JPH1155034A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
- Publication number
- JPH1155034A JPH1155034A JP21108697A JP21108697A JPH1155034A JP H1155034 A JPH1155034 A JP H1155034A JP 21108697 A JP21108697 A JP 21108697A JP 21108697 A JP21108697 A JP 21108697A JP H1155034 A JPH1155034 A JP H1155034A
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- JP
- Japan
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- temperature
- voltage
- controlled oscillator
- variable capacitance
- capacitance diode
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発振周波数及び変調感度を高精度に温度補償
する。 【解決手段】 コルピッツ型の電圧制御発振器に対し、
その構成素子である可変容量ダイオードＣＲ１のカソー
ド電位を抵抗及びサーミスタＲＴ１からなる温度補償回
路で温度補償し、発振周波数の温度安定度を改善する。
また、可変容量ダイオードＣＲ１のアノードに供給され
る制御電圧を、抵抗及びサーミスタＲＴ２からなる温度
補償回路で温度補償し、電圧制御発振器の変調感度の温
度安定度を改善する。
する。 【解決手段】 コルピッツ型の電圧制御発振器に対し、
その構成素子である可変容量ダイオードＣＲ１のカソー
ド電位を抵抗及びサーミスタＲＴ１からなる温度補償回
路で温度補償し、発振周波数の温度安定度を改善する。
また、可変容量ダイオードＣＲ１のアノードに供給され
る制御電圧を、抵抗及びサーミスタＲＴ２からなる温度
補償回路で温度補償し、電圧制御発振器の変調感度の温
度安定度を改善する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電圧制御発振器に関
し、特に発振周波数及び変調感度について温度補償型の
電圧制御発振器に関する。
し、特に発振周波数及び変調感度について温度補償型の
電圧制御発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電圧制御発振器は、特開
平４―２５９１０３号公報に開示されている。かかる従
来の周波数温度補償型の電圧制御発振器が図４に示され
ている。同図に示されている発振器において、ＣＲ１は
外部から入力される制御電圧により容量を制御できる可
変容量ダイオードであり、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ
３，Ｃ４，Ｃ５（容量値は、順に、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，
Ｃ４，Ｃ５であるものとする）、インダクタＬ１（イン
ダクタンス値は、Ｌ１であるものとする）及びトランジ
スタＱ１と共にコルピッツ（Ｃｏｌｐｉｔｔｓ）型電圧
制御発振器を構成している。抵抗Ｒ４，Ｒ５（抵抗値は
順に、Ｒ４，Ｒ５であるものとする）は制御電圧を分圧
し、周波数の可変範囲を決定する。電圧制御発振器の発
振周波数ｆは、 ｆ＝１／｛２π（Ｌ１・Ｃ）1/2 ｝…（１） となる。なお、式（１）において、Ｃ＝ＣA ＋ＣB であ
り、 ＣA ＝Ｃ１・Ｃ２・ＣＲ１／（Ｃ１・Ｃ２＋Ｃ１・ＣＲ
１＋Ｃ２・ＣＲ２）， ＣB ＝Ｃ３・Ｃ４・Ｃ５／（Ｃ３・Ｃ４＋Ｃ４・Ｃ５＋
Ｃ３・Ｃ５） である。
平４―２５９１０３号公報に開示されている。かかる従
来の周波数温度補償型の電圧制御発振器が図４に示され
ている。同図に示されている発振器において、ＣＲ１は
外部から入力される制御電圧により容量を制御できる可
変容量ダイオードであり、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ
３，Ｃ４，Ｃ５（容量値は、順に、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，
Ｃ４，Ｃ５であるものとする）、インダクタＬ１（イン
ダクタンス値は、Ｌ１であるものとする）及びトランジ
スタＱ１と共にコルピッツ（Ｃｏｌｐｉｔｔｓ）型電圧
制御発振器を構成している。抵抗Ｒ４，Ｒ５（抵抗値は
順に、Ｒ４，Ｒ５であるものとする）は制御電圧を分圧
し、周波数の可変範囲を決定する。電圧制御発振器の発
振周波数ｆは、 ｆ＝１／｛２π（Ｌ１・Ｃ）1/2 ｝…（１） となる。なお、式（１）において、Ｃ＝ＣA ＋ＣB であ
り、 ＣA ＝Ｃ１・Ｃ２・ＣＲ１／（Ｃ１・Ｃ２＋Ｃ１・ＣＲ
１＋Ｃ２・ＣＲ２）， ＣB ＝Ｃ３・Ｃ４・Ｃ５／（Ｃ３・Ｃ４＋Ｃ４・Ｃ５＋
Ｃ３・Ｃ５） である。
【０００３】ここで、周囲温度が変化すると、共振素子
の定数が変化し、発振周波数が変化する。このため、抵
抗Ｒ１〜Ｒ３及びサーミスタＲＴ１により、可変容量ダ
イオードＣＲ１にカソード電圧を温度補償し、各共振素
子の温度変化分を相殺するように可変容量ダイオードＣ
Ｒ１の動作点を変化させることで、制御電圧がある特定
の値（通常０［Ｖ］）の時の発振周波数の温度安定性を
高めている。
の定数が変化し、発振周波数が変化する。このため、抵
抗Ｒ１〜Ｒ３及びサーミスタＲＴ１により、可変容量ダ
イオードＣＲ１にカソード電圧を温度補償し、各共振素
子の温度変化分を相殺するように可変容量ダイオードＣ
Ｒ１の動作点を変化させることで、制御電圧がある特定
の値（通常０［Ｖ］）の時の発振周波数の温度安定性を
高めている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電圧制
御発振器に使用している可変容量ダイオードの特性が図
５及び図６に示されている。図５に示されているよう
に、制御電圧の幅を±Ｖ0・Ｒ５／（Ｒ４＋Ｒ５）で一
定としたまま可変容量ダイオードの動作点を温度に応じ
て変化させると、可変容量ダイオードの容量の変化量が ΔＣ（低温）＞ΔＣ（常温）＞ΔＣ（高温） のように変化する。このため、図６に示されているよう
に、電圧制御発振器の変調感度が温度に応じて変化す
る。すなわち、低温（破線），常温（実線），高温（一
点鎖線）の各場合において傾きが夫々変化する。
御発振器に使用している可変容量ダイオードの特性が図
５及び図６に示されている。図５に示されているよう
に、制御電圧の幅を±Ｖ0・Ｒ５／（Ｒ４＋Ｒ５）で一
定としたまま可変容量ダイオードの動作点を温度に応じ
て変化させると、可変容量ダイオードの容量の変化量が ΔＣ（低温）＞ΔＣ（常温）＞ΔＣ（高温） のように変化する。このため、図６に示されているよう
に、電圧制御発振器の変調感度が温度に応じて変化す
る。すなわち、低温（破線），常温（実線），高温（一
点鎖線）の各場合において傾きが夫々変化する。
【０００５】このような特性の電圧制御発振器を位相同
期ループ（Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ；ＰＬ
Ｌ）に用いると、電圧制御発振器の変調感度の変化がそ
のままＰＬＬの応答速度に反映されるため、ＰＬＬ応答
特性が温度により不安定になるという欠点がある。
期ループ（Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ；ＰＬ
Ｌ）に用いると、電圧制御発振器の変調感度の変化がそ
のままＰＬＬの応答速度に反映されるため、ＰＬＬ応答
特性が温度により不安定になるという欠点がある。
【０００６】本発明は上述した従来技術の欠点を解決す
るためになされたものであり、その目的は発振周波数及
び変調感度を高い精度で温度補償することのできる電圧
制御発振器を提供することである。
るためになされたものであり、その目的は発振周波数及
び変調感度を高い精度で温度補償することのできる電圧
制御発振器を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による電圧制御発
振器は、可変容量ダイオードと発振素子とを含むコルピ
ッツ型の電圧制御発振器であって、前記可変容量ダイオ
ードのアノード側に設けられ自発振器の変調感度の温度
特性を補償するための変調感度温度特性補償手段を含む
ことを特徴とする。
振器は、可変容量ダイオードと発振素子とを含むコルピ
ッツ型の電圧制御発振器であって、前記可変容量ダイオ
ードのアノード側に設けられ自発振器の変調感度の温度
特性を補償するための変調感度温度特性補償手段を含む
ことを特徴とする。
【０００８】また、本発明による他の電圧制御発振器
は、前記可変容量ダイオードのカソード側に設けられ自
発振器の発振周波数の温度特性を補償するための発振周
波数温度特性補償手段を更に含むことを特徴とする。
は、前記可変容量ダイオードのカソード側に設けられ自
発振器の発振周波数の温度特性を補償するための発振周
波数温度特性補償手段を更に含むことを特徴とする。
【０００９】要するに本電圧制御発振器は、コルピッツ
型の電圧制御発振器に対し、その構成素子である可変容
量ダイオードのカソード側では温度特性を持たせた直流
電圧で発振周波数の温度安定度を改善させており、アノ
ード側では温度特性を持たせた制御電圧で変調感度の温
度安定度を改善させているのである。
型の電圧制御発振器に対し、その構成素子である可変容
量ダイオードのカソード側では温度特性を持たせた直流
電圧で発振周波数の温度安定度を改善させており、アノ
ード側では温度特性を持たせた制御電圧で変調感度の温
度安定度を改善させているのである。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の一形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００１１】図１は本発明による電圧制御発振器の実施
の一形態を示す回路図であり、図４と同等部分は同一符
号により示されている。同図において、可変容量ダイオ
ードＣＲ１、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ
５、インダクタＬ１及びトランジスタＱ１からなるコル
ピッツ型電圧制御発振器である。可変容量ダイオードＣ
Ｒ１のカソード側には抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びサーミ
スタＲＴ１より構成される温度補償回路が接続されてい
る。さらに、アノード側には、外部からの制御電圧を抵
抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６及びサーミスタＲＴ２により分圧す
る回路が接続されている。
の一形態を示す回路図であり、図４と同等部分は同一符
号により示されている。同図において、可変容量ダイオ
ードＣＲ１、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ
５、インダクタＬ１及びトランジスタＱ１からなるコル
ピッツ型電圧制御発振器である。可変容量ダイオードＣ
Ｒ１のカソード側には抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びサーミ
スタＲＴ１より構成される温度補償回路が接続されてい
る。さらに、アノード側には、外部からの制御電圧を抵
抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６及びサーミスタＲＴ２により分圧す
る回路が接続されている。
【００１２】かかる構成において、制御電圧が０［Ｖ］
の場合は、可変容量ダイオードＣＲ１のカソードに抵抗
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びサーミスタＲＴ１により電源電圧
を分圧した電圧がかかる。周囲温度が変化すると、発振
器を構成するリアクタンス素子の定数が変化する。これ
を相殺するために可変容量ダイオードＣＲ１のカソード
電圧を温度変化に応じて変化させる。すなわち、制御電
圧が０［Ｖ］の場合における発振周波数を温度に関係な
く一定とするように、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びサーミ
スタＲＴ１からなる周波数温度補償回路を用いて、可変
容量ダイオードＣＲ１の動作点を変化させているのであ
る。
の場合は、可変容量ダイオードＣＲ１のカソードに抵抗
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びサーミスタＲＴ１により電源電圧
を分圧した電圧がかかる。周囲温度が変化すると、発振
器を構成するリアクタンス素子の定数が変化する。これ
を相殺するために可変容量ダイオードＣＲ１のカソード
電圧を温度変化に応じて変化させる。すなわち、制御電
圧が０［Ｖ］の場合における発振周波数を温度に関係な
く一定とするように、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びサーミ
スタＲＴ１からなる周波数温度補償回路を用いて、可変
容量ダイオードＣＲ１の動作点を変化させているのであ
る。
【００１３】また、可変容量ダイオードＣＲ１の動作点
を変化させることにより生じる可変容量ダイオードＣＲ
１の容量の変化幅が変化してしまうことに対し、抵抗Ｒ
４，Ｒ５，Ｒ６及びサーミスタＲＴ２による制御電圧の
分圧回路にも温度特性を持たせているのである。
を変化させることにより生じる可変容量ダイオードＣＲ
１の容量の変化幅が変化してしまうことに対し、抵抗Ｒ
４，Ｒ５，Ｒ６及びサーミスタＲＴ２による制御電圧の
分圧回路にも温度特性を持たせているのである。
【００１４】このため、本実施形態の回路においては、
周囲温度に応じて電源電圧の分圧比が温度補償された電
圧が可変容量ダイオードのカソード側に供給されること
から発振周波数の温度安定度が向上する。
周囲温度に応じて電源電圧の分圧比が温度補償された電
圧が可変容量ダイオードのカソード側に供給されること
から発振周波数の温度安定度が向上する。
【００１５】また、アノード側には周囲温度に応じて制
御電圧の分圧比が温度補償された電圧が供給されること
から、変調感度の温度安定度が向上する。
御電圧の分圧比が温度補償された電圧が供給されること
から、変調感度の温度安定度が向上する。
【００１６】ここで、図２及び図５を用いて、変調感度
の温度補償動作について説明する。
の温度補償動作について説明する。
【００１７】いま、制御電圧が０±Ｖ0 （Ｖ）の範囲で
入力されると仮定すると、可変容量ダイオードＣＲ１の
アノード入力電圧Ｖａ（Ｔ）は Ｖａ（Ｔ）＝±Ｋ（Ｔ）Ｖ0 …（２） となる。なお、式（２）において、Ｋ（Ｔ）＝｛Ｒ５＋
Ｒ６・ＲＴ２／（Ｒ６＋ＲＴ２）｝／｛Ｒ４＋Ｒ５＋Ｒ
６・ＲＴ２／（Ｒ６＋ＲＴ２）｝である。
入力されると仮定すると、可変容量ダイオードＣＲ１の
アノード入力電圧Ｖａ（Ｔ）は Ｖａ（Ｔ）＝±Ｋ（Ｔ）Ｖ0 …（２） となる。なお、式（２）において、Ｋ（Ｔ）＝｛Ｒ５＋
Ｒ６・ＲＴ２／（Ｒ６＋ＲＴ２）｝／｛Ｒ４＋Ｒ５＋Ｒ
６・ＲＴ２／（Ｒ６＋ＲＴ２）｝である。
【００１８】温度によらずに変調感度を一定にするに
は、図２において、ΔＣ（低温）＝ΔＣ（常温）＝ΔＣ
（高温）＝ΔＣ…（３）とすることが必要である。可変
容量ダイオードＣＲ１の容量の変化分ΔＣは、アノード
電位の変化幅によって決定される。このため、各温度で
のカソード電位を中心に、図５に示されているΔＣが一
定となるようにＫ（Ｔ）を変化させれば良い。すなわ
ち、抵抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６及びサーミスタＲＴ２で構成
される温度補償回路を設けることで、電圧制御発振器の
変調感度を、図３に示されているような温度に依存しな
い一定の値とすることが可能となる。なお、図３におい
て、図６の場合と同一の特性については同一の線種によ
って示されているものとする。
は、図２において、ΔＣ（低温）＝ΔＣ（常温）＝ΔＣ
（高温）＝ΔＣ…（３）とすることが必要である。可変
容量ダイオードＣＲ１の容量の変化分ΔＣは、アノード
電位の変化幅によって決定される。このため、各温度で
のカソード電位を中心に、図５に示されているΔＣが一
定となるようにＫ（Ｔ）を変化させれば良い。すなわ
ち、抵抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６及びサーミスタＲＴ２で構成
される温度補償回路を設けることで、電圧制御発振器の
変調感度を、図３に示されているような温度に依存しな
い一定の値とすることが可能となる。なお、図３におい
て、図６の場合と同一の特性については同一の線種によ
って示されているものとする。
【００１９】ところで、現実の回路においては、上記式
（３）は近似的に成立するのが一般的である。各温度に
おける可変ダイオードの容量の変化分ΔＣは、ほぼ一定
であれば発振周波数が一定であり、ＰＬＬのロック状態
が維持される限り問題はない。その他、要求される設計
仕様に応じてサーミスタや各抵抗の特性を選定すれば良
い。
（３）は近似的に成立するのが一般的である。各温度に
おける可変ダイオードの容量の変化分ΔＣは、ほぼ一定
であれば発振周波数が一定であり、ＰＬＬのロック状態
が維持される限り問題はない。その他、要求される設計
仕様に応じてサーミスタや各抵抗の特性を選定すれば良
い。
【００２０】本例では、温度が上昇すると抵抗値が増加
するサーミスタを用いているが、必要であれば温度が上
昇すると抵抗値が減少するものを用いたり、両者を直列
や並列に組合わせて所望の特性を得ることもできる。
するサーミスタを用いているが、必要であれば温度が上
昇すると抵抗値が減少するものを用いたり、両者を直列
や並列に組合わせて所望の特性を得ることもできる。
【００２１】なお、本発振器によれば温度変化に影響さ
れずに一定の発振出力を得ることができるので、特に温
度変化の激しい宇宙空間において使用する機器に本発振
器を用いればその効果は大きなものとなる。
れずに一定の発振出力を得ることができるので、特に温
度変化の激しい宇宙空間において使用する機器に本発振
器を用いればその効果は大きなものとなる。
【００２２】これまで説明したように、本発明の電圧制
御発振器では、可変容量ダイオードのカソード側に周囲
温度に応じて電源電圧の分圧比を補正する温度補償回路
を備え、かつ、アノード側に周囲温度に応じて制御電圧
の分圧比を補正する温度補償回路を備えることにより、
発振周波数及び変調感度の温度による変化を、安定にす
ることができるのである。
御発振器では、可変容量ダイオードのカソード側に周囲
温度に応じて電源電圧の分圧比を補正する温度補償回路
を備え、かつ、アノード側に周囲温度に応じて制御電圧
の分圧比を補正する温度補償回路を備えることにより、
発振周波数及び変調感度の温度による変化を、安定にす
ることができるのである。
【００２３】請求項の記載に関連して本発明は更に次の
態様をとりうる。
態様をとりうる。
【００２４】（１）宇宙空間において使用され可変容量
ダイオードと発振素子とを含む電圧制御発振器であっ
て、前記可変容量ダイオードのアノード側に設けられ自
発振器の変調感度の温度特性を補償するための変調感度
温度特性補償手段を含むことを特徴とする電圧制御発振
器。
ダイオードと発振素子とを含む電圧制御発振器であっ
て、前記可変容量ダイオードのアノード側に設けられ自
発振器の変調感度の温度特性を補償するための変調感度
温度特性補償手段を含むことを特徴とする電圧制御発振
器。
【００２５】（２）前記変調感度温度特性補償手段は、
周囲温度に応じて抵抗値が変化するサーミスタ及びこの
サーミスタに直列に接続された抵抗器からなる分圧回路
を含み、この分圧回路による分圧出力電圧を前記可変容
量ダイオードのアノードに印加することを特徴とする
（１）記載の電圧制御発振器。
周囲温度に応じて抵抗値が変化するサーミスタ及びこの
サーミスタに直列に接続された抵抗器からなる分圧回路
を含み、この分圧回路による分圧出力電圧を前記可変容
量ダイオードのアノードに印加することを特徴とする
（１）記載の電圧制御発振器。
【００２６】（３）前記可変容量ダイオードのカソード
側に設けられ自発振器の発振周波数の温度特性を補償す
るための発振周波数温度特性補償手段を更に含むことを
特徴とする（１）又は（２）記載の電圧制御発振器。
側に設けられ自発振器の発振周波数の温度特性を補償す
るための発振周波数温度特性補償手段を更に含むことを
特徴とする（１）又は（２）記載の電圧制御発振器。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電圧制御
発振器の可変容量ダイオードのカソード側に、周囲温度
の変化に応じて電源電圧の分圧比を補正する回路を設け
る共に、アノード側に、周囲温度の変化に応じて制御電
圧の分圧比を補正する回路を設けることにより、発振周
波数及び変調感度の温度による変化を、高い精度で補償
することのできる安定にすることができるという効果が
ある。
発振器の可変容量ダイオードのカソード側に、周囲温度
の変化に応じて電源電圧の分圧比を補正する回路を設け
る共に、アノード側に、周囲温度の変化に応じて制御電
圧の分圧比を補正する回路を設けることにより、発振周
波数及び変調感度の温度による変化を、高い精度で補償
することのできる安定にすることができるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態による電圧制御発振器の
構成を示す回路図である。
構成を示す回路図である。
【図２】図１の電圧制御発振器における可変容量ダイオ
ードの動作点と容量の変化量とを示す図である。
ードの動作点と容量の変化量とを示す図である。
【図３】図１の電圧制御発振器の電圧−周波数特性を示
す図である。
す図である。
【図４】従来の電圧制御発振器の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図５】図４の電圧制御発振器における可変容量ダイオ
ードの動作点と容量の変化量とを示す図である。
ードの動作点と容量の変化量とを示す図である。
【図６】図４の電圧制御発振器の電圧―周波数特性を示
す図である。
す図である。
Ｃ１〜Ｃ５ コンデンサ ＣＲ１ 可変容量ダイオード Ｌ１ インダクタ Ｑ１ トランジスタ Ｒ１〜Ｒ６ 抵抗 ＲＴ１，ＲＴ２ サーミスタ
Claims (3)
- 【請求項１】 可変容量ダイオードと発振素子とを含む
コルピッツ型の電圧制御発振器であって、前記可変容量
ダイオードのアノード側に設けられ自発振器の変調感度
の温度特性を補償するための変調感度温度特性補償手段
を含むことを特徴とする電圧制御発振器。 - 【請求項２】 前記変調感度温度特性補償手段は、周囲
温度に応じて抵抗値が変化するサーミスタ及びこのサー
ミスタに直列に接続された抵抗器からなる分圧回路を含
み、この分圧回路による分圧出力電圧を前記可変容量ダ
イオードのアノードに印加することを特徴とする請求項
１記載の電圧制御発振器。 - 【請求項３】 前記可変容量ダイオードのカソード側に
設けられ自発振器の発振周波数の温度特性を補償するた
めの発振周波数温度特性補償手段を更に含むことを特徴
とする請求項１又は２記載の電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21108697A JPH1155034A (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21108697A JPH1155034A (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1155034A true JPH1155034A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16600193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21108697A Pending JPH1155034A (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1155034A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007052343A1 (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-10 | Hitachi, Ltd. | 電圧制御発振器およびそれを用いたレーダシステム |
| JP2013031215A (ja) * | 2007-10-17 | 2013-02-07 | Autoliv Asp Inc | カスケード接続されたエミッタフォロワバッファ段を有する電圧制御発振器 |
| US8669816B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-03-11 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | Integrated circuit device, electronic device and method therefor |
| CN106374836A (zh) * | 2016-10-14 | 2017-02-01 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种压控温度补偿晶体振荡器 |
-
1997
- 1997-08-06 JP JP21108697A patent/JPH1155034A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007052343A1 (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-10 | Hitachi, Ltd. | 電圧制御発振器およびそれを用いたレーダシステム |
| JPWO2007052343A1 (ja) * | 2005-11-02 | 2009-04-30 | 株式会社日立製作所 | 電圧制御発振器およびそれを用いたレーダシステム |
| JP2013031215A (ja) * | 2007-10-17 | 2013-02-07 | Autoliv Asp Inc | カスケード接続されたエミッタフォロワバッファ段を有する電圧制御発振器 |
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| CN106374836A (zh) * | 2016-10-14 | 2017-02-01 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种压控温度补偿晶体振荡器 |
| CN106374836B (zh) * | 2016-10-14 | 2023-07-28 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种压控温度补偿晶体振荡器 |
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