CN101110439B - 互补金属氧化物半导体图像传感器及用其的图像传感方法 - Google Patents

互补金属氧化物半导体图像传感器及用其的图像传感方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101110439B
CN101110439B CN2007101283775A CN200710128377A CN101110439B CN 101110439 B CN101110439 B CN 101110439B CN 2007101283775 A CN2007101283775 A CN 2007101283775A CN 200710128377 A CN200710128377 A CN 200710128377A CN 101110439 B CN101110439 B CN 101110439B
Authority
CN
China
Prior art keywords
image sensor
transistor
cmos image
pixel
diffusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007101283775A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101110439A (zh
Inventor
崔成浩
安正查
金利泰
金永灿
孔海庆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN101110439A publication Critical patent/CN101110439A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101110439B publication Critical patent/CN101110439B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14654—Blooming suppression
    • H01L27/14656—Overflow drain structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；连接到浮置扩散的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。

Description

互补金属氧化物半导体图像传感器及用其的图像传感方法
相关申请交叉引用
本申请要求2006年7月19日向韩国知识产权局提交的专利申请第2006-0067198号的优先权，其全部内容通过引用融入本文。
技术领域
示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器，例如，一种具有蜂窝结构的CMOS图像传感器，在该蜂窝结构中，光电二极管可以具有六边形形状，并且两个单元像素共享浮置扩散(floating diffusion，FD)。
背景技术
在现有技术电荷耦合设备(CCD)或者CMOS图像传感器(CIS)中，光电二极管(PD)基于光的波长可以将入射光转换为电信号。人们希望的是对于所有的波长波段，以1的量子效率收集入射光，即收集所有入射光。
现有技术CIS中的单元像素可以包含单个的PD以及4个晶体管。这4个晶体管可以包括：转移晶体管，其可以将在PD上收集的、由光生成的电荷转移到FD；重置晶体管，其可以通过将节点的电势设置为所希望的值、并且对电荷进行放电，来重置FD；驱动晶体管，其可以作为源跟随器缓冲放大器；和/或选择晶体管，其可以通过切换使能寻址。
随着现有技术CIS的尺寸下降，接收光的有源像素传感器的尺寸也可能下降。作为CIS的影响特性的PD，可能需要保持在所设置的尺寸上，即使有源像素传感器的尺寸下降也如此。共享电路可以克服该问题。
如果像素矩阵中单元像素具有正方形状、并且集成度增加以达到更高的分辨率，则像素矩阵的长度可能增加，这可能导致寄生电阻和/或寄生电容增加。单元像素之间的像素间距也可以增加。具有蜂窝结构的图像传感器可以防止或者减少这些问题。人们可能希望一种像素体系结构，其中在蜂窝结构中，单元像素共享电路。
发明内容
示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器，其利用共享浮置扩散设计减少了大小，在该共享浮置扩散设计中单元像素可以共享电路。
示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器，其能够执行像素和模式和/或在白电平(高电平照明强度)上溢出放电。
示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管和/或第二转移晶体管；与浮置扩散连接的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。
具有六边形形状的光电二极管可以形成蜂窝结构。
单元块中的两个单元像素可以包括位于蜂窝结构中的第k列及第n行上的第一单元像素以及位于蜂窝结构中的第k列及第n+2行上的第二单元像素，其中“k”与“n”为正整数。
单元块可以包括两个溢出晶体管，每个溢出晶体管与光电二极管连接，以提供溢出放电。
所述两个溢出晶体管中的一个晶体管可以与电源电压连接，并且所述两个溢出晶体管的另一个晶体管可以与邻近单元块中的浮置扩散连接。
如果从单元块中的所述两个单元像素中的第一单元像素中读取数据，则可以稍微导通与第二单元像素中的光电二极管连接的溢出晶体管，以提供第二单元像素中的溢出放电，并且可以稍微导通邻近单元块中的第一和第二转移晶体管，以提供来自该邻近单元块的溢出放电。
所述单元像素的每一个可以包括：在所述光电二极管之一之上的、接收光的微透镜；和/或在该光电二极管与该微透镜之间的、过滤微透镜所接收的光的滤色镜。
与单元块中光电二极管相对应的滤色镜可以过滤相同的颜色。
可以在蜂窝结构的第n行上，依次排列用于第一颜色、第二颜色、和/或第三颜色的滤色镜，并且可以在蜂窝结构的第n+1行上，依次排列用于第三颜色、第一颜色、以及第二颜色的滤色镜，其中“n”为正整数。
可以在蜂窝结构的第n行上，依次排列用于第一颜色和第二颜色的滤色镜，并且可以在蜂窝结构的第n+1行上，依次排列仅用于第三颜色的滤色镜，其中“n”为正整数。
