JPS61125208A - 温度補償型水晶発振回路 - Google Patents
温度補償型水晶発振回路Info
- Publication number
- JPS61125208A JPS61125208A JP59246846A JP24684684A JPS61125208A JP S61125208 A JPS61125208 A JP S61125208A JP 59246846 A JP59246846 A JP 59246846A JP 24684684 A JP24684684 A JP 24684684A JP S61125208 A JPS61125208 A JP S61125208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- circuit
- control voltage
- compensation
- crystal oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は温度補償型水晶発振回路、特に水晶振動子を用
いた発振回路の温度補償を行う温度補償型水晶発振回路
に関するものである。
いた発振回路の温度補償を行う温度補償型水晶発振回路
に関するものである。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点］従来、
水晶振動子を用いて安定な周波数を得るための温度補償
型水晶発振回路として、例えば第８図図示の如きコルピ
ッツ発振回路４を用いたものがある。該コルピッツ発振
回路４は、水晶振動子Ｘが誘導性インピーダンスの場合
に発振するから、当該水晶振動子Ｘに直列に図示可変容
量ダイオ−ｔ” Ｖ Ｄ ２を接続するようにし、当該
可変容量ダイオード■Ｄ２の両端に図示の如く感温素子
として例えばサーミスタＴ１１．およびＴ１１．を用い
て発生させた温度補償するための制御電圧Ｖ、を印加す
ることにより、温度補償した形の発振周波数信号を得て
いた。このように、温度補償する範囲の全体にわたって
前記サーミスタＴＨ３およびＴ１１４を用いて発生させ
た制御電圧Ｖ、を可変容量ダイオ−１” Ｖ Ｄ、に印
加する形で温度補償を行っているため、温度補償する範
囲が前記サーミスタＴＨ３およびＴ Ｈ，の感温特性に
依存してしまう。このため、例えば第９図図示（特公昭
４７−３４０９１号添付図面第１０図と同一のもの、■
印：設計値（ｍ＝０．８５）、点線：ｍ＝１）の如く特
に低い温度では前記サーミスタＴＨ，およびＴＨ，の感
温特性のバラツキが大きくなり、温度補償するための前
記制御電圧の発生に誤差が生じてしまい、広い温度範囲
例えば−３０°Ｃないし→−７０°Ｃの広い範囲にわた
って温度補償することが困難となってしまうという問題
点があった。
水晶振動子を用いて安定な周波数を得るための温度補償
型水晶発振回路として、例えば第８図図示の如きコルピ
ッツ発振回路４を用いたものがある。該コルピッツ発振
回路４は、水晶振動子Ｘが誘導性インピーダンスの場合
に発振するから、当該水晶振動子Ｘに直列に図示可変容
量ダイオ−ｔ” Ｖ Ｄ ２を接続するようにし、当該
可変容量ダイオード■Ｄ２の両端に図示の如く感温素子
として例えばサーミスタＴ１１．およびＴ１１．を用い
て発生させた温度補償するための制御電圧Ｖ、を印加す
ることにより、温度補償した形の発振周波数信号を得て
いた。このように、温度補償する範囲の全体にわたって
前記サーミスタＴＨ３およびＴ１１４を用いて発生させ
た制御電圧Ｖ、を可変容量ダイオ−１” Ｖ Ｄ、に印
加する形で温度補償を行っているため、温度補償する範
囲が前記サーミスタＴＨ３およびＴ Ｈ，の感温特性に
依存してしまう。このため、例えば第９図図示（特公昭
４７−３４０９１号添付図面第１０図と同一のもの、■
印：設計値（ｍ＝０．８５）、点線：ｍ＝１）の如く特
に低い温度では前記サーミスタＴＨ，およびＴＨ，の感
温特性のバラツキが大きくなり、温度補償するための前
記制御電圧の発生に誤差が生じてしまい、広い温度範囲
例えば−３０°Ｃないし→−７０°Ｃの広い範囲にわた
って温度補償することが困難となってしまうという問題
点があった。
即ち、このような誤差を極力押さえようとすると夫々の
抵抗値を夫々の発振回路毎に選定してゆく方法をとるこ
ととなり、きわめて繁雑である。また、水晶振動子を一
定の温度に保持したのでは、温度を一定に保持するため
に電力を消費してしまい、低消費電力化を図れないとい
う問題点があった。
抵抗値を夫々の発振回路毎に選定してゆく方法をとるこ
ととなり、きわめて繁雑である。また、水晶振動子を一
定の温度に保持したのでは、温度を一定に保持するため
に電力を消費してしまい、低消費電力化を図れないとい
う問題点があった。
本発明は、前記問題点を解決するために、高温域では可
変容量ダイオード等に印加する制御電圧を用いて温度補
償を行い、低温域では例えば前記可変容量ダイオード等
の合成リアクタンスを制御して温度補償すること等の構
成を採用することにより、温度補償された周波数信号を
得るようにしている。そのため、本発明の温度補償型水
晶発振回路は、水晶振動子を用いて発振さセる周波数の
温度による変化を補償する温度補償型水晶発振回路にお
いて、前記水晶振動子に対して感温素子と可変容量素子
とを少なくとも並列に接続したものを直列に接続してな
る当該水晶振動子の低温域における温度補償を行うリア
クタンス補償回路と、前記可変容量素子に対して前記水
晶振動子の周囲温度に対応した制御電圧を印加するよう
にしてなる当該水晶振動子の高温域における温度補償を
行う制御電圧発生回路とを少なくとも備えたことを特徴
としている。
変容量ダイオード等に印加する制御電圧を用いて温度補
償を行い、低温域では例えば前記可変容量ダイオード等
の合成リアクタンスを制御して温度補償すること等の構
成を採用することにより、温度補償された周波数信号を
得るようにしている。そのため、本発明の温度補償型水
晶発振回路は、水晶振動子を用いて発振さセる周波数の
温度による変化を補償する温度補償型水晶発振回路にお
いて、前記水晶振動子に対して感温素子と可変容量素子
とを少なくとも並列に接続したものを直列に接続してな
る当該水晶振動子の低温域における温度補償を行うリア
クタンス補償回路と、前記可変容量素子に対して前記水
晶振動子の周囲温度に対応した制御電圧を印加するよう
にしてなる当該水晶振動子の高温域における温度補償を
行う制御電圧発生回路とを少なくとも備えたことを特徴
としている。
以下図面を参照しつつ本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の１実施例構成図、第２図は第１図図示
本発明の１実施例構成によって得られた周波数特性例、
第３図ないし第７図は第１図図示本発明の１実施例構成
の動作を説明する動作説明図を示す。
本発明の１実施例構成によって得られた周波数特性例、
第３図ないし第７図は第１図図示本発明の１実施例構成
の動作を説明する動作説明図を示す。
図中、１はリアクタンス補償回路、２は制御電圧発生回
路、３はコルピッツ発振回路、Ｒ，Ｒ，、Ｒ３は抵抗、
ＶＤ、 、ＶＤ、は可変容量ダイオード、Ｔ Ｈ、ない
しＴＨ，はサーミスタ、Ｃ１ないしＣ１は容量、ＴＲ，
ないしＴＲ３はトランジスタを表す。
路、３はコルピッツ発振回路、Ｒ，Ｒ，、Ｒ３は抵抗、
ＶＤ、 、ＶＤ、は可変容量ダイオード、Ｔ Ｈ、ない
しＴＨ，はサーミスタ、Ｃ１ないしＣ１は容量、ＴＲ，
ないしＴＲ３はトランジスタを表す。
第１図において、図中リアクタンス補償回路１は本発明
に係わるものであって低温域における温度補償を行うた
めのものであり、温度変化に伴い発生するサーミスタＴ
Ｈ，の直列抵抗の変化によってコルビック発振回路３の
リアクタンス分（容量）を補償して周波数を一定に保持
するためΦものである。また、図中制御電圧発生回路２
は本発明に係わるものであって高温域における温度補償
を行うためのものであり、温度変化に伴い発生するサー
ミスタＴＨ，の直列抵抗の変化によってトランジスタＴ
Ｒｔのエミッタに発生させた制御電圧を可変容量ダイ
オードＶＤ、に印加してコルピッツ発振回路３の容量を
補償して周波数を一定に保持するためのものである。更
に、図中容量Ｃ３ないしＣ１は本発明において中温域に
おける温度補償を行うためのものであり、温度が上昇す
るに伴い容量が減少する負の係数を有するものであって
コルピッツ発振回路３の温度補償を行うためのものであ
る。以上述べた低温域、中温域および高温域に対して温
度補償を担当する温度（°Ｃ）と周波数変動分Δｆ／ｆ
との関係を示すと、夫々第２図図示ｔａ＋、（ｂｌおよ
び（Ｃ１の如き曲線となる。これらの曲線ｆａｔ、（ｂ
ｌおよびｔｃ＋を総合した形の曲線が、後述する第７図
図示温度補償曲線の如き３次曲線で表され、後述する第
３図図示ＡＴカットの水晶振動子の温度と周波数変動分
へｆ／ｆとの関係を表す３次曲線を補償する形となるよ
うに生成されているため、結果として第７図図示＋ｄｌ
の如く幅広い温度範囲例えば−３０°Ｃないし＋７０°
Ｃの範囲に対して極めて周波数変動の少ない発振周波数
信号を得ることができる。以下構成および動作を順次詳
細に説明する。
に係わるものであって低温域における温度補償を行うた
めのものであり、温度変化に伴い発生するサーミスタＴ
Ｈ，の直列抵抗の変化によってコルビック発振回路３の
リアクタンス分（容量）を補償して周波数を一定に保持
するためΦものである。また、図中制御電圧発生回路２
は本発明に係わるものであって高温域における温度補償
を行うためのものであり、温度変化に伴い発生するサー
ミスタＴＨ，の直列抵抗の変化によってトランジスタＴ
Ｒｔのエミッタに発生させた制御電圧を可変容量ダイ
オードＶＤ、に印加してコルピッツ発振回路３の容量を
補償して周波数を一定に保持するためのものである。更
に、図中容量Ｃ３ないしＣ１は本発明において中温域に
おける温度補償を行うためのものであり、温度が上昇す
るに伴い容量が減少する負の係数を有するものであって
コルピッツ発振回路３の温度補償を行うためのものであ
る。以上述べた低温域、中温域および高温域に対して温
度補償を担当する温度（°Ｃ）と周波数変動分Δｆ／ｆ
との関係を示すと、夫々第２図図示ｔａ＋、（ｂｌおよ
び（Ｃ１の如き曲線となる。これらの曲線ｆａｔ、（ｂ
ｌおよびｔｃ＋を総合した形の曲線が、後述する第７図
図示温度補償曲線の如き３次曲線で表され、後述する第
３図図示ＡＴカットの水晶振動子の温度と周波数変動分
へｆ／ｆとの関係を表す３次曲線を補償する形となるよ
うに生成されているため、結果として第７図図示＋ｄｌ
の如く幅広い温度範囲例えば−３０°Ｃないし＋７０°
Ｃの範囲に対して極めて周波数変動の少ない発振周波数
信号を得ることができる。以下構成および動作を順次詳
細に説明する。
第１図図中リアクタンス補償回路１は、可変容置ダイオ
ードＶＤ１、サーミスタＴＨ，、抵抗Ｒおよび容置ｃ、
、Ｃｚ とを図示の如く接続したものによって構成さ
れ、コルピッツ発振回路３を構成する水晶振動子Ｘとア
ースとの間に挿入される。
ードＶＤ１、サーミスタＴＨ，、抵抗Ｒおよび容置ｃ、
、Ｃｚ とを図示の如く接続したものによって構成さ
れ、コルピッツ発振回路３を構成する水晶振動子Ｘとア
ースとの間に挿入される。
該構成を採用したリアクタンス補償回路１は、既述した
如く低温域で第３図図示ＡＴカットの水晶振動子Ｘの温
度特性を補償するためのものであって、合成等価負荷容
量Ｃ，を求めると下式の如くなる。
如く低温域で第３図図示ＡＴカットの水晶振動子Ｘの温
度特性を補償するためのものであって、合成等価負荷容
量Ｃ，を求めると下式の如くなる。
（ＲＩＲ）” （１／（Ｃ＋＋ＣＪ）＋１／Ｃ２）
”（ＲＩＲ）” （Ｒ＋＋Ｒ）” １／（Ｃ＋＋ＣＪ ）÷１７Ｃ２
ＣＩ＋ＣＪ ω”（ＣｕＣＪ ）ＣＩＲ，＝Ｒｚ
ｓｅｘｐＢ（１／Ｔ＋−１／Ｔｚ） ・・” ” ”
・１２）ここで、Ｒ，はサーミスタＴ Ｈ、の内部抵抗
を表し、Ｃ４は可変容量ダイオードＶＤ、の接合容量を
表す。上式（１）によって可変容量ダイオード■Ｄ１の
接合容置ＣＪおよびサーミスタＴＨ，の抵抗Ｒ３を周囲
温度に追従する形で変化するよう構成すれば、等価負荷
容量Ｃ４が変化し、第２図図示曲線ｆａｔの如くなる。
”（ＲＩＲ）” （Ｒ＋＋Ｒ）” １／（Ｃ＋＋ＣＪ ）÷１７Ｃ２
ＣＩ＋ＣＪ ω”（ＣｕＣＪ ）ＣＩＲ，＝Ｒｚ
ｓｅｘｐＢ（１／Ｔ＋−１／Ｔｚ） ・・” ” ”
・１２）ここで、Ｒ，はサーミスタＴ Ｈ、の内部抵抗
を表し、Ｃ４は可変容量ダイオードＶＤ、の接合容量を
表す。上式（１）によって可変容量ダイオード■Ｄ１の
接合容置ＣＪおよびサーミスタＴＨ，の抵抗Ｒ３を周囲
温度に追従する形で変化するよう構成すれば、等価負荷
容量Ｃ４が変化し、第２図図示曲線ｆａｔの如くなる。
このため、低温域に関してコルピッツ発振回路３によっ
て発振される発振周波数を一定に保持するように制御す
ることができる。
て発振される発振周波数を一定に保持するように制御す
ることができる。
次に、第１図図中制御電圧発生回路２は、サーミスタＴ
Ｈ２、トランジスタＴＲ，、ＴＩン、および抵抗Ｒ２、
Ｒ，等を図示の如く接続したものによって構成され、コ
ルピッツ発振回路３の周波数を制御するための可変容量
ダイオードＶＤ、に印加する制御電圧を制御している。
Ｈ２、トランジスタＴＲ，、ＴＩン、および抵抗Ｒ２、
Ｒ，等を図示の如く接続したものによって構成され、コ
ルピッツ発振回路３の周波数を制御するための可変容量
ダイオードＶＤ、に印加する制御電圧を制御している。
該構成を採用した制御電圧発生回路２は、既述した如く
高温域で第３図図示ＡＴカットの水晶振動子Ｘの温度特
性を補償するためのものであって、第２図図示曲線（Ｃ
１の如き特性を得るためのものである。詳述すると、前
記制御電圧■を第４図（ロ）図示の如き形で可変容量ダ
イオード■Ｄ１に印加すると、当該可変容量ダイオード
ＶＤ、の図示接合容量は第４図（イ）図示曲線の如く変
化する。ここで、高温域例えば＋４０’Ｃないし＋７０
゛Ｃの範囲内で温度補償をするために必要な容量の変化
と温度との関係を求めると、第５図（イ）図示曲線の如
くなる。そして、当該第５図（イ）図示曲線の如き容量
を発生させるための電圧を既述した第４図（イ）図示曲
線を用いて求めると、第５図（ロ）図示曲線の如くなる
。また、サーミスタＴＨ，の温度Ｔ、（’ Ｃ）と抵抗
値との関係を表すと、第６図図示曲線の如くなる。従っ
て、第１図図示制御電圧発生回路２の如き構成を採用す
ると、第２図図示曲線（Ｃ１の如き温度と周波数変化分
Δｆ／ｆの関係が得られる。この際、抵抗Ｒ２および抵
抗Ｒ１の比を適宜選択していわゆるオフセントを設定し
、例えば第２図図示曲線（Ｃ１の如く４０°Ｃ以上の温
度になった場合に、当該制御電圧発生回路２を稼働状態
にすることができる。
高温域で第３図図示ＡＴカットの水晶振動子Ｘの温度特
性を補償するためのものであって、第２図図示曲線（Ｃ
１の如き特性を得るためのものである。詳述すると、前
記制御電圧■を第４図（ロ）図示の如き形で可変容量ダ
イオード■Ｄ１に印加すると、当該可変容量ダイオード
ＶＤ、の図示接合容量は第４図（イ）図示曲線の如く変
化する。ここで、高温域例えば＋４０’Ｃないし＋７０
゛Ｃの範囲内で温度補償をするために必要な容量の変化
と温度との関係を求めると、第５図（イ）図示曲線の如
くなる。そして、当該第５図（イ）図示曲線の如き容量
を発生させるための電圧を既述した第４図（イ）図示曲
線を用いて求めると、第５図（ロ）図示曲線の如くなる
。また、サーミスタＴＨ，の温度Ｔ、（’ Ｃ）と抵抗
値との関係を表すと、第６図図示曲線の如くなる。従っ
て、第１図図示制御電圧発生回路２の如き構成を採用す
ると、第２図図示曲線（Ｃ１の如き温度と周波数変化分
Δｆ／ｆの関係が得られる。この際、抵抗Ｒ２および抵
抗Ｒ１の比を適宜選択していわゆるオフセントを設定し
、例えば第２図図示曲線（Ｃ１の如く４０°Ｃ以上の温
度になった場合に、当該制御電圧発生回路２を稼働状態
にすることができる。
また、負の温度特性を有する図示容量Ｃ４ないしＣ１を
第１図図示の如く配置することによって、第２図図示曲
線ｆｂｌの如く温度が上昇するに伴い周波数変動分Δｆ
／ｆの値が大きくなるように構成することができる。し
たがって、第１図図示実施例の場合における総合特性は
、第２図図示曲線（ｄ）の如く温度に対して安定なもの
となる。
第１図図示の如く配置することによって、第２図図示曲
線ｆｂｌの如く温度が上昇するに伴い周波数変動分Δｆ
／ｆの値が大きくなるように構成することができる。し
たがって、第１図図示実施例の場合における総合特性は
、第２図図示曲線（ｄ）の如く温度に対して安定なもの
となる。
以上説明した如く、本発明によれば、高温域では可変容
量ダイオード等に印加する制御電圧を用いて温度補償を
行い、低温域では例えば前記可変容量ダイオード等の合
成リアクタンスを制御して温度補償すること等の構成を
採用しているため、広い温度範囲にわたって温度補償さ
れた発振周波数信号を得ることができる。特に、高温域
、中温域および低温域に分けた形で温度補償を行ってい
るため、あらゆる温度特性を有する水晶振動子に対して
温度補償を行うことができると共に、感温素子等のバラ
ツキ等に影響されることなく、しかも極めて安定な周波
数信号を得ることが可能となる。
量ダイオード等に印加する制御電圧を用いて温度補償を
行い、低温域では例えば前記可変容量ダイオード等の合
成リアクタンスを制御して温度補償すること等の構成を
採用しているため、広い温度範囲にわたって温度補償さ
れた発振周波数信号を得ることができる。特に、高温域
、中温域および低温域に分けた形で温度補償を行ってい
るため、あらゆる温度特性を有する水晶振動子に対して
温度補償を行うことができると共に、感温素子等のバラ
ツキ等に影響されることなく、しかも極めて安定な周波
数信号を得ることが可能となる。
第１図は本発明の１実施例構成図、第２図は第１図図示
本発明の１実施例構成によって得られた周波数特性例、
第３図ないし第７図は第１図図示本発明の１実施例構成
の動作を説明する動作説明図、第８図は従来の温度補償
型水晶発振回路、第９図は従来の周波数特性例を示す。 図中、１はリアクタンス補償回路、２は制御電圧発生回
路、３はコルピッツ発振回路、Ｒ，Ｒ２、Ｒ３は抵抗、
ＶＤ、 、ＶＤ２は可変容量ダイオード、Ｔ１１１ない
しＴＨａは勺−ミスタ、ｃｌないしＣ５は容量、ＴＲ，
ないしＴＲ３はトランジスタを表す。 特許出願人 アルプス電気株式会社 代理人弁理士 森１１：１ 寛（外３名）− １才
専繁 第９ ｍ
本発明の１実施例構成によって得られた周波数特性例、
第３図ないし第７図は第１図図示本発明の１実施例構成
の動作を説明する動作説明図、第８図は従来の温度補償
型水晶発振回路、第９図は従来の周波数特性例を示す。 図中、１はリアクタンス補償回路、２は制御電圧発生回
路、３はコルピッツ発振回路、Ｒ，Ｒ２、Ｒ３は抵抗、
ＶＤ、 、ＶＤ２は可変容量ダイオード、Ｔ１１１ない
しＴＨａは勺−ミスタ、ｃｌないしＣ５は容量、ＴＲ，
ないしＴＲ３はトランジスタを表す。 特許出願人 アルプス電気株式会社 代理人弁理士 森１１：１ 寛（外３名）− １才
専繁 第９ ｍ
Claims (1)
- 水晶振動子を用いて発振させる周波数の温度による変化
を補償する温度補償型水晶発振回路において、前記水晶
振動子に対して感温素子と可変容量素子とを少なくとも
並列に接続したものを直列に接続してなる当該水晶振動
子の低温域における温度補償を行うリアクタンス補償回
路と、前記可変容量素子に対して前記水晶振動子の周囲
温度に対応した制御電圧を印加するようにしてなる当該
水晶振動子の高温域における温度補償を行う制御電圧発
生回路とを少なくとも備えたことを特徴とする温度補償
型水晶発振回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246846A JPS61125208A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 温度補償型水晶発振回路 |
| US06/800,055 US4607237A (en) | 1984-11-21 | 1985-11-20 | Temperature-compensated crystal oscillator circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246846A JPS61125208A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 温度補償型水晶発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125208A true JPS61125208A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17154576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59246846A Pending JPS61125208A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 温度補償型水晶発振回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4607237A (ja) |
| JP (1) | JPS61125208A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69817101T2 (de) * | 1997-06-30 | 2004-06-09 | Mlr Electronique | Erfassung von Satellitensignalen für einen Empfänger |
| US6570461B1 (en) | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Cts Corporation | Trim effect compensation circuit |
| CA2582322C (en) * | 2004-10-11 | 2013-12-10 | Spartak Gevorgian | A varactor device with reduced temperature dependence |
| US7649426B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-01-19 | Cts Corporation | Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators |
| JP4704387B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-06-15 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
| KR102080117B1 (ko) * | 2013-09-16 | 2020-02-21 | 현대모비스 주식회사 | 스마트 키 시스템의 동작 성능 향상을 위한 포브 장치 |
| DE102016104256B3 (de) * | 2016-03-09 | 2017-07-06 | Infineon Technologies Ag | Transistorzellen und Kompensationsstruktur aufweisende Halbleitervorrichtung mit breitem Bandabstand |
| KR20180082707A (ko) | 2017-01-10 | 2018-07-19 | 삼성전자주식회사 | 온도 보상 발진 제어기 및 그것을 포함하는 온도 보상 수정 발진기 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513857A (ja) * | 1974-07-01 | 1976-01-13 | Nippon Electric Co | Ondohoshogataatsudenhatsushinki |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3641461A (en) * | 1968-08-23 | 1972-02-08 | Rca Corp | Temperature compensated crystal oscillator |
| US3527693A (en) * | 1968-09-06 | 1970-09-08 | Atlantic Richfield Co | Process for making jet fuel |
| FR2331195A1 (fr) * | 1975-11-07 | 1977-06-03 | Cepe | Oscillateur a large bande a commande electrique de frequence |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP59246846A patent/JPS61125208A/ja active Pending
-
1985
- 1985-11-20 US US06/800,055 patent/US4607237A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513857A (ja) * | 1974-07-01 | 1976-01-13 | Nippon Electric Co | Ondohoshogataatsudenhatsushinki |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4607237A (en) | 1986-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5883550A (en) | Crystal oscillator with a temperature-compensating analog circuit | |
| JPH0316802B2 (ja) | ||
| US4302731A (en) | Temperature-compensated crystal oscillator | |
| US5004988A (en) | Quartz crystal oscillator with temperature-compensated frequency characteristics | |
| JPS61125208A (ja) | 温度補償型水晶発振回路 | |
| US4456892A (en) | Temperature compensating circuit for use with crystal oscillators and the like | |
| JPS60815B2 (ja) | 同調回路の温度安定化装置 | |
| JPS61154206A (ja) | 圧電発振器 | |
| JPS6029216Y2 (ja) | 温度補償型圧電発振器 | |
| JPH10215120A (ja) | 水晶発振回路 | |
| JPS6038904A (ja) | 温度補償形周波数発生器 | |
| JPS6227564B2 (ja) | ||
| JP2002135051A (ja) | 圧電発振器 | |
| JPH08340214A (ja) | 水晶発振回路 | |
| JP2750904B2 (ja) | 温度補償発振器用の補償電圧発生回路 | |
| JPH02203605A (ja) | 温度補償水晶発振器 | |
| JPH1155034A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPS6024704A (ja) | 温度補償発振器 | |
| JP2975386B2 (ja) | デジタル温度補償発振器 | |
| JPH04259103A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPH0441606Y2 (ja) | ||
| JPS61289706A (ja) | 温度補償発振器 | |
| JPH06224635A (ja) | 温度補償水晶発振器 | |
| JPH0411377Y2 (ja) | ||
| JPS5921529Y2 (ja) | 電圧制御発振器 |