CN101195746A - 橙黄发光荧光粉及使用其的暖白色发光二极管 - Google Patents

Abstract

本发明系关于一种橙黄发光荧光粉，其以被铈激化的稀土石榴石为基质，特征在于：该荧光粉基质成分中添加Li、Si、N及F原子，构成化合物的总化学计量公式：(∑Ln)₃Al_5－x－yLi_y/3Mg_x/2Si_(x/2+2y/3)F_q/2O_12－qN_q/2，当激发波长从440～475nm时，在次能带为542～590nm，其辐射量子输出q＞0.9并且具有立体组石榴石立方结晶构造，其中0.001≤x≤0.005；0.0001＜y＜0.0005以及0.0001≤q≤0.001，并且其中∑Ln＝Y、Gd、Lu或Ce，本发明的荧光粉具有色坐标∑(x+y)≥0.89，以及很高的色纯度α≥0.85。此外，本发明还揭露一种暖白色发光二极管，其具有很高的光强度J≥300cd，半开角2θ≥60°，以及很高的发光效率65lm/W≤ζ≤100lm/W，且该发光二极管的发光色调近似于暖白光标准2800K＜T＜5500K。

Description

橙黄发光荧光粉及使用其的暖白色发光二极管

【发明所属技术领域】

本发明系关于一种半导体照明技术，尤指一种源于铟镓氮化物(InGaN)异质结基质的暖白色发光二极管，其以稀土石榴石为基质，其中铈作激化剂，在源于铟镓氮化物的短波光激发下具有很高的光强度、高发光效率及对温度具有低灵敏度的优点。

【先前技术】

源于铟镓氮化物(InGaN)异质结(P-N接面)基础上的半导体组件广泛应用于照明技术和信息技术。在交通运输、居家住室、航空港，人们在半导体器件基础上已制造了多构件、多色度屏幕和强功率照明装置。由于本身的光学技术参数，发光二极管“灯”(LED Lamp)已经在许多方面超过传统白炽光源，未来一定会蓬勃发展。

已知的磷化镓及砷化镓基体的发光二极管构造在别尔加·德所著的发光二极管”一书的第480页(请参照世界出版社，1975年，俄罗斯)中已揭示。在该书中提供了关于创造所谓二元发光组成发光二极管的科学讯息专集，也就是说关于涂有荧光粉的异质结，其用途是将第一级辐射转换成第二级辐射。在60～70年代广泛使用反斯托克荧光粉，其用途是将异质结近红外线辐射转换成可见光(红、绿或蓝)。此外，于俄罗斯专利第N 635813号专利案中(申请人为阿博拉莫夫·弗·斯，苏穆克夫·弗·陂，申请日为1977年9月12日)指出源于InGaN构造的斯托克荧光粉具有相结合的可能性，这种荧光粉的辐射波长比激发光波长更长。

这一研究阶段是由日本中村修一先生的学术论文所完成，该论文总结了1997年作者的全部工作，即关于创造源于InGaN异质结基础的构造。由于这些著作，使得所创造的高效短波发光二极管具有蓝光、紫光、紫外线光谱部分的辐射。

在这些研究的基础上专家深入分析了白光发光二极管，其架构为具有涂有黄光辐射无机荧光粉的发蓝光InGaN异质结。这种荧光粉使用非常著名的钇铝石榴石基质材料，其公式为Y₃A₁₅O₁₂:Ce(请参照G.Blasse.Luminescence material.Amsterdam，N-Y.Pergamon 1994)。专家用这种材料作为黄光辐射体并用于二元发光组成发光二极管。

尽管传统钇铝石榴石被广泛使用，然而它仍具有一些本质上的缺陷：1.量子输出不充分ζ≤0.8；2.通过添加Gd⁺³以代替石榴石晶格中的部分钇，其结果为辐射光谱变化范围不大；3.发光二极管白光辐射色饱和不充分，Ra≤80等。本发明将把上述已知专利作为参照并加以采用。

为了排除已知荧光粉的这些缺陷，本发明的发明人提出臻于完善的新型荧光粉(请参照台湾发明第095149453号专利申请案，其申请日为12/18/2006)，该荧光粉成分中添加了N^-3及F^-1。该095149453号专利申请案中同时提出了完善的制备方法，并且以上产品具有更高亮度和更饱和黄光。当发光二极管发光效率很大时，这种材料还能保证高的光强度。然而尽管上述材料原型具有一些实质性的优越性，但它仍具有一些颇大的缺陷：1.暖白色调照明不能复现；以及2.全部白光发光二极管辐射的色饱和不充分等。

【发明内容】

为解决上述已知技术的缺点，本发明的主要目的系提供一种橙黄发光荧光粉及使用其的暖白色发光二极管，其可消除上述荧光粉特性中已知的技术方案的缺陷。

为解决上述已知技术的缺点，本发明的另一目的系提供一种橙黄发光荧光粉及使用其的暖白色发光二极管，其可创造对温度效应具有低灵敏度的材料。

为解决上述已知技术的缺点，本发明的另一目的系提供一种橙黄发光荧光粉及使用其的暖白色发光二极管，其可创造高品质发光二极管，使其具有高光强度和高发光效率。

为达到上述目的，本发明提供一种橙黄发光荧光粉，其用于暖白色发光二极管中，其以被铈激化的稀土石榴石为基质，特征在于：该荧光粉基质成分中添加Li、Si、N及F原子，构成化合物的总化学计量公式：(∑Ln)₃Al_5-x-yLi_y/3Mg_x/2Si_(x/2+2y/3)F_q/2O_12-qN_q/2，当激发波长从440～475nm时，在次能带为542～590nm，其辐射量子输出q＞0.9并且具有立体组石榴石立方结晶构造。

其中，该化学指数变动如下：0.001≤x≤0.005；0.0001＜y＜0.0005以及0.0001≤q≤0.001。

其中，该荧光粉的组成中阳离子晶格中加入∑Ln＝Y、Gd、Lu或Ce，使钇的浓度为[Y]＝1-m-n-1，其中0.005≤[Gd]＝m≤0.2，0.005≤[Lu]＝n≤0.05，0.005≤[Ce]＝1≤0.05。

其中，当全部阳离子晶格中Gd及Lu的含量为[Gd]＝0.08及[Lu]＝0.02原子分率时，该荧光粉单位晶胞为

在此情况下，加入氮离子数量为(N_o)_p/2≤0.008原子分率。

其中，该钆元素浓度增长时，[Gd]≤0.1原子分率，该荧光粉辐射光谱最大值位移至长波区域，当更大波长的位移为λ＝568～580nm时，确保该荧光粉组成中所加入的[Mg+Si]≤0.02原子分率。

其中，当该荧光粉组成中加入N^-3和F^-1且浓度为[N^-3+F^-1]≤0.005原子分率时，该荧光粉光谱最大值半波宽增大为Δλ＝120～128nm。

其中，当该荧光粉组成中添加所有源于Li、Mg、Si、N、F的激活元素组分时，其辐射色坐标为∑(x+y)≥0.89。

其中，该荧光粉具有黄色色泽并吸收λ＝440～480nm的光。

其中，该荧光粉被制成为类椭圆体粉末，其中位尺寸为d₅₀＝3.5～5μm，粉末容积中具有不透光的孔隙，其平均孔隙半径为6.6847

其中，该荧光粉粉末表面进一步涂有纳米尺寸的硅酸锌薄层，其组成为ZnOx和SiO₂，其浓度为40～80nm。

为达到上述目的，本发明提供一种暖白色发光二极管，其具有一铟镓氮化物(InGaN)异质结为基质，该铟镓氮化物异质结的表面涂有本申请所述的荧光粉，其特征在于：该荧光粉粉末以均匀浓度涂在该铟镓氮化物异质结表面，该铟镓氮化物异质结所发的光与该荧光粉中被激发辐射的光一起混合形成整体光，其色坐标位于暖白色区域0.36＜x≤0.40，0.36≤y≤0.40，而辐射色温为2800K≤T≤5500K范围。

其中，该暖白色发光二极管进一步具有一固定球面镜盖，其位于该荧光粉的外侧，使源于该固定球面镜盖的发光二极管辐射具有光强度50＜1＜300cd，半开角2θ＝60°，在此情况下，当激发状态为U＝3.5V，J＝20mA时，该发光二极管辐射发光效率为ζ＝85～951m/W。

【实施方式】

首先，本发明的目的在于消除上述荧光粉的缺陷。为了达到这个目标，本发明的橙黄发光荧光粉用于暖白色发光二极管中，其以被铈激化的稀土石榴石为基质，特征在于：该荧光粉基质成分中添加Li(锂)、Si(硅)、N(氮)及F(氟)原子，构成化合物的总化学计量公式：(∑Ln)₃Al_5-x-yLi_y/3Mg_x/2Si_(x/2+2y/3)F_q/2O_12-qN_q/2，当激发波长从440～475nm时，在次能带为542～590nm，其辐射量子输出q＞0.9并且具有立体组石榴石立方结晶构造。

其中，该化学指数变动如下：0.001≤x≤0.005；0.0001＜y＜0.0005以及0.0001≤q≤0.001。

其中，该荧光粉的组成中阳离子晶格中加入∑Ln＝Y(钇)、Gd(钆)、Lu(镥)或Ce(铈)，使钇的浓度为[Y]＝1-m-n-1，其中0.005≤[Gd]＝m≤0.2，0.005≤[Lu]＝n≤0.05，0.005≤[Ce]＝1≤0.05。

下面简短叙述阴离子晶格中石榴石荧光粉的代替物质。首先，用硅离子代替Al⁺³，这可以记录为缺陷模型如(Si_Al)°。用镁代替Al⁺³，也就是说(Mg_Al)′，这些缺陷结点被电荷补偿。此一过程被记录为：

(Al_Al)_x＝(Mg_Al)′_x/2+(Si_Al)°_x/2(以下称方程式1)。

阴离子晶格中加入其它离子譬如Li⁺¹、N^-3、F^-1，这时产生中心，记录为：

(O_o)_q＝(N_o)′_q/2+(F_o)°_q/2(以下称方程式2)。

(Al_Al)_y＝(Li_Al)″_y/3+(Si_Al)°_2y/3(以下称方程式3)。

将方程式(1)-(3)综合，可以得到：

(Al_Al)_x+y+(O_o)_q＝(Mg_Al)′_x/2+(Si_Al)°_x/2+(N_o)′_q/2+

(F_o)°_q/2+(Li_Al)″_y/3+(Si_Al)°_2y/3

此多项式指出，通过正电荷(Si_Al)°及/或(F_o)°以及负电荷(Li_Al)″及/或(N_o)′及/或(Mg_Al)′缺陷类型平衡，能保持晶格中电荷平衡。

更为复杂的是对所制备的石榴石荧光粉每个中心的光谱检验和光致发光作用进行分析。首先，我们注意到，在Al⁺³的位置加入少量Si⁺⁴应当伴随着石榴石晶格中局部静电场增大。Si⁺⁴具有τ_Si＝0.5A，Al⁺³具有τ_Al＝0.68A。电场增大应当促进石榴石晶格中主要激活离子Ce⁺³发光强度提升。同时，可以设想，平衡破坏以及部分Al⁺³被小尺寸Si⁺⁴代替能引起辐射光谱向红色光谱区域位移并且变宽。

附件1中提供了本发明所提出的荧光粉的光学技术特性，其组成中添加Li、Mg、Si、N、F。这种荧光粉特点是宽辐射光谱，Δλ＞125nm。此外，光谱特点是发光最大值被位移至长波区域。通常最大值位于区间λ＝560～568nm。主要辐射波长长波位移适合于辐射。

所有这些优越性表现于以下本发明所提出的荧光粉中，其特征在于：其阳离子晶格组成中加入∑Ln＝Y、Gd、Lu及Ce，这样钇元素浓度为[Y]＝1-m-n-1，其中，0.005≤[Gd]＝m≤0.2，0.005≤[Lu]＝n≤0.05，0.005≤[Ce]＝1≤0.05。

以下将简单阐释这些元素分别对荧光粉性质的影响。首先，Ce和它的df电子跃迁确定了材料的辐射。加入Gd能够在Δ＝20～25nm范围将辐射光谱位移至长波区域。添加Lu原子能够引起荧光粉短波激发光谱位移从λ＝435～450nm增长Δ＝10～15nm。同时可以确定，加入的[Lu]能够增大荧光粉发光亮度，其晶格参数减小为

所有这些特点将表现于本发明的荧光粉中，其特征在于：当荧光粉阳离子晶格中[Gd]＝0.08及[Lu]＝0.02原子分率时，它的单位晶格参数为

此时初始配料中镁和硅的含量为∑(Mg+Si)≤0.025原子分率，在这种情况下，氮的初始含量为(N_o)_p/2≤0.008原子分率。我们强调，所有加入荧光粉组成中的元素的化学分析很复杂，因而本发明指出了加入初始配料中的初始激活元素浓度。

正如我们所注意到的，本发明所提出的荧光粉辐射光谱能位移至长波区域。这种位移的原因主要有两个方面：阳离子晶格中Gd离子和Y离子被代替而形成固溶体以及阴离子晶格中点缺陷基质的形成并符合于等式

(Al_Al)°x＝(Mg_Al)′_x/2+(Si_Al)_x/2。

正如本发明所揭示，“钆”位移均衡和平稳地进行，严格地遵循所加入钆的浓度。另一方面，阴离子晶格中用Mg_Al和Si_Al离子代替铝离子，引起辐射光谱最大值位置跃进式位移。对于荧光粉的组成而言，这些特点有所表现，其特征在于当元素钆浓度增长为[Gd]≥0.1原子分率时，荧光粉辐射光谱最大值位移至长波区域，当加入荧光粉组成中的[Mg+Si]＞0.02原子分率时，保证更大位移从λ＝565～580nm。因此，本发明所提出的荧光粉的特点是它具有一系列优良性质：1.辐射光谱在大的范围变化；2.激发光谱向长波方向变化；以及3.荧光粉粉末的黄色发光具有稳定性。

此外在特定条件下，本发明所提出的材料还能实现其它一些优越性，譬如当荧光粉初始组成中加入N^-3及F^-1，且总量[N^-3+F^-1]≤0.005原子分率时，荧光粉光谱最大值半波宽的增长为Δλ＝120～128nm。这种组成保证本发明的荧光粉粉末的耐久性，也就是说，在使用过程中荧光粉粉末不改变其光学技术性质。本发明所提出的荧光粉有一个参数为它的辐射具有高的色饱和，即色纯度。这个参数取决于色坐标x及y的比例以及总和。荧光粉辐射色坐标的总和为x+y≥0.86，在大多数情况下这个值为x+y＝0.89。

正如本发明中所指出，只有在初步阶段的荧光粉组成中加入必要质量的含有Li、Mg、Si、N、F离子的物质，才能表现出这些高色纯度值以及总和x+y。本发明荧光粉的制备系通过传统固相合成法进行，作为氧化物组分通常使用譬如Y₂O₃、Gd₂O₃、Lu₂O₃、CeO₂等，有一点需要指出，这些成分的草酸盐沉淀物也能使用，但一般不采用。通过加入γ-氧化物γAl₂O₃，阴离子组分比面为S≥40×10³cm²/cm³。阴离子晶格中加入锂和镁的卤化物填料如LiCl或LiF或LiBr，以及MgF₂和MgCl₂或MgBr。加入Si⁺⁴保证初始配料中填料含有SiO₂。使用“nanopowder”材料，比面为100×10³cm²/cm³。本发明所提出的荧光粉的合成在复合气体介质中进行，介质由1～5％NH₃及95～97％N₂组成。下面，本发明将揭示一种制备本发明所提出的荧光粉的制作方法的实例。

实施例一：

将15gY₂O₃、6gGd₂O₃、0.2gLu₂O₃及0.7gCeO₂在专业高速混料机中混合，混料机壳体涂满刚铝石材料。配料中添加22g氢氧化铝，2g氟化镁和2g氟化钡。补充熔剂为0.2gLiCl。混合之后配料装入刚铝石坩埚并在弱还原气压下放置入响应炉中。炉内温度升高至1550℃，速率为5°/分，此后保持4小时。将装有产物的炉冷却至T＝200℃，产物从坩埚中取出，通过100筛眼的筛网进行过筛并用HCl(1∶1)洗涤。使用″Sensing″标准仪器对所制成产物进行光学技术参数测量，附件1中提供了数据。同时进行测量的还包括本发明的荧光粉的粉末分散组成。必须注意这些特性。在荧光粉粉末分散性方面，对于二元发光组成的发光二极管至今尚未有统一要求。关于使用纳米尺寸石榴石荧光粉粉末必要性的最初观点，关于荧光粉更高的发光效率的数据没有确定，粉末平均直径为d_cp＝6～10μm。很大程度上关于分散度的要求也与源于InGaN的异质结表面荧光粉粉末的技术形成相联系。这样需要必要分散度的粉末为d_cp＝1～3μm。在使用分层法的情况下，通过最初的填充有荧光粉的薄膜可以使用更大尺寸的荧光粉粉末。

此种复合发光转换涂层保证发光二极管的发光效率达到ζ＝1001m/W。此种本发明所提出的荧光粉的优越性基于，上述材料特点是强烈的黄色发光以及在λ＝440～480nm的区域强烈的光吸收，在这种情况下，单位荧光粉粉末具有类椭圆形状，其平均直径为d₅₀＝3.5～5μm，从外面布满了不透光的孔隙，这些孔隙扩展于荧光粉容积，每个孔隙的平均中线半径为6.6847

本发明还揭示一种暖白色发光二极管。请参照图1，其绘示本发明的暖白色发光二极管的结构示意图。如图所示，本发明的暖白色发光二极管具有一铟镓氮化物(InGaN)异质结1为基质，该铟镓氮化物异质结1的表面涂有如上述的荧光粉2，其特征在于：该荧光粉2粉末以均匀浓度涂在该铟镓氮化物异质结1表面，该铟镓氮化物异质结1所发的光与该荧光粉2中被激发辐射的光一起混合形成整体光，其色坐标位于暖白色区域0.36＜x≤0.40，0.36≤y≤0.40，而辐射色温为2800K≤T≤5500K范围。

此外，本发明的暖白色发光二极管进一步具有一固定球面镜盖3，其位于该荧光粉2的外侧，使源于该固定球面镜盖3的发光二极管辐射具有光强度50＜1＜300cd，半开角2θ＝60°，在此情况下，当激发状态为U＝3.5V，J＝20mA时，该发光二极管辐射发光效率为ζ＝85～951m/W。

此外，本发明的暖白色发光二极管的荧光粉2粉末表面进一步涂有纳米尺寸的硅酸锌薄层(图中未示出)，其系由ZuOx和SiO₂所组成，其浓度为40～80nm。

以下本发明将对上面段落进行解释。首先，荧光粉2为黄色，其能够很好吸收源于InGaN异质结1的电致发光的蓝色及浅蓝色光。其次，荧光粉2粉末的类椭圆体形状促进了非常密实的包覆层(图中未示出)。最后，从荧光粉2粉末表面到它们的内部导向不透光的孔隙，其半径很小，为τ＝6.68A。对于这个值的特性，本发明指出，它近似于荧光粉2基质晶格参数的一半，为

粉末中不透光孔隙的作用还不仅仅如此。可以设想，这些孔隙是光学辐射的波导管通路，在荧光粉2粉末基质中发生振荡。在致力于本发明的工作进程中我们确定，随着孔隙数量增长，它能增大荧光粉2粉末辐射强度。通过专业吸收液压氮的物理-化学分析法(BET法)对不透光孔隙进行测定。对于具体的本发明所提出的光致发光材料组，我们确定：1.当孔隙半径为6.07～9.80

时，总孔隙表面积为2.07m²/g；2.当水力半径为上述值时，总孔隙总容积为0.001386cm₃/g；3.孔隙平均半径为6.68

以及4.通过BET法测定的粉末表面积为4.56m²/g。

因而，孔隙表面积分率为全部荧光粉2粉末表面积的约50％。用于发光二极管的荧光粉2粉末所具有的这一异乎寻常的特性在以前从未论及，还需要补充说明的是，纳米尺寸的硅酸锌薄层系由ZuOx和SiO₂组成的薄层覆盖在粉末表面，其浓度为40～80nm。这种薄层作用包括从表面排除所有不相干的离子譬如Na⁺、K⁺、Ce^-、SO₄ ^-2，当凝结和电解时，这些离子转入聚合物悬浊液中。此外，硅酸锌薄层的特点是具有足够导电性，因而当将荧光粉2粉末贮存时没有产生静电荷，没有发生粘合作用以及没有形成附聚物。这些性质很大程度上决定发光二极管的高品质，本发明中所提出的发光二极管中装配有InGaN异质结1，其制作为平面构造，辐射平面直线尺寸大于异质结辐射棱面几何浓度的50～100倍，在这种情况下，表面和辐射棱面涂上浓度均匀的聚合物涂层，其容积中分布着浓度从1～15％的荧光粉2。聚合物涂层浓度为60～120μm，对于吸收异质结辐射约80％蓝光并将它转换为黄色发光而言，已经足够。这时，从发光二极管输出的全部发光范围具有暖白色坐标，其为值0.34＜x≤0.42，0.35≤y≤0.42。这时发光二极管辐射色温范围从T＝5500～2800K。

这样，使用本发明所提出的荧光粉2能够创造暖白辐射发光二极管，这种发光二极管不同于早已为人所知的冷白光源。在暖白光发光二极管基础上的装置能够适合于照明目的，应用于住室、房屋、电梯、隧道等。人眼所适应的发光二极管暖白色调发光影响人们居住的室内条件。

本发明所提出的发光二极管的这些显著特点兼有，发光二极管具有源于聚碳酸酯的标准球面镜的固定球面镜盖3，能够创造辐射光强度50cd≤L≤300cd，半开角为2θ＝60°，并且具有很高的发光效率，为ζ＝85～951m/W。当发光二极管中电流值从20～50mA时，就能达到上述很高的发光效率值。当发光二极管中电流值颇大，为J＝100mA时，发光效率有些降低，其值为ζ＝65～781m/W，此时组件中实验功率W＝1W已实现。

综上所述，本发明的暖白色发光二极管以稀土石榴石为基质，其中铈作激化剂，在源于铟镓氮化物的短波光激发下具有很高的光强度、高发光效率及对温度具有低灵敏度等优点，因此，确可改善已知荧光粉的缺点。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内当可作少许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的为准。

【图式简单说明】

图1，其绘示本发明的暖白色发光二极管的结构示意图。

【主要组件符号说明】

铟镓氮化物异质结1         荧光粉2

固定球面镜盖3

Claims (11)

1.一种橙黄发光荧光粉，其以被铈激化的稀土石榴石为基质，特征在于：该荧光粉基质成分中添加Li、Si、N及F原子，构成化合物的总化学计量公式：(∑Ln)₃Al_5-x-yLi_y/3Mg_x/2Si_(x/2+2y/3)F_q/2O_12-qN_q/2，当激发波长从440～475nm时，在次能带为542～590nm，其辐射量子输出q＞0.9并且具有立体组石榴石立方结晶构造，其中0.001≤x≤0.005；0.0001＜y＜0.0005以及0.0001≤q≤0.001，并且其中∑Ln＝Y、Gd、Lu或Ce。

2.如权利要求1所述的橙黄发光荧光粉，其中该荧光粉的组成中阳离子晶格中加入∑Ln＝Y、Gd、Lu或Ce，使钇的浓度为[Y]＝1-m-n-1，其中0.005≤[Gd]＝m≤0.2，0.005≤[Lu]＝n≤0.05，0.005≤[Ce]＝1≤0.05。

3.如权利要求1所述的橙黄发光荧光粉，其中当全部阳离子晶格中Gd及Lu的含量为[Gd]＝0.08及[Lu]＝0.02原子分率时，该荧光粉单位晶胞为

在此情况下，加入氮离子数量为(N_o)_p/2≤0.008原子分率。

4.如权利要求1所述的橙黄发光荧光粉，其中该钆元素浓度增长时，[Gd]≤0.1原子分率，该荧光粉辐射光谱最大值位移至长波区域，当更大波长的位移为λ＝568～580nm时，确保该荧光粉组成中所加入的[Mg+Si]≤0.02原子分率。

5.如权利要求1所述的橙黄发光荧光粉，其中当该荧光粉组成中加入N^-3和F^-1且浓度为[N^-3+F^-1]≤0.005原子分率时，该荧光粉光谱最大值半波宽增大为Δλ＝120～128nm。

6.如权利要求1所述的橙黄发光荧光粉，其中当该荧光粉组成中添加所有源于Li、Mg、Si、N、F的激活元素组分时，其辐射色坐标为∑(x+y)≥0.89。

7.如权利要求1所述的橙黄发光荧光粉，其中该荧光粉具有黄色色泽并吸收λ＝440～480nm的光。

8.如权利要求7所述的橙黄发光荧光粉，其中该荧光粉被制成为类椭圆体粉末，其中位尺寸为d₅₀＝3.5～5μm，粉末容积中具有不透光的孔隙，其平均孔隙半径为

9.如权利要求1所述的橙黄发光荧光粉，其中该荧光粉粉末表面进一步涂有纳米尺寸的硅酸锌薄层，其组成为ZnOx和SiO₂，其浓度为40～80nm。

10.一种暖白色发光二极管，其具有一铟镓氮化物异质结为基质，该铟镓氮化物异质结的表面涂有如权利要求1所述的荧光粉，其特征在于：该荧光粉粉末以均匀浓度涂在该铟镓氮化物异质结表面，该铟镓氮化物异质结所发的光与该荧光粉中被激发辐射的光一起混合形成整体光，其色坐标位于暖白色区域0.36＜x≤0.40，0.36≤y≤0.40，而辐射色温为2800K≤T≤5500K范围。

11.如权利要求10所述的暖白色发光二极管，其进一步具有一固定球面镜盖，其位于该荧光粉的外侧，使源于该固定球面镜盖的发光二极管辐射具有光强度50＜1＜300cd，半开角2θ≥60°，在此情况下，当激发状态为U＝3.5V，J＝20mA时，该发光二极管辐射发光效率为ζ＝85～951m/W。

Images