CN101154047A - 返工处理方法 - Google Patents
返工处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101154047A CN101154047A CNA2006101168823A CN200610116882A CN101154047A CN 101154047 A CN101154047 A CN 101154047A CN A2006101168823 A CNA2006101168823 A CN A2006101168823A CN 200610116882 A CN200610116882 A CN 200610116882A CN 101154047 A CN101154047 A CN 101154047A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoresist layer
- dielectric layer
- processing method
- layer
- reworking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
一种返工处理方法，其中，所述光致抗蚀剂层位于介质层表面；所述返工处理方法包括：确定需返工的光致抗蚀剂层；灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；进行介质层表面剥除步骤；重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行检测；对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤；获得检测合格的光致抗蚀剂层。通过在移除光致抗蚀剂层后，增加一介质层表层剥除步骤，可去除介质表面变质的薄层，在光致抗蚀剂层返工后获得性质均匀的介质层表面，继而保证在后续刻蚀过程中介质层表面的刻蚀速率不被改变，进而不再形成刻蚀开路缺陷，获得良好的返工效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种返工处理方法。
背景技术
光致抗蚀剂层作为集成电路制造过程中的初始掩膜层，其图案化的精度对整个集成电路产品的精度及性能将产生重要影响。
在实际生产过程中，为保证工艺精度，光致抗蚀剂层图案化后需进行线宽检测，检测合格后，方可以此图案化后的光致抗蚀剂层作为掩膜层进行后续刻蚀工艺。若检测不合格，即由曝光不足或曝光过量造成显影不足或显影过量，进而造成刻蚀尺寸偏差时，则需进行返工。返工过程为去除此图案化的光致抗蚀剂层后，重新进行光致抗蚀剂层的涂覆、图案化及检测过程，直至线宽检测合格。
实际刻蚀结构包含顺序叠加的介质层及光致抗蚀剂层；图1为说明现有技术的返工处理方法流程示意图，如图1所示，现有返工方法为：确定需返工的光致抗蚀剂层；利用氧气(O2)灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；随后，重复光致抗蚀剂层的涂覆、烘干、图案化以及检测过程，直至获得检测合格的图案化的光致抗蚀剂层。然而，实际生产中，为保证将光致抗蚀剂层移除完全，通常会提供充分的灰化过程持续时间，不可避免地，在灰化过程中高能氧气粒子会对介质层表面造成损伤。显然，实际刻蚀结构中介质层及光致抗蚀剂层间还可包含抗反射涂层，而充足的光致抗蚀剂层间的灰化过程持续时间可使抗反射涂层同时被移除，仍可造成灰化过程中高能氧气粒子会对介质层表面造成损伤。介质层表面损伤可使得后续刻蚀过程中的介质层表面刻蚀率变小；所述后续刻蚀过程包括通孔刻蚀或沟槽刻蚀；此刻蚀速率的改变使得在与未进行光致抗蚀剂层返工时刻蚀的工艺条件相同的情况下，刻蚀进程变慢，易造成部分区域刻蚀不充分，即易形成刻蚀开路缺陷；此带有刻蚀开路缺陷的芯片在后续晶片可接受性测试(WAT)或芯片电性测试(CP testing)将被判失效。可见，若能获得良好的光致抗蚀剂层返工效果，进而控制带有刻蚀开路缺陷的芯片的产生将对提高产品良率产生重要的影响。
申请号为“97108030.5”的中国专利申请中提供了一种紫外光固化树脂返工方法，该方法通过在紫外光固化树脂表面涂覆一层专用表面处理剂，以改善由于紫外光固化树脂表面过于光滑，不易返工的难题。即应用紫外光固化树脂专用表面处理剂增强紫外光固化树脂表面再涂/返工效果；但该方法提供的技术提示在光致抗蚀剂层的返工过程中已有所体现，即在返工过程中可通过旋涂抗反射涂层填充被损伤的介质层表面不平处，进而在其上形成厚度均匀的光致抗蚀剂层，若应用该方法，只需控制抗反射涂层及介质层的刻蚀速率相同，即可控制返工过程后可能造成的上述刻蚀开路缺陷。然而，考虑到抗反射涂层及介质层的材料性质差异，若控制抗反射涂层及介质层的刻蚀速率相同，势必会对抗反射涂层及介质层设置不同的刻蚀工艺参数，但是由于介质层表面被损伤导致的表面不平整使得在实际生产过程中难于精确控制抗反射涂层及介质层的分界，即现有工艺难以控制抗反射涂层及介质层的刻蚀速率相同，应用该方法仍无法控制光致抗蚀剂层返工过程后可能造成的上述刻蚀开路缺陷。
发明内容
本发明提供了一种返工处理方法，可在返工后获得性质均匀的介质层表面，进而在后续刻蚀过程中不再产生刻蚀开路缺陷。
本发明提供的一种返工处理方法，其中，所述光致抗蚀剂层位于介质层表面；所述返工处理方法包括：
确定需返工的光致抗蚀剂层；
灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；
进行介质层表面剥除步骤；
重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层；
对光致抗蚀剂层进行检测；
对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤；
获得检测合格的光致抗蚀剂层。
所述光致抗蚀剂层与所述介质层之间有一抗反射涂层；所述去除所述光致抗蚀剂层步骤中包含去除所述抗反射涂层的步骤；所述涂覆光致抗蚀剂层步骤包含涂覆所述抗反射涂层的步骤；所述介质层材料包括黑钻石、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氮化硅、有机聚合物材料如聚酰亚胺、有机硅氧烷聚合物、聚亚芳基醚、碳掺杂硅酸盐玻璃、倍半硅氧烷玻璃、氟化或非氟化硅酸盐玻璃、金刚石状无定形碳以及芳族烃聚合物等材料中的一种或其组合；所述抗反射涂层材料包括氮氧化硅、碳氧化硅以及深紫外光吸收氧化物等材料中的一种或其组合；所述刻蚀气体包括四氟化碳、三氟化氢碳或二氟化氢碳等系列气体材料中的一种或其组合；所述刻蚀部分介质层的厚度为1～10纳米；所述刻蚀部分介质层的过程持续时间为10～20秒；所述刻蚀射频功率为400～500瓦。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1.在进行光致抗蚀剂层返工时，通过在移除光致抗蚀剂层后，增加一介质层表面剥除步骤，可在返工后获得性质均匀的介质层表面，进而保证在后续刻蚀过程中介质层表面刻蚀速率相同，不再形成刻蚀开路缺陷，获得良好的返工效果；
2.通过控制剥除步骤中去除的介质层表面的厚度，可保证介质层表面剥除步骤不会对最终形成的器件的性质造成影响；
3.通过引入介质层表面剥除步骤，可在光致抗蚀剂层返工后获得性质均匀的介质层表面，进而获得良好的返工效果，不再形成刻蚀开路缺陷，提高了产品的良率，降低了生产成本。
附图说明
图1为说明现有技术的返工处理方法流程示意图；
图2为说明本发明实施例的返工处理方法流程示意图；
图3A～3E为说明本发明实施例的返工处理方法示意图。
具体实施方式
尽管下面将参照附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应当理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列的描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛教导，而并不作为对本发明的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于具有本发明优势的本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下列说明和权利要求书本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图2为说明本发明实施例的返工处理方法流程示意图，如图2所示，应用本发明提供的方法进行返工处理的步骤包括：形成刻蚀结构，所述刻蚀结构包含顺序叠加的介质层、抗反射涂层及光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层，并对光致抗蚀剂层的图案化效果进行检测；根据检测结果，判定所述光致抗蚀剂层是否需要进行返工处理；如果不需要进行返工处理，进行后续刻蚀步骤；如果需要进行返工处理，则对所述光致抗蚀剂层及抗反射涂层进行灰化处理；随后，进行介质层表面剥除步骤；然后，重复进行涂覆抗反射涂层及光致抗蚀剂层，图案化所述光致抗蚀剂层，并对光致抗蚀剂层的图案化效果进行检测的步骤，直至根据光致抗蚀剂层的图案化效果检测结果判定不需要进行返工处理；进行后续刻蚀步骤。
图3A～3E为说明本发明实施例的返工处理方法示意图，如图所示，应用本发明提供的方法进行返工处理的具体步骤为：
首先，如图3A所示，形成刻蚀结构，所述刻蚀结构包含顺序叠加的介质层10、抗反射涂层20及光致抗蚀剂层30。
所述介质层10包含其上形成抗反射涂层及光致抗蚀剂层的任意膜层，如层间绝缘层及刻蚀隔离区的硬掩膜层等。
所述抗反射涂层材料包括氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)以及深紫外光吸收氧化物(Deep Ultraviolet Absorbing Oxide，DUO)等材料中的一种或其组合；所述介质层材料包括黑钻石(Black Diamond，BD)、氟硅玻璃(FSG)、磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、氮化硅(Si3N4)、有机聚合物材料如聚酰亚胺、有机硅氧烷聚合物、聚亚芳基醚、碳掺杂硅酸盐玻璃、倍半硅氧烷玻璃、氟化或非氟化硅酸盐玻璃、金刚石状无定形碳以及芳族烃聚合物等材料中的一种或其组合。
所述形成介质层10、抗反射涂层20及光致抗蚀剂层30的方法可采用任何传统的方法，涉及的技术方案在任何情况下均未被视作本发明的组成部分，在此不再赘述。
然后，如图3B所示，图案化所述光致抗蚀剂层30，并对光致抗蚀剂层的图案化效果进行检测。
图案化所述光致抗蚀剂层步骤包括所述光致抗蚀剂层的曝光及显影步骤，所述对光致抗蚀剂层的图案化效果进行检测的步骤主要包括对获得的所述光致抗蚀剂层的图形线宽进行检测。
对所述光致抗蚀剂层进行曝光及显影的方法以及对所述光致抗蚀剂层的图形线宽进行检测的方法可采用任何传统的方法，涉及的技术方案在任何情况下均未被视作本发明的组成部分，在此不再赘述。
随后，根据检测结果，判定所述光致抗蚀剂层是否需要进行返工处理。
如果不需要进行返工处理，进行后续刻蚀步骤。
如果需要进行返工处理，如图3C～3E所示，进行所述返工处理步骤。
所述返工处理步骤包括：对所述光致抗蚀剂层30及抗反射涂层20进行灰化处理；进行介质层10表面剥除步骤；重复进行形成抗反射涂层20及光致抗蚀剂层30，图案化所述光致抗蚀剂层30，并对光致抗蚀剂层的图案化效果进行检测的步骤，直至根据光致抗蚀剂层的图案化效果检测结果判定不需要进行返工处理后，进行后续刻蚀步骤。
利用氧气灰化处理所述光致抗蚀剂层30及抗反射涂层20后，所述介质层10表面被损伤，即所述介质层表面形成一非晶表面层40，为保证后续刻蚀过程中介质层表面刻蚀速率相同，引入介质层表面剥除步骤去除此非晶表面层40。所述介质层表面剥除步骤用以在光致抗蚀剂层返工后获得性质均匀的介质层表面，保证形成的抗反射涂层及光致抗蚀剂层各处厚度均匀，进而保证在后续刻蚀过程中介质层表面刻蚀速率相同，即保证后续刻蚀过程反应充分，进而控制返工过程后可能造成的上述刻蚀开路缺陷。
所述介质层表面剥除过程采用干法刻蚀工艺进行，所述刻蚀气体包括四氟化碳(CF4)、三氟化氢碳(CHF3)或二氟化氢碳(CH2F2)等氟基刻蚀气体中的一种；所述刻蚀射频功率为400～500瓦(W)，如：400W、450W或500W；所述介质层表面剥除过程中刻蚀所述介质层的厚度范围为：1～10纳米(nm)，如：20nm、50nm或70nm；所述介质层表面剥除过程持续时间根据刻蚀材料及刻蚀速率确定；作为本发明的实施例，所述介质层表面剥除过程持续时间为10～20秒(S)，如10S、15S或20S。
需强调的是，上述实施例中的刻蚀结构仅用于举例的目的，所述刻蚀结构仍可包括其它公知的附加层；此外，图示各层也不是都必须存在，如抗反射涂层即可根据实际需要使用；图示各层可部分或全部用其它不同层代替。特别地，在上述刻蚀结构中增加或去除部分膜层，不影响本发明方法的实施。
显然，对于实际生产过程中由于其他原因造成的介质层表面损伤，如在介质层的平整化过程中去除介质层沉积过程中形成的表面微粒时产生的表面损伤、去除介质层表面沾污时造成的介质层表面损伤以及生产过程中造成的介质层表面划伤等，仍可应用本方法，即在进行后续步骤之前，增加一介质层表面剥除步骤，可获得性质均匀的介质层表面，继而不影响后续生产步骤的进行。
所述介质层材料包括黑钻石(Black Diamond，BD)、氟硅玻璃(FSG)、磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、氮化硅(Si3N4)、有机聚合物材料如聚酰亚胺、有机硅氧烷聚合物、聚亚芳基醚、碳掺杂硅酸盐玻璃、倍半硅氧烷玻璃、氟化或非氟化硅酸盐玻璃、金刚石状无定形碳以及芳族烃聚合物等材料中的一种或其组合。
所述介质层表面剥除过程采用干法刻蚀工艺进行，所述刻蚀气体包括四氟化碳(CF4)、三氟化氢碳(CHF3)或二氟化氢碳(CH2F2)等氟基刻蚀气体中的一种；所述刻蚀射频功率为400～500瓦(W)，如：400W、450W或500W；所述介质层表面剥除过程中刻蚀所述介质层的厚度范围为：1～10纳米(nm)，如：20nm、50nm或70nm；所述介质层表面剥除过程持续时间根据刻蚀材料及刻蚀速率确定；作为本发明的实施例，所述介质层表面剥除过程持续时间为10～20秒(S)，如10S、15S或20S。
采用本发明提供的方法，在进行光致抗蚀剂层返工时，通过在移除光致抗蚀剂层后，增加一介质层表面剥除步骤，可在返工后获得性质均匀的介质层表面，进而保证在后续刻蚀过程中介质层表面刻蚀速率相同，不再形成刻蚀开路缺陷，获得良好的返工效果；通过控制剥除步骤中去除的介质层表面的厚度，可保证介质层表面剥除步骤不会对最终形成的器件的性质造成影响；通过引入介质层表面剥除步骤，可在光致抗蚀剂层返工后获得性质均匀的介质层表面，进而获得良好的返工效果，不再形成刻蚀开路缺陷，提高了产品的良率，降低了生产成本。
尽管通过在此的实施例描述说明了本发明，和尽管已经足够详细地描述了实施例，申请人不希望以任何方式将权利要求书的范围限制在这种细节上。对于本领域技术人员来说另外的优势和改进是显而易见的。因此，在较宽范围的本发明不限于表示和描述的特定细节、表达的设备和方法和说明性例子。因此，可以偏离这些细节而不脱离申请人总的发明概念的精神和范围。
Claims (10)
1.一种返工处理方法，其中，所述光致抗蚀剂层位于介质层表面；所述返工处理方法包括：
确定需返工的光致抗蚀剂层；
灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；
进行介质层表面剥除步骤；
重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层；
对光致抗蚀剂层进行检测；
对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤；
获得检测合格的光致抗蚀剂层。
2.根据权利要求1所述的返工处理方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂层与所述介质层之间存在一抗反射涂层。
