高。如图15所示，支撑柱形隔离部和检测柱形隔离部两者均形成为相对于第二基板2的表面具有基本上相同高度的柱形隔离部。因此，在检测区域40中，柱形隔离部与导电焊盘隔开以提供传感器间隙。

在本实施例中，间隙保持区域30包括绝缘层19和35以及间隙保持层32，如图4所示。相反，基板1上的检测区域40可以包括绝缘层19和35以及如图5所示的上导电焊盘23b、24b或如图6所示的检测凹部42中的上导电焊盘23b、24b。另一方面，基板1上的间隙保持区域30可以包括间隙保持层32，并且可以被构造得相对于基板1的表面比检测区域40高。

通过考虑传感器间隙，可以以不同的方式构造间隙保持层32。在本实施例中，间隙保持层32包括第一至第四间隙保持层32a、32b、32c、和32d。第一至第四间隙保持层32a、32b、32c、和32d可以由在第一基板1上构造TFT的层形成。因此，用于构造间隙保持层的附加过程是不必要的。

与传感器间隙取决于支撑柱形隔离部与检测柱形隔离部之间的高度差的实施例相反，在根据本公开的示例性实施例中，间隙保持层32的厚度可以确定传感器间隙。因此，可以在基板的整个表面上得到一致的传感器间隙。这是因为通过沉积来调整层的厚度比通过沉积层的蚀刻来调整层的厚度更容易和更精确。

通过考虑包括柱形隔离部的弹性、第二基板的弹性等多个因素，可以以不同的方式改变间隙保持区域30的布置密度。

由于间隙保持区域30不能显示图像，所以通过将间隙保持区域30的表面区域的面积最小化，可以增大孔径比。

为了增大传感器的灵敏度，如图4所示，弹性层34可以进一步设置于间隙保持区域30。弹性层34可以由具有良好的弹性的有机材料形成。弹性层34与第一柱形隔离部51a交迭。当力施加在第二基板2上(例如，通过按压)时，弹性层34被压缩成使第一柱形隔离部51a能够容易接触导电焊盘。弹性层34可以通过图案化形成于第一基板1上以保护TFT的有机钝化层而形成。

在示例性实施例中，检测区域40是接触传感器进行检测的区域。检测区域40可以比间隙保持区域30低，以获得适当的传感器间隙。与间隙保持区域30相反，检测区域40仅包括绝缘层19和35，而没有间隙保持层32。因而，由于间隙保持层32的厚度，所以检测区域40比间隙保持区域30低。在示例性实施例中，绝缘层可以包括用于形成TFT的各种绝缘层中的至少一种，诸如栅极绝缘层、无机钝化层、有机绝缘层等。

可替换地，如图6所示，检测凹部42可以设置于检测区域40以具有预定深度。如上所述，示例性实施例可以利用间隙保持层32的厚度来保持传感器间隙。在间隙保持层32不足以确保足够的传感器间隙的实施例中，检测凹部42可以通过在检测区域40上部分地蚀刻绝缘层19和35而形成。在必须利用检测凹部42的深度作为传感器间隙来提供所需的传感器间隙的情况下，这是有利的。可是，如果间隙保持层32的厚度足以提供所需的传感器间隙，那么检测凹部42是不必要的。

接触传感器20包括第一导线21、第二导线22、第一导电焊盘23、第二导电焊盘24、以及连接电极25。

如图2所示，第一导线21平行于栅极线11，且沿图中的垂直方向确定坐标值。第一导线21由与相同层上的栅极线和公共线相同的金属形成。

第一导电焊盘23连接至第一导线21，且通过按压在第二基板2上而接触连接电极25。在本实施例中，第一导电焊盘23包括第一下导电焊盘23a和第一上导电焊盘23b。如图5所示，第一下导电焊盘23a可以设置于与第一导线21相同的层。第一上导电焊盘23b通过接触孔C2连接至第一下导电焊盘23a，且设置在第一下导电焊盘23a的上方。

如图2所示，第二导线22设置成平行于数据线12。第二导线22沿图中的垂直方向确定坐标值。第二导电焊盘24连接至第二导线22。类似于第一导电焊盘23，第二导电焊盘24包括第二下导电焊盘24a和第二上导电焊盘24b。

如图5所示，第二下导电焊盘24a由与数据线12相同的金属和层形成。第二上导电焊盘24b通过接触孔C3连接至第二下导电焊盘24a。如图5所示，第二上导电焊盘24b设置在基本上与第一上导电焊盘23b相同的高度处。从而，第一上导电焊盘23b和第二上导电焊盘24b在第一基板1上具有基本上相同的高度，并且便于通过连接电极25同时连接。

当按压第二基板2时，连接电极25接触第一导电焊盘23和第二导电焊盘24，以转换信号电压。如图5所示，连接电极25沉积在第二柱形隔离部51b的表面上。

在本实施例中，第二基板2上的公共电极52可以用作连接电极25。代替形成附加连接电极，公共电极52的一部分可用作连接电极25。公共电压施加于连接电极25，以变成用于驱动接触传感器的信号电压。

如图5所示，连接电极25与第一导电焊盘23b和第二导电焊盘24b中的每一个隔开，以保持预定间隙。在本实施例中，预定间隙变成传感器间隙。为了良好的传感器灵敏度，传感器间隙可以是大约4,000到大约

最后，液晶层60设置在第一基板1与第二基板2之间。液晶层60通过像素电极18和公共电极52之间的电场驱动。并且，控制通过液晶层60的光的透射率来显示图像。

本实施例可以应用于垂直和水平电场两种类型的液晶显示装置。

另外，尽管间隙保持区域30和检测区域40附加地设置于第一基板1，但是临近的(hither)部分或者基板，例如由于第一基板上的TFT或各种线的厚度而比基板的其它部分高的部分，可以用作间隙保持区域，并且基板的下部可以用作检测区域。在示例性实施例中，制造LCD装置的过程可以通过利用先前形成的部分作为间隙保持区域和检测区域而被简化。另外，通过附加的间隙保持区域或检测区域形成(其可以以其它方式存在)，还可以避免减少孔径比。

图7A至图15如下示出了制造LCD装置的示例性实施例。

图7A、8A、9A、10A、和11A是沿图2的线I-I’截取的像素区域的示例性实施例的横截面图。

图7B、8B、9B、10B、和11B是沿图2的线II-II’截取的间隙保持区域的示例性实施例的横截面图。

图7C、8C、9C、10C、和11C是沿图2的线III-III’截取的检测区域的示例性实施例的横截面图。

参照图7A至7C，形成第一导电图案。第一导电图案包括栅极线11、栅电极、第一间隙保持层32a、第一导线21、以及第一下导电焊盘23a。

更具体地，在第一基板1的上表面上沉积第一导电层。在示例性实施例中，第一导电层可以由基于金属的单层或基于金属的多层形成。将第一导电层图案化，以便如图7A所示在像素区域中形成栅极线11和栅电极、如图7B所示在间隙保持区域30中形成第一间隙保持层32a、以及如图7C所示在检测区域中形成第一导线21和第一下导电焊盘23a。

参照图8A到8C，在像素区域中形成半导体层13和欧姆接触层17，并且在间隙保持区域中形成第二间隙保持层32b。

具体地，在形成有第一导电图案的第一基板1上顺序地沉积包括栅极绝缘层，半导体层、和掺杂半导体层的三个层。将这三个层图案化，以便如图8A所示在像素区域中形成半导体层13和欧姆接触层17、以及如图8B所示在间隙保持区域30中形成第二间隙保持层32b。第二间隙保持层32b由半导体层和欧姆接触层组成。可选择地，可以省略第二间隙保持层32b。在检测区域中，仅保留栅极绝缘层19，并且将半导体层和欧姆接触层通过蚀刻过程去除，如图8C所示。

参照图9A到9C，在第一基板1上形成第二导电图案。第二导电图案包括数据线12(参照图2)、源电极14、漏电极15、第三间隙保持层32c、第二导线22、和第二下导电焊盘24a。

具体地，在第一基板1上沉积第二导电层。在示例性实施例中，第二导电层可以包括基于金属的单层或基于金属的多层。将第二导电层图案化，以便如图9A所示在像素区域中形成数据线12、源电极14、和漏电极15、以及如图9B所示在间隙保持区域30中形成第三间隙保持层32c。可替换地，可以省略第三间隙保持层32c。并且，如图9C所示，在检测区域40中形成第二导线22和第二下导电焊盘24a。

参照图10A到10C，在第一基板1上方沉积钝化层，然后将钝化层图案化以形成接触孔C1、C2和C3。钝化层35可以由无机的或有机的钝化层形成。可替换地，钝化层35可以被构造成具有包括无机钝化层以及该无机钝化层上的有机钝化层的双层。

例如，将钝化层35图案化，以便如图10A所示形成露出漏电极15的一部分的第一接触孔C1、以及如图10C所示在检测区域中形成露出第一下导电焊盘23a的第二接触孔C2和露出第二下导电焊盘24a的第三接触孔C3。间隙保持区域30中的钝化层35未被图案化，以在第三间隙保持层32c上保持钝化层35，如图10B所示。可以通过去除钝化层35和栅极绝缘层19形成第二接触孔C2，而可以仅通过去除钝化层35形成第三接触孔C3。

可替换地，可以如图6所示在检测区域40中进一步形成检测凹部42。可以通过蚀刻未形成有第一和第二下导电焊盘的钝化层或栅极绝缘层来形成检测凹部42。在通过间隙保持层没有形成足够的检测器间隙的实施例中，检测凹部提供足够的检测间隙。因此，如果间隙保持层提供足够的传感器间隙，那么这个步骤可以是不必要的。

参照图11A至11C，在钝化层35上形成第三导电图案。第三导电图案包括像素电极18、第四间隙保持层32d、第一上导电焊盘23b、和第二上导电焊盘24b。

例如，在第一基板1上方沉积第三导电层。为像素电极设置第三导电层。因而，第三导电层由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电材料形成。

可以将第三导电层图案化，以便如图11A所示在像素区域中形成像素电极18、以及如图11B所示在间隙保持区域30中形成第四间隙保持层32d。可替换地，可以省略第四间隙保持层32d。并且，如图11C所示在检测区域40中形成第一上导电焊盘23b和第二上导电焊盘24b。

在间隙保持区域30中，可以如图12所示进一步形成弹性层34。

图12是示出了根据本发明示例性实施例的用于形成弹性层34的过程的示例性实施例的横截面图。

参照图12，在第一基板1上涂覆有机层，然后对有机层进行图案化，以在第四间隙保持层32d上形成弹性层34。有机层由具有良好弹性的材料形成。

图13至15是示出了根据本发明示例性实施例的用于制造第二基板的过程的示例性实施例的横截面图。

参照图13，在第二基板2上沉积有机层55至预定厚度。在示例性实施例中，通过考虑第一基板1与第二基板2之间的间隙确定该预定厚度。例如，可以将有机层55形成为在第二基板2的整个表面上具有基本上一致的厚度。

参照图14，将有机层55图案化，以形成第一柱形隔离部51a和第二柱形隔离部51b。例如，可以利用掩模对有机层曝光和显影，以便通过去除有机层的其余部分而仅保留柱形隔离部51。在示例性实施例中，可以根据所需的传感器灵敏度对柱形隔离部的位置进行不同地更改。

此外，第一柱形隔离部51a和第二柱形隔离部51b被构造成在面积方面彼此不同。例如，第一柱形隔离部51a可以被构造成面积比第二柱形隔离部51b的面积大。由于第一柱形隔离部51a和第二柱形隔离部51b通过显影相同厚度的有机层而形成，所以第一柱形隔离部51a的高度基本上等于第二柱形隔离部51b的高度。因而，本实施例的优点在于，通过单个过程形成第一柱形隔离部51a和第二柱形隔离部51b两者，从而简化了过程。

参照图15，形成公共电极52。例如，在设置有柱形隔离部51a和51b的第二基板2的整个表面上方形成透明导电层。在第二基板2的整个表面上方形成透明导电层，以用作公共电极52。并且，形成于第二柱形隔离部51b的表面上的透明电极起到连接电极25的作用。

随后，将第一基板1和第二基板2粘合在一起，并在第一基板1与第二基板2之间注入液晶层。具体地，以将第一柱形隔离部51a对应于间隙保持区域30以及将第二柱形隔离部51b对应于检测区域40的方式，将第一基板1和第二基板2精确地彼此对齐。

通过前面的描述可以清楚，由于利用沉积的金属层或半导体层来在第一基板上构造TFT可以形成传感器间隙，所以能够增加接触传感器的灵敏度。

进一步地，由于支撑柱形隔离部和检测柱形隔离部被构造成具有基本上相同的高度，所以通过单个过程形成隔离部。

显然，对于本领域技术人员来说，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的对本发明的修改和变型。

Claims (17)

1.一种液晶显示装置，包括：

第一基板，具有图像显示器件；

第二基板，具有多个柱形隔离部；

液晶层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间；

接触传感器，通过在所述第二基板上按压来驱动；

间隙保持区域，与所述柱形隔离部结合来保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隙；以及

检测区域，形成得比所述间隙保持区域低，以便响应所述第二基板上的按压而实现所述接触传感器的检测，

其中，所述间隙保持区域包括：

第一间隙保持层(32a)，由金属层形成；

第一绝缘层(19)，形成于第一间隙保持层(32a)上；

第二间隙保持层(32b)，形成于第一绝缘层(19)上并且由半导体层和欧姆接触层组成；

第三间隙保持层(32c)，形成于第二间隙保持层(32b)上并由金属层形成；

第二绝缘层(35)，形成于第三间隙保持层(32c)上；以及

第四间隙保持层(32d)，形成于第二绝缘层上并且由导电层形成。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述多个柱形隔离部在高度上基本上彼此相等。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述柱形隔离部包括：

第一柱形隔离部，接触所述间隙保持区域；以及

第二柱形隔离部，设置在所述检测区域中，

其中，所述第一柱形隔离部的面积比所述第二柱形隔离部的面积大。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述间隙保持区域进一步包括弹性层。

5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中，所述弹性层由有机材料形成。

6.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述检测区域包括绝缘层。

7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中，所述检测区域具有检测凹部。

8.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述图像显示器件包括：

薄膜晶体管，包括栅电极、半导体层、源电极、以及漏电极；

像素电极，连接至所述薄膜晶体管；以及

公共电极，接收公共电压，并且和所述像素电极一起产生电场。

9.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述接触传感器包括：

第一导线；

第二导线，与所述第一导线交叉；

第一导电焊盘，连接至所述第一导线；

第二导电焊盘，连接至所述第二导线，以便与所述第一导电焊盘隔开；以及

连接电极，形成在所述柱形隔离部的表面上，以通过所述第二基板上的按压而将所述第一和第二导电焊盘电连接。

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，所述第一和第二导电焊盘形成于基本上相同的高度处。

11.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其中，所述连接电极与所述第一和第二导电焊盘中的每一个隔开大约4,000到大约

12.一种制造液晶显示装置的方法，所述方法包括：

在第一基板上形成间隙保持区域和比所述间隙保持区域低的检测区域；

在所述检测区域中形成连接至第一导线的第一导电焊盘和连接至第二导线的第二导电焊盘；

形成第二基板，所述第二基板在与所述间隙保持区域和所述检测区域相对应的位置处分别形成有至少一个柱形隔离部；

在所述至少一个柱形隔离部的表面上形成连接电极；以及

在所述第一和第二基板之间注入液晶层，并粘合所述第一和第二基板。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述形成间隙保持区域和检测区域的步骤包括：

在所述第一基板上形成包括薄膜晶体管和像素电极的图像显示器件；

形成所述第一和第二导线以及所述第一和第二导电焊盘；

在所述第一基板上将金属层或半导体层图案化，以形成所述间隙保持区域；以及

利用绝缘层形成所述检测区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述形成间隙保持区域的步骤进一步包括：形成向上突出的弹性层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过将有机层图案化而形成所述弹性层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述形成检测区域的步骤进一步包括：通过蚀刻所述绝缘层形成检测凹部。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，将对应于所述间隙保持区域的所述至少一个柱形隔离部和对应于所述检测区域的所述至少一个柱形隔离部形成为具有基本上相同的高度。

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