第一颜色、第二颜色、和/或第三颜色可以为蓝色、红色、和/或绿色。
示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器，其中光电二极管可以形成蜂窝结构。CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由所述两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；与浮置扩散连接的重置晶体管；其栅极可以与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。如果读取所述单元块，则CMOS图像传感器可以相加由单元块中的所述两个光电二极管生成的电荷，并且可以输出由相加电荷生成的电压作为输出电压，以支持像素和模式。
单元块可以包括两个溢出晶体管，每个溢出晶体管可以与所述两个光电二极管连接以提供溢出放电。所述两个溢出晶体管中的一个晶体管可以与电源电压连接，并且所述两个溢出晶体管的另一个晶体管可以与邻近单元块中的浮置扩散连接。
如果单元块被读取，则可以稍微导通邻近单元块中的第一和第二转移晶体管，以提供该邻近单元块中的溢出放电，以支持像素和模式。
例如，包含示例实施例CMOS图像传感器的数字相机、计算机相机、或者移动终端可以包括图像处理器，其接收从CMOS图像传感器输出的数据，并且对收到的数据执行图像处理。
示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器的图像传感方法，该CMOS图像传感器包含多个六边形单元块，每个单元块可以包括第一单元像素与第二单元像素，第一单元像素与第二单元像素可以包括光电二极管。该示例实施例图像传感方法包括：选择第一单元像素；将由第一单元像素中的光电二极管生成的电荷转移到包括第一单元像素的单元块中的第一浮置扩散；将可以由连接到第一浮置扩散的邻近单元块中相应两个单元像素中的光电二极管生成的少量电荷转移到该邻近单元块中的第二浮置扩散，以溢出放电；将可以由第二单元像素中的光电二极管生成的少量电荷转移到电源电压和/或另一邻近单元块中的浮置扩散，以溢出放电；和/或从第一浮置扩散读取电荷。
示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器的图像传感方法，该CMOS图像传感器包含多个六边形单元块，每个单元块可以包括第一单元像素与第二单元像素，第一单元像素与第二单元像素每个可以包括光电二极管。该示例实施例图像传感方法包括：选择单元块；将可以由所选单元块中的两个光电二极管生成的电荷转移到该单元块中的第一浮置扩散；将可以由连接到第一浮置扩散的邻近单元块中两个单元像素中的光电二极管生成的少量电荷转移到该邻近单元块中的第二浮置扩散；以及从第一浮置扩散读取电荷。
附图说明
从以下结合附图的详细描述，本发明的以上与其他特征和/或优点将变得更为明显，其中：
图1A显示安装在现有技术矩形形状光电二极管上的微透镜；
图1B显示安装在具有六边形形状的光电二极管上的示例实施例微透镜；
图2A与图2B显示矩阵阵列中的示例实施例像素间距；
图2C与图2D显示包含具有矩形形状的光电二极管的现有技术像素阵列中的像素间距；
图3为显示示例实施例CMOS图像传感器的电路图；
图4显示示例实施例CMOS图像传感器的布局；
图5显示示例实施例CMOS图像传感器的布局；
图6A至图6D为示例实施例CMOS图像传感器中的数据读出的时序图；
图7A与图7B为示例实施例CMOS图像传感器的像素和模式的时序图；
图8A与图8B显示示例实施例CMOS图像传感器的正常模式下内插处理；
图9A至图9F显示在CMOS图像传感器的正常模式下在内插期间计算像素值的示例实施例方法；
图10显示CMOS图像传感器的像素和模式下内插处理的示例实施例方法；
图11A与图11B显示CMOS图像传感器的正常模式下内插处理的示例实施例方法；
图12A至图12F显示在CMOS图像传感器的正常模式下在内插期间计算像素值的示例实施例方法。
具体实施方式
此处公开了详细的示例实施例。但是此处公开的特定结构和/或功能细节只是代表性的，用于描述示例实施例的目的。但是权利要求可以许多替代形式实现，并且不应该被理解为只限于此处公开的示例实施例。
应该理解：当称一组件为“在…上”、“连接到”、或者“耦合至”另一组件时，其可以直接在该另一组件上、直接连接到或者耦合至该另一组件，或者可以存在中间组件。相反，当称一组件为“直接在…上”、“直接连接到”、或者“直接耦合至”另一组件时，不存在中间组件。此处所用的术语“和/或”包含所列项目中的一或多个的任意和全部组合。
应该理解，虽然此处使用术语第一、第二、第三等等来描述各种元件、组件、区域、层和/或分段，但是这些元件、组件、区域、层和/或分段不应该受这些术语限制。这些术语只是用来从其他元件、组件、区域、层或分段中区分一个元件、组件、区域、层或分段。由此，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或分段可以被称为第二元件、组件、区域、层或分段，而不会脱离示例实施例的教导。
空间上相对的术语，例如“在…之下”、“在…下”、“低于”、“在…之上”、“高于”等等，此处用来使描述简单，其描述一个组件或者特征与另外(多个)组件或者特征的关系，如附图所示。应该理解：空间上相对的术语意在除附图中所示的方向之外还覆盖使用或者操作中的器件的不同方向。
此处使用的术语仅用来描述示例实施例，而非限定性的。除非上下文清楚地指示另外的情况，否则单数形式意在也包含复数形式。还应该理解：本说明书中使用的术语“包含”指明存在所述特征、整数、步骤、操作、元件、和/或组件，但是不排除存在或者添加有一或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、和/或组件。
除非另外定义，此处使用所有术语(包括科技术语)都具有与示例实施例所属的领域的技术人员普遍理解的相同的含义。还应该理解：常用字典中定义的术语应该被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，而不应该以理想化或者过于形式化的意义解释，除非此处明确定义。
现在参照示例实施例，其在附图中显示，其中相同的附图标记表示相同的组件。
图3为显示示例实施例CMOS图像传感器100的电路图。CMOS图像传感器100可以包括多个单元块10与20，每个单元块可以包括两个单元像素。这两个单元像素可以是(例如)包含第一光电二极管(PD)130的单元像素和/或包含第三光电二极管(PD)140的单元像素。单元块10与单元块20可以具有类似结构。
单元块10可以包括：两个PD 130与PD 140，其具有六边形形状；浮置扩散(FD)135，其由两个单元像素共享；第一转移晶体管131，其在PD 130与FD 135之间；第三转移晶体管141，其在PD 140与FD 135之间；重置晶体管134，其与FD 135连接；驱动晶体管137，其栅极与FD 135连接；和/或选择晶体管136，其与驱动晶体管137串联。重置晶体管134与驱动晶体管137可以分别与电源电压139和电源电压138连接。如果两个单元像素共享FD 135、重置晶体管134、驱动晶体管137、和/或选择晶体管136，则CMOS图像传感器100可以比具有类似分辨率的现有技术CMOS图像传感器小。PD130与PD 140可以接收光，并且生成由光产生的电荷。
第一转移晶体管131与第三转移晶体管141可以将在PD 130与PD 140上收集的光产生的电荷转移到FD 135。FD 135可以存储由第一转移晶体管131与第三转移晶体管141转移的光产生的电荷。
重置晶体管134可以重置FD 135。驱动晶体管137可以作为源跟随器缓冲放大器。选择晶体管136可以通过切换使能寻址。具有六边形形状的PD可以形成如图4或图5所示的蜂窝结构。
图1A显示安装在现有技术矩形PD上的现有技术微透镜。图1B显示安装在具有六边形形状的PD上的示例实施例微透镜。
如图1A与图1B所示，与如图1B所示的、微透镜安装在具有六边形形状的PD上的情况相比，在如图1A所示的、现有技术微透镜安装在具有矩形形状的PD上的情况下，无信号区可能较大。如果六边形形状的PD和矩形形状的PD具有相同的面积，则六边形形状PD的无信号区可能大约为13.5％，而矩形形状PD的无信号区可能大约为21.5％。即，与矩形形状PD的无信号区相比，六边形形状PD的无信号区可能减少8％。
如果从物体发射的光由图像拾取透镜光学系统收集、并且由微透镜聚焦到PD上，则六边形形状PD的填充因数可能比矩形形状PD的填充因数大。如果使用六边形形状PD，则像素之间的间距可能比使用矩形形状PD情况下的小。
图2A与图2B显示示例实施例的矩阵阵列中的像素间距。图2C与图2D显示包含具有矩形形状的光电二极管的常规矩阵阵列中的像素间距。
如图2A与图2B所示，如果正六边形一个边的长度表示为“R”，则具有正六边形形状PD的面积为
Figure G071C8377520070719D000071
包含具有正六边形形状的PD的像素之间的间距计算为
Figure G071C8377520070719D000072
如图2C与图2D所示，如果正方形一个边的长度表示为“X”，则具有正方形形状PD的面积为X2。包含具有正方形形状的PD的像素之间的间距计算为X。
表1显示当PD具有相同面积时、具有正六边形形状的PD与具有正方形形状的PD之间的像素间距的比较。
                                 表1
  PD面积(μm<sup>2</sup>)  具有正方形形状的PD的像素间距(μm)   具有正六边形形状的PD的像素间距(μm)   六边形一个边的长度(μm)
  31.4   5.6   3.0   3.5
  16   4   2.1   2.5
  14.4   3.8   2.0   2.4
  7.8   2.8   1.5   1.7
如表1所示，对于PD的特定面积，具有正六边形形状的PD的像素间距可能比具有正方形形状的PD的像素间距小。如果显示图像信号，例如具有条纹模式的图像信号，则包含具有正六边形形状的PD的像素可以更清晰地显示图像。
如果使用蜂窝结构，则减少了PD的无信号区，并且还可以更清晰地显示具有条纹模式的图像信号，这是因为六边形结构中的像素间距可能比正方形结构中的小。
图4显示示例实施例CMOS图像传感器100的布局。图3所示的电路图对应于图4所示的布局。如图3与图4所示，在蜂窝结构中，如果在单元块10的两个单元像素中，第一单元像素包含PD 130并且第二单元像素包含PD140，则第一单元像素可以在第k(例如第2或第5)列第n(例如第1或第4)行，并且第二单元像素可以在第k列第n+2(例如第3或第6)行。每个单元块中的两个单元像素可以在同一列中隔开两行。此处，如果像素阵列包含总共“m”个行，则“n”为小于m-1的自然数。
第一单元像素与第二单元像素每个都可以包含：微透镜(未显示)，其可以在第一单元像素或第二单元像素之上，用来接收光；和/或滤色镜(未显示)，其可以在PD 130或PD 140与微透镜之间，用来过滤微透镜接收的光。单元块10中对应于具有六边形形状的相应PD 130与PD 140的滤色镜可以过滤相同的颜色，例如绿色和/或红色。每个单元块中的两个单元像素可以包含相同的滤色镜，例如绿色(G)滤色镜、红色(R)滤色镜、或者蓝色(B)滤色镜。
如果单个单元块中的两个单元像素包含相同的滤色镜，则可以通过由这两个单元像素共享的FD进行像素相加。
在蜂窝结构中，在第二行上可以依次排列和/或重复第一、第二、和第三滤色镜(例如蓝色、红色、和绿色滤色镜)。在蜂窝结构中，在第三行上可以依次排列和/或重复第三、第一、和第二滤色镜(例如绿色、蓝色、和红色滤色镜)。
如图4所示，在第二行上可以依次排列和/或重复蓝色(B)、红色(R)、和/或绿色(G)滤色镜，并且在第三行上可以依次排列和/或重复G、B、和/或R滤色镜。第二行上的滤色镜序列不一定为B、R、和/或G。可能希望第一列及第二行上的滤色镜、第三列及第二行上的滤色镜、以及第二列及第三行上的滤色镜中的每一个过滤不同的颜色，例如对于PD 120为B、对于PD160为R、对于PD 140为G。
图5显示示例实施例CMOS图像传感器的布局。除滤色镜的排列之外，图5所示的布局类似于图4所示的布局。在图5所示的蜂窝结构中，在第二行上可以依次排列和/或重复第一和第二滤色镜(例如B和/或R滤色镜)，并且在第三行上可以重复第三滤色镜(例如G滤色镜)。可能希望第三颜色为绿色，但是可以使用任何颜色。
在图5所示的蜂窝结构中，绿色滤色镜可能比其他任何滤色镜使用得多，这是因为人眼可能对绿色更敏感，并且由此可以察觉到图像更清晰。绿色滤色镜可能吸收可能对人眼有害的紫外线，减少强光造成的致眩效果，和/或减少眼疲劳。
如图3所示，块单元10可以包含两个溢出晶体管(overflow transistor)132与142，其可以分别与PD 130和PD 140连接，用来放出电荷溢出。在这两个溢出晶体管132与142中，一个可以与电源电压133连接，而另一个可以与邻近单元块30中的FD连接。
如果CMOS图像传感器处于白电平上、即高电平照明强度，则在每个PD上可能发生光生成电荷的溢出。如果发生溢出，则电荷可能流入其他单元像素，从而扰乱图像显示。例如，在第一转移晶体管131未导通的情况下，如果第一PD 130中的光生成电荷溢出到第一FD 135，则由于光生成电荷溢出，可能不能从包含第三PD 140的单元像素干净地读取数据。
为了防止或者减少此类溢出，可以使用两个溢出晶体管132与142，用来溢出放电。对于此类溢出放电功能，可能希望溢出晶体管132与142、以及邻近单元块10的单元块20中的第二转移晶体管121与第四转移晶体管111进行电压控制。
图6A至图6D为示例实施例CMOS图像传感器中的数据读出的时序图。图6A为其中可以从包含第一PD 130的单元像素读取数据的操作的时序图。以下将参照图6A描述溢出放电功能。
如果从单元块10中包含第一PD 130的单元像素读取数据，则可以选择包含含第一PD 130的单元像素的整个行，并且可以通过将用来控制第一重置晶体管134的重置信号RG1从高电平转变为低电平，导通第一选择晶体管136。可以由第一选择晶体管136读取的PD可以是两个第一PD 130与第三PD 140。只有与第一PD 130连接的第一转移晶体管131可以被导通。为了作到这一点，对于一段时间，用来控制第一转移晶体管131的第一转移信号TG1可以处于高电平。可以稍微导通第三溢出晶体管142，以防止或者减少第三PD 140的溢出。为了稍微导通第三溢出晶体管142，可以向第三溢出晶体管142施加具有低电平电压与高电平电压之间的电压的信号OG3，如图6A所示。该电压可以更接近低电平电压而非高电平电压。为了防止或者减少与单元块10的第一FD 135连接的邻近单元块20中的两个PD 110与120的溢出，可以稍微导通第二转移晶体管121与第四转移晶体管111。为了这一操作，分别施加到第二转移晶体管121与第四转移晶体管111的栅极的信号TG2与TG4可以具有与信号OG3类似的电压电平。
如果读取包含第一PD 130的单元像素，则只有第一PD 130的光生成电荷可以存储在第一FD 135中。在单元块10中，可以稍微导通在包含第三PD140的单元像素中的第三溢出晶体管142，并且在连接到第一FD 135的邻近单元块20中，可以稍微导通两个转移晶体管111与121。
图6B至图6D为其中可以从第二PD 120、第三PD 140、以及第四PD 110的单元像素读取数据的操作的时序图。这些操作可以与参照图6A所述的操作类似。
图7A与图7B为示例实施例CMOS图像传感器的像素和模式的时序图。如果在包含示例实施例CMOS图像传感器的光学系统中执行预览功能，则可能不需要在实际拍摄期间设置的高分辨率，而可能需要迅速数据读出，因此可能使用像素和模式。
如图7A所示，如果导通第一选择晶体管136，则可以读取在第一FD 135中存储的光生成电荷，并且用来控制第一选择晶体管136的重置信号RG1可以转变为低电平。因为由第一PD 130与第三PD 140生成的光生成电荷可以被转移到第一FD 135，所以可以导通第一转移晶体管131与第三转移晶体管141。为此操作，施加到第一转移晶体管131的栅极的信号TG1与施加到第三转移晶体管141的栅极的信号TG3可以处于高电平。可以稍微导通与第一FD 135连接的邻近单元块20中的两个转移晶体管111与121，以防止或者减少溢出。
在像素和模式下，可以从单元块中的两个单元像素中同时读取数据，并且可能希望该单元块滤镜中的两个滤色镜为同一颜色。
图7B为其中可以从第二与第四行同时读取数据的操作的时序图。该操作可以与参照图7A所述的类似。
图8A与图8B显示CMOS图像传感器的正常模式下内插处理的示例实施例方法。示例实施例方法可以提供内插处理，用来实现高达比实像素(realpixel)数目大约高两倍的分辨率。图8A显示CMOS图像传感器中的示例实施例实像素阵列。图8B显示在执行了内插处理之后的虚拟像素阵列。如图8B所示，内插像素的数目可以是实像素数目的两倍，例如为80而非40。在内插处理期间，可以在由涂点框表示的实像素之间生成由空白框表示的虚拟像素。
图9A至图9F显示计算图8B中所示的每个像素的数据值(例如RGB值)的示例实施例方法。如图9A所示，可以根据邻近实绿色像素11的实蓝色像素12、13、以及14的数据值，生成实G像素11的B数据值。例如，可以计算实蓝色像素12、13、以及14的数据值的和，然后除以3。可以根据邻近实绿色像素11的实红色像素15、16、以及17的数据值，生成实绿色像素11的R数据值。
分别在图9B与图9C中显示的计算实蓝色像素与实红色像素的RGB值的示例实施例方法可以与图9A中所示的方法类似。
如图9D所示，可以根据邻近虚拟像素21的实绿色像素22与23的数据值，生成实绿色像素22与23之间的虚拟像素21的G数据值。可以根据邻近虚拟像素21的实蓝色像素24、25与26的数据值，生成虚拟像素21的B数据值。可以根据邻近虚拟像素21的实红色像素27、28与29的数据值，生成虚拟像素21的R数据值。
分别在图9E与图9F中显示的计算实蓝色像素之间的虚拟像素以及实红色像素之间的虚拟像素的RGB值的示例实施例方法可以与图9D中所示的方法类似。
图10显示CMOS图像传感器的像素和模式下内插处理的示例实施例方法。如图10所示，在像素和模式下，可以相加两个单元像素的数据，以生成单个数据值，其中可能仅存在实像素阵列中所有像素的数目一半。如果将在像素相加之后获得的像素经过如图8B所示的内插处理，则可以生成与实像素阵列中所有像素数目相对应的分辨率。
图11A与图11B显示具有图5所示的滤色镜布局的CMOS图像传感器的正常模式下内插处理的示例实施例方法。图11A与图11B所示的内插处理方法可以与图8A与图8B中所示的类似。