3.根据权利要求1或2所述的返工处理方法，其特征在于：所述去除所述光致抗蚀剂层步骤中包含去除所述抗反射涂层的步骤。
4.根据权利要求1或2所述的返工处理方法，其特征在于：所述涂覆光致抗蚀剂层步骤包含预先涂覆所述抗反射涂层的步骤。
5.根据权利要求1所述的返工处理方法，其特征在于：所述介质层材料包括黑钻石、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氮化硅、有机聚合物材料如聚酰亚胺、有机硅氧烷聚合物、聚亚芳基醚、碳掺杂硅酸盐玻璃、倍半硅氧烷玻璃、氟化或非氟化硅酸盐玻璃、金刚石状无定形碳以及芳族烃聚合物等材料中的一种或其组合。
6.根据权利要求2所述的返工处理方法，其特征在于：所述抗反射涂层材料包括氮氧化硅、碳氧化硅以及深紫外光吸收氧化物等材料中的一种或其组合。
7.根据权利要求1所述的返工处理方法，其特征在于：所述刻蚀气体包括四氟化碳、三氟化氢碳或二氟化氢碳等系列气体材料中的一种或其组合。
8.根据权利要求1或7所述的返工处理方法，其特征在于：所述刻蚀部分介质层的厚度为1～10纳米。
9.根据权利要求8所述的返工处理方法，其特征在于：所述刻蚀部分介质层的过程持续时间为10～20秒。
10.根据权利要求9所述的返工处理方法，其特征在于：所述刻蚀射频功率为400～500瓦。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2006101168823A CN101154047B (zh) | 2006-09-30 | 2006-09-30 | 返工处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2006101168823A CN101154047B (zh) | 2006-09-30 | 2006-09-30 | 返工处理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101154047A true CN101154047A (zh) | 2008-04-02 |
| CN101154047B CN101154047B (zh) | 2010-06-23 |
Family
ID=39255771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006101168823A Active CN101154047B (zh) | 2006-09-30 | 2006-09-30 | 返工处理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101154047B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102446808A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高浅沟隔离多次曝光稳定性的方法 |
| CN108682621A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-10-19 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法 |
| CN109308993A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-02-05 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 集成电路制造工艺的返工方法 |
| CN112992708A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种半导体器件的制作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW459165B (en) * | 1999-10-22 | 2001-10-11 | Mosel Vitelic Inc | Method for the rework of photoresist |
| CN1624882A (zh) * | 2003-12-05 | 2005-06-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 在半导体制程中改善足部效应缺陷的方法 |
-
2006
- 2006-09-30 CN CN2006101168823A patent/CN101154047B/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102446808A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高浅沟隔离多次曝光稳定性的方法 |
| CN108682621A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-10-19 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法 |
| CN109308993A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-02-05 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 集成电路制造工艺的返工方法 |
| CN109308993B (zh) * | 2018-08-29 | 2021-01-29 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 集成电路制造工艺的返工方法 |
| CN112992708A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种半导体器件的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101154047B (zh) | 2010-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6548416B2 (en) | Plasma ashing process | |
| TWI582830B (zh) | 極紫外光光阻蝕刻耐久性改良及圖案崩塌減輕 | |
| CN106226998B (zh) | 光刻方法 | |
| US8183138B2 (en) | Methods for forming nanodots and/or a patterned material during the formation of a semiconductor device | |
| TWI631611B (zh) | 高深寬比結構之無坍陷乾燥方法 | |
| US20070283883A1 (en) | System and method for imprint lithography to facilitate dual damascene integration with two imprint acts | |
| WO2002093634A1 (en) | Plasma ashing process | |
| JP2013506313A (ja) | 基板上のシリコン含有反射防止コーティング層の再加工方法 | |
| CN109427604B (zh) | 缺陷检验方法、半导体装置的制造方法及半导体工艺 | |
| CN101154047B (zh) | 返工处理方法 | |
| US20120266810A1 (en) | Planarization system for high wafer topography | |
| CN103247525A (zh) | 用于蚀刻有机硬掩膜的方法 | |
| US7531296B2 (en) | Method of forming high etch resistant resist patterns | |
| US20080220375A1 (en) | Methods of reworking a semiconductor substrate and methods of forming a pattern in a semiconductor device | |
| US7125645B2 (en) | Composite photoresist for pattern transferring | |
| CN109148272B (zh) | 半导体器件及其形成方法 | |
| US20040099283A1 (en) | Drying process for low-k dielectric films | |
| US11923199B2 (en) | Method and structure of middle layer removal | |
| CN110858541B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN100521109C (zh) | 一种低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作方法 | |
| KR20090067997A (ko) | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR20080054995A (ko) | 반도체 웨이퍼의 마킹 방법 | |
| US20230152705A1 (en) | UV Treatment of EUV Resists | |
| Nam et al. | Patterning process for semiconductor using directed self assembly | |
| CN101154048A (zh) | 双镶嵌结构形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20111109 Address after: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18 Co-patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18 Patentee before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation |