TWI403791B - 觸控顯示面板及其觸控感應結構 - Google Patents

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TWI403791B
TWI403791B TW099119080A TW99119080A TWI403791B TW I403791 B TWI403791 B TW I403791B TW 099119080 A TW099119080 A TW 099119080A TW 99119080 A TW99119080 A TW 99119080A TW I403791 B TWI403791 B TW I403791B
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Tsung Chin Cheng
Zeng De Chen
Seok-Lyul Lee
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Au Optronics Corp
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Description

觸控顯示面板及其觸控感應結構
本發明係關於一種觸控顯示面板及其觸控感應結構,尤指一種具有由支撐結構與感應結構共同組成之平台,而可兼顧耐久度與觸控靈敏度之觸控顯示面板及其觸控感應結構。
在現今各式消費性電子產品市場中,個人數位助理(personal digital assistant,PDA)、行動電話(mobile phone)及筆記型電腦(notebook)等可攜式電子產品皆已廣泛使用觸控面板(touch panel)作為使用者與電子裝置間之資料溝通介面工具。由於目前電子產品的設計皆以輕、薄、短、小為方向,因此在產品設計上希望能節省如鍵盤、滑鼠等習知輸入裝置的設置空間,尤其在講求人性化設計的平板電腦需求之帶動下,搭配觸控面板的顯示裝置已逐漸成為各式電子產品的關鍵零組件之一。
業界目前已嘗試將觸控功能整合於液晶顯示面板的作法,其藉由按壓液晶顯示面板使其上基板下陷形變以產生感應訊號,達到觸控輸入的目的。請參考第1圖,第1圖繪示了習知觸控顯示面板10之電路架構示意圖。如第1圖所示,習知觸控顯示面板10包括複數個顯示區域16以及複數個感應區域12。各顯示區域16包括第一閘極線GL1 、資料線DL、畫素開關元件TFTPixel 、儲存電容Cst與液晶電容CLC1 ,其中畫素開關元件TFTPixel 的閘極係電性連接第一閘極線GL1 ,源極係電性連接資料線DL,而汲極係電性連接畫素電極18。於進行顯示時,資料線DL所傳遞的資料訊號會經由畫素開關元件TFTPixel 傳遞至畫素電極18,而畫素電極18的資料訊號可與上基板側之共通電極20的共通電位Vcom 形成液晶電容CLC1 ,進而使液晶轉向而顯示出影像畫面。另一方面,感應區域12包括觸控訊號讀取線RL、第二閘極線GL2 、感應結構CLC2 及觸控訊號讀取開關元TFTReadout ,其中觸控訊號讀取開關元TFTReadout 的閘極係電性連接至第二閘極線GL2 ,源極係電性連接至感應結構CLC2 ,而汲極係電性連接至觸控訊號讀取線RL。於進行觸控輸入時,藉由按壓觸控顯示面板10可使上基板產生下凹形變,使得上基板側之共通電極20觸碰到下基板側之觸控訊號讀取開關元件TFTReadout 之源極,如此一來,共通電極之共通電位Vcom 會流經觸控訊號讀取開關元件TFTReadout 與觸控訊號讀取線RL到達放大器14,作為判讀之觸控輸入訊號。
請再參考第2圖與第3圖,並一併參考第1圖。第2圖繪示了習知觸控顯示面板之下基板的上視示意圖,第3圖繪示了第2圖之觸控顯示面板沿剖線A-A’、B-B’及C-C’的剖面示意圖。如第2圖與第3圖所示,習知觸控顯示面板10包括一下基板30、一上基板32以及一液晶層34設置於下基板30與上基板32之間。下基板30上設置有複數個主平台381、複數個輔助平台382與複數個感應平台383,而上基板32上則設置有複數個主間隔物(main spacer)401、複數個輔助間隔物(sub spacer)402與複數個感應間隔物403(Sensor Spacer),分別對應主平台381(Main Stage)、輔助平台382(Sub Stage)與感應平台383(Sensor Stage)。主間隔物401與主平台381接觸,用以維持觸控顯示面板10的液晶間隙,輔助間隔物402與輔助平台382之間具有一間隙,在透過按壓觸控顯示面板10的上基板32以進行觸控輸入時,輔助間隔物402會接觸輔助平台382而提供輔助支撐力,因此可避免進行按壓時觸控顯示面板10的形變過大,藉以提升觸控顯示面板10的耐久度。感應間隔物403與感應平台383構成第1圖之感應結構CLC2 ,在按壓觸控顯示面板10的上基板32進行觸控輸入時,感應間隔物403會接觸感應平台383,此時感應間隔物403表面的共通電極20所具有的共通電位Vcom 會經由感應平台383依序流經觸控訊號讀取開關元件TFTReadout 與觸控訊號讀取線RL而到達放大器14,並透過運算單元(圖未示)計算出正確的觸控輸入位置。
經實證發現,觸控顯示面板10的耐久度與輔助間隔物402的數目具有正向的相關性,也就是說,輔助間隔物402的數目愈多,觸控顯示面板10的耐久度也會較佳;另一方向,觸控顯示面板10的觸控靈敏度與感應間隔物403的數目同樣亦具有正向的相關性,也就是說,感應間隔物403的數目愈多,觸控顯示面板10的觸控靈敏度也會較佳。然而,由於習知觸控顯示面板10的輔助間隔物402與感應間隔物403係為分別設置的獨立結構,如第2圖所示,且觸控顯示面板10的佈局面積有限,故無法同時容納足夠數量的輔助間隔物402與感應間隔物403,因此造成觸控顯示面板10的耐久度與觸控靈敏度無法兼顧的問題。
本發明之目的之一在於提供一種觸控顯示面板及其觸控感應結構,以兼顧其耐久度與觸控靈敏度。
本發明之一較佳實施例提供一種觸控感應結構,包括一第一基板、一第二基板、一第一平台以及一導電間隔物。第一基板與第二基板相對設置。第一平台設置於第一基板上並面對第二基板。第一平台包括至少一支撐結構、一感應結構,以及一導電感應墊位於該感應結構上。導電間隔物設置於第二基板上並面對第一基板,其中導電間隔物對應第一平台。
本發明之另一較佳實施例提供一種觸控顯示面板,包括一第一基板、複數條第一閘極線、複數條資料線、一第二基板、一顯示介質層、複數個第一平台、複數個導電間隔物、複數個第二平台,以及複數個主間隔物。閘極線與資料線設置於第一基板上,其中資料線與第一閘極線交錯設置並於第一基板上定義出複數個畫素區,且各畫素區包括一畫素顯示區以及一畫素周邊區,畫素周邊區位於畫素顯示區與鄰接之第一閘極線之間。第一基板與第二基板相對設置。顯示介質層設置於第一基板與第二基板之間。第一平台分別設置於第一基板之畫素周邊區之其中之一並面對第二基板,其中各第一平台包括至少一支撐結構、一感應結構,以及一導電感應墊位於感應結構上。導電間隔物設置於第二基板上並面對第一基板,其中導電間隔物分別對應第一平台之其中之一。第二平台分別設置於第一基板之畫素周邊區之其中之一並面對第二基板。主間隔物分別設置於第二基板上並面對第一基板,其中主間隔物對應第二平台並與第二平台接觸。
本發明之第一平台包括支撐結構與感應結構,其中支撐結構搭配導電間隔物可發揮輔助支撐作用,藉此增加觸控顯示面板的耐久度,而感應結構搭配導電間隔物可提供觸控輸入功能。由於支撐結構與感應結構兩者整合成第一平台,因此本發明可在有限數目的畫素周邊區內設置最大數量之具有輔助支撐與觸控輸入雙重功能的第一平台,因此可同時提升觸控顯示面板的耐久度與觸控靈敏度。換言之,除了設置了觸控訊號讀取開關元件與第二平台的位置之外,具有輔助支撐與觸控輸入雙重功能的第一平台會全面性地設置在第一基板上,因此本發明的作法可實現全面性感應(Full Sensor)設計。
為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明,下文特列舉本發明之較佳實施例,並配合所附圖式,詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。
請參考第4圖與第5圖。第4圖繪示了本發明一較佳實施例之觸控顯示面板之示意圖,第5圖為沿第4圖之剖線D-D’及E-E’所繪示之觸控顯示面板之剖面示意圖,其中為彰顯本發明之特色,第4圖中省略了第二基板與顯示介質層等元件。如第4圖與第5圖所示,本實施例之觸控顯示面板50包括一第一基板52、一第二基板54與第一基板52相對設置,以及一顯示介質層56設置於第一基板52與第二基板54之間。在本實施例中,觸控顯示面板50係為一觸控液晶顯示面板,因此顯示介質層56係為液晶層,第一基板52係為一陣列基板(亦稱薄膜電晶體基板),且第二基板54係為一對向基板,但不以此為限。舉例而言,若觸控顯示面板50選用一觸控有機電激發光顯示面板,則顯示介質層56係為電激發光材料層。此外,第一基板52亦可為一對向基板,且第二基板54亦可為一陣列基板。觸控顯示面板50另包括第一閘極線GL1 、第二閘極線GL2 、資料線DL、畫素開關元件TFTPixel 、畫素電極58與觸控訊號讀取線RL設置於第一基板52上。資料線DL與第一閘極線GL1 係以交錯方式設置並於第一基板52上定義出複數個畫素區60(或稱為次畫素區),且各畫素區60包括一畫素顯示區60D以及一畫素周邊區60P,其中畫素周邊區60P位於畫素顯示區60D與鄰接之第一閘極線GL1 之間。各畫素電極58分別位於相對應之畫素顯示區60D內,並與對應之畫素開關元件TFTPixel 的汲極電性連接。觸控訊號讀取線RL係與資料線DL平行設置,並位於部分資料線DL之一側。此外,本實施例之觸控顯示面板50更包括複數個第一平台62、複數個第二平台64與至少一觸控訊號讀取開關元件TFTReadout ,分別設置於第一基板52之畫素周邊區60P之其中之一,並面對第二基板54,其中觸控訊號讀取開關元件TFTReadout 之閘極GReadout 與汲極DReadout 係分別與相對應之第二閘極線GL2 與觸控訊號讀取線RL電性連接。值得說明的是,第二閘極線GL2 與第一閘極線GL1 亦可為同一條閘極線。
本實施例之觸控顯示面板50另包括複數個主間隔物66與複數個導電間隔物68。主間隔物66係設置於第二基板54上並面對第一基板52,且主間隔物66對應第二平台64並與對應之第二平台64接觸,藉此使觸控顯示面板50維持固定的液晶間隙。導電間隔物68係設置於第二基板54上並面對第一基板52,且導電間隔物68對應第一平台62並與對應之第一平台62之間具有一間隙。此外,導電間隔物68面對第一平台62的表面係為一平坦表面,但不以此為限。在本實施例中,主間隔物66與導電間隔物68係由相同的材料並利用同一製程加以定義,例如主間隔物66與導電間隔物68可由具有感光性的絕緣基材70A並利用曝光及顯影製程加以製作,導電間隔物68及/或主間隔物66之表面另包括一表面導電層70B,且表面導電層70B至少覆蓋於絕緣基材70A面對第一平台62之表面。在本實施例中,表面導電層70B可同時作為觸控顯示面板50的共通電極,但不以此為限,例如表面導電層70B與共通電極亦可為彼此不電性連接之導電圖案。藉由上述設計,主間隔物66與導電間隔物68大體上會具有相同的厚度,但不以此為限。此外,主間隔物66和導電間隔物68與第二基板54之間另可設置有黑色矩陣BM與覆蓋層OC等液晶顯示面板所需的必要元件,在此不再贅述。此外,第二基板54亦可包括第二配向膜PI2 ,覆蓋主間隔物66的表面以及導電間隔物68的表面,但值得說明的是第二配向膜PI2 必須曝露出導電間隔物68面對第一平台62的表面,在本實施例中,係指第二配向膜PI2 曝露出表面導電層70B。再者,由於導電間隔物68係突出於第二基板54之表面而具有一高度差,因此在形成第二配向膜PI2 時,第二配向膜PI2 會因此一高度差而不形成在導電間隔物68面對第一平台62的表面,故可不需額外進行製程加以移除。
另一方面,第一平台62與第二平台64均可任意選擇由不同層數的結構層疊合而成,例如第一金屬層、閘極絕緣層、半導體層、重摻雜半導體層、第二金屬層、保護層與透明導電層等液晶顯示面板所需的必要膜層,在此狀況下不需增加額外光罩定義第一平台62與第二平台64。在本實施例中,第一平台62與第二平台64所使用的結構層的數目不同,例如第二平台64的堆疊結構層可包括第一金屬層M1、閘極絕緣層GI、半導體層SE、重摻雜半導體層HSE、第二金屬層M2與保護層PV,而第一平台62的堆疊結構層則包括第一金屬層M1、閘極絕緣層GI、重摻雜半導體層HSE與透明導電層TC(在此作為導電感應墊63之用),因此第二平台64的結構層之疊合數目多於第一平台62的結構層之疊合數目,藉此第二平台64的厚度會大於第一平台62的厚度。第二平台64與相對應之主間隔物66構成了主間隔結構,用來維持觸控顯示面板50的液晶間隙,而第一平台62與導電間隔物68構成觸控感應結構,用來提供輔助支撐與觸控輸入雙重功能。
藉由上述配置,在主間隔物66與導電間隔物68大體上具有相同的厚度的狀況下,主間隔物66可與對應之具有較厚厚度的第二平台64接觸,以使觸控顯示面板50維持固定的液晶間隙,而第一平台62由於厚度較薄,因此在未受按壓的狀況下不會與導電間隔物68接觸。各第一平台62包括一或多個支撐結構621、一或多個感應結構622,以及一導電感應墊63位於感應結構622上。導電感應墊63係與觸控訊號讀取開關元件TFTReadout 的源極SReadout 電性連接,且導電感應墊63僅設置於感應結構622上,而未設置於支撐結構621上。導電感應墊63可與畫素電極58由相同的透明導電材料所構成,並使用同一光罩加以定義,但不以此為限。例如,導電感應墊63亦可為不透明導電材料所構成。在本實施例中,一個觸控訊號讀取開關元件TFTReadout 可用來讀取複數個導電感應墊63所接收到的觸控輸入訊號,因此共用同一個觸控訊號讀取開關元件TFTReadout 的導電感應墊63可彼此電性連接,例如位於同一列上的部分導電感應墊63可利用連接線CL互相連接,且連接線CL與導電感應墊63可利用同一導電材料或不同的導電材料所構成。此外,若共用同一個觸控訊號讀取開關元件TFTReadout 的導電感應墊63係位於不同列,則亦可藉由與資料線DL平行設置的連接線CL加以連接。此外,第一平台62與第二平台64上可設置有第一配向膜PI1 ,第一配向膜PI1 可覆蓋於支撐結構621上並視為支撐結構621上的一部分,但第一配向膜PI1 必須曝露出導電感應墊63。在本實施例中,導電間隔物68與導電感應墊63之間具有一第一間隙h1,導電間隔物68與支撐結構621之間具有一第二間隙h2,其中第一間隙h1與第二間隙h2的大小可視所需的輔助支撐力、第二基板54的彈性以及觸控靈敏度等因素分別加以調整而使第一間隙h1等於或不等於第二間隙h2。在一實施例中,例如當導電感應墊63使用透明導電材料如氧化銦錫時,且其厚度約介於700埃與800埃之間,而第一配向膜PI1 的厚度約介於300埃與400埃之間,則第一間隙h1會小於第二間隙h2。當按壓觸控顯示面板50進行觸控輸入時,受壓而下陷的導電間隔物68會接觸到第一平台62的支撐結構621,此時支撐結構621可提供一輔助支撐力,故可增加觸控顯示面板50的耐久度;另一方面,下陷的導電間隔物68之表面導電層70B亦會接觸到感應結構622上方的導電感應墊63,此時導電間隔物68的觸控輸入訊號可經由導電感應墊63與連接線CL而流向觸控訊號讀取開關元件TFTReadout 並到達放大器(圖未示),再透過運算單元計算出正確的觸控輸入位置。
請再參考第6圖。第6圖繪示了本實施例之第一平台的上視示意圖。如第6圖所示,在本實施例中,感應結構622係位於支撐結構621內部。更精確地說,支撐結構621具有一封閉型的開口,而感應結構622係對應設置於支撐結構621的開口,使得支撐結構621環繞感應結構622。此外,感應結構622包括一突塊622B,且導電感應墊63係位於突塊622B之上方,但突塊622B的數目與形狀並不以第6圖所繪示者為限。此外,各突塊622B的尺寸可視觸控靈敏度的需求而加以設計,例如各突塊622B之長度或寬度可小於10微米,並較佳介於1微米與5微米之間,但不以此為限。
本發明之觸控顯示面板及其觸控感應結構的實施樣態並不以上述實施例為限,而具有其它多種實施樣態。下文將對本發明之其它實施例或變化型進行說明,且為了簡化說明並比較各實施例之相異處,下文之各實施例將使用與前述實施例相同之符號標注相同之元件,並僅針對相異處進行說明而不再對重覆部分贅述。
請再參考第7圖與第8圖。第7圖繪示了本發明之第一平台的另一實施例之上視示意圖,第8圖為沿第7圖之F-F’剖線所繪示之第一平台之剖面示意圖。如第7圖與第8圖所示,本實施例之感應結構622包括複數個突塊622B,且各突塊622B具有相同的尺寸。此外,在本實施例中,感應結構622係位於兩個支撐結構621之間。
請再參考第9圖。第9圖繪示了本發明之第一平台的一變化實施例之示意圖。如第9圖所示,在本變化實施例中,感應結構622的複數個突塊622B具有不同的尺寸。
請參考第10圖。第10圖繪示了本發明之另一較佳實施例之觸控顯示面板之示意圖。如第10圖所示,不同於前述實施例之導電間隔物係由絕緣基材與表面導電層所構成的作法,在本實施例中,導電間隔物68係為一導電材料構成之一體式導電間隔物。一體式導電間隔物係指導電間隔物68係由單一導電材料或複合導電材料,例如金屬或合金所構成,並利用一體成型方式加以形成。也就是說,導電間隔物68本身即具導電性,而不需額外利用其它導電層來提供導電性。另外,導電間隔物68可與共通電極(圖未示)電性連接而共享共通電位,亦或是具有獨立控制的電壓。
綜上所述,本發明之觸控感應結構可提供輔助支撐與觸控輸入的雙重功用,因此在有限數目的畫素周邊區內可設置最大數量之具有輔助支撐與觸控輸入雙重功能的第一平台,而不需在輔助間隔物與感應間隔物的數目之間作取捨。藉此,觸控顯示面板的耐久度與觸控靈敏度可同時大幅提升。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10...觸控顯示面板
12...感應區域
14...放大器
16...顯示區域
18...畫素電極
20...共通電極
30...下基板
32...上基板
34...液晶層
381...主平台
382...輔助平台
383...感應平台
401...主間隔物
402...輔助間隔物
403...感應間隔物
50...觸控顯示面板
52...第一基板
54...第二基板
56...顯示介質層
58...畫素電極
60...畫素區
60D...畫素顯示區
60P...畫素周邊區
62...第一平台
621...支撐結構
622...感應結構
622B...突塊
63...導電感應墊
64...第二平台
66...主間隔物
68...導電間隔物
70A...絕緣基材
70B...表面導電層
GL1 ...第一閘極線
GL2 ...第二閘極線
DL...資料線
RL...觸控訊號讀取線
TFTPixel ...畫素開關元件
TFTReadout ...觸控訊號讀取開關元件
GReadout ...閘極
DReadout ...汲極
SReadout ...源極
CLC1 ...液晶電容
CLC2 ...感應結構
Vcom ...共通電位
BM...黑色矩陣
OC...覆蓋層
PI1 ...第一配向膜
PI2 ...第二配向膜
h1...第一間隙
h2...第二間隙
CL...連接線
M1...第一金屬層
GI...閘極絕緣層
SE...半導體層
HSE...重摻雜半導體層
M2...第二金屬層
PV...保護層
TC...透明導電層
第1圖繪示了習知觸控顯示面板之電路架構示意圖。
第2圖繪示了習知觸控顯示面板之下基板的上視示意圖。
第3圖繪示了第2圖之觸控顯示面板沿剖線A-A’、B-B’及C-C’的剖面示意圖。
第4圖繪示了本發明一較佳實施例之觸控顯示面板之示意圖。
第5圖為沿第4圖之剖線D-D’及E-E’所繪示之觸控顯示面板之剖面示意圖。
第6圖繪示了本實施例之第一平台的上視示意圖。
第7圖繪示了本發明之又一較佳實施例之第一平台之上視示意圖。
第8圖為沿第7圖之F-F’剖線所繪示之第一平台之剖面示意圖。
第9圖繪示了本發明之第一平台的一變化實施例之示意圖。
第10圖繪示了本發明之另一較佳實施例之觸控顯示面板之示意圖。
50...觸控顯示面板
52...第一基板
54...第二基板
56...顯示介質層
62...第一平台
621...支撐結構
622...感應結構
622B...突塊
63...導電感應墊
64...第二平台
66...主間隔物
68...導電間隔物
70A...絕緣基材
70B...表面導電層
BM...黑色矩陣
OC...覆蓋層
PI1 ...第一配向膜
PI2 ...第二配向膜
h1...第一間隙
h2...第二間隙
M1...第一金屬層
GI...閘極絕緣層
SE...半導體層
HSE...重摻雜半導體層
M2...第二金屬層
PV...保護層
TC...透明導電層

Claims (31)

  1. 一種觸控感應結構,包括:一第一基板;一第二基板,與該第一基板相對設置;一第一平台,設置於該第一基板上並面對該第二基板,其中該第一平台包括至少一支撐結構、一感應結構,以及一導電感應墊位於該感應結構上;以及一導電間隔物,設置於該第二基板上並面對該第一基板,其中該導電間隔物對應該第一平台,其中該導電間隔物與該第一平台之該導電感應墊之間具有一第一間隙,該導電間隔物與該第一平台之該支撐結構之間具有一第二間隙,且該第一間隙不等於該第二間隙。
  2. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中在一垂直投影方向上,該導電間隔物係與該第一平台之該支撐結構、該感應結構以及該導電感應墊相對應。
  3. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中在一垂直投影方向上,該導電間隔物與該第一平台部分重疊。
  4. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中該第一間隙小於該第二間隙。
  5. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中該導電感應墊僅設置於該感應結構上。
  6. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中該導電間隔物大體上具有一平坦表面,面對該第一平台。
  7. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中該導電間隔物係為一導電材料構成之一體式導電間隔物。
  8. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中該導電間隔物包括一絕緣基材與一表面導電層,且該表面導電層至少覆蓋於該絕緣基材面對該第一平台之一表面。
  9. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中該第一平台包括複數個支撐結構,且該感應結構係位於該等支撐結構之間。
  10. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中該至少一支撐結構至少部分環繞該感應結構。
  11. 如請求項1所述之觸控感應結構,其中該感應結構包括複數個突塊,且該導電感應墊係位於該等突塊之上方。
  12. 如請求項11所述之觸控感應結構,其中至少部分該等突塊具有 不同的尺寸。
  13. 如請求項11所述之觸控感應結構,其中該等突塊之長度或寬度介於1微米與5微米之間。
  14. 一種觸控顯示面板,包括:一第一基板;複數條第一閘極線,設置於該第一基板上;複數條資料線,設置於該第一基板上,其中該等資料線與該等第一閘極線交錯設置並於該第一基板上定義出複數個畫素區,且各該畫素區包括一畫素顯示區以及一畫素周邊區,該畫素周邊區位於該畫素顯示區與鄰接之該第一閘極線之間;一第二基板,與該第一基板相對設置;一顯示介質層,設置於該第一基板與該第二基板之間;複數個第一平台,分別設置於該第一基板之該等畫素周邊區之其中之一並面對該第二基板,其中各該第一平台包括至少一支撐結構、一感應結構,以及一導電感應墊位於該感應結構上;複數個導電間隔物,設置於該第二基板上並面對該第一基板,其中該等導電間隔物分別對應該等第一平台之其中之一,各該導電間隔物與相對應之該第一平台之該導電感應墊之間具有一第一間隙,各該導電間隔物與相對應之該第一平台之該支撐結構之間具有一第二間隙,且該第一間隙不等於該第二間隙; 複數個第二平台,分別設置於該第一基板之該等畫素周邊區之其中之一並面對該第二基板;以及複數個主間隔物,分別設置於該第二基板上並面對該第一基板,其中該等主間隔物對應該等第二平台並與該等第二平台接觸。
  15. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中在一垂直投影方向上,各該導電間隔物係與該第一平台之該支撐結構、該感應結構以及該導電感應墊相對應。
  16. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中在一垂直投影方向上,各該導電間隔物與相對應之該第一平台部分重疊。
  17. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中該第一間隙小於該第二間隙。
  18. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中該導電感應墊僅設置於該感應結構上。
  19. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中各該導電間隔物大體上具有一平坦表面,面對對應之該第一平台。
  20. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中至少部分之該等導電間 隔物係為一導電材料構成之一體式導電間隔物。
  21. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中至少部分之該等導電間隔物包括一絕緣基材與一表面導電層,且該表面導電層至少覆蓋於該絕緣基材面對該第一平台之一表面。
  22. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中各該第一平台包括複數個支撐結構,且該感應結構係位於該等支撐結構之間。
  23. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中各該第一平台之該至少一支撐結構至少部分環繞該感應結構。
  24. 如請求項14所述之觸控顯示面板,另包括至少一觸控訊號讀取開關元件,設置於該第一基板之該畫素周邊區其中之一,且該觸控訊號讀取開關元件至少與部分該等第一平台之該等導電感應墊電性連接。
  25. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中至少部分該等第一平台之該等導電感應墊彼此電性連接。
  26. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中該顯示介質層包括一液晶層。
  27. 如請求項26所述之觸控顯示面板,另包括一第一配向膜與一第二配向膜,其中該第一配向膜設置於該第一基板上並至少曝露出該等導電感應墊之一部分,且該第二配向膜設置於該第二基板上並至少部分曝露出該等導電間隔物。
  28. 如請求項14所述之觸控顯示面板,其中該等主間隔物與該等導電間隔物大體上具有相同之高度,且該等第二平台之厚度大於該等第一平台之厚度。
  29. 如請求14所述之觸控顯示面板,其中各該感應結構包括複數個突塊,且各該導電感應墊係位於相對應之該等突塊之上方。
  30. 如請求項29所述之觸控顯示面板,其中至少部分該等突塊具有不同的尺寸。
  31. 如請求項29所述之觸控感應結構,其中該等突塊之長度或寬度介於1微米與5微米之間。
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