CN101076223A - 铝基板磁控溅射金属化电路板及led照明器件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于电子元器件或LED芯片的直接散热铝基绝缘氧化电路板，以及采用铝基绝缘氧化电路板制作LED发光的器件，对铝基板的表面进行绝缘氧化处理，生成具有电气绝缘性能的氧化层。在绝缘氧化层上用掩膜或光刻等形成所设计的电路图形，用磁控溅射的方法，交替地沉积基底膜、导电膜和焊接膜，从而在铝基板上形成具有导热性和可焊性的金属化电路层，并在上面封装电子元器件或LED芯片。该结构作为厚膜电路和LED芯片的封装基板，其散热特性极为良好，最大限度地减少了热阻，改善电路元器件或LED温升，提高电路或LED的稳定性，其基板具有足够的强度和良好的机械加工性能。可在散热器上多芯片封装，从而实现大功率LED的应用。

Description

铝基板磁控溅射金属化电路板及LED照明器件

技术领域：

本发明涉及一种用于电子元器件或LED芯片的直接散热铝基绝缘氧化电路板，以及采用铝基绝缘氧化电路板制作大功率LED照明器件，铝基电路板及由铝基电路板构成的大功率LED照明器件制造领域。

背景技术：

随着电子技术的迅猛发展，电子元器件日益小型化，尤其是LED大功率化的发展，使得元器件的单位体积内的发热量步步攀升，这将严重影响元器件的性能的提高和工作的可靠性。迫切需要一种低成本、高散热性，又能符合国际环保趋势的半导体的封装基板。除了常规散热技术，如各种形状和材料的散热器、铝基覆铜层压板等外，也发明了一些新颖的散热技术。

美国专利US5000662、US5192940、US5274351、US5291174、US5408575所述的是采用陶瓷或在金属板外镀覆陶瓷作基板，然后在其表面采用丝印银浆、烧结在上面做金属化处理来制作电路基板。其不足之处：一是制备工艺复杂、耗能大、成本高；二是由于其加工工艺要求和材料特性的原因不易做成具有散热特性的结构。因此可以说，这类材料只能是一种热传导的介质，还需要散热器的配合。

在美国专利US5859581中叙述了采用铝板阳极氧化处理在表面所形成的具有绝缘特性的氧化层作绝缘介质，并在这绝缘氧化层上丝印银浆，经烧结后形成电路图形。这种工艺材料的优点是：一是导热系数也十分良好，约119W/m×°K；二是工艺比较简单，铝材的机械加工性能好，可直接做成各种散热器的形状，整体结构简单。但不足之处：一是这种工艺耗能大，银浆需在575-650℃的峰值温度下烧结8～12分钟，整个烧结周期需40～60分钟；二是银浆厚度较厚，贵重金属用料多，成本高；更为严重的是，背景技术所用的银浆浆料含有铅等重金属，不符合RoHS要求，因此难以推广应用；三是生产周期长，如包括丝网印刷和烧结工艺至少需90分钟，生产效率低；四是经氧化形成的氧化层在经过高温烧结后，其绝缘性能要大幅度下降。

在专利CN1499620A、CN1632947A、CN1681111A、JP10275879等中所述的是在铜或铜/钨基板上形成纳米、微米级材料，如氮化物或碳纳米管，作为导热材料，再配合散热结构，作为电子元器件的散热器。这种纳米级材料具有十分良好的热导率，如氮化铝陶瓷可达160-180W/m×°K，碳纳米管可达20000W/m×°K。但不足之处：一是制备工艺复杂、耗能大、周期长、成本高，不便于大批量生产；二是由于其机械加性能不好，不易做成具有散热特性的结构。因此可以说，这类材料只能是一种热传导的介质，散热还需要散热器的配合。

发明内容：

设计目的：避免背景技术中的不足之处，提供一种铝基绝缘氧化电路板，这种电路板具有良好的工艺性，便于加工，可批量生产，成本低；二是有优良的整体散热性，可提高电子元器件和芯片的工作可靠性，特别是提高大功率半导体元件的可靠性；三是采用了该电路板封装LED可制作大功率LED照明器件；四是铝基板上的电路采用磁控溅射工艺，整个工艺过程中温度不超过70℃，能够有效地确保铝基板面绝缘氧化层的绝缘性能，五是所采用的材料和加工工艺无污染物和污染物的排放，符合环保要求。

设计方案：本发明涉及一种铝基绝缘氧化印刷电路板和采用该电路板的大功率LED照明器件的制作工艺方法。

对铝基板进行绝缘氧化处理，生成具有电气绝缘性能的氧化层。在绝缘氧化层上用掩膜或光刻等形成所设计的电路图形，用磁控溅射的方法，交替地沉积基底膜、导电膜和焊接膜，从而在铝基板上形成具有导电性和可焊性的金属化电路层，并在上面封装电子元器件。该基板在结构上，绝缘层与铝基板是无缝隙结合，最大限度地减少了热阻，改善散热性，导热率为119W/m×°K提高电路的稳定性；且具有足够的强度和良好的机械加工性能，便于加工。

在本发明的采用该电路板的大功率LED照明器件中，LED芯片直接接合在铝基绝缘氧化层上，利用这样的封装结构减少了热阻数，从而液减少了LED芯片的热阻，散热性能良好。并可在散热器上大面积、多芯片封装，使热量均匀分布，提高散热效率，从而实现大功率LED照明应用。

1、铝板或散热器作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，绝缘氧化层的面上采用掩膜或光刻的方法形成电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化导电层，是本发明的特征之一。磁控溅射是指：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。本发明正是基于此原理，将活性金属磁控溅射到铝(基)板的绝缘氧化层所形成的电路图案上，使其形成金属化导电层电路图案，该金属化导电层电路图案具有很优异的热传导，能够在瞬间将电子元器件或LED芯片产生的热量传导散热出去，确保电子元器件或LED芯片的正常工作。

2、金属化层由基底膜、导电膜、焊接膜复合组成，是本发明的特征之二。采用磁控溅射金属所形成的金属化层，不仅要满足其电气导通的功能，而且确保金属化层与绝缘氧化层的可靠结合力。由于金属化层中的基底膜采用磁控溅射的方法将铬或钛沉积到绝缘氧化层上，其结合力可达1000N/cm²，因此大幅度地提高了金属化层与绝缘氧化层间的可靠结合，并且具有良好的耐高温特性，可耐320℃/10s以上，金属化层无起泡、剥落现象，完全可适合无铅焊接工艺。

3、在铝基板或铝散热器的安装面设置电路图形，并且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层电路且电子元器件封装在金属化层电路上，是本发明的特征之三。所要解决的问题：减少电子元器件与铝板或散热器间的热阻，提高其热传导散热性，而在铝基板电路板上直接安装电子元器件(可以是任何电子元器件，如LED芯片、功率器件、电阻等等)，不仅可以直接减少电子元器件与铝板或铝散热器安装面间的热阻，可以使电子元器件所产生的热量直接经铝板或铝散热器散热，其散热性能非常好。

4、在经过绝缘氧化处理的铝基板绝缘氧化层采用磁控溅射的方法使掩膜或光刻方法形成电子元器件封装电路图形形成金属化层电路，且将电子元器件封装在金属化电路上、另一面采用磁控溅射的方法形成金属化层与其它器件或材料结合，是本发明的特征之四。铝基板的另一面与其它器件或材料(如热交换器、均热器，铜材、陶瓷等)结合，可以快速将铝基板金属化层上电子元器件所产生的热量进行更有效地散热或能量转换，确保电子元器件在其特定的温度环境下工作，特别是对于大功率电子元器件而言，此效果优为显著，同时提供更节能的措施。

5、铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，在铝基板的两面绝缘氧化层上采用掩膜或光刻的方法形成电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，是本发明的特征之五。这种方案的最大特点是：金属化层铝基板既是电子元器件双面安装的电路板，同时又是电子元器件的直接散热板，二者合为其一，且具有优异的散热性。

6、铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，将LED芯片直接封装在绝缘氧化层上，是本发明的特征之六。由于大功率LED工作时其LED芯片将会产生大量的热量，如何有效地将这些热量散发，是确保LED大功率管能否正常工作的前提。在本发明之前，LED在使用上均采用将LED器件焊接在铝基覆铜层压板上，再将铝基覆铜层压板安装在散热器上散热这样的工艺。这种安装工艺由于器件较多，所形成的热阻数量也多，且热阻值也大，使得芯片的散热问题没有得到很好的解决，因此LED的应用受到了极大地限制。本发明将LED芯片与铝基板绝缘氧化层直接连接、直接散热(铝基板的非安装面做成散热翅状)，使LED芯片、电路板和散热器合为一体，减少了热阻形成的数量，同时绝缘氧化层与散热器的无缝连接大大地减少了热阻值，因而提高了散热效果。本发明提供了一种新的芯片封装方法，解决了目前LED大功率芯片散热的技术难题，实现了大功率LED的开发与应用的前景。

7、在铝基板的绝缘氧化层上采用掩膜或光刻的方法形成LED电气连接电路图且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化导电层，封装一片或2片或多片LED芯片在绝缘氧化层上且LED芯片电极和外围电路与金属化层连接，是本发明的特征之七。这种方案开创了LED器件成型的崭新结构，特别适用于大功率LED器件的成型，以及制造矩阵排列的LED器件的制造。它的最大特点在于：将器件的热阻减少至极限，降低了器件温升，满足了大功率、特大功率LED照明器件的散热要求。

技术方案1：铝基绝缘氧化磁控溅射电路板的制作方法，铝板或铝散热器作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，绝缘氧化层设置的电路图形采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层。

技术方案2：在铝基绝缘氧化磁控溅射电路板上封装电子元器件的方法，它包括铝板或散热器作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，以及电子元器件，①在铝板或铝散热器的安装面设置电路图形，②采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层电路，③电子元器件封装在金属化层电路上。

技术方案3：电子元器件封装铝基板，铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，绝缘氧化层设置的电路图形采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，电子元器件封装在金属化导电层上、另一面与其他器件或材料结合。

技术方案4：电子元器件封装铝基板，铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，在铝基板的两面绝缘氧化层设置电路图形采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，电子元器件被焊接在铝基板的两面金属化的线路上，形成双面电路板，且通过铝基板直接散热。

技术方案5：大功率LED的散热方式，铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，LED芯片直接封装在绝缘氧化层上且通过铝基板直接散热。

技术方案6：由铝基绝缘氧化板构成的大功率LED照明器件，铝板或铝散热器作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，绝缘氧化层设置的LED电气连接电路图采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化导电层，封装一片或2片或多片LED芯片在绝缘氧化层上且LED芯片pn极用点金工艺与金属化层连接。

技术方案7：大功率LED发光器件的封装结构，铝板或铝散热器表面为绝缘氧化层，其特征是：绝缘氧化层上设置的电路图形采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，1个或2个或多个LED安装在金属化层电路上。

技术方案8：立体铝基板电路，铝基板呈立体结构，立体铝基板面作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，立体铝基板面的绝缘氧化层上设置电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层。

本发明与背景技术相比，一是采用铝材制作的电路板基板，具有良好的机械加工性能，取材方便，价格低廉；二是电路板和散热器合二为一，中间没有机械连接间隙，整体散热效果优于高导热系数的陶瓷板与铜材等组合的散热器；三是采用铝材制作的电路板基板，由于电路板和散热器合二为一，散热性能好、成本低廉且环保、对环境无任何污染，因此使本发明与背景技术相比具有如下突出的性价比：①膜层的附着力大，可达1000N/cm²以上；②膜层薄，用料省，尤其是贵金属银等材料，成本低；③镀膜的工艺过程和膜层材料均符合环保要求，符合RoHS指令；④镀膜工艺采用旋转靶自动化连续式溅射生产线进行金属化，加工周期短，产量高，生产量可达2m²/10～12min以上，取得了意想不到的经济效益和社会效益，见附图表1。

附图说明：

图1是单面铝基绝缘氧化电路板。

图2是带散热器的铝基绝缘氧化电路板。

图3是双面铝基绝缘氧化电路板。

图4是带散热器的铝基绝缘氧化电路板的直接封装LED和元器件示意图。

图5是铝基绝缘氧化印刷电路板制作流程图。

附表说明：

表1是不同介质技术性能参数的对比表。

具体实施方式：

参照附图1～5，对本发明作以简单叙述。

1--焊接膜：主要用于焊接电子元器件。一般由银或金等导电性和焊接性良好的金属采用磁控溅射的方法沉积到导电膜上，厚度约为0.3～0.8μm。

2--导电膜：主要起导电作用，承载一定的电流密度，并过渡膨胀系数差异较大的焊接膜和基底膜。一般是采用磁控溅射的方法将铜或镍或铜镍合金沉积到基底膜上。导电膜的厚度为1～2μm。

3--基底膜：主要是起到与绝缘氧化层有较强的附着力，并覆镀整个金属化导电层。采用磁控溅射的方法将铬或钛金属沉积到绝缘氧化层上。基底膜的厚度为0.1～0.15μm。

4--绝缘氧化层：通过对铝的特殊阳极氧化处理，形成的具有微孔结构的Al₂O₃结构层，厚度约几十μm。该层具有电气绝缘性能，抗电强度根据阳极氧化处理工艺的不同，250-3000V。

5--铝基板，是电路板的基板，要选择有一定的机械强度和机械加工性能，又适宜做绝缘氧化处理的铝板，通常选用6061、6063、3003、1100等牌号。

6--散热器，是加工成散热器形状的铝基板。

7--电子元器件，可用表面贴装元件(SMT)或其他形式的元器件。

8--电子元器件焊料，可根据要求采用有铅或无铅焊料。

9--LED密封胶，可以是环氧胶或硅胶，用于固定LED金线和封装LED芯片。

10--LED芯片，也可以是其他半导体芯片。

11--电极引线：是将芯片电极引出来，通常是金线，或铝线等。

12--芯片粘结层，是将LED芯片附着在基板的绝缘氧化层上，是具有良好导热性的胶或共晶镀层。

实施例1：参照附图1。铝基绝缘氧化磁控溅射电路板的制作方法，铝板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，绝缘氧化层的面上采用掩膜或光刻的方法形成电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层。磁控溅射的方法系现有技术，在此不作叙述。金属化层由基底膜、导电膜、焊接膜复合组成，①基底膜采用磁控溅射金属铬或钛的方法将铬或钛沉积到绝缘氧化层上，基底膜的厚度为0.1～0.15μm范围且控制在其范围内可以任意确定其值，并包括端值。②导电膜采用磁控溅射金属铜或镍或铜镍合金的方法将铜或镍或铜镍合金沉积到基底膜上，导电膜的厚度为1～2μm范围且控制在其范围内可以任意确定其值，并包括端值。③焊接膜采用磁控溅射金属银或金的方法将银或金沉积到导电膜上，焊接膜的厚度为0.3～0.8μm范围且控制在其范围内可以任意确定其值，并包括端值。

实施例2：参照附图3。在实施例1的基础上，在铝板的两面绝缘氧化层上采用掩膜或光刻的方法形成电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，形成双面铝基电路板。

实施例3：参照附图1。在铝基绝缘氧化磁控溅射电路板上封装电子元器件的方法，它包括铝板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，以及电子元器件，①在铝板、或铝散热器的安装面采用掩膜或光刻的方法形成电子元器件封装电路图形，②采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层电路，③电子元器件封装在金属化层电路上，所述的电子元器件为大功率LED管、功率模块等等。

实施例4：参照附图2，带散热器的电子元器件封装铝基板。铝散热器作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，在安装面的绝缘氧化层上采用掩膜或光刻的方法形成电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，电子元器件封装在金属化导电层上、通过散热翅散热。

实施例5：参照附图1。铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，在绝缘氧化层的一面采用掩膜或光刻的方法形成电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，安装电子元器件，另一面与其他器件或材料结合。所述的电子元器件为大功率LED管、功率模块、电阻等等；所述的器件是指热交换器或均热器等；所述的材料是指铜、陶瓷、导热胶，以及由此构成的散热装置。

实施例6：参照附图3。电子元器件封装铝基板，铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，绝缘氧化层的面上采用掩膜或光刻的方法形成电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，电子元器件被焊接在铝基板的金属化的电路上且被接合在铝基板上金属化层上的电子元器件通过铝基板直接散热，所述的电子元器件为大功率LED管、功率模块、电阻等等。

实施例7：参照附图4。由铝基绝缘氧化板构成的大功率LED，铝板或散热器作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，绝缘氧化层的一面上采用掩膜或光刻的方法形成LED成形电路图且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化导电层，封装一片或2片或多片LED芯片与绝缘氧化层粘接、且LED芯片pn极用点金工艺与金属化层连接。LED芯片焊接等方式，且将LED芯片用灌封胶将点金后的LED封接在铝基板上，多片LED芯片排列成矩阵结构，该矩阵可以是矩形、圆形、五角形、六边形等等。

实施例8：参照附图4。大功率LED的封装结构，铝板或铝散热器表面为绝缘氧化层，绝缘氧化层上设计的电路图形采用磁控溅射的方法使所设计的电路图形形成金属化层。1个或2个或多个LED芯片与绝缘氧化层粘接，LED芯片pn极用点金工艺与金属化层连接，LED驱动电路的元器件焊接在金属化层电路上。电路图形采用掩膜或光刻制成。

实施例9：参照附图5。本申请流程工艺：①铝板阳极氧化处理：将铝板表面作除油，除污处理，将铝板置于装有电解液的电解槽中，通常用硫酸或草酸等作电解液，这要根据对氧化层的要求和工艺工况条件来选择。将铝板作为电极的阳极，加电进行氧化。控制电解液的浓度、电解电流强度、电解温度和电解时间从而获得所需的绝缘氧化膜层。关于铝板阳极氧化处理的工艺是成熟的工艺，已有大量的相关资料介绍。②磁控溅射镀膜：磁控溅射镀膜工艺包括装夹(掩膜)、镀基底膜、镀导电膜、镀焊接膜。如采用掩膜工艺制作电路图形时，只是在装夹氧化处理好的铝板时在夹具的面上装掩膜板。如采用光刻工艺制作电路图形时，要在氧化处理好的铝板上涂布感光、曝光、显影等处理，在将铝板装夹到没有掩膜的夹具上。镀各层膜的特性、作用等如前所述。③后道工艺：根据设计要求，对镀好膜的铝基绝缘氧化印刷电路板在相应的位置涂助焊剂和阻焊剂，以便安装电子元器件。

实施例10：立体铝基板电路，铝基板呈立体结构(矩形体、柱形体、锥形体、五角形体等等)，立体铝基板面作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，立体铝基板面的绝缘氧化层上设置电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层。

需要理解到的是：上述实施例虽然对本发明作了比较详细的说明，但是这些说明只是对本发明的简单说明，而不是对本发明的限制，任何不超出本发明实质精神内的发明创造，均落入本发明的保护范围内。

Claims (20)

1、一种铝基绝缘氧化磁控溅射电路板，铝板或铝散热器作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，其特征是：绝缘氧化层设置的电路图形采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层。

2、根据权利要求1所述的铝基绝缘氧化磁控溅射电路板，其特征是：金属化层由基底膜、导电膜、焊接膜复合组成。

3、根据权利要求1或2所述的铝基绝缘氧化磁控溅射电路板，其特征是：基底膜采用磁控溅射的方法将铬或钛金属沉积到绝缘氧化层上。

4、根据权利要求3所述的铝基绝缘氧化磁控溅射电路板，其特征是：基底膜的厚度为0.1～0.15μm。

5、根据权利要求1或2所述的铝基绝缘氧化磁控溅射电路板，其特征是：导电膜采用磁控溅射的方法将铜或镍或铜镍合金沉积到基底膜上。

6、根据权利要求5所述的铝基绝缘氧化磁控溅射电路板，其特征是：导电膜的厚度为1～2μm。

7、根据权利要求1或2所述的铝基绝缘氧化磁控溅射电路板，其特征是：焊接膜是将银或金等导电性和焊接性良好的金属采用磁控溅射的方法沉积到导电膜上。

8、根据权利要求7所述的铝基绝缘氧化磁控溅射电路板，其特征是：焊接膜的厚度为0.3～0.8μm。

9、一种在铝基绝缘氧化磁控溅射电路板上封装电子元器件的方法，铝板或铝散热器作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，其特征是：①在铝板、或铝散热器的安装面设置电路图形，②采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层电路，③电子元器件封装在金属化层电路上。

10、一种电子元器件封装铝基板，铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，其特征是：绝缘氧化层设置的电路图形采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，电子元器件封装在金属化导电层上，铝基板另一面为直接散热面或与其他器件、材料结合。

11、根据权利要求10所述的电子元器件封装铝基板，其特征是：所述的器件是指热交换器或均热器。

12、根据权利要求10所述的电子元器件封装铝基板，其特征是：所述的材料是指铜、导热胶、陶瓷、绝缘材料。

13、一种电子元器件封装铝基板，铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，其特征是：绝缘氧化层设置的电路图形采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，电子元器件被焊接在铝基板的金属化的电路上且通过铝基板直接散热。

14、一种大功率LED芯片的封装结构，其特征是：铝基板作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，LED芯片直接连接在绝缘氧化层上且通过铝基板直接散热。

15、根据权利要求14所述的大功率LED的封装结构，其特征是：铝基板的非元器件安装面做成作带散热翅的散热器结构，直接用于散热。

16、一种由铝基绝缘氧化板构成的大功率LED照明器件，铝板或铝散热器作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，其特征是：绝缘氧化层设置的LED电气连接电路图采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化导电层，封装一片或2片或多片LED芯片在绝缘氧化层上、且LED芯片pn极用点金工艺与金属化层连接。

17、根据权利要求16所述的由铝基绝缘氧化板构成的大功率LED照明器件，其特征是：电路图形采用掩膜或光刻制成。

18、根据权利要求17所述的由铝基绝缘氧化板构成的大功率LED照明器件，其特征是：LED芯片与绝缘氧化层粘接，且用灌封胶将点金后的LED封装在铝基板上。

19、一种大功率LED发光器件的封装结构，铝板或铝散热器表面为绝缘氧化层，其特征是：绝缘氧化层上设置的电路图形采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层，1个或2个或多个LED安装在金属化层电路上。

20、一种立体铝基板电路，其特征是：铝基板呈立体结构，立体铝基板面作绝缘氧化处理且形成绝缘氧化层，其特征是：立体铝基板面的绝缘氧化层上设置电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层。

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