CN101154348A - 电光学装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电光学装置。驱动晶体管生成与其栅极电位相应的驱动电流。OLED元件以与驱动电流相应的亮度发光。晶体管切换驱动晶体管Tdr的栅极和漏极之间的导通和非导通。电容元件具有第一电极和第二电极。第二电极连接于驱动晶体管的栅极。晶体管插入在供给数据电位的数据线和第一电极之间。电容元件被设置在电容元件和数据线之间，并且连接于电源线和驱动晶体管的栅极之间。由此，可为显示质量的提高做出贡献。

Description

电光学装置和电子设备

技术领域

本发明涉及构成电光学装置的要素的布置(layout)和电子设备，所述电光学装置包括由有机EL(电致发光)材料构成的发光元件等各种电光学元件。

背景技术

这种电光学元件通过电流的供给来改变灰度等级(典型地为亮度)。现有技术提出了通过晶体管(以下称为“驱动晶体管”)来控制该电流(以下称为“驱动电流”)的构成。但是，在该构成中，存在因驱动晶体管的特性(特别是阈植电压)的个体差异导致的在各个电光学元件的灰度等级上产生不均匀之类的问题。为了抑制该灰度等级的不均匀，例如在专利文献1到专利文献2中，公开了用于补偿驱动晶体管的阈值电压的差异的构成。

图17是表示专利文献1所公开的像素电路P0的构成的电路图。如图中所示，在驱动晶体管Tdr的栅极和漏极之间插入了晶体管Tr1。电容元件C1的一个电极L2连接到驱动晶体管Tdr的栅极。保持电容C2是在驱动晶体管Tdr的栅极和源极之间插入的电容。另一方面，晶体管Tr2插入在数据线103和电容元件C1的另一个电极L1之间，是用于切换两者的导通和非导通的开关元件，所述数据线103被提供了与有机发光二极管元件(以下称为“OLED元件”)110所指定的亮度相对应的电位(以下称为“数据电位”)V_D。

在以上构成中，首先，通过信号S2使晶体管Tr1转变到导通状态。这样，当驱动晶体管Tdr被二极管连接时，驱动晶体管Tdr的栅极的电位收敛到“V_EL-Vth”(Vth是驱动晶体管Tdr的阈值电压)。第二，在使晶体管Tr1成为截止状态时，通过由信号S1使晶体管Tr2成为导通状态，使电容元件C1的电极L1和数据线103导通。通过该动作，驱动晶体管Tdr的栅极的电位仅仅改变根据电容元件C1和保持电容C2之间的电容比率来分割电极L1上的电位的变化部分后的电平(即与数据电位V_D相应的电平)。第三，当使晶体管Tr2成为截止状态时，由信号S3使晶体管Te1成为导通状态。其结果，不依赖于阈值电压Vth的驱动电流Ie1经由驱动晶体管Tdr和晶体管Te1被提供到OLED元件110。即使在专利文献2所公开的构成中，用于补偿驱动晶体管Tdr的阈值电压Vth的基本原理也是同样的。

专利文献1，特开2003-332072号公报(图1)

专利文献2，特开2006-30635号公报(图1到图3)。

在这种像素电路中，例如如图18所示，在数据线和电源线之间配置了第一电容C1。因此，在构成电容C1的导体配线和构成数据线的导体配线之间产生了寄生电容。特别地，当通过介入该寄生电容在电容C1和数据线103之间发生串扰、使得电容C1的电压变动时，由于驱动晶体管Tdr的栅极的电位和与该电位相应的驱动电流Ie1变动，因此产生OLED元件110的亮度的变动。

在专利文献2记载的像素电路中，尽管通过在电容C1、C2的周围设置金属屏蔽来降低数据线的电场的影响，但是，在这种构成中，为了确保设置金属屏蔽的区域，存在元件高集成化变得困难的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的之一是抑制驱动晶体管的栅极的电位的变动，从而为显示质量的提高做出贡献。

本发明能够作为下面的方式或者应用例来实现。

[应用例1]电光学装置包括：多个扫描线，其包括第一扫描线；多个数据线，其包括第一数据线；多个单位电路，其对应于所述多个扫描线和所述多个数据线的交叉部而设置，并且包括第一单位电路；以及电源线，其供给电源电压。这里，所述第一单位电路包括：驱动晶体管，根据栅极的电压来设定驱动电流；电光学元件，由所述驱动电流驱动；第一电容元件，其包括第一电极和第二电极；第一开关元件，其基于通过介入所述第一扫描线供给的控制信号来控制所述第一数据线和所述第二电极之间的电连接；以及第二电容元件，其包括第三电极和第四电极。所述驱动晶体管具有第一端子和第二端子。所述第一端子连接于所述电源线。所述第一电极连接于所述栅极。所述第三电极连接于所述栅极或者所述第二电极。在所述第一单位电路中，所述第二电容元件的至少一部分被配置在所述第一数据线和所述第一电容元件之间。而且，例如，在后面说明的图4或者图6的情况下，在俯视的情况下，第二电容元件的至少一部分被配置在第一数据线和第一电容元件之间。

根据上述应用例，由于第二电容元件被配置在数据线和所述第一电容元件之间，因此能够降低在数据线和第一电容元件之间的寄生电容。

[应用例2]上述电光学装置还可以包括电位线，用于供给规定的电位。这里，所述多个数据线包含第二数据线，所述电位线设置在所述第一数据线和第二数据线延伸的方向上，在所述第一数据线和所述第二数据线之间，所述第一电容元件被配置在所述第二电容元件和所述电位线之间。

而且，如在后面说明的图4和图6中所示的，在俯视的情况下，在第一数据线和第二数据线之间，第一电容元件被配置在第二电容元件和电位线之间。

[应用例3]所述多个数据线也可以包含第二数据线。在这种情况下，在所述第一数据线和所述第二数据线之间，所述第一电容元件可以被配置在配置了所述电光学元件的区域和所述第二电容元件之间。

根据上述应用例，在第一数据线或者第二数据线与第一电容元件之间，配置了配置电光学元件的区域或者第二电容元件。因此，能够防止第一和第二数据线的电位变动对第一电容元件施加影响。

[应用例4]在配置了所述电光学元件的区域的下面，还可以配置所述第一电容元件或者所述第二电容元件的至少一部分。

[应用例5]所述第三电极还可以连接于所述第二电极。在这种情况下，所述第一单位电路还可以包括：半导体图案层，其包括所述驱动晶体管的第一半导体膜、所述第一电极、以及所述第四电极；绝缘层，其覆盖所述半导体图案层；以及配线图案层，其包括设置于所述绝缘层上的所述第二电极和所述第三电极。在这种情况下，所述第二电极和所述第三电极由被共同设置的膜构成，在所述第一数据线和所述第一电极之间，设置了所述第四电极，所述第四电极电连接于所述电源线。

根据上述应用例，由于在第一数据线和第一电极之间插入了第四电极，并且第四电极连接于电源线，因此能够降低第一数据线和第一电极之间的耦合电容。

[应用例6]所述第三电极还可以连接于所述栅极。在这种情况下，所述第一单位电路包括：半导体图案层，其包括所述驱动晶体管的第一半导体膜、所述第一电极、以及所述第三电极；绝缘层，其覆盖所述半导体图案层；以及配线图案层，其包括设置于所述绝缘层上的所述第二电极和所述第四电极。在这种情况下，所述第一电极和所述第三电极由被共同设置的第二半导体膜构成。

在上述应用例中，如果多个数据线被形成在比所述半导体图案层或者所述配线图案层更上的层上，则由于所述多个数据线和第一电极由不同的层形成，因此能够立体地分开配置多个数据线和第一电极，从而能够降低其间的耦合电容。

[应用例7]所述第三电极还可以连接于所述栅极。在这种情况下，所述第一单位电路还可以包括：半导体图案层，其包括所述驱动晶体管的第一半导体膜、所述第二电极、以及所述第四电极；绝缘层，其覆盖所述半导体图案层；以及配线图案层，其包括设置于所述绝缘层上的所述第一电极和所述第三电极。在这种情况下，所述第一电极和所述第三电极由被共同设置的膜构成。

[应用例8]所述第三电极也可以连接于所述第二电极。在这种情况下，所述第一单位电路也可以包括：半导体图案层，其包括所述驱动晶体管的第一半导体膜、所述第二电极、以及所述第三电极；绝缘层，其覆盖所述半导体图案层；以及配线图案层，其包括设置于所述绝缘层上的所述第一电极和所述第四电极。在这种情况下，所述第二电极和所述第三电极由被共同设置的膜构成。

这里，一般地，配线图案比半导体图案更厚。但是，通过如应用例7那样将第一电极和第三电极用被共同设置的膜构成、或者如应用例8那样将第二电极和第三电极用被共同设置的膜构成，不需要对这些电极进行图案形成，从而不会形成由配线图案引起的凹凸。因此，通过做成这种构成，在这些电极的上方，能够将电光学元件配置在凹凸少的面上。

[应用例9]电光学装置包括：多个扫描线，其包括第一扫描线；多个数据线，其包括第一数据线；多个单位电路，其对应于所述多个扫描线和所述多个数据线的交叉部而设置，并且包括第一单位电路；电源线，其供给电源电压；以及电位线，其供给规定的电位。这里，所述第一单位电路包括：驱动晶体管，根据栅极的电压来设定驱动电流；电光学元件，由所述驱动电流驱动；第一电容元件，其包括第一电极和第二电极；第二电容元件，其包括第三电极和第四电极；第一开关元件，其基于通过介入所述第一扫描线供给的控制信号来控制所述第一数据线和所述第二电极之间的电连接；第二开关元件；以及第三开关元件，用于控制所述第二电极和所述电位线之间的电连接。所述驱动晶体管具有第一端子和第二端子。所述第一端子连接于所述电源线，所述第一电极连接于所述栅极。所述第三电极连接于所述栅极或者所述第二电极，所述第二开关元件控制所述第二端子和所述栅极之间的电连接。而且，在所述第一单位电路中，所述第二电容元件的至少一部分被配置在所述第一数据线和所述第一电容元件之间。

在上述应用例的构成的情况下，通过使第三晶体管成为导通状态而将初始化电位(上述规定的电位)供给到第一电容元件的第二电极，通过在数据信号的写入期间使第一开关元件成为导通状态而将数据信号写入到第一电容元件的第二电极，如果在发光期间使第一开关元件和第三开关元件成为断开状态，则在发光期间，第一电容元件的第二电极变成浮置状态。因此，如果假设在数据线和第二电极之间存在大的寄生电容的话，则伴随数据线的电压变动，第一电容元件的第一电极的电压变动，从而使驱动电流的大小变动。但是，根据应用例9的构成，由于在数据线和所述第一电容元件之间配置了第二电容元件，因此能够降低在数据线和第一电容元件之间的寄生电容。

[应用例10]电子设备也可以安装上述电光学装置。

[应用例11]电光学装置还可以包括：多个扫描线；多个数据线；多个单位电路(例如图1所示的400)，其对应于所述多个扫描线和所述多个数据线的交叉部而排列；以及多个电源线(例如图1所示的31)，其供给电源电压。在这种情况下，所述多个单位电路的每一个包括：驱动晶体管，其包括与所述电源线连接的第一端子、第二端子和栅极端子，在所述第一端子和所述第二端子之间流动的驱动电流的电流电平根据所述栅极端子的电压而变化；电光学元件，由所述驱动电流驱动；第一电容元件，其包括第一电极(例如图2所示的L1a)和第二电极(例如图2所示的L1b)，所述第一电极连接于所述栅极端子；第一开关元件(例如图2所示的Tr1)，其基于通过介入所述扫描线供给的控制信号来控制所述数据线和所述第二电极之间的电连接，在导通状态的情况下，通过介入所述第一电容元件，供给于所述数据线的数据信号供给到所述栅极端子；以及第二电容元件，其包括第三电极和第四电极，在从所述驱动晶体管将所述驱动电流供给到所述电光学元件时，用于保持所述栅极端子或者所述第二电极的电位。而且，所述第一电容元件和所述第二电容元件邻接配置，在所述数据线和所述第一电容元件之间配置了所述第二电容元件的一部分或者全部。

根据上述应用例，由于第二电容元件被配置在数据线和所述第一电容元件之间，因此能够降低数据线和第一电容元件之间的寄生电容。由此，能够抑制数据线的电压变动使驱动晶体管的栅极电压变动的串扰，从而能够大幅度提高显示质量。而且，不需要将第二电容元件的全部配置于数据线和第一电容元件之间，可以配置其一部分。例如，可以使第一电容元件和驱动晶体管之间的连接配线配置在与第二电容元件相比更靠近数据线侧。即使在这种情况下，由于第一电容元件通过隔着第二电容元件的一部分而与数据线对置，因此能够降低寄生电容。

[应用例12]上述电光学装置还可以包含多个电位线，用于供给初始化电位。在这种情况下，优选地，所述电位线与所述数据线平行地配置，并且以某个单位电路的数据线、所述第二电容元件、所述第一电容元件、所述电位线、以及与该单位电路邻接的单位电路的数据线的顺序配置。

根据上述应用例，在第一电容元件和邻接的单位电路的数据线之间配置了电位线。由于固定的初始化电位被供给到该电位线，因此能够大幅度地降低在第一电容元件和邻接的单位电路的数据线之间的寄生电容。其结果，能够抑制来自该单位电路和邻接的单位电路的数据线的串扰，从而能够更进一步地提高显示质量。而且，在应用例12中，所谓电位线和数据线被平行地配置，是指配置使得电位线和数据线不交叉。因此，虽然将电位线和数据线不交叉作为意图来进行制造，但由于制造上的原因，本发明也包括严格上不构成平行的情况。

[应用例13]所述第一电容元件的所述第二电极、所述第二电容元件的所述第四电极、所述多个数据线、以及所述多个电位线可以在同一配线层中形成，所述电光学元件可以在位于所述配线层的上方的层中形成。

根据上述应用例，由于第二电极、第四电极、数据线、和电位线在所述配线层中形成，因此能够使形成电光学元件的层的基底的凹凸减少，从而能够在大约平坦的基底之上形成电光学元件。其结果，能够使电光学元件的特性均匀化。

[应用例14]所述驱动晶体管包括半导体层和形成在所述半导体层之上的绝缘层，所述配线层被形成在所述绝缘层之上，所述第一电容元件的所述第一电极和所述第二电容元件的所述第三电极可以在所述半导体层中形成。

根据上述应用例，由于通过设置于半导体层的第一电极、设置于配线层的第二电极、以及设置于其间的绝缘膜构成第一电容元件，以及通过设置于半导体层的第三电极、设置于配线层的第四电极、以及设置于其间的绝缘膜构成第二电容元件，因此能够使每个单位面积的电容值变大。其结果，能够降低第一电容元件和第二电容元件的占有面积。

[应用例15]上述多个单位电路的每一个还可以包括：第二开关元件，用于控制所述第二端子和所述栅极之间的电连接；以及第三开关元件，用于控制所述第一电极和所述电位线之间的电连接。在这种情况下，优选地，所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述驱动晶体管以及所述第一开关元件不配置于配置了所述电光学元件的区域的下方。在通过从设置了所述半导体层和所述配线层的一侧取出光的底发射型来构成所述电光学元件的情况下，上述单位电路的每一个也可以包括：第二开关元件，用于控制所述驱动晶体管的所述第二端子和所述栅极端子之间的电连接；以及第三开关元件，用于控制所述第一电容元件的所述第二电极和所述电位线之间的电连接。在这种情况下，优选地，所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述驱动晶体管以及所述第一开关元件不配置于配置了所述电光学元件的区域的下方。而且，优选地，所述第二开关元件和所述第三开关元件不配置于配置了所述电光学元件的区域的下方。

根据上述应用例，由于配线和电容元件、晶体管或者开关元件不被形成于电光学元件的下方，因此光不会被这些构造物遮挡。

[应用例16]优选地，所述第一电容元件或者所述第二电容元件的至少一部分被配置于配置了所述电光学元件的区域的下方。而且，优选地，在通过从与设置了所述半导体层和所述配线层一侧相反的一侧取出发出光的顶发射型来构成所述电光学元件的情况下，所述第一电容元件的一部分或者全部、以及所述第二电容元件的一部分或者全部被配置于配置了所述电光学元件的区域的下方。

根据上述应用例，由于能够将形成电光学元件的区域和形成第一电容元件和第二电容元件的区域在上下方向上立体地重叠，因此能够使开口率提高和显示更精细的图像。

[应用例17]电光学装置还可以包括：多个扫描线；多个数据线；多个单位电路(例如图1所示的400)，其对应于所述多个扫描线和所述多个数据线的交叉部而排列；多个电源线，其供给电源电压；以及多个电位线(例如图1所示的33)，用于供给初始化电位。在这种情况下，所述多个单位电路的每一个包括：驱动晶体管，其包括与所述电源线连接的第一端子、第二端子和栅极端子，在所述第一端子和所述第二端子之间流动的驱动电流的电流电平根据所述栅极端子的电压而变化；电光学元件，由所述驱动电流驱动；第一电容元件，其包括第一电极(例如图2所示的L1a)和第二电极(例如图2所示的L1b)，所述第一电极连接于所述栅极端子；第二电容元件，其包括第三电极(例如图2所示的L2a)和第四电极(例如图2所示的L2b)，所述第三电极连接于所述栅极端子，所述第四电极连接于所述电源线；第一开关元件(例如图2所示的Tr1)，其基于通过介入所述扫描线供给的控制信号来控制所述数据线和所述第一电容元件的所述第二电极之间的电连接；第二开关元件(例如图2所示的Tr2)，用于控制所述驱动晶体管的所述第二端子和所述栅极端子之间的电连接；以及第三开关元件(例如图2所示的Tr3)，用于控制所述第一电容元件的所述第二电极和所述电位线之间的电连接。而且，所述第一电容元件和所述第二电容元件邻接配置，在所述数据线和所述第一电容元件之间配置了所述第二电容元件的一部分或者全部。

根据上述应用例，通过使第三晶体管成为导通状态而使初始化电位供给到第一电容元件的第二电极，在数据信号的写入中，通过使第一开关元件成为导通状态而使数据信号写入到第一电容元件的第二电极。在发光期间，使第一开关元件和第三开关元件成为断开状态。因此，在发光期间，第一电容元件的第二电极变成浮置状态。由此，如果在数据线和第二电极之间存在大的寄生电容的话，则伴随数据线的电压变动，第一电容元件的第一电极的电压变动，从而驱动电流的大小变动。根据本电光学装置，由于在数据线和所述第一电容元件之间配置了第二电容元件，因此能够降低数据线和第一电容元件之间的寄生电容。由此，能够抑制数据线的电压变动使驱动晶体管的栅极电压变动的串扰，从而能够大幅度提高显示质量。而且，可以不需要将第二电容元件的全部配置于数据线和第一电容元件之间，而配置其一部分。例如，可以使第一电容元件和驱动晶体管之间的连接配线配置在与第二电容元件相比更靠近数据线侧。即使在这种情况下，由于第一电容元件通过隔着第二电容元件的一部分而与数据线对置，因此能够降低寄生电容。

在其它方式中，电子设备也可以安装上述电光学装置。这种电子设备例如体现为便携式电话机、个人计算机、或者电子静止照相机。但是，上述电光学装置的用途不局限于图像的显示。例如，在通过光线的照射而在诸如感光体鼓等图像载体上形成潜像的结构的图像形成装置(印刷装置)中，能够采用上述电光学装置作为将图像载体曝光的机构(所谓的曝光头)。

附图说明

图1是表示实施方式的电光学装置的构成的方框图。

图2是表示像素电路的构成的电路图。

图3是表示各信号的波形的时序图。

图4是概念地表示电光学装置的主要部分的构成的平面图。

图5是概念地表示电光学装置的主要部分的构成的剖面图。

图6是概念地表示变形例的电光学装置的主要部分的构成的平面图。

图7是概念地表示变形例的电光学装置的主要部分的构成的剖面图。

图8是表示变形例的像素电路的构成的电路图。

图9是概念地表示变形例的电光学装置的主要部分的构成的平面图。

图10是概念地表示变形例的电光学装置的主要部分的构成的剖面图。

图11(a)和(b)是概念地表示变形例的电光学装置的主要部分的构成的平面图和剖面图。

图12(a)和(b)是概念地表示变形例的电光学装置的主要部分的构成的平面图和剖面图。

图13(a)和(b)是概念地表示变形例的电光学装置的主要部分的构成的平面图和剖面图。

图14是表示本实施方式的电子设备的具体形式的立体图。

图15是表示本实施方式的电子设备的具体形式的立体图。

图16是表示本实施方式的电子设备的具体形式的立体图。

图17是表示现有技术的像素电路的构成的电路图。

图18是表示现有技术的像素电路的构成的平面图。

符号说明

1电光学装置；11，12，13，14控制线；31电源线；32接地线；33初始化用电源线；100扫描线驱动电路；103数据线；200数据线驱动电路；400像素电路；420OLED元件；500电源电路；A像素区域；Tdr驱动晶体管；Tr4发光控制晶体管；Tr1，Tr2，Tr3晶体管；Sc1，Sc2，Sc3，Sc4控制信号。

具体实施方式

<A：电光学装置的构成>

参考图1和图2，说明本实施方式的电光学装置。图1是表示本实施方式的电光学装置的构成的方框图。如图所示，电光学装置1包括像素区域A、扫描线驱动电路100、数据线驱动电路200、控制电路300、和电源电路500。其中，在像素区域A，形成了在X方向延伸的m根扫描线10、与各扫描线10配对并在X方向延伸的m根电源线31、以及在与X方向正交的Y方向延伸的n根数据线103。在与扫描线10和数据线103的各个交叉点相对应的位置上配置了像素电路400。因此，这些像素电路400排列成纵向m行×横向n列的矩阵形状。

扫描线驱动电路100是用于以行单位在每个水平扫描期间选择和动作排列于像素区域A中的各个像素电路400的电路。另一方面，数据线驱动电路200在各个水平扫描期间中，生成与扫描线驱动电路100选择了的1行(n个)像素电路400的每一个相对应的数据电压Vdata并输出到各个数据线103。该数据电压Vdata是与对于各个像素电路400所指定的灰度等级(亮度)相对应的电压。

控制电路300通过将诸如时钟信号的各种控制信号供给扫描线驱动电路100和数据线驱动电路200来控制各个电路，同时，将用于指定各个像素电路400的灰度等级的图像数据供给数据线驱动电路200。另一方面，电源电路500生成电源高位侧的电压(以下称为“电源电压”)Vdd、低位侧的电压(以下称为“接地电压”)Vss、和初始化电位V_ST。电源电压Vdd通过介入电源线31给各个像素电路400供电。接地电压Vss通过介入规定的配线(图2所示的接地线32)被供给到总的像素电路400。该接地电压Vss是构成电压基准的电位。初始化电位V_ST通过介入初始化用电源线33而供给到各个像素电路400。

接着，参考图2，说明各个像素电路400的构成。在该图中，仅仅示出了第i行(i是满足1≤i≤m的整数)所属的第j列(j是满足1≤j≤n的整数)的一个像素电路400。但是，其他像素电路400也是同样的构成。而且，构成像素电路400的各个晶体管的导电类型不限定于图2例示的。图2所示的各个晶体管的典型例子是将低温多晶硅利用在半导体层中的薄膜晶体管，但是各个晶体管的方式和材料没有任何限制。

如图2所示，像素电路400包括OLED元件420和p沟道型晶体管(以下称为“驱动晶体管”)Tdr，它们各自被插入在供给了电源电压Vdd的电源线31和供给了接地电压Vss的接地线32之间。OLED元件420是以与在其正方向上流动的电流(以下称为“驱动电流”)相应的亮度来进行发光的元件，成为将由有机EL材料构成的发光层插入在阳极和阴极之间的构造。其发光层通过例如从喷墨方式(液滴喷出方式)的头中喷出有机EL材料的液滴以及干燥它而形成。OLED元件420的阴极连接到接地线32。另一方面，驱动晶体管Tdr是用于控制OLED元件420所流过的驱动电流的晶体管。

而且，作为OLED元件420的材料，使用低分子、高分子或者超枝状化合物(dendrimer)等有机发光材料。但是，OLED元件420不过是发光元件的一个例子。就是说，代替OLED元件420，可以使用无机EL元件以及场发射(FE)元件、表面导电型发射(SE：Surface-conductionElectron-emitter)元件、弹道电子发射(BS：Ballistic electron Surfaceemitting)元件、LED(Light Emitting Diode)元件等各种自发光元件，还可以使用电泳动元件或者电致色层元件等。与本实施方式相同，本发明还应用到曝光装置，诸如用于光写入型打印机或者电子复印机的写入头等。例如本发明还应用到诸如生物芯片等的传感装置中。

图1中简单作为1根配线而图示的扫描线10实际上包括第一控制线11、第二控制线12、第三控制线13、第四控制线14，如图2所示。用于规定将数据电压Vdata加入像素电路400的时段的第一控制信号Sc1[1]到Sc1[m]从扫描线驱动电路100被供给到各行的第一控制线11。用于规定像素电路400的补偿时段的第二控制信号Sc2[1]到Sc2[m]从扫描线驱动电路100被供给到各行的第二控制线12。用于规定像素电路400的初始化时段的第三控制信号Sc3[1]到Sc3[m]从扫描线驱动电路100被供给到各行的第三控制线13。用于规定像素电路400的发光时段的第四控制信号Sc4[1]到Sc4[m]从扫描线驱动电路100被供给到各行的第四控制线14。

该像素电路具备n沟道型的晶体管Tr1、晶体管Tr2、晶体管Tr3和晶体管Tr4。各个晶体管Tr1~晶体管Tr4的栅极电极被连接到各自被供给了第一控制信号Sc1[i]、第二控制信号Sc2[i]、第三控制信号Sc3[i]、第四控制信号Sc4[i]的第一控制线11、第二控制线12、第三控制线13、第四控制线14。

发光控制晶体管Tr4是n沟道型的晶体管，其被设置作为开关元件，用于控制可否从驱动晶体管Tdr对OLED元件420供给驱动电流，其漏极电极被连接到OLED元件420的阳极，同时其源极电极被连接到驱动晶体管Tdr的漏极电极。该发光控制晶体管Tr4的栅极电极被连接到第四控制线14。因此，如果供给在第四控制线14上的第四控制信号Sc4[i]为高电平，则发光控制晶体管Tr4变为导通状态，如果为低电平，则变为截止状态。

晶体管Tr1是n沟道型的晶体管，其源极电极被连接到数据线103，同时其漏极电极被连接到电容元件C1的第二电极L1b，并且起着开关元件的功能，用于切换电容元件C1和数据线103之间的导通和非导通。该晶体管Tr1的栅极电极被连接到第一控制线11。因此，如果第一控制信号Sc1[i]为高电平，则第一晶体管Tr1变为导通状态，如果第一控制信号Sc1[i]为低电平，则变为截止状态。当晶体管Tr1为导通状态时，数据线的电压Vdata被供给到电容元件C1的第二电极L1b。

晶体管Tr2是n沟道型的晶体管，被设置用于驱动晶体管Tdr的补偿，其漏极电极被连接到驱动晶体管Tdr的漏极电极，同时源极电极被连接到驱动晶体管Tdr的栅极电极。该晶体管Tr2的栅极电极被连接到第二控制线12。因此，如果第二控制信号Sc2[i]为高电平，则晶体管Tr2变为导通状态，如果第二控制信号Sc2[i]为低电平，则变为截止状态。当晶体管Tr2过渡到导通状态时，则驱动晶体管Tdr通过栅极电极和源极电极导通而变成作为二极管的功能。

电容元件C1被设置用于保持与灰度等级信号相应的电压，是用于在其第一电极L1a和第二电极L1b之间保持电荷的电容。第一电极L1a被连接到驱动晶体管Tdr的栅极电极，第二电极L1b被连接到晶体管Tr1的漏极电极。电容元件C2被提供用于保持用来补偿驱动晶体管Tdr的电压，是用于在其第一电极L2a和第二电极L2b之间保持电荷的电容。第一电极L2a被连接到驱动晶体管Tdr的栅极电极，第二电极L2b被连接到电源线31。

晶体管Tr3是n沟道型的晶体管，被设置用于初始化，其漏极电极被连接到初始化用电源线33，同时源极电极被连接到电容元件C1的第二电极L1b。该晶体管Tr3的栅极电极被连接到第三控制线13。因此，如果第三控制信号Sc3[i]为高电平，则晶体管Tr3变为导通状态，如果第三控制信号Sc3[i]为低电平，则变为截止状态。

<B：电光学装置的动作>

图3是表示被供给到像素电路400的各信号的波形的时序图。如图中所示，第一控制信号Sc1[1]到Sc1[m]在垂直扫描期间(1V)内在每个水平扫描期间(1H)顺次地变成高电平。通过初始化、补偿、写入、和发光的各个步骤的动作来进行各行的像素电路400的驱动。首先，在初始化动作中，扫描线驱动电路100将第i行的第一控制信号Sc1[i]假设为低电平，将第i行的第二控制信号Sc2[i]、第三控制信号Sc3[i]、第四控制信号Sc4[i]假设为高电平。由此，晶体管Tr1变成截止，晶体管Tr2、晶体管Tr3、晶体管Tr4变成导通。此时，初始化用电源线33的初始化电位V_ST(例如低电位)被供给到第一电容元件C1的第二电极L1b，另一方面，第一电极L1a通过介入晶体管Tr2和晶体管Tr4被连接到OLED元件420。由此，第一电容元件C1两端的电位被初始化，使得电容元件C1上所存储的电荷被放电。

之后，在补偿动作中，扫描线驱动电路100仅仅将第二控制信号Sc2[i]假设为高电平，而将第一控制信号Sc1[i]、第三控制信号Sc3[i]、第四控制信号Sc4[i]假设为低电平。由此，晶体管Tr2变成导通，晶体管Tr1、晶体管Tr3、晶体管Tr4变成截止，驱动晶体管Tdr的栅极电极的电压V_G收敛到“Vdd-Vth”，并且变成在电容元件C2保持了-Vth电压的状态。这里，Vth是驱动晶体管Tdr的阈值。

此后，在写入动作中，数据线驱动电路200根据来自控制电路300的指示将写入电压Vdata供给对应的各个数据线103，扫描线驱动电路100仅仅将第一控制信号Sc1[i]假设为高电平，将第二控制信号Sc2[i]、第三控制信号Sc3[i]、第四控制信号Sc4[i]假设为低电平。由此，晶体管Tr1变成导通，晶体管Tr2、晶体管Tr3、晶体管Tr4变成截止，数据线103的电压Vdata被供给到第一电容元件C1的第二电极L1b。第二电极L1b的电压从在初始化动作中所设定的初始化电位V_ST变化到数据电压Vdata。这样，当第二电极L1b的电压仅仅变化ΔV(ΔV＝V_ST-Vdata)时，通过第一电容元件C1和第二电容元件C2之间的电容耦合，驱动晶体管Tdr的栅极电极的电压V_G从其紧前的电压(Vdd-Vth)仅仅变化根据第一电容元件C1的静电电容Ca和第二电容元件C2的静电电容Cb之间的比率来划分在第二电极L1b上的电压的变化量ΔV后的电平。由于在连接点N_G上电压V_G的变化量被表达为“ΔV·Ca/(Ca+Cb)”，因此通过写入动作，连接点N_G的电压V_G变为如下式子。

V_G＝Vdd-Vth-ΔV·Ca/(Ca+Cb)    (1)

写入结束之后，扫描线驱动电路100仅仅将第四控制信号Sc4[i]假设为高电平，将第一控制信号Sc1[i]、第二控制信号Sc2[i]、第三控制信号Sc3[i]假设为低电平。由此，晶体管Tr4变成导通，晶体管Tr1、晶体管Tr2、晶体管Tr3变成截止，在OLED元件420上流过与驱动晶体管Tdr的栅极/源极间电压相应的驱动电流Ie1。由于当将驱动晶体管Tdr的源极电极假设为基准时的栅极电极的电压是“-(V_G-Vdd)”，因此驱动电流Ie1由下式表示。

Ie1＝(1/2)β(Vdd-V_G-Vth)²    (2)

当将式(1)代入该式(2)时，能够变形为下式。

Ie1＝(1/2)β(k·ΔV)²    (3)

其中，k是“Ca/(Ca+Cb)”。如该式(3)所示，被供给到OLED元件420的驱动电流Ie1仅仅由数据电压Vdata和电源电压Vdd之间的差ΔV(＝Vdd-Vdata)决定，而与驱动晶体管Tdr的阈值电压Vth无关。即，在本实施方式中，通过在各个像素电路400中补偿驱动晶体管Tdr的阈值电压Vth的不均匀，能够使OLED元件420用高的精度以希望的亮度发光。

<C：电容元件等的构造>

图4是概念地表示按上述构成的电光学装置的一个像素的构造的平面图，图5是图4中的a-a’剖面图。而且，在图4中，仅仅图示了半导体层(也称为半导体图案层)、栅极配线层(图中的“第一配线层”；也称为下部配线图案层)以及源极配线层(图中的“第二配线层”；也称为上部配线图案层)，这些层如图5所示，被形成在例如玻璃等基板上，在各层间插入了绝缘层等层，但为了方便，图示省略了。在源极配线层(上部配线图案层)上形成了绝缘层(也称为上部绝缘层)，在该绝缘层(上部绝缘层)上形成了通过介入端子T0被连接到源极配线层的OLED元件420。在该OLED元件420上还形成了共同电极(接地)，但这些省略了图示。

上述各个晶体管Tr1~Tr4、Tdr由包含半导体层(半导体图案层)和栅极配线层(下部配线图案层)的构造而构成。在栅极配线层和半导体层之间设置了下部绝缘层，在设置到半导体层的共同电极(相当于L1a，L2a)和设置到栅极配线层的电极(L1b，L2b)之间形成了电容元件C1和电容元件C2。在该电光学装置中，电容元件C2被配置在电容元件C1和数据线103之间。

具体地，本实施方式如下述。在诸如玻璃基板表面的基底表面上设置了半导体图案层，该半导体图案层包括形成了驱动晶体管Tdr和晶体管Tr1~Tr4之每一个的沟道区域的各个半导体膜、电容元件C1的第一电极L1a、电容元件C2的第一电极L2a。通过对形成于整个基底表面上的半导体膜选择地实施杂质注入和然后进行图案形成，使第一电极L1a和第一电极L2a形成并与形成了沟道区域的半导体膜分开。尽管通过选择的杂质注入，第一电极L1a和第一电极L2a的电导率比形成了沟道区域的半导体膜的电导率更好，但是，在本实施形式中，第一电极L1a和第一电极L2a都被定义为“半导体层”即“半导体图案层”的一部分。

下部绝缘层覆盖半导体图案层。在该下部绝缘层上设置了下部配线图案层，该下部配线图案层包括数据线103、电容元件C1的第二电极L1b、电容元件C2的第二电极L2b、初始化用电源线33。而且，上部绝缘层覆盖下部配线图案层。

采用这种布置的原因如下。即，写入到各行像素电路400的数据电压Vdata在每1个水平扫描期间H被供给到数据线103。因此，数据线103的电位在每1个水平扫描期间H变动。由于在没有被选择的行中，晶体管Tr1变成截止状态，因此理想地，第一电容元件C1的第二电极L1b的电位不变化。但是，在实际的布置中，在第二电极L1b和数据线103之间存在寄生电容。因此，通过介入寄生电容，第二电极L1b和数据线103电容耦合，使得第二电极L1b的电位变动。为了抑制第二电极L1b的电位的变动，减少寄生电容是重要的。如果第一电容元件C1比第二电容元件C2更靠近数据线103配置，则寄生电容变大，从而使得第二电极L1b的电位更大变动。因此，在第一电容元件C1和数据线103之间设置第二电容元件C2，从而使得第一电容元件C1和数据线103的距离变长。

根据该布置，能够减少寄生电容和使电容元件C1和数据线103之间的串扰减少。由此，能够抑制因电容元件C1的电位的变动引起的驱动晶体管Tdr的栅极电位的变动，从而能够为显示质量的提高做出贡献。如作为图4中之a-a’剖面图的图5所示，在本实施方式中，在第一配线层中设置了数据线103、电容元件C1的第二电极L1b、以及电容元件C2的第二电极L2b，在半导体层中设置了电容元件C1的第一电极L1a和电容元件C2的第一电极L2a。这样，优选地，电容元件C1的第一电极L1a和电容元件C2的第一电极L2a与数据线103在不同的层中形成。这里，电容元件C1的第一电极L1a被连接到供给电源电压Vdd的电源线31。因此，尽管电源电压Vdd被供给到第一电极L1a，但是，第一电极L1a也可以被连接到被供给了固定电位的其它的配线。

在本实施形式中，由于电容元件C1的第一电极L1a和电容元件C2的第一电极L2a作为在半导体层设置的共同电极，因此能够使布置面积降低，从而对高集成化做出贡献。而且，由于在第一配线层的同一平面上形成电容元件C1的第一电极L1a、电容元件C2的第一电极L2a、数据线103、初始化用电源线33等，因此能够使透明电极层的凹凸减少，从而能够使发光功能层的平面性提高。由此，能够为显示质量的提高做出贡献。

<D：变形例>

在以上各个方式上能够加上各种变形。

(1)在例如上述实施方式中，如图4和图5所示，说明了将OLED元件420构成作为底发射型的例子，但是，如例如图6和图7所示，也能够构成作为顶发射型。在图7所示的顶发射型的OLED元件420中，光向上方射出。因此，设置反射金属，反射从发光功能层向着下方的光。在顶发射型中，能够将电路元件布置在OLED元件420的下方的区域。在该例子中，配置第一电容元件C1和第二电容元件C2。

如图6所示，对于X方向，以数据线103→第二电容元件C2→第一电容元件C1→初始化用电源线33→数据线…之类的顺序布置。在顶发射型中，由于形成OLED元件420的区域能够配置第一电容元件C1，因此尽管第一电容元件C1通过介入第二电容元件C2与该像素电路400的数据线103a分开，但与相邻的像素电路的数据线103b的距离变近。但是，在第一电容元件C1和数据线103b之间配置了初始化用电源线33。由于固定的初始化电位V_ST被供给该初始化用电源线33，因此能够使第一电容元件C1和数据线103b之间的寄生电容变小。由此，能够使电容元件C1和邻接的像素电路的数据线103b之间的串扰减少，能够提高显示图像的质量。而且，由于能够立体地布置OLED元件420和各种电路元件，因此能够提高开口率和显示更精细的图像。

(2)在上述实施方式中，电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)电连接于电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)。但是，如图8所示，电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)也可以电连接于电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)。

(3)在上述实施方式中，数据线103被包含在设置于下部绝缘层上的下部配线图案层中。但是，如图9和图10所示，数据线103m也可以被包含在上部配线图案层706中，该上部配线图案层706设置于覆盖了下部配线图案层704的上部绝缘层705上。

(4)在图4到图7中，电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)电连接于驱动晶体管Tdr的栅极。在这种情况下，电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)和电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)在半导体图案层中由共同半导体膜构成。由于数据线103位于覆盖半导体图案层的下部绝缘层上，因此通过这样做，能够立体地使共同半导体膜和数据线103背离。因此，能够使共同半导体膜和数据线103之间的耦合电容降低。

另一方面，如图11(a)和(b)所示，在电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)电连接于电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)的情况下，电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)和电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)还可以由共同的半导体膜构成。

在这种情况下，具体地，在玻璃基板701的表面等基底表面上设置了半导体图案层702，该半导体图案层702包含形成驱动晶体管Tdr的沟道区域的半导体膜(未图示)、电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)、电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)。下部绝缘层703覆盖半导体图案层702。而且，在下部绝缘层703上设置了下部配线图案层704，该下部配线图案层704包含电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)和电容元件C2的第二电极L2b(第四电极)。而且，在本变形例中，数据线103还被包含在下部配线图案层704中。下部配线图案层704由上部绝缘层705覆盖。

通过这样做，电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)、电容元件C2的第二电极L2b(第四电极)以及数据线103被包含在共同的下部配线图案层704中。而且，由于电容元件C2的第二电极L2b(第四电极)插入在电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)和数据线103之间，因此能够使它们的耦合电容降低。而且，优选地，电容元件C2的第二电极L2b(第四电极)被连接于定电位的配线。例如，该恒定电位的配线是电源线31。

如图12(a)和(b)所示，在电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)电连接于驱动晶体管Tdr的栅极的情况下，电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)、电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)以及数据线103也可以被包含在设置于下部绝缘层703上的下部配线图案层704中。而且，电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)和电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)也可以由共同电极膜构成。

在这种情况下，具体地，在玻璃基板701的表面等基底表面上设置了半导体图案层702，该半导体图案层702包含形成驱动晶体管Tdr的沟道区域的半导体膜(未图示)、电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)、电容元件C2的第二电极L2b(第四电极)。下部绝缘层703覆盖该半导体图案层702。而且，在下部绝缘层703上设置了下部配线图案层704，该下部配线图案层704包含电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)和电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)。在下部配线图案层704中，电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)和电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)由共同电极膜构成。而且，即使在本变形例中，数据线103还被包含在该下部配线图案层704中。下部配线图案层704由上部绝缘层705覆盖。

而且，在将该构成适用于顶发射型构成的情况下，与图7相比，无需在电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)和电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)之间在下部配线图案层704上进行图案形成。例如，包含于半导体图案层702的膜的厚度是100nm，包含于下部配线图案层704的膜的厚度是500nm。一般地，由于配线图案比半导体图案厚，在电容元件C1和电容元件C2之间将半导体图案层702进行图案形成的情况要比将下部配线图案层704进行图案形成的情况更能使凹凸降低。因此，通过成为这种构成，能够使发光元件的凹凸降低。

而且，如图13(a)和(b)所示，在电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)电连接于电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)的情况下，电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)、电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)也可以被包含在设置于下部绝缘层703上的下部配线图案层704中。

在这种情况下，具体地，在玻璃基板701的表面等基底表面上设置了半导体图案层702，该半导体图案层702包含形成驱动晶体管Tdr的沟道区域的半导体膜(未图示)、电容元件C1的第一电极L1a(第一电极)、电容元件C2的第二电极L2b(第四电极)。下部绝缘层703覆盖该半导体图案层702。而且，在下部绝缘层703上设置了下部配线图案层704，该下部配线图案层704包含电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)和电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)。这里，在下部配线图案层704中，电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)和电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)由共同电极膜构成。而且，下部配线图案层704由上部绝缘层705覆盖。

即使在这种情况下，也无需在电容元件C1的第二电极L1b(第二电极)和电容元件C2的第一电极L2a(第三电极)之间将下部配线图案层704进行图案形成。因此，即使在这种情况下，也能够使电容元件C1和C2的凹凸降低。

(5)适当地变更例如构成像素电路400的各个晶体管的导电类型。例如，图2中的驱动晶体管Tdr也可以是n沟道型的。即使在这种情况下，供给于电源线31的电位Vdd也被设定为在被供给到驱动晶体管Tdr的栅极时使该驱动晶体管Tdr成为导通状态的电位。

而且，在上述实施方式和变形例中，也可以用保护膜覆盖玻璃基板701等基板的表面。即使在保护膜位于基板的表面上的情况下，在本说明书中，也包含该保护膜和其下部基板，并且也描述为“基板”。

<E：应用例>

下面，说明利用了电光学装置1的电子设备。图14是表示便携式个人计算机构成的立体图，其采用了以上说明的任何一种形式的电光学装置1作为显示装置。个人计算机2000包括作为显示装置的电光学装置1和主体部2010。主体部2010中设置了电源开关2001和键盘2002。由于该电光学装置1在电光学元件上使用了OLED元件，因此能够显示视角宽的容易观看的画面。