图12A至图12F显示在CMOS图像传感器的正常模式下在内插期间计算每个像素的RGB值的示例实施例方法。如图12A所示，可以根据邻近实绿色像素31的实蓝色像素32以及33的数据值，生成实绿色像素31的B数据值。可以根据邻近实绿色像素31的实红色像素34以及35的数据值，生成实绿色像素31的R数据值。
如图12B所示，可以根据邻近实蓝色像素41的实绿色像素42、43、44以及45的数据值，生成实蓝色像素41的G数据值。可以根据邻近实蓝色像素41的实红色像素46以及47的数据值，生成实蓝色像素41的R数据值。
在图12C中显示的计算实红色像素的RGB值的示例实施例方法可以与图12B中所示的方法类似。
如图12D所示，可以根据邻近虚拟像素61或66的实绿色像素63与65、或者68与69的数据值，生成在两个实绿色像素63与65、或者68与69之间的、以及在实蓝色像素62或67与实红色像素64之间的虚拟像素61或66的G数据值。可以根据邻近虚拟像素61或66的实蓝色像素62或67的数据值，生成虚拟像素61或66的B数据值。可以根据邻近虚拟像素61或66的实红色像素64的数据值，生成虚拟像素61或66的A数据值。
如图12E所示，可以根据邻近虚拟像素51的实绿色像素52与53的数据值，生成在实绿色像素52与53之间的、以及在实蓝色像素54与55之间的虚拟像素51的G数据值。可以根据邻近虚拟像素51的实蓝色像素54与55的数据值，生成虚拟像素51的B数据值。可以根据邻近虚拟像素51的实红色像素56、57、58、以及59的数据值，生成虚拟像素51的R数据值。
在图12F中显示的计算在实绿色像素之间的以及在实红色像素之间的虚拟像素的RGB值的示例实施例方法可以与图12E中所示的方法类似。
如上所述，示例实施例方法提供了可以使用其中单元像素共享电路的共享浮置扩散设计的设备，从而可以增加这些设备的集成度以及分辨率。示例实施例可以提供像素和模式以及白电平上的溢出放电(overflow drain)。
例如，示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、计算机相机、移动终端、和/或任何其他适当的应用。
虽然参照其示例实施例具体显示并且描述了示例实施例，但是本领域技术人员应该理解：在不脱离权利要求限定的示例实施例的精神与范围的前提下，可以对形式与细节进行各种改变。

Claims (21)

1.一种CMOS图像传感器，具有多个单元块，该多个单元块中的每个单元块具有两个单元像素，每个单元块包括：
两个具有六边形形状的光电二极管；
由两个单元像素共享的浮置扩散；
分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；
连接到浮置扩散的重置晶体管；
栅极连接到浮置扩散的驱动晶体管；以及
与驱动晶体管串联的选择晶体管，
其中多个具有六边形形状的两个光电二极管形成蜂窝结构，
其中单元块中的两个单元像素包括在蜂窝结构中的第k列及第n行上的第一单元像素以及在蜂窝结构中的第k列及第n+2行上的第二单元像素，其中“k”与“n”为正整数。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中每个单元块还包括两个溢出晶体管，其中这两个溢出晶体管的第一溢出晶体管和第二溢出晶体管分别连接到所述两个光电二极管的第一光电二极管和第二光电二极管，其中第一溢出晶体管和第二溢出晶体管被配置来提供溢出放电。
3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器，其中所述两个溢出晶体管的第一溢出晶体管与电源电压连接，并且所述两个溢出晶体管的第二溢出晶体管连接到所述多个单元块的邻近单元块中的浮置扩散。
4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器，其中所述两个溢出晶体管中的一个被配置来在数据读取操作期间部分地导通，并且对所述两个单元像素的第二单元像素进行溢出放电，并且其中邻近单元块中的第一转移晶体管和第二转移晶体管被导通，并且从邻近单元块溢出放电。
5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中所述单元像素的每一个包括：在所述光电二极管之一之上的、被配置来接收光的微透镜，以及在该光电二极管与该微透镜之间的、被配置来过滤微透镜所接收的光的滤色镜。
6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其中滤色镜过滤与单元块中光电二极管相同的颜色。
7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器，其中在蜂窝结构的第n行上，依次排列与重复用于第一颜色、第二颜色、以及第三颜色的滤色镜，并且在蜂窝结构的第n+1行上，依次排列与重复用于第三颜色、第一颜色、以及第二颜色的滤色镜，其中“n”为正整数。
8.如权利要求6所述的CMOS图像传感器，其中在蜂窝结构的第n行上，依次排列与重复用于第一颜色与第二颜色的滤色镜，并且在蜂窝结构的第n+1行上，依次排列与重复用于第三颜色的滤色镜，其中“n”为正整数。
9.如权利要求7所述的CMOS图像传感器，其中第一颜色、第二颜色、以及第三颜色分别为蓝色、红色、以及绿色。
10.如权利要求8所述的CMOS图像传感器，其中第一颜色、第二颜色、以及第三颜色分别为蓝色、红色、以及绿色。
11.一种CMOS图像传感器，具有多个单元块，该多个单元块中的每个单元块具有两个单元像素，每个单元块包括：
两个单元像素；
两个具有六边形形状的光电二极管；
由所述两个单元像素共享的浮置扩散；
分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；
连接到浮置扩散的重置晶体管；
栅极连接到浮置扩散的驱动晶体管；以及
与驱动晶体管串联的选择晶体管，其中多个具有六边形形状的两个光电二极管形成蜂窝结构，并且其中在对所述多个单元块的每个单元块的读取操作期间，该CMOS图像传感器相加由所述多个单元块的每个单元块的所述两个光电二极管生成的电荷，并且输出由相加电荷生成的电压作为输出电压，以支持像素和模式。
12.如权利要求11所述的CMOS图像传感器，其中所述多个单元块的每个单元块还包括两个溢出晶体管，其中这两个溢出晶体管的第一溢出晶体管和第二溢出晶体管分别连接到所述两个光电二极管的第一光电二极管和第二光电二极管，其中第一溢出晶体管和第二溢出晶体管被配置来提供溢出放电，并且其中所述两个溢出晶体管的一个晶体管与电源电压连接，并且所述两个溢出晶体管的另一个晶体管与所述多个单元块的邻近单元块中的浮置扩散连接。
13.如权利要求12所述的CMOS图像传感器，其中所述邻近单元块中的第一转移晶体管和第二转移晶体管被配置来在邻近单元块中的读取操作期间被导通，并且溢出放电，以支持像素和模式。
14.一种数字相机，包括：
如权利要求1所述的CMOS图像传感器；以及
图像处理器，其接收从CMOS图像传感器输出的数据，并且对收到的数据执行图像处理。
15.一种数字相机，包括：
如权利要求11所述的CMOS图像传感器；以及
图像处理器，其接收从CMOS图像传感器输出的数据，并且对收到的数据执行图像处理。
16.一种计算机相机，包括：
如权利要求1所述的CMOS图像传感器；以及
图像处理器，其接收从CMOS图像传感器输出的数据，并且对收到的数据执行图像处理。
17.一种计算机相机，包括：
如权利要求11所述的CMOS图像传感器；以及
图像处理器，其接收从CMOS图像传感器输出的数据，并且对收到的数据执行图像处理。
18.一种移动终端，包括：
如权利要求1所述的CMOS图像传感器；以及
图像处理器，其接收从CMOS图像传感器输出的数据，并且对收到的数据执行图像处理。
19.一种移动终端，包括：
如权利要求11所述的CMOS图像传感器；以及
图像处理器，其接收从CMOS图像传感器输出的数据，并且对收到的数据执行图像处理。
20.一种CMOS图像传感器的图像传感方法，包括：
选择第一单元像素；
将由第一单元像素中的光电二极管生成的电荷转移到包括第一单元像素的单元块中的第一浮置扩散；
将由连接到第一浮置扩散的第一邻近单元块中两个单元像素中的光电二极管生成的电荷量转移到第一邻近单元块中的第二浮置扩散，以溢出放电；
将由第二单元像素中的光电二极管生成的电荷量转移到电源电压或者第二邻近单元块中的浮置扩散，以溢出放电；以及
从第一浮置扩散读取电荷。
21.一种CMOS图像传感器的图像传感方法，包括：
选择单元块；
将由所选单元块中的两个光电二极管生成的电荷转移到该单元块中的第一浮置扩散；
将由连接到第一浮置扩散的邻近单元块中两个单元像素中的光电二极管生成的电荷量转移到该邻近单元块中的第二浮置扩散；以及
从第一浮置扩散读取电荷。
CN2007101283775A 2006-07-19 2007-07-10 互补金属氧化物半导体图像传感器及用其的图像传感方法 Active CN101110439B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060067198A KR100818724B1 (ko) 2006-07-19 2006-07-19 Ｃｍｏｓ 이미지 센서와 이를 이용한 이미지 센싱 방법
KR67198/06 2006-07-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101110439A CN101110439A (zh) 2008-01-23
CN101110439B true CN101110439B (zh) 2010-12-15

Family

ID=38971067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101283775A Active CN101110439B (zh) 2006-07-19 2007-07-10 互补金属氧化物半导体图像传感器及用其的图像传感方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7825970B2 (zh)
KR (1) KR100818724B1 (zh)
CN (1) CN101110439B (zh)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7825966B2 (en) * 2007-06-29 2010-11-02 Omnivision Technologies, Inc. High dynamic range sensor with blooming drain
JP4952601B2 (ja) * 2008-02-04 2012-06-13 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 固体撮像装置
US7781716B2 (en) * 2008-03-17 2010-08-24 Eastman Kodak Company Stacked image sensor with shared diffusion regions in respective dropped pixel positions of a pixel array
US8035711B2 (en) 2008-05-22 2011-10-11 Panavision Imaging, Llc Sub-pixel array optical sensor
US20100149393A1 (en) * 2008-05-22 2010-06-17 Panavision Imaging, Llc Increasing the resolution of color sub-pixel arrays
US8130302B2 (en) * 2008-11-07 2012-03-06 Aptina Imaging Corporation Methods and apparatus providing selective binning of pixel circuits
JP4760915B2 (ja) * 2009-01-08 2011-08-31 ソニー株式会社 固体撮像素子
WO2010090166A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 株式会社 Rosnes 固体撮像装置
JP5526342B2 (ja) 2009-02-04 2014-06-18 株式会社 Ｒｏｓｎｅｓ 固体撮像装置
US8350940B2 (en) * 2009-06-08 2013-01-08 Aptina Imaging Corporation Image sensors and color filter arrays for charge summing and interlaced readout modes
US20110205384A1 (en) * 2010-02-24 2011-08-25 Panavision Imaging, Llc Variable active image area image sensor
FR2968877A1 (fr) * 2010-12-14 2012-06-15 St Microelectronics Crolles 2 Pixel d'un capteur d'image
WO2013005864A1 (ja) * 2011-08-14 2013-01-10 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影方法
KR101868145B1 (ko) * 2011-10-06 2018-06-18 엘지디스플레이 주식회사 입체 영상 표시장치
WO2013100034A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 富士フイルム株式会社 カラー撮像素子
JP6035744B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 凸版印刷株式会社 固体撮像素子
CN102595057B (zh) * 2012-02-27 2014-09-24 北京思比科微电子技术股份有限公司 Cmos图像传感器像素及其控制时序
KR101615332B1 (ko) 2012-03-06 2016-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소 배열 구조
US10832616B2 (en) * 2012-03-06 2020-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
US20140048749A1 (en) * 2012-08-16 2014-02-20 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Conductive Ink Composition
US10134788B2 (en) 2013-09-17 2018-11-20 Omnivision Technologies, Inc. Dual VPIN HDR image sensor pixel
JP2015185943A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 株式会社東芝 フィルタアレイ付マイクロレンズおよび固体撮像装置
CN104410847B (zh) * 2014-12-05 2016-08-31 林立果 一种彩色滤光器和彩色图像传感器
KR102242563B1 (ko) * 2015-03-11 2021-04-20 삼성전자주식회사 픽셀 패턴 및 이를 포함하는 이미지 센서
US9953574B2 (en) 2015-04-28 2018-04-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Sub-pixel compensation
US9743015B2 (en) * 2015-05-22 2017-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Image capturing apparatus and method of controlling the same
KR102414030B1 (ko) * 2015-11-18 2022-06-29 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
US10498984B2 (en) * 2016-03-31 2019-12-03 Sony Corporation Solid-state image pickup device, method of driving the same, and electronic apparatus
CN107295277A (zh) * 2016-04-13 2017-10-24 合肥芯福传感器技术有限公司 基于错位增像的蜂巢形像元阵列、图像传感器及采集方法
KR102524400B1 (ko) * 2016-07-04 2023-04-24 에스케이하이닉스 주식회사 하나의 컬러 필터 및 하나의 마이크로렌즈를 공유하는 다수 개의 포토다이오드들을 갖는 이미지 센서
DE102016212771A1 (de) * 2016-07-13 2018-01-18 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abtasten eines Lichtsensors
JP6311771B2 (ja) * 2016-10-31 2018-04-18 凸版印刷株式会社 固体撮像素子
KR102406996B1 (ko) * 2017-04-07 2022-06-08 삼성전자주식회사 이미지 센서
US20180301484A1 (en) * 2017-04-17 2018-10-18 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with high dynamic range and autofocusing hexagonal pixels
US10931902B2 (en) 2018-05-08 2021-02-23 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with non-rectilinear image pixel arrays
KR102554417B1 (ko) * 2018-06-18 2023-07-11 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP7037701B2 (ja) 2018-09-12 2022-03-16 ドルビー ラボラトリーズ ライセンシング コーポレイション 時間ディザードサンプリング用ｃｍｏｓセンサアーキテクチャ
CN110223994A (zh) * 2019-06-05 2019-09-10 芯盟科技有限公司 像素组以及图像传感器
CN110324540A (zh) * 2019-06-10 2019-10-11 芯盟科技有限公司 一种图像传感器、图像传感器的形成方法及电子设备
CN110379824A (zh) * 2019-07-08 2019-10-25 Oppo广东移动通信有限公司 一种cmos图像传感器及图像处理方法、存储介质
US11393861B2 (en) * 2020-01-30 2022-07-19 Omnivision Technologies, Inc. Flare-suppressing image sensor
US11469264B2 (en) * 2020-01-30 2022-10-11 Omnivision Technologies, Inc. Flare-blocking image sensor
CN115866423A (zh) * 2021-09-22 2023-03-28 华为技术有限公司 一种图像传感器、摄像头模组、电子设备及图像处理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657665B1 (en) 1998-12-31 2003-12-02 Eastman Kodak Company Active Pixel Sensor with wired floating diffusions and shared amplifier
JP4497688B2 (ja) 1999-09-27 2010-07-07 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
KR20040006486A (ko) 2002-07-12 2004-01-24 주식회사 하이닉스반도체 칼라필터 어레이 배열방법
JP2004056048A (ja) 2002-07-24 2004-02-19 Microsignal Kk 固体撮像素子
JP4139672B2 (ja) 2002-11-01 2008-08-27 大日本印刷株式会社 単板式カラーディジタルカメラによる撮像画像の補間装置および補間方法
KR100523672B1 (ko) 2003-04-30 2005-10-24 매그나칩 반도체 유한회사 다중 플로팅디퓨젼영역을 구비하는 씨모스 이미지센서
US7332786B2 (en) * 2003-11-26 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Anti-blooming storage pixel
KR100674925B1 (ko) * 2004-12-07 2007-01-26 삼성전자주식회사 허니콤 구조의 능동 픽셀 센서

Also Published As

Publication number Publication date
US20080018765A1 (en) 2008-01-24
KR20080007937A (ko) 2008-01-23
KR100818724B1 (ko) 2008-04-01
US7825970B2 (en) 2010-11-02
CN101110439A (zh) 2008-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101110439B (zh) 互补金属氧化物半导体图像传感器及用其的图像传感方法
CN101854488B (zh) 固体摄像装置、固体摄像装置的信号处理方法以及摄像装置
EP2758937B1 (en) Stacked-chip imaging systems
KR100674925B1 (ko) 허니콤 구조의 능동 픽셀 센서
US20170180664A1 (en) Image pickup device that is provided with peripheral circuits to prevent chip area from being increased, and image pickup apparatus
CN101888490B (zh) 固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法及电子设备
CN102158663B (zh) Cmos图像传感器像素及其控制时序
CN102227811B (zh) 固体图像拍摄元件以及图像拍摄装置
CN101778221A (zh) 固态成像装置
CN1901630A (zh) 影像感测单元及其应用的cmos影像感测装置与阵列
CN102917185A (zh) 固态成像装置和成像装置
KR20150077996A (ko) Tfa 기반의 시모스 이미지 센서 및 그 동작방법
US12044869B2 (en) Image sensor and electronic camera
US20150029355A1 (en) Image sensors and imaging devices including the same
US20170302872A1 (en) Solid-state imaging device, signal processing method, and electronic device
CN101350893B (zh) 影像传感器及相机模组
KR20110006811A (ko) 칼라 필터 어레이 및 이를 포함하는 이미지 센서와 전자 장치
JPWO2018062561A1 (ja) 撮像素子およびカメラ
US11848344B2 (en) Pixel structure, image processing method and control method
CN216086839U (zh) 像素结构、图像传感器和电子设备
CN212461696U (zh) 显示面板和电子设备
JP2022184811A (ja) イメージセンサ
CN117813689A (zh) 光电检测装置和电子设备
CN115118856A (zh) 图像传感器、图像处理方法、摄像头模组及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant