CN101051158A - 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于液晶显示器件的阵列基板包括：基板；在该基板上的栅极；在该栅极上的栅绝缘层，该栅绝缘层包括无机材料的纳米颗粒和有机材料的有机基体，该有机基体包围该纳米颗粒；在栅极上面的该栅绝缘层上的半导体层；在该半导体层上的源极和漏极；在该源极和漏极上的钝化层；以及在该钝化层上的像素电极，该像素电极与该漏极接触。

Description

用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
本申请要求2006年4月7日在韩国提交的韩国专利申请第2006-0031712号的优先权，在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，尤其涉及一种用于包括具有高介电常数的栅绝缘层的LCD器件的阵列基板及其制造方法。
背景技术
由于高分辨率、高对比度、色彩再现能力和显示移动图像的极高性能，液晶显示(LCD)器件广泛使用于笔记本型计算机和桌上型计算机的显示器。LCD器件依靠液晶的光学各向异性和偏振特性产生图像。另外，LCD器件包括液晶面板，该液晶面板包括两个基板和在这两个基板之间的液晶层。在这两个基板之间产生的电场调整液晶层内的液晶分子的排列准方向以产生透光率的差别，从而显示图像。
图1是依照现有技术的液晶显示器件的分解透视图。在图1中，液晶显示(LCD)器件11包括第一基板22、第二基板5和在第一基板22和第二基板5之间的液晶层14。在第一基板22上形成栅线12和数据线24。栅线12与数据线24交叉以限定像素区域“P”。薄膜晶体管(TFT)“T”与栅线12和数据线24连接。TFT“T”包括栅极30、半导体层32、源极34和漏极36。在像素区域“P”中的像素电极17与漏极36连接。
在第二基板5上形成黑矩阵6以及在该黑矩阵6上形成包括红色、绿色和蓝色滤色片7a、7b和7c的滤色片层7。另外，在滤色片层7上形成公共电极18。第一基板22和第二基板5使用在第一基板22和第二基板5的边界处的密封剂图案(未示出)彼此粘接。通过第一基板22和第二基板5之间的衬垫料保持第一基板22和第二基板5之间的间隙距离。在第一基板22和第二基板5粘接之后，通过注入孔将液晶材料注入到第一基板22和第二基板5之间的间隙中，并且在注入步骤之后密封注入孔。
当将信号施加到像素电极17和公共电极18时，在像素电极17和公共电极18之间产生电场，以及在液晶层14中的液晶分子沿电场重新排列。所以，从第一基板22下面的背光单元(未示出)发出的光穿过液晶层14或者被液晶层14阻挡，从而LCD器件11显示图像。
图2是依照现有技术的液晶显示器件的等效电路图。在图2中，LCD器件11包括栅线12和数据线24。栅线12和数据线24彼此交叉以限定像素区域“P”。开关元件“S”诸如薄膜晶体管设置在每个像素区域“P”中并调整施加到液晶电容“LC”的电压。栅驱动电路40和数据驱动电路42分别设置在液晶单元的两个邻近侧。栅驱动电路40与栅线12连接，而数据驱动电路与数据线24连接。栅驱动电路40顺序将栅信号施加到栅线12。将栅信号传输到开关元件“S”的栅极。当将栅信号施加到开关元件“S”时，通过开关元件“S”将数据驱动电路42的数据信号供应到数据线24并传输到像素电极17(图1)。因为将公共电压施加到公共电极18(图1)，由于像素电极17(图1)和公共电极18(图1)之间的电压变化产生电场，并且在像素电极17(图1)和公共电极18(图1)之间的液晶层中的液晶分子沿着电场重新排列。所以，通过LCD器件显示图像。
在LCD器件中，开关元件的性能和LCD器件的显示质量取决于栅绝缘层。图3是沿图1中的线“III-III”提取的截面图。如图3所示，在第一基板22上形成TFT“T”。作为开关元件的TFT“T”包括在第一基板22上的栅极30、在栅极30上的栅绝缘层“GI”、在栅绝缘层“GI”上的半导体层32和在半导体层32上的源极34和漏极36。半导体层32包括有源层32a和欧姆接触层32b，并且源极34和漏极36彼此隔开。在源极34和漏极36上形成钝化层“PAS”。另外，与漏极36连接的像素电极17在像素区域“P”内的钝化层“PAS”上形成。