图15表示适用实施方式的电光学装置1的便携式电话机的构成。便携式电话机3000包括多个操作按钮3001和滚动按钮3002、以及作为显示装置的电光学装置1。通过操作滚动按钮3002，能够滚动显示于电光学装置1上的画面。

图16表示使用了实施方式的电光学装置1的便携式信息终端(PDA：Personal Digital Assistants)的构成。便携式信息终端4000包括多个操作按钮4001和电源开关4002、以及作为显示装置的电光学装置1。当操作电源开关4002时，地址列表或者调度表之类的各种信息被显示在电光学装置1上。

而且，作为使用电光学装置的电子设备，除了图14到图16所示的之外，还可以包括数字静止照相机、电视、视频摄像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、电子纸、电子计算器、字处理器、工作站、电视电话、POS终端、打印机、扫描仪、复印机、视频播放器、触摸面板等。而且，电光学装置的用途不局限于图像的显示。例如，在光写入型打印机和电子复印机之类的图像形成装置中，尽管使用了根据应该形成于纸张等记录材料上的图像来曝光感光体的写入头，但作为这种写入头，也利用上述电光学装置。这里，所谓电子电路，是除了如各个实施形式那样的构成显示装置的像素的像素电路之外、还是包含在图像形成装置中构成曝光的单位的电路的概念。

Claims (10)

1.一种电光学装置，其特征在于，包括：

多个扫描线，其包括第一扫描线；

多个数据线，其包括第一数据线；

多个单位电路，其对应于所述多个扫描线和所述多个数据线的交叉部而设置，并且包括第一单位电路；以及

电源线，其供给电源电压，

所述第一单位电路包括：

驱动晶体管，根据栅极电压来设定驱动电流；

电光学元件，由所述驱动电流驱动；

第一电容元件，其包括第一电极和第二电极；

第一开关元件，其基于通过介入所述第一扫描线供给的控制信号来控制所述第一数据线和所述第二电极之间的电连接；以及

第二电容元件，其包括第三电极和第四电极，

所述驱动晶体管具有第一端子和第二端子，所述第一端子连接于所述电源线，

所述第一电极连接于所述栅极，

所述第三电极连接于所述栅极或者所述第二电极，

在所述第一单位电路中，所述第二电容元件的至少一部分被配置在所述第一数据线和所述第一电容元件之间。

2.权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，还包括电位线，用于供给规定的电位，

所述多个数据线包含第二数据线，

所述电位线设置在所述第一数据线和第二数据线延伸的方向上，

在所述第一数据线和所述第二数据线之间，所述第一电容元件被配置在所述第二电容元件和所述电位线之间。

3.权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述多个数据线包含第二数据线，

在所述第一数据线和所述第二数据线之间，所述第一电容元件被配置在配置了所述电光学元件的区域和所述第二电容元件之间。

4.权利要求1或者2所述的电光学装置，其特征在于，

在配置了所述电光学元件的区域的下面，配置所述第一电容元件或者所述第二电容元件的至少一部分。

5.权利要求1到4任何一项所述的电光学装置，其特征在于，

所述第三电极连接于所述第二电极，

所述第一单位电路包括：

半导体图案层，其包括所述驱动晶体管的第一半导体膜，所述第一电极、以及所述第四电极；

绝缘层，其覆盖所述半导体图案层；以及

配线图案层，其包括设置于所述绝缘层上的所述第二电极和所述第三电极，

所述第二电极和所述第三电极由被共同设置的膜构成，

在所述第一数据线和所述第一电极之间，设置了所述第四电极，

所述第四电极电连接于所述电源线。

6.权利要求1到4任何一项所述的电光学装置，其特征在于，

所述第三电极连接于所述栅极，

所述第一单位电路包括：

半导体图案层，其包括所述驱动晶体管的第一半导体膜，所述第一电极、以及所述第三电极；

绝缘层，其覆盖所述半导体图案层；以及

配线图案层，其包括设置于所述绝缘层上的所述第二电极和所述第四电极，

所述第一电极和所述第三电极由被共同设置的第二半导体膜构成。

7.权利要求1到4任何一项所述的电光学装置，其特征在于，

所述第三电极连接于所述栅极，

所述第一单位电路包括：

半导体图案层，其包括所述驱动晶体管的第一半导体膜，所述第二电极、以及所述第四电极；

绝缘层，其覆盖所述半导体图案层；以及

配线图案层，其包括设置于所述绝缘层上的所述第一电极和所述第三电极，

所述第一电极和所述第三电极由被共同设置的膜构成。

8.权利要求1到4任何一项所述的电光学装置，其特征在于，

所述第三电极连接于所述第二电极，

所述第一单位电路包括：

半导体图案层，其包括所述驱动晶体管的第一半导体膜，所述第二电极、以及所述第三电极；

绝缘层，其覆盖所述半导体图案层；以及

配线图案层，其包括设置于所述绝缘层上的所述第一电极和所述第四电极，

所述第二电极和所述第三电极由被共同设置的膜构成。

9.一种电光学装置，其特征在于，包括：

多个扫描线，其包括第一扫描线；

多个数据线，其包括第一数据线；

多个单位电路，其对应于所述多个扫描线和所述多个数据线的交叉部而设置，并且包括第一单位电路；

电源线，其供给电源电压；以及

电位线，其供给规定的电位，

所述第一单位电路包括：

驱动晶体管，根据栅极的电压来设定驱动电流；

电光学元件，由所述驱动电流驱动；

第一电容元件，其包括第一电极和第二电极；

第二电容元件，其包括第三电极和第四电极；

第一开关元件，其基于通过介入所述第一扫描线供给的控制信号来控制所述第一数据线和所述第二电极之间的电连接；

第二开关元件；以及

第三开关元件，用于控制所述第二电极和所述电位线之间的电连接，

所述驱动晶体管具有第一端子和第二端子，所述第一端子连接于所述电源线，

所述第一电极连接于所述栅极，

所述第三电极连接于所述栅极或者所述第二电极，

所述第二开关元件控制所述第二端子和所述栅极之间的电连接，

在所述第一单位电路中，所述第二电容元件的至少一部分被配置在所述第一数据线和所述第一电容元件之间。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

权利要求1到9的任何一项记载的电光学装置。

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