KR100859063B1 - 백라이트 인버터에서의 구동 회로 - Google Patents

백라이트 인버터에서의 구동 회로 Download PDF

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Abstract

백라이트 인버터에서의 구동 회로가 제공된다. 본 발명은 다수의 스위칭소자를 포함하여 이루어지는 제1스위칭부, 다수의 스위칭소자를 포함하여 이루어지는 제2스위칭부, 다수의 스위칭소자를 포함하여 이루어지는 제3스위칭부, 상기 제1스위칭부와 제2스위칭부 사이에 연결되어 있고, 1차측 인덕턴스에 형성된 중간단자가 제3스위칭부와 연결되어 있고, 2차측 인덕턴스는 부하단에 연결되어 있는 트랜스포머를 포함한다.
구동, 백라이트, LCD, topology, 변압기, MOSFET, 트랜스포머.

Description

백라이트 인버터에서의 구동 회로 {Driving circuit in backlighting inverter}
도 1은 종래 백라이트 인버터에서의 구동 회로도이다.
도 2는 종래 백라이트 인버터의 회로도이다.
도 3은 종래 백라이트 인버터에서의 공진 주파수와 전압이득과의 관계를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터에서의 구동 회로도이다.
도 5 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터에서의 구동 회로의 구동 상태를 보여주는 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터의 회로도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터에서의 공진 주파수와 전압이득과의 관계를 도시한 그래프이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
NH1 제1FET NL1 제2FET
NH2 제3FET NL2 제4FET
NH3 제5FET NL3 제6FET
T1 트랜스포머 100 제1스위칭부
200 제2스위칭부 300 제3스위칭부
본 발명은 백라이트 인버터에서의 구동 회로에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치(Liquid Crystal Display, 이하 "LCD"라 함)는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 이러한 추세에 따라, LCD는 사무자동화 기기, 오디오/비디오 기기 등에 이용되고 있다. 한편, LCD는 매트릭스 형태로 배열되어진 다수의 제어용 스위치들에 인가되는 영상신호에 따라 광빔의 투과량이 조절되어 화면에 원하는 화상을 표시하게 된다. 이와 같은 LCD는 자발광 표시장치가 아니기 때문에 백 라이트(Back Light)와 같은 광원이 필요하다.
도 1은 종래 백라이트 인버터에서의 구동 회로도이다. 종래 백라이트 인버터에서의 구동 회로는 트랜스포머(T1), 제1FET(NH1), 제2FET(NL1), 제3FET(NH2), 제4FET(NL2)로 이루어진다.
도 1 (a)는 제1FET(NH1)와 제4FET(NL2)가 턴 온(Turn On) 된 상태이고, 도 1 (b)는 제2FET(NL1)와 제4FET(NL2)가 턴 온 된 상태이고, 도 1 (c)는 제3FET(NH2)와 제2FET(NL1)가 턴 온 된 상태이고, 도 1 (d)는 제2FET(NL1)와 제4FET(NL2)가 턴 온 된 상태를 도시하고 있다.
종래 구동 회로의 구동순서는 도 1 (a), 도 1 (b), 도 1 (c), 도 1 (d)의 순서로 구동하게 된다. 즉, 도 1 (a)에서 구동전압(Vbatt)은 제1FET(NH1)를 통해 입력되어 트랜스포머(T1)와 제4FET(NL2)의 경로를 통해 구동이 이루어지고, 도 1 (b)에서 제2FET(NL1)가 턴 온 되면서 제2FET(NL1), 트랜스포머(T1), 제4FET(NL2)의 경로를 통하여 남은 전류가 그라운드(GND)로 흡수되며, 도 1 (c)에서 제3FET(NH2)가 턴 온되어 구동전압(Vbatt)은 제3FET(NH2), 트랜스포머(T1), 제2FET(NL1)의 경로를 통해 구동이 이루어진다. 그리고, 도 1 (d)에서 제4FET(NH2)가 턴 온 되면서 제2FET(NL1), 트랜스포머(T1), 제4FET(NL2)의 경로를 통하여 남은 전류가 그라운드(GND)로 흡수된다.
도 2는 종래 백라이트 인버터의 회로도이다. 도 2 (a)는 종래 백라이트 인버터의 회로도이고, 도 2 (b)는 도 2 (a)에 도시된 회로도의 등가회로도이다. 도 2에서 보는 바와 같이, 종래 백라이트 인버터는 교류 승압을 위해 약 100배 정도의 턴비(Turn ratio)로 설계된 트랜스포머를 포함하고 있다. 도 2에서 변압기의 1차측에는 교류(AC) 전원이 입력되고, 2차측에는 램프(CCFL)가 연결되어 있다.
도 3은 종래 백라이트 인버터에서의 공진 주파수와 전압이득과의 관계를 도시한 그래프이다. 도 3에서 종래 백라이트 인버터에서는 부하저항(RL)이 커질수록 피크치(Peak value)가 증가한다.
도 3에서와 같은 공진특성을 갖는 변압기는 높은 이득을 얻기 위한 구동주파 수 범위가 있다. 일반적으로 변압기의 구동주파수는,
Fs<구동주파수<Fp
(단, Fs는 직렬 공진 주파수, Fp는 병렬 공진 주파수)
의 수식을 만족한다.
도 2 (b)의 등가회로도에서
Figure 112007029349840-pat00001
,
Figure 112007029349840-pat00002
의 수식으로 나타낼 수 있다.
이처럼, 종래 백라이트 인버터에서는 높은 이득을 얻기 위하여 적절한 구동주파수가 선정되어야 하며, 이 구동주파수 범위를 벗어나는 경우에는 높은 손실로 이어지기 때문에 고효율을 보장할 수 없게 된다. 그러나, 도 3과 같은 좁은 범위의 공진 주파수 특성을 갖는 종래 백라이트 인버터는 노트북 컴퓨터에 사용되는 백라이트 인버터에서와 같이 넓은 구동 주파수 대역이 필요한 경우에 적합하지 않다는 문제점이 있다.
본 발명은 백라이팅 인버터에서의 구동 회로가 다수의 공진 주파수 특성을 갖고, 보다 넓은 구동 주파수 범위에서 구동이 가능하다.
본 발명은 다수의 스위칭소자를 포함하여 이루어지는 제1스위칭부, 다수의 스위칭소자를 포함하여 이루어지는 제2스위칭부, 다수의 스위칭소자를 포함하여 이루어지는 제3스위칭부, 상기 제1스위칭부와 제2스위칭부 사이에 연결되어 있고, 1차측 인덕턴스에 형성된 중간단자가 제3스위칭부와 연결되어 있고, 2차측 인덕턴스는 부하단에 연결되어 있는 트랜스포머를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조해서 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터에서의 구동 회로도이다.
도 4에서 보는 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터에서의 구동 회로는 제1FET(NH1), 제2FET(NL1)로 이루어진 제1스위칭부(100), 제3FET(NH2), 제4FET(NL2)로 이루어진 제2스위칭부(200), 제5FET(NH3), 제6FET(NL3)로 이루어진 제3스위칭부(300), 및 트랜스포머(T1)를 포함하여 이루어진다. 본 발명의 일 실시예에서 각 FET는 MOSFET(Metal-oxide semiconductor field effect transistor)일 수 있다.
도 4의 실시예에서는 각 스위칭부를 구성하는 스위칭소자로써 FET가 예시되 어 있으나, 본 발명에서 스위칭소자는 이에 한정되는 것이 아니라 다양한 스위칭소자가 사용될 수 있다.
도 4에서 트랜스포머(T1)는 제1스위칭부(100)와 제2스위칭부(200) 사이에 연결되어 있고, 1차측 인덕턴스에 형성된 중간단자가 제3스위칭부(300)와 연결되어 있고, 2차측 인덕턴스는 부하단에 연결되어 있다.
도 4에서 각 구성요소간의 연결관계를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1FET(NH1)는 드레인이 입력전압(Vbatt)에 연결되고, 소스는 제2FET(NL1)의 드레인에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력된다.
제2FET(NL1)는 드레인이 제1FET(NH1)의 소스에 연결되고, 소스는 접지에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력된다.
제3FET(NH2)는 드레인이 입력전압(Vbatt)에 연결되고, 소스는 제4FET(NL2)의 드레인에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력된다.
제4FET(NL2)는 드레인이 제3FET(NH2)의 소스에 연결되고, 소스는 접지에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력된다.
제5FET(NH3)는 드레인이 입력전압(Vbatt)에 연결되고, 소스는 제6FET(NL3)의 드레인에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력된다.
제6FET(NL3)는 드레인이 제5FET(NH3)의 소스에 연결되고, 소스는 접지에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력된다.
트랜스포머(T1)는 일측단자는 제1FET(NH1)의 소스와 제2FET(NL1)의 드레인 사이에 연결되고 타측단자는 제3FET(NH2)의 소스와 제4FET(NL2)의 드레인 사이에 연결되는 1차측 인덕턴스와, 1차측 인덕턱스와 대응하며 부하에 연결되는 2차측 인덕턴스를 포함하여 이루어진다. 그리고, 1차측 인덕턴스의 소정위치에 형성된 중간단자가 제5FET(NH3)의 소스와 제6FET(NL3)의 드레인 사이에 연결되어 있다.
커패시터(C2)는 일측이 1차측 인덕턴스의 일측단자에 연결되고, 타측이 제1FET(NH1)의 소스와 제2FET(NL1)의 드레인 사이에 연결된다. 본 발명에서 커패시터(C2)는 트랜스포머(T1)의 1차측 인덕턴스와 함께 공진 파라미터로 사용된다.
본 발명에서는 도 4의 구동 회로도에서 FET들 중에서 동시에 두 개의 FET만 턴 온(Turn On)되고, 나머지 FET는 턴 오프(Turn Off) 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력된다. 이러한 구동 방식을 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터에서의 구동 회로의 구동 상태를 보여주는 도면이다. 도 5 내지 도 12에서 점선으로 표시된 화살표는 전류의 흐름을 나타낸다.
도 5는 제1FET(NH1)와 제4FET(NL2)가 동시에 턴 온 된 상태의 구동 모습이다. 도 5에서 제1FET(NH1)와 제4FET(NL2)가 동시에 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력된다. 도 5에서 인버터의 입력전압(Vbatt)으로부터 발생한 전류는 제1FET(NH1), 커패시터(C2), 트랜스포머(T1)의 1차측 인덕턴스, 제4FET(NL2)를 거치며 흐르게 된다.
도 6은 도 5의 상태에서 제1FET(NH1)를 턴 오프 시키고, 제2FET(NL1)를 턴 온 시킨 상태의 구동 모습이다. 즉, 도 6에서 제2FET(NL1)와 제4FET(NL2)가 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력된다.
도 6과 같은 구동 상태를 ZVS(Zero Voltage Switching)이라고 하는데, 구동 회로에서 지연시간(Delay time)을 얻기 위함이다. 즉, 구동 회로에서 갑자기 스위칭이 일어나면 남은 전류로 인한 쇼트(short), 스파크 등의 현상이 발생할 수 있기 때문에 이를 방지하기 위하여 ZVS 상태를 소정시간 유지한다. ZVS 상태에서는 남은 전류가 그라운드(GND)를 통해 방전되고, 이에 따라 다른 FET로 스위칭함에 있어서 안정적인 스위칭이 이루어지게 된다.
도 7은 제3FET(NH2)와 제2FET(NL1)가 동시에 턴 온 된 상태의 구동 모습이다. 도 7에서 제3FET(NH2)와 제2FET(NL1)가 동시에 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력된다. 도 7에서 입력전압(Vbatt)으로부터 발생한 전류는 도 5의 전류 흐름과는 반대방향으로 트랜스포머(T1)의 1차측 인덕턴스를 흐르게 된다.
도 8은 도 7의 상태에서 제3FET(NH2)를 턴 오프 시키고, 제4FET(NL2)를 턴 온 시킨 상태의 구동 모습이다. 즉, 도 8에서 제2FET(NL1)와 제4FET(NL2)가 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력된다. 도 8은 ZVS 상태이며, 본 발명에서 소정시간동안 ZVS 상태를 유지한 후에 다른 FET로 스위칭하는 것이 바람직하다.
도 9는 제1FET(NH1)와 제6FET(NL3)가 동시에 턴 온 된 상태의 구동 모습이 다. 도 9에서 제1FET(NH1)와 제6FET(NL3)가 동시에 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력된다.
도 9의 동작상태는 도 5 및 도 7의 동작상태와는 다른 새로운 공진영역을 갖고 구동하게 된다. 즉, 도 9에서 트랜스포머(T1)의 1차측의 인덕턴스값이 도 5 및도 7의 상태에 비해 줄어들면서 공진주파수는 상대적으로 커지게 되고, 이에 따라 높은 구동주파수 대역에서 고효율의 구동이 가능해진다.
도 9의 동작상태는 어떠한 조건에 의하여 만들어질 수 있다. 예를 들어 입력전압(Vbatt)의 하강, 구동주파수의 상승 등과 같은 조건이 있을 때 제3FET(NH2)와 제4FET(NL2)가 동시에 턴 오프가 되고, 제1FET(NH1)와 제6FET(NL3)가 턴 온 될 수 있다. 도 9에서 입력전압(Vbatt)으로부터 발생한 전류는 트랜스포머(T1)의 1차측 인덕턴스를 거쳐서 제6FET(NL3)의 드레인단으로 유입된다.
도 10은 도 9의 상태에서 제1FET(NH1)를 턴 오프 시키고, 제2FET(NL1)를 턴 온 시킨 상태의 구동 모습이다. 즉, 도 10에서 제2FET(NL1)와 제6FET(NL3)가 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력된다. 도 10은 ZVS 상태이며, 본 발명에서 소정시간동안 ZVS 상태를 유지한 후에 다른 FET로 스위칭하는 것이 바람직하다.
도 11은 도 10의 ZVS 상태에서 제6FET(NL3)를 턴 오프 시키고, 제5FET(NH3)를 턴 온 시킨 상태의 구동 모습이다. 즉, 도 11에서 제5FET(NH3)와 제2FET(NL1)가 동시에 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력된다. 도 11에서 입력전압(Vbatt)으로부터 발생한 전류는 도 9 의 전류 흐름과는 반대방향으로 트랜스포머(T1)의 1차측 인덕턴스를 흐르게 된다.
도 12는 도 11의 상태에서 제5FET(NH3)를 턴 오프 시키고, 제6FET(NL3)를 턴 온 시킨 상태의 구동 모습이다. 즉, 도 12에서 제2FET(NL1)와 제6FET(NL3)가 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력된다. 도 12는 ZVS 상태이며, 본 발명에서 소정시간동안 ZVS 상태를 유지한 후에 다른 FET로 스위칭하는 것이 바람직하다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터의 회로도이다. 도 13 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터 회로를 단순화한 회로도이고, 도 13 (b)는 도 13 (a)의 등가회로도이다. 도 13은 트랜스포머의 1차측에는 교류(AC) 전원이 입력되고, 2차측에는 램프(CCFL)가 연결된 실시예이다.
도 13에서 트랜스포머의 구동주파수는,
Fs<구동주파수<Fp (1)
(단, Fs는 직렬 공진 주파수, Fp는 병렬 공진 주파수)
의 수식을 만족한다.
도 13 (b)의 등가회로도에서 직렬 공진 주파수인 Fs와 병렬 공진 주파수인 Fp는 다음과 같은 수식으로 나타낼 수 있다.
Figure 112007029349840-pat00003
, (2)
Figure 112007029349840-pat00004
(3)
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 인버터에서의 공진 주파수와 전압이득과의 관계를 도시한 그래프이다.
도 14는 도 13의 회로도에서 트랜스포머의 턴비(turn ratio)는 1:93, C's는 1uF, Cp는 15pF, 2차측 누설 인덕턴스는 260mH일 때의 공진 주파수와 전압이득과의 관계를 도시한 그래프이다.
도 14에서 보는 바와 같이, 본 발명에서는 주파수에 따라 두 개의 피크치(peak value)가 존재한다. 이러한 공진특성으로 인하여 본 발명에서는 최대효율을 갖는 구동주파수의 범위가 넓어지게 된다.
이상 본 발명을 몇 가지 바람직한 실시예를 사용하여 설명하였으나, 이들 실시예는 예시적인 것이며 한정적인 것이 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 사상과 첨부된 특허청구범위에 제시된 권리범위에서 벗어나지 않으면서 다양한 변화와 수정을 가할 수 있음을 이해할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 보다 넓은 구동 주파수 범위에서 고효율의 구동이 가능하다는 효과가 있다. 따라서, 본 발명은 노트북 컴퓨터 에 사용되는 백라이트 인버터에서와 같이 넓은 구동 주파수 대역이 필요한 인버터의 설계, 입력전압의 범위가 광범위한 응용회로의 설계시에 매우 유용하다는 장점이 있다.
또한, 스위칭소자를 추가하는 방식으로 간단하게 2개 이상의 공진점을 생성할 수 있으며, 어떠한 구동 회로에서도 용이하게 응용이 가능하다는 장점이 있다.

Claims (11)

  1. 다수의 스위칭소자를 포함하여 이루어지는 제1스위칭부;
    다수의 스위칭소자를 포함하여 이루어지는 제2스위칭부;
    다수의 스위칭소자를 포함하여 이루어지는 제3스위칭부;
    상기 제1스위칭부와 제2스위칭부 사이에 연결되어 있고, 1차측 인덕턴스에 형성된 중간단자가 제3스위칭부와 연결되어 있고, 2차측 인덕턴스는 부하단에 연결되어 있는 트랜스포머
    를 포함하는 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭소자는 FET인 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1스위칭부는 드레인은 입력전압에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력되는 제1FET와, 드레인은 상기 제1FET의 소스에 연결되고, 소스는 접지에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력되는 제2FET를 포함하여 이루어지고,
    상기 제2스위칭부는 드레인은 입력전압에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력되는 제3FET와, 드레인은 상기 제3FET의 소스에 연결되고, 소스는 접지에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력되는 제4FET를 포함하여 이루어지고,
    상기 제3스위칭부는 드레인은 입력전압에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력되는 제5FET와, 드레인은 상기 제5FET의 소스에 연결되고, 소스는 접지에 연결되고, 게이트로 구동제어신호가 입력되는 제6FET를 포함하여 이루어지고,
    상기 트랜스포머는 일측단자는 상기 제1FET의 소스와 제2FET의 드레인 사이에 연결되고 타측단자는 상기 제3FET의 소스와 제4FET의 드레인 사이에 연결되는 1차측 인덕턴스와, 상기 1차측 인덕턱스와 대응하며 부하에 연결되는 2차측 인덕턴스를 포함하며, 상기 1차측 인덕턴스의 소정위치에 형성된 중간단자가 상기 제5FET의 소스와 제6FET의 드레인 사이에 연결되어 있는 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 FET들 중에서 동시에 두 개의 FET만 턴 온(Turn On)되고, 나머지 FET는 턴 오프(Turn Off) 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력되는 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1FET와 제4FET가 동시에 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하고, 상기 제1FET가 턴 오프 되면 제2FET가 턴 온 되고, 상기 제2FET와 제4FET가 소정시간동안 턴 온 상태를 유지한 후에 다른 FET가 턴 온 되도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력되거나,
    상기 제3FET와 제2FET가 동시에 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하고, 상기 제3FET가 턴 오프 되면 제4FET가 턴 온 되고, 상기 제2FET와 제4FET가 소정시간동안 턴 온 상태를 유지한 후에 다른 FET가 턴 온 되도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력되는 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1FET와 제6FET가 동시에 턴 온 되고, 나머지 FET는 턴 오프 상태를 유지하도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력되는 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  7. 제6항에 있어서,
    소정시간 이후에 상기 제1FET를 턴 오프시키고, 제2FET가 턴 온 되도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력되는 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2FET와 제6FET가 소정시간동안 턴 온 상태를 유지한 후에 제6FET를 턴 오프시키고 제5FET가 턴 온 되도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력되는 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제5FET와 제2FET가 소정시간 동안 턴 온 상태를 유지한 후에 제5FET를 턴 오프 시키고 제6FET가 턴 온 되도록 각 FET의 게이트에 구동제어신호가 입력되는 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  10. 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    일측은 상기 1차측 인덕턴스의 일측단자에 연결되고, 타측은 상기 제1FET의 소스와 제2FET의 드레인 사이에 연결되는 커패시터를 더 포함하는 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
  11. 제2항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 FET는 MOSFET인 백라이트 인버터에서의 구동 회로.
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