CN101145352A - 具有交换弹簧记录结构和横向耦合层的垂直磁记录介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种垂直磁记录系统和介质，具有多层记录层，包括交换弹簧结构和铁磁横向耦合层LCL。交换弹簧结构由两个铁磁交换耦合的磁层MAG1和MAG2构成，每个具有垂直磁各向异性。MAG1和MAG2或者彼此直接接触或者具有位于它们之间的耦合层CL。LCL定位得直接接触MAG2且在MAG2中引起颗粒间交换耦合。LCL中的铁磁合金具有比MAG2中的铁磁合金显著更大的颗粒间交换耦合，MAG2一般包括分离子例如氧化物。LCL优选没有氧化物或其它分离子，其将趋向于减小LCL中的颗粒间交换耦合。因为LCL晶粒边界交迭MAG2的一般分离开且去耦的晶粒的边界，所以LCL和MAG2晶粒强地垂直耦合，LCL在MAG2中引入了有效的颗粒间交换耦合。
Description
技术领域
本发明总地涉及垂直磁记录介质，例如在磁记录硬盘驱动器中使用的垂直磁记录盘，更特别地，涉及具有“交换弹簧(exchange-spring)”记录层结构的垂直磁记录介质。
背景技术
水平或纵向磁记录介质，其中记录位与盘衬底和平坦记录层的表面基本平行地取向，已成为磁记录硬盘驱动器中使用的常规介质。垂直磁记录介质，其中记录位以基本垂直或离面取向(即不同于平行于盘衬底和记录层的表面)存储在记录层中，提供了磁记录硬盘驱动器中通向超高记录密度的希望之路。一般类型的垂直磁记录系统使用“双层”介质。此类系统具有单写极型记录头，示于图1中。双层介质包括在形成于衬底上的“软磁”或较低矫顽力导磁衬层(SUL)上的垂直磁数据记录层(RL)。RL通常是颗粒铁磁钴合金，例如CoPtCr合金，具有六角密堆积(hcp)晶体结构，c轴基本垂直于RL取向。
SUL用作磁场从记录头的写极到返回极的磁通返回路径。在图1中，RL示出有垂直记录或磁化的区域，相邻区域具有相反的磁化方向，如箭头所示。相邻的相反指向的磁化区域之间的磁转变可被读元件或头检测为记录位。
图2是现有技术垂直磁记录盘的剖面示意图，示出作用在记录层RL上的写场H。盘还包括硬盘衬底，其提供基本平坦的表面用于后面沉积的层。形成在衬底表面上的基本平坦的层还包括用于生长SUL的籽层或始层(onsetlayer，OL)、中断SUL导磁膜与RL之间的磁交换耦合且促进RL的外延生长的交换中断层(EBL)、以及保护层(protective overcoat，OC)。如图2所示，RL位于“表象(apparent)”记录头(ARH)的间隙内，与纵向或面内记录相比这允许显著更高的写场。ARH包括盘上方作为真实写极(RWH)的写极(图1)、以及RL之下的次写极(SWP)。SWP由SUL促成，SUL通过EBL从RL去耦且在写过程期间产生RWH的磁镜像。这有效地将RL带入到ARH的间隙中且允许RL内的大写场H。然而，该几何构型还导致RL内的写场H几乎垂直于衬底表面和RL的表面取向，即沿着RL晶粒的垂直易轴，如具有易轴2的一般晶粒1所示。写场H和RL易轴的几乎平行排列具有这样的缺点，即需要较高的写场来反转磁化，因为最小的转矩(torque)施加到晶粒磁化上。另外，该写场/易轴排列增大了RL晶粒的磁化反转时间，如M.Benakli等人在IEEE Trans.MAG37,1564(2001)中所述。
因为这些原因，已经在理论上提出了“倾斜”介质，如K.-Z.Gao等人在IEEE Trans.MAG39,704(2003)中所述，其中RL的磁易轴相对于表面法线以高达约45度的角倾斜，从而可以用低写场实现磁化反转而不增大反转时间。然而，没有已知工艺制造具有带倾斜易轴的RL的高质量记录介质。
已经提出了仿效倾斜介质且与常规制造工艺相容的垂直记录介质。此类介质在RL中使用“交换弹簧”结构以实现模仿倾斜介质属性的磁属性。在交换弹簧垂直记录介质中，RL结构包括铁磁交换耦合的“硬”磁层(较高矫顽力)和“软”磁层(较低矫顽力)。中间耦合层可可位于硬磁和软磁层之间以减小层间交换耦合的强度。该两个磁层一般具有不同的各向异性场(Hk)(具有单轴磁各向异性Ku的铁磁层的各向异性场Hk是需要沿易轴施加以翻转磁化方向的磁场)。存在均匀的写场H时，较低Hk层的磁化将首先旋转且辅助较高Hk层的磁化的反转，该属性有时称为“交换弹簧”属性。R.H.Victora等人在“Composite Media for Perpendicular Magnetic Recording”，IEEE Trans.MAG41(2),537-542,Feb2005中，J.P.Wang等人在“Compositemedia(dynamic tilted media)for magnetic recording”，Appl.Phys.Lett.86(14)Art.No.142504，Apr 42005中描述了交换弹簧垂直记录介质。2005年9月21日提交且转让给与本申请相同的受让人的未决申请11/231516描述了具有交换弹簧RL结构的垂直磁记录介质，该交换弹簧RL结构由下面的高Hk铁磁层、上面的低Hk铁磁层、以及两铁磁层之间的中间耦合层形成。
对于具有常规RL的垂直记录介质及对于具有交换弹簧RL结构的介质，存在热衰退(thermal decay)问题。随着RL结构的厚度降低，磁晶粒变得更易受磁衰退的影响，即磁化区域自然地失去其磁化，导致数据丢失。这归因于小磁晶粒的热激发(超顺磁效应)。磁晶粒的热稳定性在较大程度上由KuV确定，其中Ku是层的磁各向异性常数，V是磁晶粒的体积。因此，具有高Ku的RL对于热稳定性是重要的。然而，在具有交换弹簧RL结构的介质中，磁层之一具有非常低的Ku，因此该层不能为RL的热稳定性做贡献。
为了解决交换弹簧介质中的热衰退问题，2006年3月9日提交且转让给与本申请相同的受让人的未决申请11/372295描述了具有交换弹簧RL结构的垂直记录介质，交换弹簧RL结构由具有基本相似的各向异性场Hk的两个铁磁层形成，其通过中间非磁或弱铁磁耦合层铁磁性交换耦合。因为写头在RL的上部分处产生大的磁场和大的场梯度，所以虽然场强度在RL的更内部下降，但是上铁磁层可具有高的各向异性场。上铁磁层所位于的RL顶部附近的该高场和场梯度反转上铁磁层的磁化，这又辅助下铁磁层的磁化反转。因为该交换弹簧型RL中的两个铁磁层都具有高各向异性场且充分交换耦合，所以介质的热稳定性不会受损。
使用颗粒铁磁钴合金记录层的水平和垂直磁记录介质两者都展现出伴随增大的线性记录密度的增大的本征介质噪声。介质噪声源于所记录的磁转变的不规则，且导致读回信号峰(peak)的随机偏移。高介质噪声导致高的位误差率(BER)。因此为了获得较高的面记录密度，需要降低本征介质噪声，即增大记录介质的信噪比(SNR)。RL结构中的颗粒钴合金因此应具有良好分离的精细晶粒结构以减小颗粒间交换耦合，这是高本征介质噪声的原因。钴合金RL中晶粒分离的增强可以通过分离子(segregant)的添加来实现，所述分离子例如为Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B的氧化物。这些氧化物趋向于淀析到晶粒边界，与钴合金的元素一起形成非磁颗粒间材料。
然而，与颗粒间交换耦合的完全缺失提供最佳SNR的水平记录介质不同，在垂直记录介质中，最佳SNR在某一中间水平的颗粒间交换耦合处实现。另外，颗粒间交换耦合改善了介质晶粒中磁化状态的热稳定性。因此在垂直记录介质中，一定水平的颗粒间交换耦合是有利的。
需要一种具有交换弹簧RL结构的垂直磁记录介质，其具有最佳的颗粒间交换耦合从而产生高的SNR、高的热稳定性、以及优异的可写性。
发明内容
本发明提供一种具有RL结构的垂直磁记录介质，该RL结构包括交换弹簧结构和引起交换弹簧结构中的颗粒间交换耦合的铁磁横向耦合层(LCL)。该交换弹簧结构由两个铁磁交换耦合磁层MAG1和MAG2构成，每个有垂直磁各向异性。MAG1和MAG2或者彼此直接接触或者有耦合层(coupling layer：CL)位于它们之间。CL提供MAG1和MAG2之间适当的铁磁耦合强度。LCL位于MAG2上且与其接触，或者位于MAG2之下，MAG2在LCL上且与其接触。
LCL可由Co或铁磁Co合金例如CoCr合金形成。Co合金可包括Pt和B之一或两者。LCL中的铁磁合金具有比MAG2中的铁磁合金显著更大的颗粒间交换耦合，MAG2一般将包括分离子例如氧化物。LCL合金应优选不包括任何氧化物或其它分离子，这些将趋向于减小LCL中的颗粒间交换耦合。因为LCL晶粒边界交迭其所接触的MAG2的基本分离且去耦的晶粒的边界，且LCL和MAG2晶粒强地垂直耦合，所以LCL在MAG2中引入有效的颗粒交换耦合，或者更准确地说，其实现了具有可调水平的颗粒间交换的组合LCL+MAG2系统。
本发明还提供一种垂直磁记录系统，其包括上述介质和磁记录写头。
为了全面理解本发明的本质和优点，请结合附图参考下面的详细描述。
附图说明
图1是现有技术垂直磁记录系统的示意图；
图2是现有技术垂直磁记录盘的示意剖面图，示出作用在记录层RL上的写场H；
图3A是具有交换弹簧记录层RL的垂直磁记录盘的示意剖面图，所述交换弹簧记录层RL由两个铁磁交换耦合的磁层MAG1和MAG2构成；
图3B是具有交换弹簧记录层RL的垂直磁记录盘的示意剖面图，所述交换弹簧记录层RL由被铁磁耦合层CL分隔开的两个磁层MAG1和MAG2构成，场H1和H2分别作用在MAG1和MAG2上；
图4A是示意图，示出本发明的一实施，其中横向耦合层LCL直接沉积在MAG2上；
图4B是示意图，示出本发明的另一实施，其中LCL层沉积在CL上且MAG2直接沉积在LCL上；
图5A-5B示意性示出没有LCL(图5A)和有LCL(图5B)时MAG2中的晶粒和磁化；
图6是对于两个参考结构和根据本发明的结构位误差率BER作为记录头写电流的函数的曲线图；
图7A是模拟测试结构的示意图和测试参数的说明，用于测试作为颗粒间交换耦合的函数的T50和抖动(jitter)；
图7B是对于图7A的模拟参数作为颗粒间交换耦合的函数的抖动的曲线图；
图7C是对于图7A的模拟参数作为颗粒间交换耦合的函数的T50的曲线图。
具体实施方式
图3A是根据现有技术的垂直磁记录盘的示意剖面图，交换弹簧记录层RL由两个铁磁交换耦合的磁层MAG1和MAG2构成。MAG1和MAG2每个具有垂直磁各向异性。然而，MAG1和MAG2具有不同的磁属性，从而它们不同地响应所施加的写场。例如，MAG1和MAG2之一可以是软磁的，另一个是硬磁的。软磁层中的磁晶粒彼此去交换耦合(exchange-decoupled)，意味着软磁层中有非常低的颗粒间交换耦合。由于MAG1和MAG2中的晶粒之间适当的层间交换耦合，软磁晶粒在所施加的写场下将首先旋转，同时向硬磁晶粒提供交换场从而有效地倾斜其易轴，由此辅助硬磁层中晶粒的磁化反转。
图3B示出与前述未决申请11/372295中所描述的类似的交换弹簧介质，其中耦合层CL位于MAG1和MAG2之间。复合RL具有至少两个铁磁交换耦合的磁层MAG1和MAG2，每个具有基本垂直的磁各向异性且具有基本类似的各向异性场Hk，其被CL分隔开。CL提供该磁层之间适当的铁磁耦合强度。该复合RL结构利用深度相关(depth-dependent)写场H，即写头一般在RL的表面附近产生较大的磁场和较大的场梯度，而场强度在RL的更内部下降。MAG2所位于的RL顶部附近高的场和场梯度使得MAG2能够由高Hk材料形成。由于MAG2的磁化被写场反转，其辅助下面的磁层MAG1的磁化反转。在MAG1和MAG2的磁化的该非相干反转(non-coherent reversal)中，MAG2响应于写场改变其磁化取向且又放大施加在MAG1上的“转矩”或反转场，导致MAG1响应于比没有MAG2时需要的写场弱的写场改变其磁化方向。尽管作用在MAG1上的写场可以显著小于作用在MAG2上的写场，但是由于MAG2的磁化反转产生的转矩，MAG1可具有基本相同的Hk。MAG1和MAG2因此可具有基本相同的材料成分及因此基本类似的各向异性场Hk。
盘形式的介质和写场H示于图3B的剖视图中。如图3B的放大部分所示，MAG2中的普通晶粒10具有沿易轴12基本垂直或离面的磁化，且写场H2作用于其上。MAG2晶粒10之下的MAG1中的普通晶粒20也具有沿易轴22的垂直磁化，且小于H2的写场H1作用于其上。存在所施加的写场H2时，MAG2通过施加磁转矩在MAG1上辅助反转MAG1的磁化而充当写辅助层。
在本发明中，在交换弹簧RL中有额外层的多层RL结构具有改善的交换弹簧RL的可写性以及在具有提升水平的颗粒间交换耦合的RL结构中发现的噪声减少和热稳定性改善。如图4A的一实施方式所示，称为横向耦合层LCL的额外层位于交换弹簧结构中的MAG2之上并与其接触。如图4B的另一实施方式所示，LCL位于MAG2之下，MAG2在LCL之上并与其接触。LCL引起交换弹簧结构中的颗粒间交换耦合。虽然LCL在图4A和4B中示出为以包括CL的交换弹簧结构实施，类似于图3B，但是LCL也完全可应用于没有CL的交换弹簧结构，类似于图3A所示的结构。
现在将描述图4A-4B所示的用于本发明的范例盘结构。硬盘衬底可以是任何商业可得的玻璃衬底，但是还可以是具有NiP表面涂层的常规铝合金，或者替代衬底，例如硅、硅碱钙石或碳化硅。
用于SUL的生长的粘合层或OL可以是AlTi合金或类似材料，具有约2-5nm的厚度。SUL可由导磁材料例如合金CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeTaZr、CoFeB、和CoZrNb形成。SUL还可以是由被非磁膜例如导电膜Al或CoCr分隔开的多个软磁膜形成的层叠或多层SUL。SUL还可以是层间膜分隔开的多个软磁膜形成的层叠或多层SUL，层间膜引起反铁磁耦合，例如为Ru、Ir、Cr、或其合金。
EBL位于SUL上。其用来中断导磁膜SUL和RL之间的磁交换耦合，且还用来促进RL的外延生长。EBL可以不是必需的，但是如果使用的话其可以是非磁钛(Ti)层；非导电材料例如Si、Ge和SiGe合金；金属例如Cr、Ru、W、Zr、Nb、Mo、V和Al；金属合金例如非晶CrTi和NiP；非晶碳例如CNx、CHx和C；或者选自包括Si、Al、Zr、Ti和B的组的元素的氧化物、氮化物或碳化物。如果使用EBL，可以在EBL的沉积之前在SUL上使用籽层。例如，如果Ru用作EBL，1-8nm厚的NiFe或NiW籽层可沉积在SUL上，接着是3-30nm厚的RuEBL。EBL还可以是多层EBL。
MAG1和MAG2层可由表现出垂直磁各向异性的任何已知的非晶或结晶材料和结构形成。因此，MAG1和MAG2每个可以是具有合适的分离子的颗粒多晶钴合金层，所述钴合金例如为CoPt或CoPtCr合金，所述分离子例如为Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B这些材料的氧化物。另外，MAG1和MAG2每个可由含有合适的分离子例如上述材料的具有垂直磁各向异性的多层例如Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt和Fe/Pd多层构成。另外，含有稀土元素的垂直磁层可用于MAG1和MAG2，例如CoSm、TbFe、TbFeCo、GdFe合金。MAG1和MAG2可具有基本不同的磁属性，例如不同的各向异性场(Hk)，从而确保它们不同地响应所施加的写场且由此表现出交换弹簧属性从而改善可写性。MAG1和MAG2还可具有基本相同的各向异性场Hk，意味着具有低Hk的层的Hk值是具有高Hk的层的Hk值的至少70％(高达至少90％)且仍表现出上面关于图3B所示的介质描述的交换弹簧属性。
CL可以是六角密堆积(hcp)材料，其可以引起弱铁磁耦合且还提供用于MAG2的生长的良好模板(template)。因为CL必须使适当的层间交换耦合强度能够实现，所以它应该是非磁或弱铁磁的。因此CL可以由具有低Co含量(小于约60原子％)的RuCo和RuCoCr合金形成，或者由具有高Cr和/或B含量(Cr+B>约30原子％)的CoCr和CoCrB合金形成。Si氧化物或其它氧化物如Ta、Ti、Nb、Cr、V和B的氧化物可以添加到这些合金中。CL还可由面心立方(fcc)材料形成，例如Pt或Pd或者基于Pt或Pd的合金，因为这些材料能够实现磁层之间可调强度的铁磁耦合(即它们通过增大厚度而减小耦合)且与介质生长相容。
根据用于CL的材料的选择，更特别地根据CL中钴Co的浓度，CL可具有小于3.0nm的厚度，更优选地约0.2nm和2.5nm之间。因为Co是高度磁性的，CL中较高浓度的Co可通过加厚CL来抵消以实现MAG1和MAG2之间的最佳层间交换耦合。MAG1和MAG2之间的层间交换耦合可以通过调节CL的材料和厚度来部分地优化。CL应提供足以对翻转场(和翻转场分布)具有可观影响，但是足够小从而不将MAG1和MAG2层紧密耦合在一起的耦合强度。
LCL可由Co或铁磁Co合金例如CoCr合金形成。Co合金可包括Pt和B之一或两者。在图4A的实施方式中LCL直接沉积在MAG2上，或者在图4B的实施方式中LCL沉积在CL上且MAG2直接沉积在LCL上。LCL中的铁磁合金比MAG2中的铁磁合金具有显著更大的颗粒间交换耦合。LCL合金应优选不包括任何氧化物或其它分离子，这些将倾向于减小LCL中的颗粒间交换耦合。因为LCL晶粒边界交迭其所接触的MAG2的基本分离开且去耦的晶粒的边界，且LCL和MAG2晶粒强烈地垂直耦合，所以LCL在MAG2中引入有效的颗粒间交换耦合，或者更准确地说，其实现了具有可调水平的颗粒间交换的组合LCL+MAG2系统。这示于图5A-5B中，其示意性示出没有LCL(图5A)和有LCL(图5B)的MAG2中的晶粒和磁化。总的LCL+MAG2厚度应在约2-10nm的范围，优选地在约3-7nm的范围。总LCL+MAG2厚度的LCL部分应在约10-90％之间，优选范围为约20-60％。可以通过改变厚度和测量盘的性能以确定哪个厚度为组合LCL+MAG2系统提供最合适水平的颗粒间交换耦合，来实验地确定最佳LCL厚度。
形成在RL上的OC可以是非晶“类金刚石”碳膜或其它已知保护层，例如Si氮化物。
已经通过使用其上沉积Co(1-x)Crx(x＝0.1至0.22)LCL的MAG1/CL/MAG2(CoPtCr-Ta-氧化物/RuCo/CoPtCr-Si-氧化物)交换弹簧结构在实验上测试了根据本发明的结构。图6示出对于下面数个特定结构，作为记录头写电流的函数的BER的记录结果：
(a)第一参考结构，没有LCL的MAG1/MAG2双MAG层结构CoPtCr-Ta-氧化物/CoPtCrSi-氧化物；
(b)第二参考结构，没有LCL的MAG1/CL/MAG2交换弹簧结构CoPtCr-Ta-氧化物/RuCo/CoPtCr-Si-氧化物(4nm)；以及
(c)有Co90Cr10(1.5nm)LCL的MAG1/CL/MAG2交换弹簧结构CoPtCr-Ta-氧化物/RuCo/CoPtCr-Si-氧化物(3nm)。
根据与参考结构的比较，从图6显见，具有LCL的结构的记录性能甚至改善得超过第二参考结构的记录性能，其自身远优于Ta-氧化物/Si-氧化物双层的第一参考结构。对于相当的信号水平和道宽度实现了图6所示的显著的误差率改善。此外，这些结构的磁滞回线揭示了在相当的成核场下有LCL的结构的显著减小的饱和磁场(减小约10％)，由于CoCr LCL中高度交换耦合的晶粒，确证了较高水平的颗粒间交换耦合存在于该总体结构中。
本发明的该结构提供的改善还通过在MAG1/CL/MAG2交换弹簧结构中颗粒间交换耦合的作用的微磁模拟研究而确定。为了该目的，关键记录性能参数抖动(jitter)(其是位转变的定位误差，测量为读回电压的零交叉(zerocrossing)的标准偏差)和T50(其是隔离的转变的宽度，测量为信号的+50％和-50％点之间的距离)作为MAG2中颗粒间交换耦合(Hex)的函数被计算，在我们的实验中模拟了CoCrLCL的添加。该研究的结构和参数的描述示于图7A中，计算示于图7B-7C。在图7A中，Dc是模拟中使用的平均晶粒直径。图7B证实由于MAG2中增强的颗粒间交换耦合，噪声减小可以实现。另外，图7C显示T50值可以减小到某一程度，进一步改善总体记录性能。
虽然已经参照优选实施例特别显示和描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，可以进行形式和细节上的各种改变而不偏离本发明的思想和范围。因此，所公开的本发明将理解为仅是示例性的且仅如所附权利要求书明确说明的那样限定范围。
Claims (19)
1.一种垂直磁记录介质，包括：
衬底；
第一铁磁层，在该衬底上且具有离面磁化易轴；
第二铁磁层，具有离面磁化易轴，该第二铁磁层铁磁交换耦合到该第一铁磁层；以及
铁磁横向耦合层LCL，与该第二铁磁层接触。
2.根据权利要求1所述的介质，其中该LCL位于该第一和第二铁磁层之间。
3.根据权利要求1所述的介质，其中该LCL选自包括Co和铁磁Co合金的组。
4.根据权利要求3所述的介质，其中该LCL是包括Cr以及选自B和Pt构成的组的元素的铁磁Co合金。
5.根据权利要求3所述的介质，其中该LCL是主要包括仅Co和Cr的铁磁合金。
6.根据权利要求1所述的介质，还包括在该第一铁磁层和该第二铁磁层之间且允许该第一铁磁层与该第二铁磁层的铁磁交换耦合的耦合层CL。
7.根据权利要求6所述的介质，其中该CL由选自包括如下材料的组的材料形成：Co少于约60原子％的RuCo合金，Co少于约60原子％的RuCoCr合金，以及Cr和B的组合浓度大于约30原子％的Cr和B中的一种或更多与Co的合金。
8.根据权利要求6所述的介质，其中该LCL位于该CL和该第二铁磁层之间。
9.根据权利要求1所述的介质，其中该第一和第二铁磁层中的每个包括颗粒多晶钴合金以及Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或更多的氧化物。
10.根据权利要求1所述的介质，其中该第一和第二铁磁层具有基本不同的矫顽力。
11.根据权利要求1所述的介质，其中该第一和第二铁磁层具有基本不同的各向异性场。
12.根据权利要求1所述的介质，还包括在该衬底上的导磁材料衬层和在该衬层与该第一铁磁层之间用于防止该衬层与该第一铁磁层之间的磁交换耦合的交换中断层。
13.一种垂直磁记录盘，包括：
衬底，具有基本平坦的表面；
导磁材料的衬层，在该衬底表面上；
交换弹簧结构，在该衬层上且包括交换耦合的第一和第二铁磁层，所述第一和第二铁磁层的每个具有离面磁化易轴且包括颗粒多晶钴合金以及Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或更多的氧化物；以及
铁磁横向耦合层LCL，与该第二铁磁层接触，该LCL由包括Co和Cr的无氧化物铁磁合金构成。
14.根据权利要求13所述的盘，其中该LCL位于该第一和第二铁磁层之间。
15.根据权利要求13所述的盘，其中该LCL合金包括选自B和Pt构成的组的元素。
16.根据权利要求13所述的盘，还包括在该第一铁磁层和该第二铁磁层之间且允许该第一铁磁层与该第二铁磁层的铁磁交换耦合的耦合层CL。
17.根据权利要求16所述的盘，其中该CL由选自包括下列材料的组的材料形成：Co少于约60原子％的RuCo合金，Co少于约60原子％的RuCoCr合金，Cr和B的组合浓度大于约30原子％的Cr和B中的一种或更多与Co的合金，Pt，Pd，Pt基合金，以及Pd基合金。
18.根据权利要求13所述的盘，还包括在该衬层与该第一铁磁层之间用于防止该衬层与该第一铁磁层之间的磁交换耦合的交换中断层。
19.一种垂直磁记录系统，包括：
权利要求13的盘；
写头，用于磁化所述盘的所述LCL、与该LCL接触的所述第二铁磁层、以及所述铁磁交换耦合的第一铁磁层中的区域；以及
读头，用于检测所述磁化的区域之间的转变。
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| JP2008140460A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
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| US7588841B2 (en) * | 2007-04-17 | 2009-09-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording exchange-spring type medium with a lateral coupling layer for increasing intergranular exchange coupling in the lower magnetic layer |
| WO2008149812A1 (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP5103097B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2012-12-19 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | 垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
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| JP2011034603A (ja) * | 2008-03-31 | 2011-02-17 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP5088629B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2012-12-05 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| US9082442B2 (en) * | 2008-09-15 | 2015-07-14 | HGST Netherlands B.V. | System, method and apparatus for onset magnetic oxide layer for high performance perpendicular magnetic recording media |
| WO2010038448A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Hoya株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| US8877359B2 (en) * | 2008-12-05 | 2014-11-04 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic disk and method for manufacturing same |
| SG162634A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-29 | Showa Denko Hd Singapore Pte L | Perpendicular magnetic recording medium |
| US8202636B2 (en) * | 2008-12-23 | 2012-06-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording capping layer with multiple layers for controlling anisotropy for perpendicular recording media |
| WO2010073324A1 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 昭和電工株式会社 | 磁気記憶媒体及び磁気記録装置 |
| US8685547B2 (en) * | 2009-02-19 | 2014-04-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with enhanced writability and thermal stability |
| US8163405B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-04-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System, method and apparatus for multiple anisotropy layered magnetic structures for controlling reversal mechanism and tightening of switching field distribution in bit patterned media |
| US20110003175A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | Seagate Technology Llc | Composite perpendicular media with graded anisotropy layers and exchange break layers |
| US7998607B2 (en) * | 2009-07-31 | 2011-08-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Partially-oxidized cap layer for hard disk drive magnetic media |
| US9401170B1 (en) | 2009-11-24 | 2016-07-26 | WD Media, LLC | Perpendicular magnetic recording medium with epitaxial exchange coupling layer |
| US8173282B1 (en) | 2009-12-11 | 2012-05-08 | Wd Media, Inc. | Perpendicular magnetic recording medium with an ordering temperature reducing layer |
| US8168310B2 (en) | 2009-12-15 | 2012-05-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording media with oxide-containing exchange coupling layer |
| US9142240B2 (en) * | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
| US8460805B1 (en) * | 2010-12-23 | 2013-06-11 | Seagate Technology Llc | Magnetic layers |
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| US8743666B1 (en) | 2011-03-08 | 2014-06-03 | Western Digital Technologies, Inc. | Energy assisted magnetic recording medium capable of suppressing high DC readback noise |
| US9028985B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-05-12 | WD Media, LLC | Recording media with multiple exchange coupled magnetic layers |
| US9040180B2 (en) * | 2011-06-08 | 2015-05-26 | HGST Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording disk with multiple magnetic layers and intermediate dual nucleation films for control of grain size |
| US8507114B2 (en) | 2011-06-30 | 2013-08-13 | Seagate Technology Llc | Recording layer for heat assisted magnetic recording |
| US8320232B1 (en) * | 2011-07-21 | 2012-11-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Patterned perpendicular magnetic recording medium with multiple magnetic layers and interlayers |
| US20130052485A1 (en) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | Seagate Technology Llc | Recording stack with a dual continuous layer |
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| US8565050B1 (en) | 2011-12-20 | 2013-10-22 | WD Media, LLC | Heat assisted magnetic recording media having moment keeper layer |
| US9190094B2 (en) | 2013-04-04 | 2015-11-17 | Western Digital (Fremont) | Perpendicular recording media with grain isolation initiation layer and exchange breaking layer for signal-to-noise ratio enhancement |
| US8947987B1 (en) | 2013-05-03 | 2015-02-03 | WD Media, LLC | Systems and methods for providing capping layers for heat assisted magnetic recording media |
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Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030108721A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Fullerton Eric E. | Thermally - assisted magnetic recording disk with recording layer exchange- coupled to antiferromagnetic-to-ferromagnetic switching layer |
| JP2003248914A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6972157B2 (en) * | 2002-03-26 | 2005-12-06 | Waseda University | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| SG118199A1 (en) * | 2002-09-04 | 2006-01-27 | Fuji Electric Co Ltd | Perpendicular magnetic recording medium and a method for manufacturing same |
| US7470474B2 (en) * | 2003-04-07 | 2008-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus including both oxide and non-oxide perpendicular magnetic layers |
| US20060246323A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Seagate Technology Llc | Epitaxially grown non-oxide magnetic layers for granular perpendicular magnetic recording media applications |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |