CN101120453B - 包括无机发光二极管的发光设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光设备(10)，其包括用于发射初级光的至少一个无机发光二极管(LED)(14)，支撑在(多个)LED的第一侧上的发光板(12)，该板适于转变(多个)LED发出的至少部分所述初级光的波长，该发光设备包括用于耦合出来自所述发光板的光的光散射单元，以及插入在所述发光板和所述发光二极管之间的分色镜(18)，所述分色镜适于透射所述初级光并反射已转变的光。本发明还涉及一种制造这种发光设备的方法。

Description

包括无机发光二极管的发光设备
技术领域
本发明涉及包括至少一个无机发光二极管(LED)的发光设备。本发明还涉及一种制造这种发光设备的方法。
背景技术
有许多发光设备的例子，其包括无机发光二极管(LED)或者有机发光二极管(OLED)。但是，用在例如显示器中的有机发光设备受限于每个区域施加的功率，因此受限于每个区域的发射通量。这是由于在更高负载下这些有机发光设备的材料中的破坏机理而引起的。另一方面，无机LED在这方面具有比有机发光设备更优的特性。在本文中，本发明涉及使用无机LED的发光设备。
目前存在发光设备的市场，所述发光设备通过使用蓝色或者UV(A)无机LED与发光材料(所谓的磷光体(phosphor)转变的LED)结合产生白光。通常，将蓝色LED芯片涂敷或覆盖有磷光体，其将至少一些蓝色辐射转变成例如黄光。未转变的蓝光与黄光一起产生白光。
对于这些发光设备来说，光提取是一个关键问题。从磷光体转变的LED提取光的经典方法涉及使用初级(primary)提取光学系统，即基于它们的折射性质提取光的光学圆顶(optical dome)。图1示意性地示出了这样一种发光设备30，其具有由单一圆顶34覆盖的多个LED32。但是，这种方法的缺点是其以损害发光设备或者LED模块的紧凑性为代价而提取光。这是因为由于全内反射而将远离圆顶中心发射的光可以收集在圆顶内部，因此半球形圆顶的直径必须基本上大于发光区域(即，圆顶的底面(base area)基本上大于一个或多个LED)，其进而还导致圆顶具有相当大的高度。这特别适用于多芯片的LED模块，其中利用单个光学圆顶来覆盖多个LED。
此外，目前的初级提取光学系统已经限制了光热稳定性，这限制了所使用的LED的功率并因此限制了发光设备的流明功率。
发明内容
本发明的一个目的在于克服这些问题，并提供一种改进的和紧凑的使用无机LED的发光设备。
通过下面的描述将被阐明的该目的和其他目的将通过根据所附的权利要求发光设备以及制造这种发光设备的方法来实现。
根据本发明的一个方面，提供一种发光设备，其包括：用于发射初级光(primary light)的至少一个无机发光二极管(LED)，支撑在(多个)LED的第一侧上的发光板，该板适于转变来自LED的至少一部分所述初级光的波长，该发光设备包括用于耦合出来自发光板的光的光散射单元，和插入在所述发光板和所述发光二极管之间的分色镜，所述分色镜适于透射所述初级光并反射已转变的光。
光散射单元使得能够提取光，否则该光将经历全内反射。光散射单元可以是设置在发光板第二侧上的光子随机化层，该第二侧与第一侧相对。可选择的是，光散射单元可以是结合在发光板中的光散射粒子。两种可选择的方案允许有效的光提取而无需使用任何庞大的初级提取光学系统，并且与现有技术的提取光学系统相比较提供了高度大大减小的平坦的光学设计。此外，可以将(多个)LED放置在发光板表面上的任何地方并保持光提取。因此，板的面积不一定基本上大于(多个)LED的面积，这允许紧凑的LED模块设计。而且，可以将多个LED以高装填密度安装在板上，从而形成紧凑的高亮度的多个LED的模块。此外，所述分色镜提供了防止在发光板第一侧(背侧)发生的光损失的优点，并引导所有经过转换的光朝向发光板的第二侧(前侧或发光侧)前进。这样就可以得到有效的光提取以及提高的亮度。
在本发明的另一个实施方式中，发光设备还包括设置在发光板侧壁上的反射镜。这些反射镜防止光经过发光板的侧壁逸出，由此降低了光损失。该反射镜例如可以是分色镜或者金属反射镜。
(多个)发光二极管可适于发射蓝光和UV(A)光中的一种。在前一种情况下，将从LED发射到发光板中的部分蓝光转变成例如黄光，而将部分蓝光发射经过散射单元并加入到黄光中，从而产生白光。在后一种情况下，将所有的UV(A)进行转变并经过散射单元从前侧发射。
发光板可包括无机封装的磷光体。无机封装的磷光体的使用提供了高度的光热稳定性。这使得该设备能够抵抗高温，进而能够使得使用大功率LED芯片。大功率LED芯片有助于发光设备的高流明输出。这当然假定板的剩余材料也可承受由多个大功率LED芯片所产生的负载。这种板例如可以是多晶的。多晶的板还允许由陶瓷粉末成形和烧结来制造。
根据本发明的另一方面，提供一种制造发光设备的方法，所述方法包括提供发光板，在所述板的第一侧设置至少一个无机发光二极管，并将散射单元施加到所述板上，并将分色镜施加到所述发光板和所述发光二极管之间。该方法提供了与前面探讨的本发明的方面所得到的类似优点。
附图说明
现在将参照显示本发明的当前优选实施方式的附图，更详细描述本发明的这些和其他方面。
图1是根据现有技术的发光设备的侧视图，以及
图2是根据本发明的实施例的发光设备的侧视图。
具体实施方式
图2显示了根据本发明实施方式的发光设备10。发光设备10例如可用于照明的目的。发光设备10包括支撑多个无机发光二极管(LED)14的发光板12。因此，板12作为LED的基板。
发光板12可以是透明的或者半透明的，并且在由于封装的无机发光材料(inorganic phosphors)而产生的蓝色或者UV辐射下发光。发光板12优选为多晶的。例如，其可以由整块块发光陶瓷(monolithluminescent ceramic)或者陶瓷磷光体复合物(ceramic phosphorcomposite)制成。可选择的是，其可以由例如具有结合了发光功能的玻璃制成。如上所述的这种板可承受当该板与多个无机LED耦合时引起的高负载。
LED14可以是发射蓝光或者UV(A)光或者辐射(“初级光”)的LED。LED可包括具有在其上处理的InGaN材料蓝宝石晶片基板。
发光设备10还包括光子随机化层16，该光子随机化层16设置在发光板12的相对于支撑LED14的一侧相对的一侧上。光子随机化层16包括具有光散射功能的子波长非周期随机化布局(topology)。该布局是在其特点和/或不规则性小于所选光源发出的光的波长的这一意义上的“子波长”。光子随机化层16例如可以通过将粒子涂层施加到板12上或者通过将陶瓷或者溶胶-凝胶型的透明厚膜浮雕在板12上来获得。
优选的是，发光设备10还包括插在发光板12和LED14之间的分色镜18以及设置在发光板12的侧壁上的反射镜20。分色镜18对于蓝色和UV光是透射的，对于更大的波长是反射的。分色镜18例如可以通过使用薄膜沉积技术对板12进行涂敷来获得。LED14与分色镜18光学耦合。发光板12上LED14和分色镜18之间的耦合可以例如通过将所述镜/板与LED的蓝宝石基板粘合来实现(在这些基板上处理InGaN材料之前或之后)，或者通过使用合适的透明粘合剂将LED与所述镜/板粘合来实现。
当发光设备10工作时，从LED14发出的光经过分色镜18而被提取进入到发光板12中。由于如上所述，分色镜18透射蓝光和UV光，因此蓝光或者UV光不受分色镜18的影响。被提取进入发光板12中的光然后由发光板12的发光材料转变成更长的波长。所有到达发光板12的顶面的光由光子随机化层16散射。部分所述光在散射之后耦合出板12，并且部分所述光被散射回进入板12中。应当注意的是，不具有该层而经历全内反射的光也被散射，并被耦合出板12或者被散射回进入板12中。
在UV(A)LED的情况下，将光完全转变成更长的波长，并且所有被转变的光通过光子随机化层16从发光板12的顶面发射。在蓝色LED的情况下，将部分蓝光转变成黄光或者具有更长波长的其他光。选择发光板12的性质，使得部分(未被转变的)蓝光从板12的顶面逸出通过光子随机化层16并加入(已被转变的)黄光(或者其他更长波长的光)中以产生白光。
在上述两种情况下，任何朝向发光板12的底面入射的已被转变的光(诸如由光子随机化层16散射回到板12中的部分光)由分色镜18反射，并重新定向为朝向顶面和光子随机化层16。因此，防止了在发光板12的底面的光损失，并且所述光得到了经过板12的顶面逸出的第二次机会。这增大了光输出，并因此增大了发光设备10的亮度和效率。反射镜20防止光从发光板12的侧壁逸出，也增大了发光设备10的亮度。
在根据本发明的发光设备的可选择实施方式中，可以将光散射粒子结合在发光板12中。在这种情况下，可以省略光子随机化层16。
应当注意的是，本发明的具有平坦光学设计的布置使得在保持光提取的情况下可能将LED14放置在基本上到所述板12的侧面的所有地方。与现有技术的LED模块(如图1中所示的)相比，这允许(a)包括给定数目的LED的发光设备的尺寸更小，和/或(b)对于具有给定面积的发光设备而言更高的LED芯片装填密度(packing density)。
本领域的技术人员认识到，本发明决不限于上述优选实施方式。相反，许多修改和变化都可能落入所附的权利要求书的范围。

Claims (11)

1.一种发光设备(10)，其包括：
用于发射初级光的至少一个无机发光二极管(LED)(14)，
在第一侧上支撑所述LED的发光板(12)，该板适于转变所述LED发出的至少部分所述初级光的波长，
光散射单元，其用于耦合出来自所述发光板的光，
其中所述光散射单元是设置在所述发光板的第二侧上的光子随机化层(16)，所述第二侧与所述第一侧相对，所述光子随机化层(16)包括子波长非周期随机化布局。
2.根据权利要求1所述的发光设备，包括多个无机LED。
3.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：插入在所述发光板和所述发光二极管之间的分色镜(18)，所述分色镜适于透射所述初级光并反射已转变的光。
4.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：
设置在所述发光板的侧壁上的反射镜(20)。
5.根据权利要求1所述的发光设备，其中所述发光二极管适于发射蓝光和UV光中的一种。
6.根据权利要求1所述的发光设备，其中所述发光板包含无机的封装的磷光体。
7.根据权利要求1所述的发光设备，其中所述发光板是多晶的。
8.一种制造发光设备(10)的方法，包括：
提供发光板(12)，
在所述板的第一侧上设置至少一个无机发光二极管(LED)(14)，
将散射单元施加到所述发光板，并且
其中将散射单元施加到所述发光板包括将光子随机化层(16)施加到所述发光板的第二侧上，该第二侧与所述第一侧相对，
所述光子随机化层(16)包括子波长非周期随机化布局。
9.根据权利要求8所述的方法，其中将分色镜(18)施加到所述发光板和所述发光二极管之间。
10.根据权利要求8所述的方法，还包括：
将反射镜(20)施加到所述发光板的侧壁上。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述发光板是多晶的，其中所述多晶的板由陶瓷粉末成形并烧结而制造。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
WO2008025723A1 (en) * 2006-08-29 2008-03-06 Osram Sylvania Inc. Enhanced emission from phosphor-converted leds using interferometric filters
US20100072486A1 (en) * 2006-11-06 2010-03-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converting elements with reflective edges
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
EP1926154B1 (en) * 2006-11-21 2019-12-25 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device
CN101680992B (zh) 2007-06-04 2016-10-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 颜色可调的照明系统、灯和照明设备
EP2212928B1 (en) * 2007-11-20 2016-06-29 Koninklijke Philips N.V. Side emitting device with wavelength conversion
WO2009069671A1 (ja) 2007-11-29 2009-06-04 Nichia Corporation 発光装置及びその製造方法
DE102008021658A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung
CN102142510B (zh) * 2010-02-01 2013-02-27 深圳市光峰光电技术有限公司 基于光波长转换的固态光源及其应用
US8334646B2 (en) 2010-09-27 2012-12-18 Osram Sylvania Inc. LED wavelength-coverting plate with microlenses in multiple layers
US8242684B2 (en) 2010-09-27 2012-08-14 Osram Sylvania Inc. LED wavelength-converting plate with microlenses
US8841834B2 (en) * 2011-03-18 2014-09-23 Cree, Inc. Solid state lighting systems using OLEDs
DE102012101663B4 (de) * 2012-02-29 2019-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement, Leuchtmittel und Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements
WO2013168037A1 (en) * 2012-05-08 2013-11-14 Koninklijke Philips N.V. Remote phosphor and led package
DE102012109028A1 (de) * 2012-09-25 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
KR102077742B1 (ko) 2013-02-27 2020-02-14 삼성전자주식회사 반도체 요소 전사 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1435898A (zh) * 2002-01-29 2003-08-13 株式会社东芝 半导体发光元件及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3932881A (en) * 1972-09-05 1976-01-13 Nippon Electric Co., Inc. Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components
US5966393A (en) * 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
US6504301B1 (en) * 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
US6630691B1 (en) * 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
JP2002170989A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体発光素子
GB2373368B (en) * 2001-03-12 2004-10-27 Arima Optoelectronics Corp Light emitting devices
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
US7554258B2 (en) * 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
JP2006505830A (ja) * 2002-11-07 2006-02-16 ソニー インターナショナル （ヨーロッパ） ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング プロジェクタシステムのための照明装置
US6767111B1 (en) * 2003-02-26 2004-07-27 Kuo-Yen Lai Projection light source from light emitting diodes
WO2006035388A2 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted led with luminance enhancement through light recycling

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1435898A (zh) * 2002-01-29 2003-08-13 株式会社东芝 半导体发光元件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080143242A1 (en) 2008-06-19
JP2008530793A (ja) 2008-08-07
WO2006087651A2 (en) 2006-08-24
TW200644282A (en) 2006-12-16
KR20070115961A (ko) 2007-12-06
CN101120453A (zh) 2008-02-06
WO2006087651A3 (en) 2006-10-26
EP1854154A2 (en) 2007-11-14

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