CN101172846B - 硅氮氧陶瓷透波材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种硅氮氧陶瓷透波材料,属于特种、功能陶瓷技术领域,其配料粉料的重量组成为:氮化硅90~95%和氧化钇5~10%,外加石英70~80%;经过配料、成型和烧成制得材料产品,其中利用粘接剂对配料粉料进行造粒后再压制成型,粒度控制为60~90微米,采用冷等静压成型,压力为100~160MPa,在氮气气氛下无压烧结,烧结温度为1700~1750℃,高温保温时间为60~90分钟。材料产品不仅具有良好的力学、热学性能,强度高,导热低,热膨胀小,而且具有优异的介电性能,介电常数ε<3.5,介电损耗<2.3×10E-3,能够满足8mm波段高透过率的应用要求。本发明制备方法科学合理,简单易行,便于实施。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅氮氧陶瓷透波材料及其制备方法,属于特种、功能陶瓷技术领域。
背景技术
毫米波制导具有准全天候的特性和良好的低空、超低空俯视跟踪与对付隐身目标的能力。但是由于毫米波(8mm)的波长短,所要求的高性能毫米波材料必须具有高电磁波穿透能力,同时要求质量轻、强度高。其热、电、结构强度和刚度等综合性能非常苛刻,壁厚容差小,罩体加工精度要求高,因此增加了材料研究、制作和产品成型的困难。传统陶瓷材料不能满足以上综合要求,因此能够应用于8毫米波段的透波复合陶瓷材料一直是国内外学者要攻克的难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅氮氧陶瓷透波材料,密度低、强度高、导热低、介电性能好;本发明同时提供了其科学合理、简单易行的制备方法。
本发明所述的硅氮氧陶瓷透波材料,其配料粉料的重量组成为:
氮化硅90~95%和氧化钇5~10%,外加石英70~80%。
其中:
石英为无定形态,粒径为2~20μm,二氧化硅重量含量不低于99.98%。
氮化硅粒径为0.45~2微米,α相氮化硅重量含量不低于93%。
氧化钇粒径小于1微米,氧化钇含量不低于99.98%。
科学合理、简单易行的制备方法如下:
与通常的陶瓷透波材料制备方法一样,包括配料、成型和烧成,本发明利用了粘接剂,首先对配料粉料进行造粒后,再压制成型,造粒粒度控制为60~90微米。粘接剂优选聚乙烯醇水溶液,聚乙烯醇聚合度为1600~1800,控制重量浓度为20~40%,以配料粉料重量为基数,添加量以0.5~1%适宜。
成型采用冷等静压成型(CIP成型),压力控制为100~160MPa。
烧成在氮气气氛下无压烧结,即不需要额外的压力,保持常压即可,专业上称为无压烧结,烧结温度控制为1700~1750℃,高温保温时间控制为60~90分钟。
本发明未提及部分的工艺控制情况同功能陶瓷的常规制备一样,为成熟现有技术,直接沿用即可,不再赘述。所用原料均从市场购买即可。
本发明利用粘接剂进行造粒,可得到均质坯体。烧结后,大量的无定形石英形成有一定量气孔的玻璃态,因而整体材料的电性能优良。同时氮化硅与石英发生反应生成硅氮氧晶体,方程式为:Si3N4+SiO2=2Si2N2O,从而使整体材料的强度增加,热学性能也得到改善。
经试验检测,本发明多孔陶瓷透波材料的技术性能指标如下:
密度<1.9g/cm3,室温抗弯强度σ=100~150MPa,导热系数(室温)<3.0W/m.K,热膨胀系数(800℃)<3.2/℃,35GHZ频段(8mm波)下介电常数ε<3.5,介电损耗<2.3×10E-3。
本发明硅氮氧陶瓷透波材料,不仅具有良好的力学、热学性能,强度高,导热低,热膨胀小,而且具有优异的介电性能,介电常数ε<3.5,介电损耗<2.3×10E-3,能够满足8mm波段高透过率的应用要求。本发明制备方法科学合理,简单易行,便于实施。
附图说明
图1、本发明制备方法工艺流程框图。
图2、本发明实施例1硅氮氧陶瓷透波材料的XRD物相分析图。
图3、本发明实施例1硅氮氧陶瓷透波材料的500倍放大SEM图。
图4、本发明实施例1硅氮氧陶瓷透波材料的10000倍放大SEM图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步说明。
从图2所示的XRD物相分析图中看出,材料中有晶体存在,且只有硅氮氧晶体。
从图3、图4所示的SEM图中看出,本发明硅氮氧陶瓷透波材料整体为无定形玻璃态,硅氮氧晶体被玻璃包裹。
实施例1
本发明硅氮氧陶瓷透波材料的制备方法如下:
称取108克0.45~2微米氮化硅粉,α相氮化硅重量含量为95%,86克过1000目筛的石英粉,二氧化硅重量含量为99.99%,12克粒径小于0.5微米的氧化钇粉,氧化钇重量含量为99.99%,采用球磨用无水乙醇将配料混匀,加入配料量重量0.6%的粘接剂进行造粒,粒度控制为70~80微米,其中粘接剂为聚合度1600~1800的聚乙烯醇水溶液,重量浓度为35%。将经过造粒后的颗粒料在100MPa压力下冷等静压成型,在氮气气氛下无压烧结,最高温度1700~1750℃、高温保温60分钟烧成,制得本发明硅氮氧陶瓷透波材料。
材料样品经测试,技术指标如表1。
表1、技术性能检测表
密度g/cm<sup>3</sup> | 气孔率% | 抗弯强度MPa | 导热系数(W/m.K) | 热膨胀系数(1/℃) | 介电常数 | 介电损耗 |
1.85 | 29.43 | 117.3 | 2.9 | 3.07(800℃) | 3.4 | 1.8×10<sup>-3</sup> |
实施例2
本发明硅氮氧陶瓷透波材料的制备方法如下:
称取12克0.5~2微米氮化硅粉,α相氮化硅重量含量为94%,10克粒径为2~10μm的石英粉,二氧化硅重量含量为99.98%,1.3克粒径小于0.6微米的氧化钇粉,氧化钇重量含量为99.99%,采用球磨用无水乙醇将配料混匀,加入配料量重量0.5%的粘接剂进行造粒,粒度控制为60~70微米,其中粘接剂为聚合度1600~1800的聚乙烯醇水溶液,重量浓度为35%。将经过造粒后的颗粒料在120MPa压力下冷等静压成型,在氮气气氛下无压烧结,最高温度1700~1750℃、高温保温60分钟烧成,制得本发明硅氮氧陶瓷透波材料。
材料样品经测试,技术指标如表2。
表2、技术性能检测表
密度g/cm<sup>3</sup> | 气孔率% | 抗弯强度MPa | 导热系数(W/m.K) | 热膨胀系数(1/℃) | 介电常数 | 介电损耗 |
1.86 | 29.43 | 118.5 | 2.9 | 3.10(800℃) | 3.45 | 1.83×10<sup>-3</sup> |
实施例3
本发明硅氮氧陶瓷透波材料的制备方法如下:
配料粉料重量组成:粒径为0.5~1.5微米、α相氮化硅重量为95%的氮化硅粉93%,粒径小于0.8微米、氧化钇重量含量为99.98%的氧化钇粉7%,粒径为2~8μm、二氧化硅重量含量为99.98%的石英粉78%。
采用球磨用无水乙醇将配料混匀,加入配料量重量0.7%的粘接剂进行造粒,粒度控制为60~80微米,其中粘接剂为聚合度1600~1800的聚乙烯醇水溶液,重量浓度为25%。将经过造粒后的颗粒料在120MPa压力下冷等静压成型,在氮气气氛下无压烧结,最高温度1710~1725℃、高温保温70分钟烧成,制得本发明硅氮氧陶瓷透波材料。
材料样品经测试,技术指标如表3。
表3、技术性能检测表
密度g/cm<sup>3</sup> | 气孔率% | 抗弯强度MPa | 导热系数(W/m.K) | 热膨胀系数(1/℃) | 介电常数 | 介电损耗 |
1.78 | 29.33 | 110.1 | 2.7 | 3.12(800℃) | 3.3 | 2.1×10<sup>-3</sup> |
实施例4
本发明硅氮氧陶瓷透波材料的制备方法如下:
配料粉料重量组成:粒径为0.6~1.2微米、α相氮化硅重量含量为94%的氮化硅粉95%,粒径小于0.9微米、氧化钇重量含量为99.99%的氧化钇粉5%,粒径为3~7μm、二氧化硅重量含量为99.98%的石英粉72%。采用球磨用无水乙醇将配料混匀,加入配料量重量0.8%的粘接剂进行造粒,粒度控制为70~85微米,其中粘接剂为聚合度1600~1800的聚乙烯醇水溶液,重量浓度为30%。将经过造粒后的颗粒料在140MPa压力下冷等静压成型,在氮气气氛下无压烧结,最高温度1730~1750℃、高温保温60分钟烧成,制得本发明硅氮氧陶瓷透波材料。
实施例5
本发明硅氮氧陶瓷透波材料的制备方法如下:
配料粉料重量组成:粒径为0.5~2微米、α相氮化硅重量含量为95%的氮化硅粉97%,粒径小于0.7微米、氧化钇重量含量为99.98%的氧化钇粉3%,粒径为2~7μm、二氧化硅重量含量为99.99%的石英粉73%。采用球磨用无水乙醇将配料混匀,加入配料量重量0.6%的粘接剂进行造粒,粒度控制为65~90微米,其中粘接剂为聚合度1600~1800的聚乙烯醇水溶液,重量浓度为33%。将经过造粒后的颗粒料在110MPa压力下冷等静压成型,在氮气气氛下无压烧结,最高温度1720~1730℃、高温保温80分钟烧成,制得本发明硅氮氧陶瓷透波材料。
Claims (1)
1.一种硅氮氧陶瓷透波材料,其特征在于配料粉料的重量组成为:
氮化硅90~95%和氧化钇5~10%,外加石英70~80%;
其中:
石英为无定形态,粒径为2~20μm,二氧化硅重量含量不低于99.98%;
氮化硅粒径为0.45~2微米,α相氮化硅重量含量不低于93%;
氧化钇粒径小于1微米,氧化钇含量不低于99.98%;
制备方法包括配料、成型和烧成,利用粘接剂对配料粉料进行造粒后再压制成型,粒度控制为60~90微米;
其中:
粘接剂为聚乙烯醇水溶液,重量浓度为20~40%,以配料粉料重量为基数,添加量为0.5~1%;
成型采用冷等静压成型,压力为100~160MPa;
烧成在氮气气氛下无压烧结,烧结温度为1700~1750℃,高温保温时间为60~90分钟。
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103288456A (zh) * | 2013-05-17 | 2013-09-11 | 西安交通大学 | 一种无金属离子添加的高纯硅氮氧陶瓷的低温制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN1793014A (zh) * | 2005-10-27 | 2006-06-28 | 中材高新材料股份有限公司 | 低介电、透波多孔陶瓷材料及其制备方法 |
CN101020609A (zh) * | 2006-12-14 | 2007-08-22 | 中材高新材料股份有限公司 | 高强度氮化硅多孔陶瓷透波材料及其制备方法 |
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US6709999B2 (en) * | 2000-06-17 | 2004-03-23 | Sgl Carbon Ag | Molded part of ceramic material derived from polymers, process for producing ceramic molded parts and sliding element having a molded part |
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CN101020609A (zh) * | 2006-12-14 | 2007-08-22 | 中材高新材料股份有限公司 | 高强度氮化硅多孔陶瓷透波材料及其制备方法 |
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---|
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C06 | Publication | ||
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