像素电极17延伸以重叠栅线12。所以，栅线12和像素电极17重叠的部分分别用作第一电容电极和第二电容电极，并且第一和第二电容电极构成具有干涉栅绝缘层“GI”和干涉钝化层“PAS”的存储电容“Cst”。栅绝缘层“GI”包括具有在大约6到大约8范围内的介电常数的诸如硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料。
通过沉积步骤形成无机绝缘材料的栅绝缘层，该沉积步骤需要相对较长的工艺时间。另外，无机绝缘材料的栅绝缘层可形成双层以改进介电特性和厚度。所以，无机绝缘材料的栅绝缘层的工艺产量很低。
为了解决无机绝缘材料的栅绝缘层的上述问题，提出了有机绝缘材料的栅绝缘层。然而，由于有机绝缘材料的栅绝缘层的介电常数小于大约4，所以TFT的性能诸如ON电流退化并且存储电容的电容量减少。存储电容的电容量的减少引起LCD器件的像素电压变化ΔVp增加。可称为反冲电压(kickbackvoltage)或电平移位电压的像素电压变化ΔVp引起LCD器件的退化，诸如闪烁和图像残留。所以，LCD器件的显示质量退化。
发明内容
因此，本发明涉及用于一种液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，其基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种提高了工艺产量的用于包括有机绝缘材料的栅绝缘层的液晶显示器件的阵列基板及该阵列基板的制造方法。
本发明的另一目的是提供一种提高了薄膜晶体管的性能和显示质量的液晶显示器件的阵列基板以及该阵列基板的制造方法。
本发明的附加优点、目的和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使其对本领域技术人员来说显而易见，或者可通过实践本发明来认识。本发明的这些目的和其它优点可通过说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的目的，如同在此具体和广泛说明的，一种用于液晶显示器件的阵列基板包括：基板；在基板上的栅极；在栅极上的栅绝缘层，其中该栅绝缘层包括无机材料的纳米颗粒和有机材料的有机基体(organic matrix)，并且该有机基体包围纳米颗粒；在栅极上面的栅绝缘层上的半导体层；在半导体层上的源极和漏极；在源极和漏极上的钝化层；以及在钝化层上的像素电极，该像素电极与漏极接触。
在另一方面，一种用于液晶显示器件的阵列基板的制造方法包括：在基板上形成栅极；在栅极上涂敷包括具有核心和包围核心的壳层的颗粒的溶剂以形成复合先驱膜(composite precursor film)，该核心包括无机材料以及该壳层包括有机材料；固化复合先驱体以形成栅绝缘层，该栅绝缘层包括纳米颗粒和包围纳米颗粒的有机基体，该纳米颗粒和有机基体分别对应于核心和壳层；在栅极上面的栅绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成源极和漏极；在源极和漏极上形成钝化层；在钝化层上形成像素电极，该像素电极与漏极接触。
在另一方面，一种用于液晶显示器件的阵列基板的制造方法包括：在基板上形成栅极；在栅极上涂敷具有有机聚合物和纳米颗粒的有机聚合物溶剂以形成栅绝缘层，该栅绝缘层包括纳米颗粒和包围纳米颗粒并且对应于有机聚合物的有机基体；在栅极上面的栅绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成源极和漏极；在源极和漏极上形成钝化层；在钝化层上形成像素电极，该像素电极与漏极接触。
应当理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都是示意性的和说明性的，意欲提供如权利要求书所述的对本发明的进一步解释。
附图说明
本申请所包括的附图提供对本发明的进一步理解，并且结合在本申请中构成说明书一部分，示出了本发明的具体实施例并与说明一起解释本发明的原理。
图1是依照现有技术的液晶显示器件的分解透视图；
图2是依照现有技术的液晶显示器件的等效电路图；
图3是沿图1中的线“III-III”提取的截面图；
图4是依照本发明的第一实施方式，用于液晶显示器件的阵列基板的薄膜晶体管的示意性截面图；
图5A和图5B是依照本发明的第一实施方式，用于液晶显示器件的阵列基板的栅绝缘层的形成方法的截面图；
图6是依照本发明的第二实施方式，用于液晶显示器件的阵列基板的栅绝缘层的有机聚合物溶液的截面图；
图7A到图7E是依照本发明的实施方式，用于液晶显示器件的阵列基板的形成方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的优选实施方式，在附图中示出的实施例。尽可能地，在整个附图中相同的参考标记将用于指相同或相似的部件。
依照本发明的用于液晶显示器件的阵列基板包括具有相对较高的介电常数的有机绝缘材料的栅绝缘层，从而改善了薄膜晶体管的性能和液晶显示器件的显示质量。
图4是依照本发明的第一实施方式，用于液晶显示器件的薄膜晶体管的阵列基板的示意性截面图；
在图4中，薄膜晶体管(TFT)“T”包括在基板100上的栅极102，在栅极102上的栅绝缘层104，在栅极102上面的栅绝缘层104上的半导体层106，以及在半导体层106上的源极108和漏极110。栅绝缘层104包括无机材料的纳米颗粒104a和有机材料的有机基体104b。有机基体104b包围纳米颗粒104a并且纳米颗粒104a分散在有机基体104b内。可通过形成核-壳结构的复合先驱膜和利用热能和光固化复合先驱体的步骤，获得栅绝缘层104。另外，有源层包括本征非晶硅的有源层106a和掺杂有杂质的非晶硅的欧姆接触层106b。源极108和漏极110彼此隔开。
由于栅绝缘层104具有大约6到大约10范围内的介电常数，改善了TFT“T”的性能并且减少了LCD器件的像素电压变化ΔVp。像素电压变化ΔVp可表示为方程式(1)：
ΔVp＝Cgd·(Vgh-Vgl)/(Cst+Cgd+CLC)-----(1)
其中，Cgd是栅极102和漏极110之间的电容量，Cst是存储电容的电容量，CLC是液晶层的电容量，Vgh是栅信号的高端电压，而Vgl是栅信号的低端电压。
由于存储电容包括在像素电极(未示出)和公共电极(未示出)之间作为电介质层的栅绝缘层104，存储电容的电容量Cst随栅绝缘层104的介电常数的增加而增加。另外，随着存储电容的电容量Cst增加，像素电压变化ΔVp根据方程式(1)而减小。即使电容量Csd也根据栅绝缘层104的介电常数的增加而增加，因为电容量Csd比电容量Cst略小，所以像素电压变化ΔVp不增加。所以，由于包括纳米颗粒104a和有机基体104b的栅绝缘层104，减少了像素电压变化ΔVp并改善了显示质量。
另外，当将栅信号施加到具有反相交错结构(inverted stagger structure)的TFT“T”的栅极102时，由于栅绝缘层104在半导体层106中迅速产生沟道。从而，改善了TFT“T”的性能。
然而，在栅极102上涂敷用于栅绝缘层104的复合先驱膜，简化了栅绝缘层104的形成步骤，并改善了厚度的均匀性。所以，进一步改善了TFT“T”的性能。
图5A和图5B是依照本发明的第一实施方式，用于液晶显示器件的阵列基板的栅绝缘层的形成方法的截面图。
在图5A中，通过涂敷方法在基板100上形成复合先驱膜160。复合先驱膜160包括颗粒150，其中每个颗粒具有核150a和包围核150a的壳150b的核-壳结构。核150a包括无机材料而壳150b包括有机材料。复合先驱膜160具有大约超过12的介电常数。核150a可通过添加剂的聚合方法诸如溶胶凝胶方法制成。另外，核150a可包括以下其中之一：钛酸锶钡、锆钛酸钡(bariumzirconate titanate)、锆钛酸铅、钛酸锶、钛酸钡、氟化镁钡(barium magnesiumfluoride)、钛酸铋、锶铋钽、钽铌酸锶铋(strontium bismuth tantalate niobate)和金属氧化物材料诸如氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、硅酸锆(ZrSiO4)、硅酸铪(HfSiO4)、氧化钇(Y2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化锶(SrO)、氧化镧(La2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钡(BaO)和氧化钛(TiO2)。在将每个具有核-壳结构的颗粒分散到溶剂中之后，将溶剂涂在基板100上。
在图5B中，通过热能和光中的一种固化复合先驱膜160(图5A)。由于在固化步骤期间，溶剂蒸发并且壳150b融化，复合先驱膜160(图5A)平整化以变成包括纳米颗粒104a和包围纳米颗粒104a的有机基体104b的栅绝缘层104。纳米颗粒104a和有机基体104b分别对应于核150a和壳150b。所以，栅绝缘层104具有在大约6到大约10范围内的介电常数。
在依照本发明的第一实施方式的阵列基板中，具有相对高的介电常数的栅绝缘层使用复合先驱膜制成，其中复合先驱膜包括每个具有核-壳结构的颗粒。在依照其它实施方式的阵列基板中，可通过在分散纳米颗粒处涂敷有机聚合溶液形成栅绝缘层。
图6是依照本发明的第二实施方式，示出了用于液晶显示器件的阵列基板的栅绝缘层的有机聚合物溶液的截面图。
在图6中，在溶剂中的有机聚合金属组成容器200中的有机聚合溶液202。将其介电常数大约高于8的纳米颗粒204诸如氧化锆(ZrO2)分散在有机聚合溶液202中。有机聚合物包括通过溶胶凝胶方法得到的材料。例如，有机聚合物可包括单聚物和共聚物中的其中一种，诸如硅氧烷聚合物、丙烯酸脂聚酰亚胺(polyacrylate-polyimide)和聚酯。另外，纳米颗粒204可包括以下其中之一：钛酸锶钡、锆钛酸钡、锆钛酸铅、钛酸锶、钛酸钡、氟化镁钡、钛酸铋、锶铋钽、钽铌酸锶铋和金属氧化物材料诸如氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、硅酸锆(ZrSiO4)、硅酸铪(HfSiO4)、氧化钇(Y2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化锶(SrO)、氧化镧(La2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钡(BaO)和氧化钛(TiO2)。
可使用物理力和化学力的其中之一将纳米颗粒204分散到有机聚合溶液202中。可在分散步骤中使用物理力，使用剪切力搅拌具有纳米颗粒204的有机聚合溶液202，而在使用化学力的分散步骤中可引起化学键。在将纳米颗粒204分散到其中的有机聚合溶液202准备好之后，具有介电常数在大约6到大约10范围内的栅绝缘层在基板上形成，其中基板具有通过涂敷具有纳米颗粒204的有机聚合溶液202形成的栅极。栅绝缘层可包括有机基体和纳米颗粒，分别对应于有机聚合溶液202的有机聚合物和纳米颗粒。
图7A至图7E是依照本发明的实施方式，示出用于液晶显示器件的阵列基板的形成方法的截面图。
在图7A中，通过沉积并构图金属材料诸如铝(Al)、铝(Al)合金、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钨(W)和钼(Mo)，在基板300上形成栅极302和连接到栅极302的栅线“GL”。在栅极302和栅线“GL”上形成栅绝缘层304。栅绝缘层304包括纳米颗粒304a和包围纳米颗粒304a的有机基体304b。
如在第一实施方式中所示，可使用复合先驱膜形成栅绝缘层304。通过涂敷及固化具有颗粒的溶剂，在栅极302的栅线“GL”上形成复合先驱膜，其中每个颗粒具有核和壳的核-壳结构。由于在固化步骤期间，溶剂蒸发以及壳融化，从而在栅极302和栅线“GL”上形成包括纳米颗粒304a和有机基体304b的栅绝缘层304。纳米颗粒304a和有机基体304b分别对应于核和壳。
另外，如在第二实施方式中所示，可使用有机聚合溶液形成栅绝缘层304，其中在有机聚合溶液中分散诸如氧化锆(ZrO2)的纳米颗粒。通过涂敷有机聚合溶液，在栅极302和栅线“GL”上形成栅绝缘层304，其中有机聚合溶液包括有机聚合物和纳米颗粒。纳米颗粒304a和有机基体304b分别对应于有机聚合溶液的纳米颗粒和有机聚合物。
由于栅绝缘层304具有在大约6到大约10范围内的介电常数，存储电容的电容量增加而像素电压变化减小。所以，改善了LCD器件的显示质量。另外，也改善了TFT的性能诸如响应时间。然而，由于使用涂敷方法而不是沉积方法形成栅绝缘层304，所以简化了制造工艺。
在图7B中，通过连续沉积并构图本征非晶硅(a-Si:H)和本征掺杂非晶硅(n+a-Si:H)，在栅绝缘层304上形成半导体层306。半导体层306包括非晶硅(a-Si:H)的有源层306a和掺杂非晶硅(n+a-Si:H)的欧姆接触层306b。
在图7C中，通过涂敷和构图诸如铝(Al)、铝(Al)合金、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钨(W)和钼(Mo)的金属材料中的至少一种，在半导体层306上形成源极308和漏极310。同时，在具有半导体层306的基板300上形成数据线(未示出)。源极308和漏极310彼此隔开，以及数据线穿过栅线“GL”以限定像素区域“P”。另外，具有岛状的金属图案312同时形成在栅线“GL”上面的栅绝缘层304上。因此，栅线“GL”的部分和金属图案312起第一电容电极和第二电容电极的作用以形成具有栅绝缘层304的存储电容“Cst”。随后，去除在源极308和漏极310之间暴露的欧姆接触层306b以暴露有源层306a。
在图7D中，通过沉积并构图有机绝缘材料诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂，在源极308、漏极310、数据线和金属图案312上形成具有漏接触孔316和存储接触孔318的钝化层314。漏接触孔316和存储接触孔318分别暴露漏极310和金属图案312。
在图7E中，通过沉积并构图氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的其中一种，在像素区域“P”中的钝化层314上形成像素电极320。像素电极320通过漏接触孔316与漏极310连接，并通过存储接触孔318与金属图案312连接。通过图7A至图7E所示的工艺完成用于LCD器件的阵列基板，其中该LCD器件包括具有相对较高的介电常数的栅绝缘层。
因此，在本发明中，由于使用复合先驱膜或有机聚合溶液通过涂敷方法而不是沉积方法形成具有相对较高介电常数的栅绝缘层，简化了制造工艺并提高了产量。另外，由于栅绝缘层具有相对较高的介电常数和平整表面，改善了薄膜晶体管的性能。另外，由于减少了像素电压变化，改善了LCD器件的显示质量。
在不脱离本发明精神或范围的情况下本发明可以做各种修改和变化，这对于本领域熟练技术人员来说是显而易见的。因而本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等效物范围内的本发明的修改和变化。

Claims (19)

1.一种用于液晶显示器件的阵列基板，包括：
基板；
在所述基板上的栅极；
在所述栅极上的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括无机材料的纳米颗粒和有机材料的有机基体，所述有机基体包围所述纳米颗粒；
在所述栅极上面的所述栅绝缘层上的半导体层；
在所述半导体层上的源极和漏极；
在所述源极和所述漏极上的钝化层；以及
在所述钝化层上的像素电极，所述像素电极与所述漏极接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述纳米颗粒包括以下其中之一：钛酸锶钡、锆钛酸钡、锆钛酸铅、钛酸锶、钛酸钡、氟化镁钡、钛酸铋、锶铋钽、钽铌酸锶铋、氧化锆、氧化铝、氧化镁、氧化钙、硅酸锆、硅酸铪、氧化钇、氧化铪、氧化锶、氧化镧、氧化钽、氧化钡和氧化钛。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机基体包括硅氧烷聚合物、丙烯酸脂聚酰亚胺和聚酯的其中之一。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层具有在6到10范围内的介电常数。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括与所述栅极连接的栅线和与所述源极连接的数据线，其中所述数据线与所述栅线交叉。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括在所述栅绝缘层和所述钝化层之间的所述栅线上面的金属图案，其中所述像素电极与所述金属图案接触，并且其中所述金属图案、所述栅线和所述栅绝缘层构成存储电容。
7.一种用于液晶显示器件的制造方法，包含：
在基板上形成栅极；
在所述栅极上涂敷包括具有核和包围核的壳的颗粒的溶剂，以形成复合先驱膜，其中所述核包括无机材料而所述壳包括有机材料；
固化所述复合先驱体以形成包括纳米颗粒和包围所述纳米颗粒的有机基体的栅绝缘层，其中所述纳米颗粒和所述有机基体分别对应于所述核和所述壳；
在所述栅极上面的所述栅绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成源极和漏极；
在所述源极和所述漏极上形成钝化层；以及
在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极与所述漏极接触。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，固化所述复合先驱膜包括融化所述壳以平整化所述复合先驱体。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒包括以下其中之一：钛酸锶钡、锆钛酸钡、锆钛酸铅、钛酸锶、钛酸钡、氟化镁钡、钛酸铋、锶铋钽、钽铌酸锶铋、氧化锆、氧化铝、氧化镁、氧化钙、硅酸锆、硅酸铪、氧化钇、氧化铪、氧化锶、氧化镧、氧化钽、氧化钡和氧化钛。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述栅绝缘层具有在6到10范围内的介电常数。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
形成连接所述栅极的栅线；以及
形成连接所述源极并与所述栅线交叉的数据线。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括在所述栅绝缘层和所述钝化层之间的所述栅线上面形成金属图案，其中所述像素电极与所述金属图案接触，并且其中所述金属图案、所述栅线和所述栅绝缘层构成存储电容。
13.一种用于液晶显示器件的阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成栅极；
在所述栅极上涂敷具有有机聚合物和纳米颗粒的有机聚合溶液以形成栅绝缘层，所述栅绝缘层包括所述纳米颗粒和包围所述纳米颗粒并对应于所述有机聚合物的有机基体；
在所述栅极上面的所述栅绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成源极和漏极；
在所述源极和所述漏极上形成钝化层；以及
在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极与所述漏极接触。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒包括以下其中之一：钛酸锶钡、锆钛酸钡、锆钛酸铅、钛酸锶、钛酸钡、氟化镁钡、钛酸铋、锶铋钽、钽铌酸锶铋、氧化锆、氧化铝、氧化镁、氧化钙、硅酸锆、硅酸铪、氧化钇、氧化铪、氧化锶、氧化镧、氧化钽、氧化钡和氧化钛。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述有机聚合物包括硅氧烷聚合物、丙烯酸脂聚酰亚胺和聚酯的其中之一。
16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述栅绝缘层具有在6到10范围内的介电常数。
17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括：
形成连接所述栅极的栅线；以及
形成连接所述源极并与所述栅线交叉的数据线。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括在所述栅绝缘层和所述钝化层之间的所述栅线上面形成金属图案，其中所述像素电极与所述金属图案接触，并且其中所述金属图案、所述栅线和所述栅绝缘层构成存储电容。
19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，使用物理力和化学力的其中之一将所述纳米颗粒分散在所述有机聚合溶液中。
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