CN101128910A - 用于监测微结构蚀刻工艺的改进的方法和装置 - Google Patents

用于监测微结构蚀刻工艺的改进的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101128910A
CN101128910A CNA2006800058114A CN200680005811A CN101128910A CN 101128910 A CN101128910 A CN 101128910A CN A2006800058114 A CNA2006800058114 A CN A2006800058114A CN 200680005811 A CN200680005811 A CN 200680005811A CN 101128910 A CN101128910 A CN 101128910A
Authority
CN
China
Prior art keywords
etch
structural
temperature
micro
monitoring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006800058114A
Other languages
English (en)
Inventor
A·奥哈拉
M·利维
G·普林格尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Point 35 Microstructures Ltd
Original Assignee
Point 35 Microstructures Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Point 35 Microstructures Ltd filed Critical Point 35 Microstructures Ltd
Publication of CN101128910A publication Critical patent/CN101128910A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/00468—Releasing structures
    • B81C1/00476—Releasing structures removing a sacrificial layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0055—Manufacturing logistics
    • B81C99/0065—Process control; Yield prediction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0128—Processes for removing material
    • B81C2201/013—Etching
    • B81C2201/0135—Controlling etch progression
    • B81C2201/0138—Monitoring physical parameters in the etching chamber, e.g. pressure, temperature or gas composition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

描述一种用于制造位于蚀刻腔体(3)内的微结构(2)(特别是MEMS)的蚀刻监测装置(1)及其相关方法。该装置(1)及其相关方法通过将其中定位了微结构(2)的腔体(3)内的温度设定为起始温度，并且将该腔体(3)内的蚀刻气体分压保持在恒定值来操作。因此，该腔体(3)内的微结构(2)的表面温度主要由蚀刻速率来确定。从而，通过使用温度计(8)监测蚀刻表面温度的变化，提供用于监测蚀刻工艺的直接诊断。

Description

用于监测微结构蚀刻工艺的改进的方法和装置
发明领域
本发明涉及一种用于制造微结构的方法和装置。通常，微结构为需要去除与基板或其它沉积材料有关的材料的微电机系统(MEMS)的形式。特别地，本发明涉及用于控制包含在这些微结构的制造中的气相蚀刻工艺的改进的方法和装置。
背景技术
本领域的技术人员公知，MEMS或半导体器件的制造涉及一种或多种材料的沉积或蚀刻从而形成各种结构。通常，在工艺处理室内加工基板(例如晶片或玻璃面板)，以制造集成电路、MEMS构件或平板显示器形式的这些器件。该加工可包括在基板上沉积材料层(例如，多晶硅、二氧化硅等)，随后选择性蚀刻所沉积的层。
为了制备用于蚀刻的层，通常用适当的光刻胶或硬掩模遮盖基板表面。在蚀刻过程中，采用适当源气体蚀刻，穿过未被掩模所保护的区域。一旦确定已完成目标材料的去除，就终止蚀刻。该蚀刻的终止通常被称为“蚀刻终点”。
特别根据MEMS的工艺，蚀刻工艺通常基于在构造过程中牺牲材料用于形成和支撑结构的牺牲蚀刻方法。完成该结构后，通过蚀刻去除牺牲材料。
随着蚀刻的进行，根据所采用的化学和/或物理反应，消耗蚀刻材料。在完全消耗完蚀刻材料的点蚀刻工艺结束，即上述蚀刻终点。一直以来采用了许多技术用于监测蚀刻工艺和确定蚀刻终点，主要基于光学技术、压力监测和气体分析。例如，许多用于监测蚀刻工艺的不同方法都已采用光学技术。一个例子包括用激光照射正在被蚀刻的一系列线，从而在反射内产生干涉图案。所得干涉图案依赖于包括通道的深度的结构，因此其可表示蚀刻进程。
在等离子体系统内，腔体内的原子被激活，当它们衰减时，产生光。发射光的波长主要依赖于存在于腔体内的气体的种类。对与作为蚀刻的副产品的适当气体相对应的设定的波长过滤发射光，使得蚀刻能够被监测。
某些蚀刻反应增加或降低腔体内的摩尔浓度，因此增加或降低腔体内的压强。可再一次确定表示蚀刻进程的任何改变并判定当腔体内压力不变(level out)时的蚀刻终点。
监测腔体内的气体种类也允许观测蚀刻工艺。该气体可通过使用例如剩余气体分析器(RGA)的仪器来确定。
在许多MEMS工艺过程中，采用二氟化氙(XeF2)蚀刻牺牲硅，这作为释放过程的一部分。众所周知，XeF2各向同性并且自发地气相蚀刻硅，而无需输入外部能量。该蚀刻的各向同性的性质带来了可钻蚀大结构的优点。使用XeF2蚀刻牺牲硅具有附加优点，首先相对于铝、光刻胶和二氧化硅(SiO2)，XeF2对于硅具有高选择性。该选择率可高达1000∶1。此外，在室温下蚀刻速率高，当使用硅作为牺牲材料时，这使得该工艺对于释放MEMS结构是理想的。
在室温和大气压强下，XeF2是白色晶态固体。晶体的尺寸由进行固化的条件所确定。在蒸汽压力(在25℃下-4Torr)下发生升华，并且气体蚀刻硅，其主要反应为：
2XeF2+Si→2Xe+SiF4
该反应是放热的；因此，当XeF2蚀刻硅时，基板的温度将升高。
XeF2的蚀刻速率不依赖于晶面或者硅杂质含量。因此，本发明的目的是提供一种可准确、可重复地监测和控制微结构制造所涉及的气相蚀刻工艺的装置和方法。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种适用于蚀刻腔体的蚀刻监测装置，该蚀刻监测装置包括用于控制蚀刻气体的分压的压力控制器，用于设定蚀刻腔体的起始温度的温度控制器和用于监测在腔体内待蚀刻的微结构的表面温度的温度计。
微结构的温度依赖于腔体的起始温度，腔体的压强和在蚀刻剂和待蚀刻微结构的表面之间的放热蚀刻速率。通过在腔体内定义指定起始温度，并且保持腔体在恒定压强下，从而通过蚀刻工艺确定微结构的表面温度。因此，测量蚀刻表面温度的改变提供了用于检测蚀刻工艺的直接特征。温度改变依赖于蚀刻速率，温度改变越高，蚀刻速率越高。对于反应是放热的情况，在蚀刻表面温度减小到腔体起始温度之前，当达到蚀刻终点时，蚀刻表面温度开始时增加。
最优选地，该蚀刻监测装置还包括反馈回路，因此采用温度计调节压力控制器。优选该反馈回路还允许温度计调节温度控制器。该反馈回路用于响应蚀刻监测，使得可控制蚀刻速率以适应蚀刻所需特性。
优选压力控制器包括气流控制器，其中气流控制器提供用于调节蚀刻气流的装置。
最优选地，温度计包括非接触式温度传感器。优选非接触式温度传感器包括至少一个高温计。或者，该非接触式温度传感器是热成像摄像机。
非接触式温度传感器允许测量样品的温度，而不过度影响蚀刻工艺。此外，它们可位于腔体外部，因此防止由蚀刻气体对温度计造成损伤的可能性。
根据本发明的第二方面，提供了一种适用于蚀刻一个或多个微结构的蚀刻腔体，其包括根据本发明的第一方面的蚀刻监测装置。
最优选地，蚀刻腔体包括基座，待蚀刻的微结构定位在该基座上。
优选采用温度控制器控制基座的温度。
优选腔体还包括窗口。优选窗口对红外电磁辐射是可透过的。可选地，窗口包括硒化锌。可选地，窗口还包括盖子。可选地，窗口定位在盖子上。优选温度计和窗口重合设置在盖子上。
硒化锌允许热电磁或红外辐射穿过，这意味着将非接触式传感器定位在腔体外部是实用的选择。由于具有透明窗口，否则腔体可以是不透明的。
根据本发明的第三方面，提供了一种监测位于蚀刻腔体内的微结构的蚀刻工艺的进程的方法，该方法包括步骤：
1)设定腔体起始温度；
2)控制腔体内的蚀刻气体的压强；以及
3)监测待蚀刻的微结构的表面温度的变化。
当设定腔体的起始温度，并且控制腔体内的蚀刻剂气体的压强时，微结构的蚀刻表面的温度的任何变化都归因于蚀刻工艺。因此，通过监测该样品表面的温度，获得对蚀刻工艺的诊断。
优选设定腔体起始温度的步骤包括设定放置微结构的基座的温度。
最优选地，该方法还包括将所监测的表面温度与预定的标准温度曲线相比较的步骤。
当清楚了解蚀刻工艺时，通常能够确定温度随时间的变化，并且能够在之后将该信息用于对比。
任选地，监测蚀刻工艺进程的方法还包括将待蚀刻的微结构的表面温度与起始温度相比较，从而确定蚀刻终点。
优选地，监测微结构的表面温度的变化的步骤包括采用一个或多个遥测温度传感器。
遥测温度传感器可包括理想地定位在距微结构的一定距离处的一个或多个高温计，该距离与高温计的聚光光学器件的焦距一致。或者，该遥测温度传感器包括热像仪。这意味着可在整个样品表面评测温度，而不是由高温计提供的单点测量。这允许对于整个样品而不仅仅是样品上的一点来控制蚀刻。
优选控制腔体内的压强的步骤包括将压强保持在基本恒定的值。
可选地，控制腔体内的压强的步骤还包括当蚀刻工艺接近终点时，降低腔体内的蚀刻剂气体的分压的步骤。可选地，控制腔体内的压强的步骤还包括控制进入腔体内的蚀刻气体流的步骤。
当达到蚀刻终点时，常常需要降低腔体内的蚀刻气体的压强或减小腔体内的蚀刻气体流，从而确保在蚀刻腔体内没有蚀刻剂气体的再结晶。
附图详细说明
在阅读下列详细说明，并在本发明中参考下列附图之后，本发明的各个方面和优点将变得显而易见：
图1示出根据本发明的一个方面的用于蚀刻样品的装置的示意图；
图2示出当采用图1所示的装置时在蚀刻样品过程中样品温度的特性关于时间的曲线图。
具体实施方式
图1示出根据本发明的一个方面用于蚀刻微结构样品2的蚀刻装置的示意图。可以看出该蚀刻装置1包括蚀刻腔体3，适用于将待蚀刻样品2定位在腔体3内的基座4位于该腔体内，且该装置包括反馈回路3b。可以看出该腔体3自身包括盖子5，从而使用户能够进入该腔体3的内部。位于盖子5中心内的是硒化锌(ZnSe)窗口6，该窗口6提供用于保持腔体3内的真空完整性，但是其允许红外辐射7从该腔体3内发射出来。
该蚀刻装置1还包括位于腔体3之外且与ZnSe窗口6重合的高温计8。设置高温计8，使得用于最大化光俘获的高温计8的固有关联最佳焦距与该高温计8和位于基座4上的样品2之间的距离相一致。在该最佳操作距离处，高温计8的灵敏度被最大化。高温计8的操作波长通常为8-12μm，并且像这样，该高温计8可用于监测从腔体3放射的红外辐射7。
高温计8根据热辐射的普朗克定律的原理运行，该原理将白炽灯辐射(主要是红外)强度与温度和频率关联，因此可通过测量所发射的热电磁辐射7的量以非接触方式确定样品2的温度。
在图1所示的特定例子中，样品2包括基板9，其上已生长了层10。特别是在MEMS工艺中，在构造过程中，牺牲材料11用于支撑和形成结构12，旨在之后可蚀刻去除牺牲材料11，从而留下具有期望结构12的样品2。
通过温度控制器13将上面设置了样品2的基座4设定并且保持在基座温度Tp。该温度可高于或低于室温，选择特定温度以最优化蚀刻工艺。此外，通过腔体压强控制器14控制腔体3内的蚀刻剂气体的压强Pc。该压强控制器14可结合用于提供控制进入腔体内的气流的装置的气流控制器。
为了说明，可考虑蚀刻气体是XeF2，牺牲材料11是硅。如上所述，已知XeF2比其它材料具有高选择性，所以XeF2非常适合蚀刻硅。
在蚀刻工艺过程中，样品温度Ts由基座温度Tp、腔体压强Pc和硅的蚀刻速率确定。基座温度Tp设定样品的起始温度Ts，而腔体压强Pc影响样品2和基座4之间的热接触。通过控制(即保持恒定)气体压强Pc和基座温度Tp，从而样品2的温度的任何变化都归因于蚀刻的放热反应。
对于本领域的技术人员显而易见的是实际上腔体3可能不包括基座4，而待蚀刻样品可能直接设置在腔体3的内表面上。在这样的实施例中，温度控制器13通过以与上述方式相似的方式控制腔体3的温度而设定样品的起始温度Ts。
已经发现，采用图1所示的装置1，适当设置好的蚀刻工艺显示出可再现特性温度曲线图，图2示出其实例。由此可以看出样品2的温度恒定在大约Tp处，直至在(区域A)末端开始蚀刻，并且温度逐渐增加(区域B)到平衡阶段(区域C)，在该平衡阶段放热反应的加热效应与蚀刻装置1的冷却效应相平衡。然后当蚀刻材料用完(区域D)时，样品温度Ts下降，并且又变得恒定(区域E)，与蚀刻终点相一致。就在此刻，应当终止对腔体3供应XeF2。
该功能促进了使用高温计8作为诊断工具，由此与特性温度曲线图的偏差可表示系统中的运行中的问题，例如；腔体压强的损失、气体堵塞或样品降解。
此外，监测样品2的温度可以提供在样品2上发生的蚀刻反应的信息。反馈回路3b可使用该信息以加强对在蚀刻腔体3内发生的蚀刻的控制。例如，响应由高温计8所获取的变化，可改变XeF2的供应。在蚀刻牺牲材料11时；当硅被几乎耗尽时，如在图2的区域D内，需要降低XeF2流，以确保在蚀刻腔体3内没有XeF2的再结晶。
此外，还发现蚀刻速率可依赖于正在蚀刻的样品2的结构。特别是，被暴露硅的量可影响蚀刻速率，对于较高量的被暴露的硅，观测到较低的蚀刻速率。因此，当蚀刻不同结构时，蚀刻工艺的精确的温度曲线图可变化。
此外，在蚀刻复杂结构的过程中，被暴露硅的量可能慢慢变化，或者确实显著变化，该特征也将影响蚀刻速率，并且其可由高温计8探测。
如果蚀刻复杂结构，则在进行蚀刻时，由于正在蚀刻的结构内的物理性变化，蚀刻速率可能变化。蚀刻速率的变化可通过高温计8探测，并且之后蚀刻速率的变化与正在蚀刻的结构元件的特性相关。例如，可采用穿透步骤，因此需要XeF2，以在与硅接触并开始牺牲蚀刻(sacrificial etch)之前以非放热反应去除阻挡层。这将对应于图2所示的区域A和区域B之间的过渡。
在上述方法和装置的另一实施例中，我们发现在整个样品的各个位置处监测样品的温度Ts是有利的。这可提供关于整个样品的工艺控制的有价值的信息，从而提供反馈以使工艺适合于加强整个样品的蚀刻。这通过一种使用嵌入盖子5内的热象仪代替高温计8，从而提供用于观测样品2的表面的装置的方法实现。第二种方法是采用分布在盖子5上的高温计8的阵列，从而提供用于观测样品2上的不同点的装置。然而，本领域的技术人员将了解可采用其它任何的用于测量样品温度的技术。
第三种方法是利用单个高温计8的固有光学性质对给定区域的温度进行积分。高温计的光学结构为如此，当给定点与高温计8的收集光学器件焦点相重合时，可测量该给定点处的样品2的温度。然而，当从焦点移动样品2时，通过沿高温计8的光轴移动样品2，有效地散焦有效测量区域，产生有限尺寸的点，将在该点上测量作为平均值的温度。
通常，高温计8监测通过高温计8和收集光学器件的光学特性确定的样品2的限定表面区域。所测量的温度是对该限定区域的温度的积分。邻近蚀刻区域的某些结构元件可能是脆性的，并且其易受在蚀刻工艺过程中产生的状态的损伤。例如，当蚀刻牺牲材料11以留下薄膜时，温度的增加可能造成可以损伤薄膜的应力的不可耐增加。使用高温计8，可监测温度，并且设定上限以保护结构。然后可以以人工模式或自动模式使用所描述的监测器，以确保该蚀刻工艺不引起损伤状态。
当将放热蚀刻用于标准半导体电路时，将遇到另一个例子。通常对于特定结构具有热预算，也限制了工艺过程中所允许的温度。所描述的监测器也可用于在工艺过程中保护样品。
如上讨论，高温计8监测限定表面，并且之后对所观测的温度进行积分。在极小结构元件上，温度可能远高于通过高温计8所观测的温度，并因此处于损坏的程度。为了解决该问题，可将校准实验结果用于特殊结构，从而在所观测的温度和在这些极小结构元件上的实际温度之间建立联系。然后采用这些测试结果来限定观测上限温度，从而在蚀刻工艺过程中保护样品。
本发明提供可以以谨慎的、非接触的方式准确确定蚀刻工艺的终点的优点。此外，本发明提供一种准确地、可重复地监测和控制微结构制造中所涉及的气相蚀刻工艺的装置。
为了说明和描述的目的已经在上面给出了对本发明的说明，并不意在使说明毫无遗漏或将本发明限定到所述的精确形式。为了最好地解释本发明的原理及其实际应用，选取和描述所述实施例，从而使得本领域的其它技术人员能够在各种实施例中最好地利用本发明，并通过适合于特定的预期用途的各种修改更好地利用本发明。因此，在不偏离如由所附权利要求书所限定的本发明的范围的情况下，可并入更多的修改和改进。例如，可知已使用硅和XeF2以举例说明该系统，该系统可使用任何产生放热或吸热反应的基板材料和蚀刻材料的组合。大体上，可使用该技术监测任何造成被蚀刻样品的温度的变化的反应。

Claims (23)

1.一种适用于蚀刻腔体(3)的蚀刻监测装置(1)，所述蚀刻监测装置(1)包括用于控制蚀刻气体的分压的压力控制器(14)，用于设定所述蚀刻腔体(3)的起始温度的温度控制器(13)和用于监测将要在所述腔体(3)内进行蚀刻的微结构(2)的表面温度的温度计(8)。
2.如权利要求1所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述装置(1)进一步包括反馈回路(3b)，以便使用所述温度计(8)来调节所述压力控制器(14)。
3.如权利要求2所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述反馈回路(2)还允许所述温度计(8)调节所述温度控制器(13)。
4.如前述权利要求中任何一项所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述压力控制器(14)包括气流控制器，以便所述气流控制器提供一种用于调节蚀刻气体流的装置。
5.如前述权利要求中任何一项所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述温度计(8)包括非接触式温度传感器。
6.如权利要求5所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述非接触式温度传感器包括至少一个高温计。
7.如权利要求5所述的蚀刻监测装置(1)，其中所述非接触式温度传感器是热成像摄像机。
8.一种适用于蚀刻一个或多个微结构的蚀刻腔体(3)，其包括如权利要求1到7中任何一项所述的蚀刻监测装置(1)。
9.如权利要求8所述的蚀刻腔体(3)，其中所述蚀刻腔体(3)进一步包括基座，将待蚀刻的所述微结构设置在所述基座上。
10.如权利要求8或权利要求9所述的蚀刻腔体(3)，其中所述蚀刻腔体(3)进一步包括窗口(6)。
11.如权利要求10所述的蚀刻腔体(3)，其中所述窗口(6)可透过红外电磁辐射。
12.如权利要求10或权利要求10所述的蚀刻腔体(3)，其中所述窗口(6)包括硒化锌。
13.如权利要求8到12中任何一项所述的蚀刻腔体(3)，其中所述蚀刻腔体(3)进一步包括盖子(5)。
14.如权利要求13所述的蚀刻腔体(3)，其中所述窗口(6)位于所述盖子(5)上。
15.如权利要求14所述的蚀刻腔体(3)，其中所述温度计与所述盖子上的所述窗口重合设置。
16.一种监测位于蚀刻腔体(3)内的微结构(2)的蚀刻工艺过程的进展的方法，所述方法包括以下步骤：
1)设定所述腔体的起始温度；
2)控制所述腔体(3)内的蚀刻气体的压强；
3)监测待蚀刻的所述微结构(2)的表面温度的变化。
17.如权利要求16所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中设定所述腔体的起始温度的所述步骤包括设定其上设置有所述微结构的基座的温度。
18.如权利要求16或权利要求17所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中所述方法进一步包括将所监测的表面温度与预定标准温度曲线相比较的步骤。
19.如权利要求16到18中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中所述方法进一步包括将待蚀刻的所述微结构(2)的所述表面温度与所述起始温度相比较从而确定蚀刻终点的步骤。
20.如权利要求16到19中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中监测所述微结构(2)的表面温度的变化的所述步骤包括采用一个或多个遥测温度传感器(8)。
21.如权利要求16到20中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中控制所述腔体(3)中的所述压强的所述步骤包括将所述压强保持在基本上恒定的值。
22.如权利要求19到21中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中控制所述腔体(3)内的所述压强的所述步骤包括当所述蚀刻工艺接近所述终点时降低所述腔体(3)中的蚀刻剂气体的所述分压的步骤。
23.如权利要求19到22中任何一项所述的监测微结构(2)的蚀刻工艺的进展的方法，其中控制所述腔体(3)中的所述压强的所述步骤包括控制进入所述腔体中的所述蚀刻气体流的步骤。
CNA2006800058114A 2005-01-18 2006-01-17 用于监测微结构蚀刻工艺的改进的方法和装置 Pending CN101128910A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0500980.8 2005-01-18
GBGB0500980.8A GB0500980D0 (en) 2005-01-18 2005-01-18 Improved method and apparatus for monitoring a microstructure etching process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101128910A true CN101128910A (zh) 2008-02-20

Family

ID=34224760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006800058114A Pending CN101128910A (zh) 2005-01-18 2006-01-17 用于监测微结构蚀刻工艺的改进的方法和装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7672750B2 (zh)
EP (1) EP1842222B1 (zh)
JP (1) JP2008527753A (zh)
CN (1) CN101128910A (zh)
GB (1) GB0500980D0 (zh)
WO (1) WO2006077390A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102103980B (zh) * 2009-12-17 2012-10-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于等离子体加工设备的反应腔室和等离子体加工设备
CN106504971A (zh) * 2017-01-03 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003280184A1 (en) * 2002-12-09 2004-06-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. System and method for suppression of wafer temperature drift in cold-wall cvd system
US7569488B2 (en) * 2007-06-22 2009-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter
US7719754B2 (en) 2008-09-30 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Multi-thickness layers for MEMS and mask-saving sequence for same
CN103425871B (zh) * 2013-07-18 2016-04-06 清华大学 面向三维元胞模型中确定刻蚀粒子到达表面的方法
CN104750140B (zh) * 2013-12-31 2017-09-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔加热控制方法及装置
US10615073B2 (en) * 2015-02-15 2020-04-07 Acm Research (Shanghai) Inc. Method for removing barrier layer for minimizing sidewall recess

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5647569A (en) * 1979-09-28 1981-04-30 Toshiba Corp Plasma etching method
JPS5925227A (ja) * 1982-08-02 1984-02-09 Hitachi Ltd プラズマエツチング装置
US4913790A (en) 1988-03-25 1990-04-03 Tokyo Electron Limited Treating method
JPH0372624A (ja) * 1989-03-30 1991-03-27 Toshiba Corp 表面処理装置
US4971653A (en) * 1990-03-14 1990-11-20 Matrix Integrated Systems Temperature controlled chuck for elevated temperature etch processing
US5200023A (en) * 1991-08-30 1993-04-06 International Business Machines Corp. Infrared thermographic method and apparatus for etch process monitoring and control
JPH0590211A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Fujitsu Ltd 真空処理装置及び真空処理方法
JPH05190654A (ja) * 1992-01-09 1993-07-30 Fujitsu Ltd 静電吸着方法
JPH06124916A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk ドライエッチング装置
JPH07221076A (ja) * 1994-02-07 1995-08-18 Nec Corp エッチング方法及びこれに用いられる装置
US5846373A (en) * 1996-06-28 1998-12-08 Lam Research Corporation Method for monitoring process endpoints in a plasma chamber and a process monitoring arrangement in a plasma chamber
US5948283A (en) 1996-06-28 1999-09-07 Lam Research Corporation Method and apparatus for enhancing outcome uniformity of direct-plasma processes
US6632321B2 (en) * 1998-01-06 2003-10-14 Applied Materials, Inc Method and apparatus for monitoring and controlling wafer fabrication process
US6949202B1 (en) * 1999-10-26 2005-09-27 Reflectivity, Inc Apparatus and method for flow of process gas in an ultra-clean environment
US6837965B2 (en) * 2002-08-14 2005-01-04 Aaron D. Gustafson Method and apparatus for etch processing with end point detection thereof
JP3799314B2 (ja) * 2002-09-27 2006-07-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング処理装置およびエッチング処理方法
US7306696B2 (en) * 2002-11-01 2007-12-11 Applied Materials, Inc. Interferometric endpoint determination in a substrate etching process
JP4668522B2 (ja) * 2003-03-31 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102103980B (zh) * 2009-12-17 2012-10-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于等离子体加工设备的反应腔室和等离子体加工设备
CN106504971A (zh) * 2017-01-03 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置
CN106504971B (zh) * 2017-01-03 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20080147229A1 (en) 2008-06-19
WO2006077390A1 (en) 2006-07-27
EP1842222B1 (en) 2013-07-17
EP1842222A1 (en) 2007-10-10
US7672750B2 (en) 2010-03-02
JP2008527753A (ja) 2008-07-24
GB0500980D0 (en) 2005-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101128910A (zh) 用于监测微结构蚀刻工艺的改进的方法和装置
JP5850601B2 (ja) その場ウエハー温度測定並びに制御
JP4925507B2 (ja) スペクトル干渉法を用いる膜厚制御
US5200023A (en) Infrared thermographic method and apparatus for etch process monitoring and control
TWI290727B (en) Method for monitoring thin-film thickness and method for measuring substrate temperature
US8518283B2 (en) Plasma etching method capable of detecting end point and plasma etching device therefor
JP2022113724A (ja) 測定ウェハ装置
TW200523997A (en) Wafer temperature trajectory control method for high temperature ramp rate applications using dynamic predictive thermal modeling
JP2001257169A (ja) 加工室の温度制御方法、半導体加工装置及びセンサ較正方法
CN106165079B (zh) 处理系统及校准、验证工件工艺及在高温处理工件的方法
JP2008235858A (ja) 半導体表面温度測定方法及びその装置
US20030085198A1 (en) Method of detecting etching process end point in semiconductor fabricating equipment and detector therefor
US20180283957A1 (en) Apparatus and method to measure temperature of 3d semiconductor structures via laser diffraction
WO2002001170A1 (fr) Procede et appareil de mesure de la temperature
JP5022708B2 (ja) 現場基板温度モニター法及び装置
JPH07134069A (ja) 基板温度のモニタ方法
TW201312673A (zh) 利用獨立光源以測量晶圓溫度之方法與設備
US8575521B2 (en) Monitoring witness structures for temperature control in RTP systems
US20070056940A1 (en) Emissivity-independent silicon surface temperature measurement
CN102103980B (zh) 用于等离子体加工设备的反应腔室和等离子体加工设备
JP4980568B2 (ja) 放出電磁放射により基板の温度をその場でモニタリングする方法および装置
WO2010084513A2 (en) A process and system for manufacturing stable fiber bragg gratings (fbgs)
Moelders et al. Designing thermally uniform MEMs hot micro-bolometers
JP3915679B2 (ja) 半導体ウェハの熱処理方法
Adams et al. In‐Situ Optical Wafer Temperature Measurement

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Livingston

Applicant after: Maimusida Co., Ltd.

Address before: Livingston

Applicant before: Point 35 Microstructures Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: POINT 35 MICROSTRUCTURES LTD. TO: MAIMU SIDA CO., LTD.

C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20080220