CN101044674A - 温度依赖性减小的可变电抗器装置 - Google Patents

温度依赖性减小的可变电抗器装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101044674A
CN101044674A CNA2004800441935A CN200480044193A CN101044674A CN 101044674 A CN101044674 A CN 101044674A CN A2004800441935 A CNA2004800441935 A CN A2004800441935A CN 200480044193 A CN200480044193 A CN 200480044193A CN 101044674 A CN101044674 A CN 101044674A
Authority
CN
China
Prior art keywords
variable reactor
capacitor
voltage
temperature
pressurizer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800441935A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100578914C (zh
Inventor
斯巴达克·格沃尔金
哈拉尔德·雅各布松
托马斯·莱温
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Original Assignee
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB filed Critical Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Publication of CN101044674A publication Critical patent/CN101044674A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100578914C publication Critical patent/CN100578914C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H5/00—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H5/12—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components with at least one voltage- or current-dependent element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92—Capacitors having potential barriers
    • H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02—Details
    • H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00—Continuous tuning
    • H03J3/02—Details
    • H03J3/04—Arrangements for compensating for variations of physical values, e.g. temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00—Continuous tuning
    • H03J3/02—Details
    • H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
    • H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
    • H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

本发明涉及温度依赖性减小的可变电抗器装置，公开了一种温度稳定性改进的可变电抗器装置(100)，该可变电抗器装置(100)包括与去耦网络(150)相连接的第一可变电抗器(160)。所述装置还包括稳压器(110)，所述稳压器包括电容器(140)和温度依赖电容器(130)，并且其中，所述稳压器包括用于连接到直流电源的装置(120)。合适的是，去耦网络(150)与第一可变电抗器(160)并联连接，而稳压器(110)的电容器(140)与去耦网络(150)并联连接，稳压器(110)的温度依赖电容器(130)与稳压器(110)的二极管串联连接。

Description

温度依赖性减小的可变电抗器装置
技术领域
本发明公开了一种温度稳定性改进的可变电抗器装置，该可变电抗器装置包括与去耦网络相连接的第一可变电抗器。
背景技术
由于铁电材料的固有温度依赖性，诸如可变电抗器、移相器、延迟线等以集总元件或者分布式铁电可变电抗器为基础的调谐微波组件，通常存在其参数的温度依赖性较大的问题。
当然，这种温度依赖性是不希望的，因为它尤其会给在各种设计中使用这些组件带来问题。
发明内容
因此，需要比现有的可变电抗器的温度依赖性更小的可变电抗器或可变电抗器装置。
本发明解决了这种需求，本发明公开了一种温度稳定性改进的可变电抗器装置，该可变电抗器装置包括与去耦网络相连接的第一可变电抗器。该装置还包括稳压器，所述稳压器包括电容器和温度依赖电容器。而且，所述稳压器包括用于连接到直流电源的装置。
附图说明
现将参照附图，在下面的具体说明中更加详细地描述本发明，其中：
图1示出了铁电可变电抗器的温度依赖性，和
图2示出了根据本发明的装置的框图，和
图3示出了本发明的实施例的具体示例的框图，和
图4示出了电容器CT上的温度依赖性电压降，和
图5示出了本发明的可变电抗器装置的温度依赖性。
具体实施方式
为了首先说明本发明的装置要解决的问题，参照图1，其示出了典型可变电抗器的电容为周围环境温度的函数。示出了多条不同的曲线，每一条曲线表示可变电抗器所用的不同偏压。图中最上面一条曲线示出了偏压为0伏时的可变电抗器的电容。
从图1可知，该可变电抗器的电容的温度依赖性非常高。本发明的目的是使可变电抗器的电容相对于周围环境温度保持稳定。
图2示出了装置100的框图，用于说明本发明的原理。如图2所示，根据本发明的装置包括第一可变电抗器160，该第一可变电抗器160用于为装置100提供稳定的温度特性。
除了第一可变电抗器160及其输出端口170，所述装置100还包括去耦网络150。使用去耦网络150的原因之一是将装置100的其余部分相对于施加给第一可变电抗器160的信号屏蔽开来，特别是因为主要在高频(通常是微波频率)下使用第一可变电抗器160。
合适的是，将去耦网络150与可变电抗器160并联连接。图3示出了图2的装置100，而且示出了在此情况下形状为线圈155的去耦网络的示例。
去耦网络150也可以就是一个电阻器，特别是对于宽带应用。由于没有电流流过所述电容器，所以在这种电阻器上不会出现电压降。对于窄带应用，去耦网络150可以是并联LC电路，其谐振频率对应于第一可变电抗器160的工作频率。
装置100还包括稳压器110，根据下面的描述将清楚稳压器110的功能。稳压器110包括用于直流电压的输入装置120、温度依赖电容器130以及电容器140。
如图2所示，稳压器110的电容器140并联连接到去耦网络150，而稳压器110的温度依赖电容130串联连接到电容器140。
为了利用装置100的稳压特性，向所述稳压器的直流输入装置120施加直流电压VDC。该电压VDC被分为电容器140上的电压VC和温度依赖电容器130上的电压VT。如果电容器140的电容为C而温度依赖电容器130的电容为CT，则输入直流电压VDC将按如下公式被分压：
V C = C T C + C T V DC - - - ( 1 )
V T = C C + C T V DC - - - ( 2 )
分压器110中包括的温度依赖电容器130由与第一可变电抗器160相似类型的、优选地为相同类型的铁电材料制成，因此优选地具有如图1所示的温度依赖电容，即与第一可变电抗器160相同的温度依赖电容。
现在考虑，在第一可变电抗器160和温度依赖电容器130电抗器的电容因周围环境温度变化而升高时将会发生什么：
由于这种电容变化，在分压器110中会发生电压的重新分布，使得当温度依赖电容器130的电容升高时其上的电压会下降。
根据上述的公式(1)和(2)，电容器140上的电压VC为VC＝VDC-VT。对于诸如图2所示的无损去耦网络，第一可变电抗器160上的电压VV与电容器140上的电压VC相同，即VV＝VC，因此VV＝VDC-VT。
第一可变电抗器160的电容的温度依赖性下降将引起类似的电压依赖电容器130的电容下降。温度依赖电容器130的这种电容下降将引起稳定电压VDC被重新分布，使得在温度依赖电容器130上施加更小的电压。由于温度依赖电容器130并联连接到去耦网络150，并且还并联连接到第一可变电抗器160，所以从稳压器120施加到第一可变电抗器160的电压将下降。
由于从稳压器120施加到第一可变电抗器160的电压VC下降，由温度引起的第一可变电抗器的电容下降将被下降的电压VC和由此下降的电压VV补偿，使得第一可变电抗器的电容升高。
按照类似的方式，第一可变电抗器160的任何由温度引起的电容升高都将被升高的电压VC补偿，电压VC的升高引起第一可变电抗器上的电压VV的对应变化。
为了实现希望的效果，即，第一可变电抗器160和二极管130的电容发生对应的变化，温度依赖电容器130合适地是由与第一可变电抗器160相似类型的、优选地为相同类型的铁电材料制成，因此具有与图3所示类似的温度依赖特性。
图4示出了当二极管130的电容例如由于周围环境温度变化而升高时其上的电压如何下降。
图5示出了当第一可变电抗器160用在本发明的装置100中时该第一可变电抗器160的温度依赖性。从图中可见，通过本发明大大降低了温度依赖性。
本发明不限于上面所示的实施例的示例，而是可以在权利要求的范围内自由变化。例如，如果温度依赖电容器130具有“相反的”温度依赖性，即当可变电抗器160的电容升高时温度依赖电容器140的电容下降，温度依赖电容器130和电容器140可以相对于图2和图3所示的位置而改变位置。
当然，在所示的实施例中，希望电容器140是不依赖温度的。

Claims (4)

1、一种温度稳定性改进的可变电抗器装置(100)，该可变电抗器装置(100)包括与去耦网络(150)相连接的第一可变电抗器(160)，其特征在于，所述可变电抗器装置还包括稳压器(110)，所述稳压器包括电容器(140)和温度依赖电容器(130)，并且所述稳压器包括用于连接到直流电源的装置(120)。
2、如权利要求1所述的可变电抗器装置(100)，其中，所述去耦网络(150)并联连接到所述第一可变电抗器(160)，而所述稳压器(110)的所述电容器(140)并联连接到所述去耦网络(150)，所述稳压器(110)的所述温度依赖电容器(130)串联连接到所述稳压器(110)的二极管。
3、如权利要求1或2所述的可变电抗器装置(100)，其中，所述第一可变电抗器(160)和所述温度依赖电容器(130)针对它们的电气参数中的一个或更多个具有实质上相同的温度依赖性。
4、如任一上述权利要求所述的可变电抗器装置(100)，其中，所述去耦网络(150)包括线圈(155)。
CN200480044193A 2004-10-11 2004-10-11 温度依赖性减小的可变电抗器装置 Expired - Fee Related CN100578914C (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/SE2004/001443 WO2006041336A1 (en) 2004-10-11 2004-10-11 A varactor device with reduced temperature dependence

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101044674A true CN101044674A (zh) 2007-09-26
CN100578914C CN100578914C (zh) 2010-01-06

Family

ID=36148561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200480044193A Expired - Fee Related CN100578914C (zh) 2004-10-11 2004-10-11 温度依赖性减小的可变电抗器装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7679461B2 (zh)
EP (1) EP1803214A1 (zh)
JP (1) JP4634459B2 (zh)
KR (1) KR101180179B1 (zh)
CN (1) CN100578914C (zh)
CA (1) CA2582322C (zh)
WO (1) WO2006041336A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009059873A1 (de) 2009-12-21 2011-06-22 Epcos Ag, 81669 Varaktor und Verfahren zur Herstellung eines Varaktors
US8928418B2 (en) * 2013-02-13 2015-01-06 International Business Machines Corporation Compensating for process variation in integrated circuit fabrication

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5323041Y2 (zh) * 1972-03-25 1978-06-15
US3757245A (en) * 1972-06-02 1973-09-04 Western Electric Co Temperature compensated field effect transistor crystal oscillator
JPS5087559A (zh) * 1973-12-05 1975-07-14
JPS53118404U (zh) * 1977-02-28 1978-09-20
JPS5426601A (en) * 1977-08-01 1979-02-28 Pioneer Electronic Corp Temperature compensating circuit for varactor
JPS61125208A (ja) * 1984-11-21 1986-06-12 Alps Electric Co Ltd 温度補償型水晶発振回路
JPH0799411A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Japan Radio Co Ltd 水晶発振回路
JP3395361B2 (ja) * 1994-05-25 2003-04-14 日新電機株式会社 充電導体支持装置
JP3876594B2 (ja) * 1999-06-17 2007-01-31 エプソントヨコム株式会社 温度補償発振器
JP2002084135A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Toyo Commun Equip Co Ltd 電圧制御型発振器
US6690251B2 (en) * 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
WO2002084781A1 (en) 2001-04-11 2002-10-24 Kyocera Wireless Corporation Tunable multiplexer

Also Published As

Publication number Publication date
CA2582322A1 (en) 2006-04-20
KR20070091102A (ko) 2007-09-07
US20090027132A1 (en) 2009-01-29
KR101180179B1 (ko) 2012-09-05
CA2582322C (en) 2013-12-10
US7679461B2 (en) 2010-03-16
CN100578914C (zh) 2010-01-06
JP4634459B2 (ja) 2011-02-16
EP1803214A1 (en) 2007-07-04
JP2008516444A (ja) 2008-05-15
WO2006041336A1 (en) 2006-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9106227B2 (en) Devices and methods for improving voltage handling and/or bi-directionality of stacks of elements when connected between terminals
US6628163B2 (en) Circuit for tuning an active filter
CN1883119A (zh) 具有增强的信号稳定性的锁相环结构
EP0501620B1 (en) Wideband oscillator with bias compensation
DE102008054150B4 (de) Treiber für eine organische Licht emittierende Diode
EP1750104B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Vibrations-Füllstand-Grenzstanderfassung
US20080036441A1 (en) Voltage regulating circuit having voltage stabilizing circuits
US20100102892A1 (en) Crystal oscillator
US20090154202A1 (en) Backlight inverter and method of driving same
CN101044674A (zh) 温度依赖性减小的可变电抗器装置
KR100859063B1 (ko) 백라이트 인버터에서의 구동 회로
CN1064787C (zh) 改善电源中负荷瞬变响应的电路
DE10351050A1 (de) Integrierter Ladungspumpen-Spannungswandler
CN101064494A (zh) 一种频率可调的晶体振荡电路
DE3690374C2 (zh)
CN102820851A (zh) 振荡电路
EP1886541A2 (de) Schaltungsanordnung zum betrieb einer entladungslampe mit temperaturausgleich
DE102020130518A1 (de) Oszillatorschaltung
CN1184305A (zh) 用于lcd屏幕控制电路电压发生器的控制信号
CN101150907A (zh) 光源驱动装置
DE112017005105T5 (de) Vorrichtungen und Verfahren zur Frequenzabstimmung von Dreh-Wanderwellen-Oszillatoren
CN1991657A (zh) 稳压电路
GB2363923A (en) Variable capacitance circuit
EP2782249A1 (en) Electrically programmable electronic load
CN110392982A (zh) 交错偏置变容二极管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100106

Termination date: 20191011

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee