CN101046482A - 空间转换器基板、其形成方法、及其接触垫结构 - Google Patents

空间转换器基板、其形成方法、及其接触垫结构 Download PDF

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Abstract

本发明是提供一种空间转换器基板、其形成方法、及其接触垫结构。上述接触垫结构包含：一第一导体材料层，其硬度大于200kg/mm2；以及一第二导体材料层于上述第一导体材料层上，其硬度大于80kg/mm2。上述形成空间变换器基板的方法包含：于一基底的多个开口中的每个开口内，形成多个第一导体材料层，上述第一导体材料层分别具有实质上为球形的一上表面；以及形成多个第二导体材料层，使其实质上顺应性地于上述第二导体材料层上，并分别覆盖上述第一导体材料层的上述上表面的一主要部分。本发明所述的空间转换器基板、其形成方法、及其接触垫结构，可有效改善前述发生于导板管脚的粒子污染及电性接触不良的情况。

Description

空间转换器基板、其形成方法、及其接触垫结构
技术领域
本发明是有关于电子产品测试技术，特别是关于一种空间变换器(space transformer)的接触垫结构及其形成方法。
背景技术
在先进的电子产品中，半导体技术已广泛应用于存储器的制造、中央处理单元(central processing units；CPU)、液晶显示器、发光二极管、激光二极管与其他集成电路或装置。由于芯片上元件的集成度的增加及芯片尺寸的缩减，各种封装结构与封装方法也应运而生，为了能够测试这些封装结构，测试机台也必须重新设计。
图1为一剖面示意图，是显示连接一测试机台的一探针卡(probe card)。
请参考图1，上述探针卡包含一印刷电路板100、一铁制框架110、一空间变换器120、一上导板(guide plate)130、一间隔片(spacer)140与一下导板150。而上导板130、间隔片(spacer)140及下导板150的组合称为眼镜蛇测试头(cobraprobe head)。空间变换器120是以球栅阵列(ball grid array；BGA)或针栅阵列(pin grid array；PGA)的技术连接于印刷电路板100；而空间变换器120的表面125是连接于上导板130，上导板130的管脚(未绘示)则与空间变换器120的表面125中的接触垫结构(未绘示)接触。然后依序将间隔片140与下导板150连接于上导板130。由于测试芯片时需要依据各种芯片选择不同的空间变换器，在更换所需的空间变换器时，会将眼镜蛇测试头自上述探针卡拆下。
图2是显示传统的空间变换器的剖面图。
空间变换器120中包含多个接触垫结构120a，接触垫结构120a为一铜制品。在组装空间变换器120时，是将上导板130的管脚105上移，使其与空间变换器120的接触垫结构120a接触。由于铜的材质较软，管脚105通常会刺入空间变换器120的接触垫结构120a中。经过数次的接触之后，管脚105有可能会刺穿空间变换器120的接触垫结构120a，而碰触到空间变换器120的阵列(matrix)，此现象会造成管脚105尖端的污染或产生污染性的粒子。在某些最坏的情况，会发生上导板130与空间变换器120之间对位不准的问题，上导板130的管脚105会碰触到空间变换器120的角落115，角落115并非金属材质，此现象会在组装空间变换器120与上导板130时造成粒子污染与电性接触不良的产生。
美国专利US6,794,680是揭露一种半导体装置，其包含一接触垫、一第一导体与一第二导体，其中上述第一导体与上述第二导体是排列在上述接触垫的一表面。上述第一导体的硬度大于上述第二导体的硬度，且不小于一探针尖端(probe stylus)的硬度。上述第一导体是排列在上述接触垫的一表面，因此在上述探针尖端接触并滑至上述接触垫的表面上时，上述探针尖端会与上述第一导体发生至少一次的碰撞或摩擦。
美国专利早期公开案US2005/0242446是揭露一集成电路封装体的制造方法，其中一接触垫是形成于一集成电路的一保护层的下方；然后在上述保护层上形成一开口，以曝露上述接触垫；一凸块下金属层(under bump metallurgy；UBM)则形成于上述接触垫与上述保护层上。上述方法更包含形成一凸块垫于上述凸块下金属层之上；与形成一凸块于上述凸块垫之上。上述凸块具有一平整的上表面，且其硬度小于上述凸块垫的硬度。
发明内容
有鉴于此，本发明的一目的是提供一种空间转换器基板、其形成方法、及其接触垫结构，可有效改善前述发生于导板管脚的粒子污染及电性接触不良的情况。
为达成本发明的上述目的，本发明是提供一种接触垫结构，包含：一第一导体材料层，位于一导体层上，且具有实质上为球形的一上表面，该导体层是位于一开口的底部；以及一第二导体材料层，实质上顺应性地位于该第一导体材料层的该上表面上，且覆盖该第一导体材料层的该上表面的一主要部分。
本发明所述的接触垫结构，其中该第一导体材料层与该第二导体材料层各择自下列族群中的至少其中之一：金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌、钨与上述的合金。
本发明所述的接触垫结构，其中该第一导体材料层为镍-钴合金，而该第二导体材料层为金-钴合金。
本发明所述的接触垫结构，其中该第一导体材料层的厚度为10μm～20μm，且其钴浓度为小于5wt％；而该第二导体材料层的厚度为1μm～3μm，且其钴浓度为小于5wt％。
本发明所述的接触垫结构，其中该第一导体材料层的厚度约为18μm，且其钴浓度约为3wt％；而该第二导体材料层的厚度约为2μm，且其钴浓度约为1wt％。
本发明所述的接触垫结构，其中该第一导体材料层具有一第一硬度大于200kg/mm2；而该第二导体材料层具有一第二硬度大于80kg/mm2。
本发明所述的接触垫结构，其中该第二导体材料层的预期寿命(expected lifetime)大于该第一导体材料层的预期寿命。
本发明是又提供一种空间变换器基板，包含：一基底，其内具有多个开口；多个第一导体材料层分别形成于每个上述开口中，上述第一导体材料层分别具有实质上为球形的一上表面；以及多个第二导体材料层，顺应性地位于上述第一导体材料层上，并分别覆盖上述第一导体材料层的上述上表面的一主要部分。
本发明所述的空间变换器基板，其中该第一导体材料层具有一第一硬度大于200kg/mm2；该第二导体材料层具有一第二硬度大于80kg/mm2。
本发明所述的空间变换器基板，其中该第一导体材料层与该第二导体材料层各择自下列族群中的至少其中之一：金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌、钨与上述的合金。
本发明所述的空间变换器基板，其中该第一导体材料层为镍-钴合金，而该第二导体材料层为金-钴合金。
本发明所述的空间变换器基板，其中该第一导体材料层的钴浓度为小于5wt％；  而该第二导体材料层的钴浓度为小于5wt％。
本发明所述的空间变换器基板，其中该第一导体材料层的钴浓度约为3wt％；而该第二导体材料层的钴浓度约为1wt％。
本发明所述的空间变换器基板，其中该第一导体材料层的厚度为10μm～20μm；而该第二导体材料层的厚度为1μm～3μm。
本发明所述的空间变换器基板，其中该第一导体材料层的厚度约为18μm；而该第二导体材料层的厚度约为2μm。
本发明所述的空间变换器基板，其中该第二导体材料层的预期寿命(expected lifetime)大于该第一导体材料层的预期寿命。
本发明所述的空间变换器基板，更包含多个第三导体层于所述第一导体材料层下。
本发明是又提供一种形成空间变换器基板的方法，包含：步骤一：于一基底的多个开口中的每个开口内，分别形成多个第一导体材料层，上述第一导体材料层分别具有实质上为球形的一上表面；以及步骤二：形成多个第二导体材料层，使其实质上顺应性地于上述第二导体材料层上，并分别覆盖上述第一导体材料层的上述上表面的一主要部分。
本发明所述的形成空间变换器基板的方法，其中该步骤一与该步骤二中，至少其中之一包含一电镀制程。
本发明所述的形成空间变换器基板的方法，其中该电镀制程是包含将该基底置于一溶液内，该溶液含有下列元素粒子中至少其中之一：金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌、钨与上述的组合。
本发明所述的形成空间变换器基板的方法，其中该步骤一的电镀制程包含将该基底置于含有镍离子与钴离子的溶液中，该步骤二的电镀制程则包含将该基底置于含有金离子与钴离子的溶液中。
本发明所述的形成空间变换器基板的方法，其中用于该步骤一的溶液包含Ni(H2NSO3)2与Co(H2NSO3)2，而用于该步骤二的溶液包含KAu(CN)2与CoSO4·7H2O。
本发明所述的形成空间变换器基板的方法，其中用于该步骤一的溶液包含Ni(H2NSO3)2、Co(H2NSO3)2与H3BO3，其中Ni(H2NSO3)2的浓度为300g/l～500g/l、Co(H2NSO3)2的浓度为75g/l～150g/l、H3BO3的浓度为20g/l～40g/l，而用于该步骤一的溶液的pH值为3.5～4.5，用于该步骤一的溶液的温度为50℃～60℃，该步骤一的电流密度为5A/m2～50A/m2；而用于该步骤二的溶液包含KAu(CN)2、CoSO4·7H2O、H3·C6H5O7·7H2O与Na3·C6H5O7·7H2O，其中KAu(CN)2的浓度为10g/l～40g/l、CoSO4·7H2O的浓度为40g/l～200g/l、H3·C6H5O7·7H2O的浓度为60g/l～120g/l、Na3·C6H5O7·7H2O的浓度为150g/l～300g/l，而用于该步骤二的溶液的p H值为3.0～4.5，用于该步骤二的溶液的温度为30℃～50℃，该步骤二的电流密度为1A/m2～30A/m2。
本发明所述的空间转换器基板、其形成方法、及其接触垫结构，可有效改善前述发生于导板管脚的粒子污染及电性接触不良的情况。
附图说明
图1为一剖面示意图，是显示连接一测试机台的一探针卡。
图2为一剖面图，是显示传统的空间变换器。
图3A为一剖面示意图，是显示本发明较佳实施例的空间变换器基板。
图3B为一剖面图，是显示本发明较佳实施例的接触垫的放大图。
图4为一示意图，是显示本发明较佳实施例的空间变换器基板的形成方法。
具体实施方式
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图3A为一剖面示意图，是显示本发明较佳实施例的空间变换器基板。
空间变换器基板320中包含多个开口345，导体层330则形成于开口345中，而多个第一导体材料层350是形成于每个开口345中，多个第二导体材料层360则形成于第一导体材料层350上。
空间变换器基板320可例如为一硅基板、一III-V族化合物基板、一玻璃基板、一印刷电路板或其他类似的基板。另外，空间变换器基板320可包含各种半导体结构例如输入/输出的迹线(trace)的绕线结构、中介层(interposer)与具有电源/接地绕线(未绘示)的电源/接地面于其上以提供所需的测试功能。
开口345可排列成一线、排列成一阵列或其他因测试所需的排列方式，其形成可使用蚀刻制程或是其他适于形成开口345的制程。
导体层330是形成于开口345内，将下文所叙述的接触垫结构340与前述空间变换器基板320内的半导体结构连接在一起。导体层330可例如为铜、铝、镍、铝/铜、钛、钽或其他适合与接触垫结构340连接的材料，其形成可使用例如化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子级沉积法(atomic layer depositi0n；ALD)、电镀法、无电镀(化学镀)法、模封法(molding)或其他适于将导体层330形成于开口345内的方法。在本较佳实施例中，导体层330为铜层，其厚度t1约为20μm；在某些实施例中，在不影响后续各层的形成或空间变换器基板320的电性表现的情况下，亦可以省略导体层330的形成。
第一导体材料层350是形成于开口345内、且形成于导体层330上，其材质可例如为金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌、钨、其他导体材料或上述的合金。在一较佳实施例中，第一导体材料层350为镍-钴合金，且其钴浓度较好为小于5wt％、更好为约3wt％。另外，第一导体材料层350的厚度t2较好为10μm～20μm、更好为约18μm、硬度至少约为200kg/mm2，其形成可使用例如化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子级沉积法、电镀法、无电镀(化学镀)法、模封法或其他适于形成第一导体材料层350的方法；在本实施例中，是以电化学沉积法来形成第一导体材料层350，其细节详列于后。
第一导体材料层350可具有球形的上表面、平整的上表面、半球形的上表面或其他形状的上表面。在图3A所例示的实施例中，第一导体材料层350是具有球形的上表面，其高度可低于、大体上等于或高于空间变换器基板320的表面，而在图3A所例示的实施例中，第一导体材料层350是高于空间变换器基板320的表面，以降低一导板(未绘示)的管脚(未绘示)与空间变换器基板320的表面接触的可能。然而，当上述导板与空间变换器基板320之间的定位不准的情况未跨过一门槛值时，就不需考虑上述导板的管脚与空间变换器基板320的表面的接触情形。另外，不需要使第一导体材料层350覆盖空间变换器基板320的表面；而任何本领域普通技术人员可根据上述导板与空间变换器基板320之间的定位不准的情况，决定其所形成的第一导体材料层350是否要高于空间变换器基板320的表面。
第二导体材料层360是形成于第一导体材料层350上，其材质可例如为金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌、钨、其他导体材料或上述的合金。在本较佳实施例中，第二导体材料层360为金-钴合金，且其钴浓度较好为小于5wt％、更好为约1wt％。另外，第二导体材料层360的厚度t3较好为1μm～3μm、更好为约2μm、硬度大于80kg/mm2，与第一导体材料层350相比，在某些实施例中第二导体材料层360的硬度是低于第一导体材料层350的硬度。第二导体材料层360的形成可使用例如化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子级沉积法、电化学沉积法、无电镀(化学镀)法、模封法或其他适于形成第二导体材料层360的方法；在本实施例中，是以电镀法来形成第二导体材料层360，其细节详列于后。
在某些实施例中，第二导体材料层360是在上述导板的管脚(未绘示)与第一导体材料层350之间提供所需的接触特性，亦可提供测试所需的磨耗特性。第二导体材料层360的预期寿命(expected lifetime)例如为可承受其与上述导板的管脚(未绘示)之间超过500,000次的接触次数。在某些实施例中，第二导体材料层360的预期寿命是高于第一导体材料层350的预期寿命。
第二导体材料层360是形成于第一导体材料层350上。在某些实施例中，第二导体材料层360的外观是顺应第一导体材料层350的形状。由于第一导体材料层350的形状可作如前述一般的变化，第二导体材料层360的形成亦对应于该变化。在图3A所例示的实施例中，第二导体材料层360的外观是顺应于第一导体材料层350的球形上表面；此外，第二导体材料层360亦覆盖第一导体材料层350的整个的球形上表面。图3B为一剖面图，是显示本发明较佳实施例的接触垫的放大图。在某些实施例中(如图3B所示)，第二导体材料层360是覆盖第一导体材料层350的球形上表面的一主要部分，即使发生相当程度的对准误差，第二导体材料层360的覆盖面积是至少足以使上述导板的管脚(未绘示)能够接触到其本身。在空间变换器基板320与上述导板(未绘示)之间的对准误差能够得到良好的控制的情况下，上述导板的管脚(未绘示)大多会接触到第一导体材料层350的中央部分，因此第二导体材料层360是在第一导体材料层350下方对其提供保护、并提供所需的磨耗特性。导体层330、第一导体材料层350与第二导体材料层360的特性例如厚度或合金成份的浓度等，皆可进行调整。通过本发明较佳实施例的叙述，任何本领域普通技术人员均已可了解如何选择导体层330、第一导体材料层350与第二导体材料层360的特性，以完成其所需要的接触垫结构。
图4为一示意图，是显示本发明较佳实施例的空间变换器基板的形成方法。
请参考图4，一容器400是具有一溶液410于其中。一电源供应器430是耦合于置于容器400的溶液410内的一电极440与一空间变换器基板420，然后将所需的导体材料层形成于空间变换器基板420的一表面420a上。
溶液410是包含用以沉积而形成一导体材料层的材料的离子，例如欲将镍形成于空间变换器基板420的表面420a上时，就使用含镍离子(Ni2+)的溶液；同理，欲将例如金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌或钨等材料形成于表面420a上时，就使用含对应离子的溶液。
在某些实施例中，图3A所示的第一导体材料层350为镍-钴合金，溶液410则包含镍离子和钴离子的溶液。例如镍离子的来源可在溶液410中加入硫酸镍、硝酸镍、氯化镍、碳酸镍或其他含镍的盐类；钴离子的来源可在溶液410中加入醋酸钴、硫酸钴、氯化钴、硝酸钴、碳酸钴、氟化钴或其他含钴的盐类。在某些实施例中，溶液410是包含氨基磺酸镍的族群例如为[Ni(SO3NH2)2]、[Ni(SO3NH2)2·4H2O]或其他的氨基磺酸镍族群；而溶液410亦可包含氨基磺酸钴的族群例如为[Co(H2NSO3)2]。
在某一例示的实施例中，溶液410包含氨基磺酸镍[Ni(H2NSO3)2]、氨基磺酸钴[Co(H2NSO3)2]与硼酸(H3BO3)，以进行镍-钴合金的第一导体材料层350的电镀。在溶液410中的氨基磺酸镍[Ni(H2NSO3)2]的浓度为300g/l～500g/l、在溶液410中的氨基磺酸钴[Co(H2NSO3)2]的浓度为75g/l～150g/l、在溶液410中的硼酸(H3BO3)的浓度为20g/l～40g/l，此时的溶液410的pH值为3.5～4.5、温度为50℃～60℃，此时的镍-钴合金的第一导体材料层350的电镀制程的电流密度为5A/m2～50A/m2。通过本实施例的以上叙述，任何本领域普通技术人员当可以选择适当的方法来形成图3A所示的第一导体材料层350，以形成其所需的结构。
在电镀第二导体材料层360时，溶液410是包含用以沉积而形成第二导体材料层360的材料的离子，因此欲将例如金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌或钨等材料形成于表面420a上时，就使用含对应离子的溶液。在某些实施例中，第二导体材料层360是包含金-钴合金，溶液410则包含金离子和钴离子的溶液。
在某些实施例中，图3A所示的第二导体材料层360为金-钴合金，溶液410则包含金离子和钴离子的溶液。例如金离子的来源可在溶液410中加入氰化亚金钾[KAu(CN)2]、亚硫酸金盐或其他含金的盐类；钴离子的来源可在溶液410中加入醋酸钴、硫酸钴、氯化钴、硝酸钴、碳酸钴、氟化钴或其他含钴的盐类。
在一较佳实施例中，溶液410包含氰化亚金钾[KAu(CN)2]、七水硫酸钴[CoSO4·7H2O]、柠檬酸(H3·C6H5O7·7H2O)与柠檬酸钠(Na3·C6H5O7·7H2O)。在溶液410中的氰化亚金钾[KAu(CN)2]的浓度为10g/l～40g/l、在溶液410中的七水硫酸钴[CoSO4·7H2O]的浓度为40g/l～200g/l、在溶液410中的柠檬酸(H3·C6H5O7·7H2O)的浓度为60g/l～120g/l、在溶液410中的柠檬酸钠(Na3·C6H5O7·7H2O)的浓度为150g/l～300g/l，此时的溶液410的pH值为3.0～4.5、温度为30℃～50℃，此时的金-钴合金的第二导体材料层360的电镀制程的电流密度为1A/m2～30A/m2。请注意以上实施例中对于电镀方法的叙述是仅作为举例说明，不应用以限制本发明的范围。本领域普通技术人员当可了解，其对上述的条件与特性作适度的修正，以形成符合其需求的接触垫结构。
虽然前述是以电镀法来形成第一导体材料层350与第二导体材料层360，其仅为接触垫结构340的形成方法的一个范例。如前所述，亦可以无电镀法、化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子级沉积法、模封法或其他的沉积方法来形成接触垫结构340。另外，第一导体材料层350的形成方法可与第二导体材料层360的形成方法相同或互异。任何本领域普通技术人员当可以选择其他异于前述方法的适当的方法来形成其所需的接触垫结构。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
附图中符号的简单说明如下：
100：印刷电路板
105：管脚
110：铁制框架
115：角落
120：空间变换器
120a：接触垫结构
125：表面
130：上导板
140：间隔片
150：下导板
320：空间变换器基板
330：导体层
340：接触垫结构
345：开口
350：第一导体材料层
360：第二导体材料层
400：容器
410：电镀液
420：空间变换器
420a：接触垫面(空间变换器)
430：电源供应器
440：电极

Claims (23)

1.一种接触垫结构，其特征在于，该接触垫结构包含：
一第一导体材料层，位于一导体层上，且具有实质上为球形的一上表面，该导体层是位于一开口的底部；以及
一第二导体材料层，实质上顺应性地位于该第一导体材料层的该上表面上，且覆盖该第一导体材料层的该上表面的一主要部分。
2.根据权利要求1所述的接触垫结构，其特征在于，该第一导体材料层与该第二导体材料层各择自下列族群中的至少其中之一：金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌、钨与上述的合金。
3.根据权利要求1所述的接触垫结构，其特征在于，该第一导体材料层为镍-钴合金，而该第二导体材料层为金-钴合金。
4.根据权利要求3所述的接触垫结构，其特征在于，该第一导体材料层的厚度为10μm～20μm，且其钴浓度为小于5wt％；而该第二导体材料层的厚度为1μm～3μm，且其钴浓度为小于5wt％。
5.根据权利要求4所述的接触垫结构，其特征在于，该第一导体材料层的厚度为18μm，且其钴浓度为3wt％；而该第二导体材料层的厚度为2μm，且其钴浓度为1wt％。
6.根据权利要求1所述的接触垫结构，其特征在于，该第一导体材料层具有一第一硬度大于200kg/mm2；而该第二导体材料层具有一第二硬度大于80kg/mm2。
7.根据权利要求1所述的接触垫结构，其特征在于，该第二导体材料层的预期寿命大于该第一导体材料层的预期寿命。
8.一种空间变换器基板，其特征在于，该空间变换器基板包含：
一基底，其内具有多个开口；
多个第一导体材料层分别形成于每个所述开口中，所述第一导体材料层分别具有实质上为球形的一上表面；以及
多个第二导体材料层，顺应性地位于所述第一导体材料层上，并分别覆盖所述第一导体材料层的所述上表面的一主要部分。
9.根据权利要求8所述的空间变换器基板，其特征在于，该第一导体材料层具有一第一硬度大于200kg/mm2；该第二导体材料层具有一第二硬度大于80kg/mm2。
10.根据权利要求8所述的空间变换器基板，其特征在于，该第一导体材料层与该第二导体材料层各择自下列族群中的至少其中之一：金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌、钨与上述的合金。
11.根据权利要求8所述的空间变换器基板，其特征在于，该第一导体材料层为镍-钴合金，而该第二导体材料层为金-钴合金。
12.根据权利要求11所述的空间变换器基板，其特征在于，该第一导体材料层的钴浓度为小于5wt％；而该第二导体材料层的钴浓度为小于5wt％。
13.根据权利要求12所述的空间变换器基板，其特征在于，该第一导体材料层的钴浓度为3wt％；而该第二导体材料层的钴浓度为1wt％。
14.根据权利要求11所述的空间变换器基板，其特征在于，该第一导体材料层的厚度为10μm～20μm；而该第二导体材料层的厚度为1μm～3μm。
15.根据权利要求14所述的空间变换器基板，其特征在于，该第一导体材料层的厚度为18μm；而该第二导体材料层的厚度为2μm。
16.根据权利要求8所述的空间变换器基板，其特征在于，该第二导体材料层的预期寿命大于该第一导体材料层的预期寿命。
17.根据权利要求8所述的空间变换器基板，其特征在于，更包含多个第三导体层于所述第一导体材料层下。
18.一种形成空间变换器基板的方法，其特征在于，该形成空间变换器基板的方法包含：
步骤一：于一基底的多个开口中的每个开口内，分别形成多个第一导体材料层，所述第一导体材料层分别具有实质上为球形的一上表面；以及
步骤二：形成多个第二导体材料层，使其实质上顺应性地于所述第二导体材料层上，并分别覆盖所述第一导体材料层的所述上表面的一主要部分。
19.根据权利要求18所述的形成空间变换器基板的方法，其特征在于，该步骤一与该步骤二中，至少其中之一包含一电镀制程。
20.根据权利要求19所述的形成空间变换器基板的方法，其特征在于，该电镀制程是包含将该基底置于一溶液内，该溶液含有下列元素粒子中至少其中之一：金、镍、铜、铬、铂、钴、锰、钯、钌、钨与上述的组合。
21.根据权利要求19所述的形成空间变换器基板的方法，其特征在于，该步骤一的电镀制程包含将该基底置于含有镍离子与钴离子的溶液中，该步骤二的电镀制程则包含将该基底置于含有金离子与钴离子的溶液中。
22.根据权利要求21所述的形成空间变换器基板的方法，其特征在于，用于该步骤一的溶液包含Ni(H2NSO3)2与Co(H2NSO3)2，而用于该步骤二的溶液包含KAu(CN)2与CoSO4·7H2O。
23.根据权利要求22所述的形成空间变换器基板的方法，其特征在于，用于该步骤一的溶液包含Ni(H2NSO3)2、Co(H2NSO3)2与H3BO3，其中Ni(H2NSO3)2的浓度为300g/l～500g/l、Co(H2NSO3)2的浓度为75g/l～150g/l、H3BO3的浓度为20g/l～40g/l，而用于该步骤一的溶液的pH值为3.5～4.5，用于该步骤一的溶液的温度为50℃～60℃，该步骤一的电流密度为5A/m2～50A/m2；而用于该步骤二的溶液包含KAu(CN)2、CoSO4·7H2O、H3·C6H5O7·7H2O与Na3·C6H5O7·7H2O，其中KAu(CN)2的浓度为10g/l～40g/l、CoSO4·7H2O的浓度为40g/l～200g/l、H3·C6H5O7·7H2O的浓度为60g/l～120g/l、Na3·C6H5O7·7H2O的浓度为150g/l～300g/l，而用于该步骤二的溶液的pH值为3.0～4.5，用于该步骤二的溶液的温度为30℃～50℃，该步骤二的电流密度为1A/m2～30A/m2。
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