CN101038400A - 表面光源装置及具有该表面光源装置的背光单元 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种表面光源装置，包括：光源主体，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之间形成多个放电空间，放电气体被供给到放电空间中；反射层，形成在第一基底的内表面上；第一吸附防止层，形成在反射层上，用于防止放电气体被吸附到反射层上；第一荧光层，形成在第一吸附防止层上；第二荧光层，形成在第二基底的内表面上；电极，将放电电压施加到放电气体。因此，由于放电气体在放电空间中均匀地分布，所以表面光源装置具有改善的亮度均匀性。

Description

表面光源装置及具有该表面光源装置的背光单元
本申请要求于2006年3月16日提交的第2006-0024135号韩国专利申请的利益，该申请的内容通过引用结合于此。
                        技术领域
本发明涉及一种表面光源装置以及具有该表面光源装置的背光单元，更具体地讲，涉及一种具有改良的亮度均匀的表面光源装置以及具有将该表面光源装置作为光源的背光单元。
                         背景技术
通常，液晶(LC)具有电学特性和光学特性。根据电场的方向，通过电学特性改变LC的排列，根据这种排列，通过光学特性改变LC的透射率。
液晶显示(LCD)装置利用液晶的电学特性和光学特性来显示图像。由于LCD装置与阴极射线管(CRT)装置相比尺寸非常小并且重量轻，所以被广泛地用于便携式计算机、通信产品、液晶电视(LCTV)接收器以及航空和航天工业等。
LCD装置需要用于控制LC的液晶控制部分以及用于将光提供给LC的光供给部分。
液晶控制部分包括设置在第一基底上的多个像素电极、设置在第二基底上的单个共电极和介于像素电极和共电极之间的液晶。多个像素电极用于LCD装置的分辨率，单个共电极与像素电极相对地布置。每个像素电极都被连接到薄膜晶体管(TFT)上以将各不相同的像素电压施加到像素电极上。相同等级的参考电压被施加到共电极。像素电极和共电极由透明的导电材料制成。
光供给部分将光提供给液晶控制部分的LC。光依次穿过像素电极、LC和共电极。穿过LC的图像的显示质量主要依赖光供给部分的亮度和亮度均匀性。通常，当亮度和亮度均匀性很高时，显示质量是良好的。
在传统的LCD装置中，光供给部分通常使用条形的冷阴极荧光灯(CCFL)或者点状的发光二极管(LED)。CCFL与白炽灯相比具有较高的亮度和较长的使用寿命并且产生较少量的热。LED具有高的亮度。然而，在传统的CCFL或者LED中，亮度均匀性很差。
因此，为了增加亮度均匀性，使用CCFL或者LED作为光源的光供给部分需要光学构件，例如导光板(LGP)、漫射构件和棱镜片。这样，使用CCFL或者LED的LCD装置由于这些光学构件而尺寸变大，重量变沉。
为了解决上述问题，提出了一种平板形状的表面光源装置。传统的表面光源装置被分成由独立的分隔件形成多个放电空间的表面光源装置(以下称为“独立分隔件型表面光源装置”)以及由整体地形成在起皱的基底(corrugated substrate)上的一体分隔件形成多个放电空间的表面光源装置(以下称为“一体分隔件型表面光源装置”)。
传统的独立分隔件型表面光源装置包括第一基底、位于第一基底上的第二基底和位于第一基底和第二基底的边缘之间用于限定内部空间的密封构件。独立分隔件位于内部空间中，从而将内部空间分成多个放电空间，包括汞气的放电气体被注入放电空间中。荧光层形成在第一基底和第二基底的内表面上。沿着第一基底和第二基底的外表面的两个边缘形成用于将电压施加到放电气体的电极。此外，反射层介于第一基底和荧光层之间。
传统的一体分隔件型表面光源装置包括第一基底和位于第一基底上的第二基底。第二基底起皱以形成多个一体的分隔件。分隔件与第一基底接触，从而形成放电气体被注入其中的多个放电空间。第二基底的边缘通过用于密封的玻璃料被粘结到第一基底。荧光层形成在第一基底和第二基底的内表面上。沿着第一基底和第二基底的外表面的边缘形成用于将电压施加到放电气体上的电极。此外，反射层介于第一基底和荧光层之间。
这里，包含在放电气体中的汞气对温度非常敏感。即，汞气流向温度相对低的位置，而不是均匀地漫射。
在上述的表面光源装置中，邻近第二基底的放电空间的区域的温度低于邻近第一基底的放电空间的区域的温度，光从第二基底发射出来。因此，汞气向着邻近第二基底的区域运动。向着低温位置运动的汞气被物理地吸附到反射层和荧光层。这样，在邻近第二基底的区域存在的汞气相对地多于邻近第一基底的区域存在的汞气。由于汞气在放电空间中不均匀地分布，所以表面光源装置的亮度均匀性严重恶化。
而且，在传统的表面光源装置中，由于基底直接接触荧光层，所以包含在基底中的钠离子被洗提到荧光层，导致了表面光源装置严重的变黑现象。
                        发明内容
因此，本发明在于提供一种表面光源装置，其能够防止流向放电空间的具有相对低温度的区域的汞气被吸附到反射层和荧光层，并且防止包含在基底中的钠离子被洗提到荧光层。
本发明的另一目的在于提供一种具有将上面所述的表面光源装置作为光源的背光单元。
根据本发明的一方面，本发明提供了一种表面光源装置，包括：光源主体，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之间形成多个放电空间，放电气体被供给到放电空间中；反射层，形成在第一基底的内表面上；第一吸附防止层，形成在反射层上，用于防止放电气体被吸附到反射层上；第一荧光层，形成在第一吸附防止层上；第二荧光层，形成在第二基底的内表面上；电极，将放电电压施加到放电气体。
根据本发明的示例性实施例，第二吸附防止层可形成在第一荧光层上，用于防止放电气体被吸附到第一荧光层上。此外，所述第一吸附防止层的厚度可比第二吸附防止层的厚度厚。此外，洗提防止层可介于第二基底和第二荧光层之间，用于防止包含在第二基底中的金属被洗提到第二荧光层。
根据本发明的另一方面，本发明提供了一种表面光源装置，包括：光源主体，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之间形成多个放电空间，放电气体被供给到放电空间中；反射层，形成在第一基底的内表面上；混合物荧光层，形成在反射层和第二基底的内表面中的至少任何一个上，混合物荧光层包含荧光物质和吸附防止材料；电极，将放电电压施加到放电气体。
根据本发明的另一方面，本发明提供了一种背光单元，包括：表面光源装置；壳体，用于容纳表面光源装置；光学片，介于表面光源装置和壳体之间；逆变器，将用于驱动表面光源装置的放电电压施加到电极。所述表面光源装置包括：光源主体，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之间形成多个放电空间，放电气体被供给到放电空间中；反射层，形成在第一基底的内表面上；第一吸附防止层，形成在反射层上，用于防止放电气体被吸附到反射层上；第一荧光层，形成在第一吸附防止层上；第二荧光层，形成在第二基底的内表面上；电极，将放电电压施加到放电气体；
根据上面描述的本发明，吸附防止层防止放电气体被物理地吸附到反射层和荧光层。因此，即使放电气体由于温度差而流向放电空间的一侧，放电气体也不能被吸附到反射层和荧光层。此外，洗提防止层防止包含在基底中的钠离子被洗提到荧光层。这样，放电气体在放电空间中均匀地分布，从而表面光源装置提高了亮度均匀性。
                           附图说明
通过下面参照附图对优选实施例进行的详细描述，本发明的上述和其它特点和优点对于本领域技术人员来说将会变得更加清楚，其中：
图1是示出根据本发明第一实施例的表面光源装置的透视图；
图2是沿着图1的II-II线剖开的剖视图；
图3是示出根据本发明第二实施例的表面光源装置的剖视图；
图4是图3的IV部分的放大图；
图5是示出根据本发明第三实施例的表面光源装置的透视图；
图6是沿着图5的VI-VI线剖开的剖视图；
图7是示出根据本发明第四实施例的背光单元的分解透视图；
图8A是显示根据第一实验例子的表面光源装置的初始亮度的图片；
图8B是显示根据第二实验例子的表面光源装置的初始亮度的图片；
图8C是显示根据对比例子的表面光源装置的初始亮度的图片；
图9A是显示根据第一实验例子的表面光源装置在100小时后的亮度的图片；
图9B是显示根据第二实验例子的表面光源装置在100小时后的亮度的图片；
图9C是显示根据对比例子的表面光源装置在100小时后的亮度的图片；
图10A是显示根据第一实验例子的表面光源装置在200小时后的亮度的图片；
图10B是显示根据第二实验例子的表面光源装置在200小时后的亮度的图片；
图10C是显示根据对比例子的表面光源装置在200小时后的亮度的图片；
图11A是显示根据第一实验例子的表面光源装置在300小时后的亮度的图片；
图11B是显示根据第二实验例子的表面光源装置在300小时后的亮度的图片；
图11C是显示根据对比例子的表面光源装置在300小时后的亮度的图片；
图12A是显示根据第一实验例子的表面光源装置在500小时后的亮度的图片；
图12B是显示根据第二实验例子的表面光源装置在500小时后的亮度的图片；
图12C是显示根据对比例子的表面光源装置在500小时后的亮度的图片。
                      具体实施方式
以下，将参照附图更加全面地描述本发明，其中，附图中显示了本发明的优选实施例。
实施例1
图1是示出根据本发明第一实施例的表面光源装置100的透视图，图2是沿着图1的II-II线剖开的剖视图。
在图1和图2中，表面光源装置100包括光源主体和电极150，光源主体具有放电气体被注入其中的内部空间，电极150将放电电压施加到放电气体。放电气体可包括汞气、氩气、氖气和氙气等中的至少一种。
表面光源装置100是独立分隔件型，其中，多个放电空间由独立的分隔件形成。因此，光源主体包括第一基底111、位于第一基底111上的第二基底112、位于第一基底111和第二基底112的边缘之间的用于限定内部空间的密封构件130以及用于将内部空间分隔成多个放电空间140的分隔件120。
第一基底111和第二基底112由允许可见光穿过但阻挡紫外线光的玻璃材料制成。第二基底112是光发射表面，在放电空间140中产生的光从该光发射表面发出。
分隔件120沿着第一方向平行地排列在内部空间中，从而将内部空间分隔成呈条形形状的多个放电空间140。分隔件120的底表面与第一基底111接触，分隔件120的顶表面与第二基底112接触。为了将放电气体注入每个放电空间140中，分隔件120可按照蜿蜒的结构布置，或者在分隔件120中可形成通孔(未示出)。
电极150包括形成在第一基底111的底表面上的第一电极152和形成在第二基底112的顶表面上的第二电极154。具体地讲，第一电极152和第二电极154沿着与所述第一方向基本垂直的第二方向设置在第一基底111和第二基底112的两个边缘上。电极150可利用导电带或者导电膏形成。
反射层160形成在第一基底111的顶表面上。反射层160允许在放电空间中产生的光中的朝着第一基底111的一种光，被反射向第二基底112。
第一荧光层171形成在反射层160上，当施加放电电压时，第一荧光层171由放电气体产生的紫外线光激发。与第一荧光层171具有相同功能的第二荧光层172形成在第二基底112的底表面上。
邻近第二基底112的放电空间140的区域的温度低于邻近第一基底111的放电空间140的区域的温度，光从第二基底112发射出。因此，汞气流向邻近第二基底112的放电空间140的区域。流向一侧的汞气可被物理地吸附到反射层160以及第一荧光层171和第二荧光层172上。由于被吸附的汞气不能再运动，所以汞气被收集在放电空间140的温度低的区域，从而表面光源装置100产生的光的亮度均匀性变差。
为了防止这些问题，第一吸附防止层185介于反射层160和第一荧光层171之间。此外，第二吸附防止层181和第三吸附防止层182分别形成在第一荧光层171和第二荧光层172上。第一吸附防止层185防止汞气与反射层160起化学反应，从而防止汞气被物理地吸附到反射层160上。第二吸附防止层181和第三吸附防止层182防止汞气与第一荧光层171和第二荧光层172起化学反应，从而防止汞气被物理地吸附到荧光物质上。在第一实施例中，第二吸附防止层181和第三吸附防止层182分别形成在第一荧光层171和第二荧光层172上。然而，可以仅在吸附大部分汞气的第二荧光层172上形成第三吸附防止层182，而不形成第二吸附防止层181。
第一吸附防止层185、第二吸附防止层181和第三吸附防止层182可由例如金属氧化物制成。金属氧化物的例子包括氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化钇或者它们的组合物。
第一吸附防止层185可比第二吸附防止层181厚。具体地讲，第一吸附防止层185可以是大约2μm的厚度，第二吸附防止层181可以是大约1μm的厚度。
此外，第二吸附防止层181和第三吸附防止层182每个的厚度可以是第一荧光层171和第二荧光层172每个厚度的20％或者更少。具体地讲，第二吸附防止层181和第三吸附防止层182可以是10nm到10μm的厚度，优选地为10nm到0.5μm。
洗提防止层186介于第二基底112和第二荧光层172之间，用于防止包含在第二基底112中的钠离子被洗提到第二荧光层172上。洗提防止层186所使用的材料可以是作为第三吸附防止层182材料的各种材料中的任何一种。
根据第一实施例，第一吸附防止层185防止汞气被物理地吸附到反射层160。此外，第二吸附防止层181和第三吸附防止层182防止汞气被物理地吸附到第一荧光层171和第二荧光层172上。因此，即使在放电空间140中在温度差的影响下，汞气流向低温位置而没有均匀地漫射，也防止汞气被物理地吸附到反射层160以及第一荧光层171和第二荧光层172上。因此，如果在放电空间140中没有温度差，则在放电空间140中汞气被均匀地分布。此外，洗提防止层186防止包含在第二基底112中的钠离子洗提到第二荧光层172上，从而防止了表面光源装置100的变黑现象。这样，表面光源装置100提高了亮度均匀性。
实施例2
图3是示出根据本发明第二实施例的表面光源装置100a的剖视图，图4是图3的IV部分的放大图。
除了混合物荧光层191和192以外，第二实施例的表面光源装置100a的组成元件与第一实施例的表面光源装置100的组成元件基本相同。因此，相同的组成元件用相同的附图标号表示，以下对相同的组成元件不作描述。
在图3和图4中，第一混合物荧光层191形成在反射层160上。此外，第二混合物荧光层192形成在第二基底112的底表面上。
第一混合物荧光层191和第二混合物荧光层192利用将荧光物质193和吸附防止材料194混合制成的浆料而形成。吸附防止材料194防止汞气被物理地吸附到反射层160和荧光物质193。吸附防止材料194的例子包括氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化钇或者它们的组合物。
根据第二实施例，由于荧光物质193和吸附防止材料194被包含在混合物荧光层191和192中，所以可以除去涂覆第一实施例的第一吸附防止层185、第二吸附防止层181和第三吸附防止层182的过程。
实施例3
图5是示出根据本发明第三实施例的表面光源装置200的透视图，图6是沿着图5的VI-VI′线剖开的剖视图。
在图5和图6中，表面光源装置200包括光源主体和电极250，光源主体具有放电气体被注入其中的内部空间，电极250将放电电压施加到放电气体中。
表面光源装置200是一体分隔件型，其中，多个放电空间通过整体形成在起皱的基底上的一体分隔件形成。
光源主体包括第一基底211和设置在第一基底211上的第二基底212，分隔件220一体地形成在第二基底212上。分隔件220沿着第一方向排列。分隔件220与第一基底211接触，按照大致弧形的形状形成多个放电空间240。为了将放电气体注入每个放电空间240中，分隔件220可以按照蜿蜒的结构排列，通孔225可以穿过分隔件220形成。具体地讲，通孔225可以按照斜线或者S形线穿过分隔件220形成。根据本发明实施例的分隔件220具有大约1mm至5mm的宽度。
电极250在第二方向上沿着光源主体的两个边缘设置，第二方向与第一方向基本成直角。电极250包括形成在第一基底211的底表面上的第一电极252和形成在第二基底212的顶表面上的第二电极254。
反射层260形成在第一基底211的顶表面上。第一荧光层271形成在反射层260上。第二荧光层272形成在第二基底212的底表面上。
第一吸附防止层285介于反射层260和第一荧光层271之间。第二吸附防止层281形成在第一荧光层271上。此外，第三吸附防止层282形成在第二荧光层272上。第一吸附防止层285、第二吸附防止层281和第三吸附防止层282分别防止汞气与反射层260、第一荧光层271和第二荧光层272起化学反应，从而防止汞气物理地吸附到反射层260、第一荧光层271和第二荧光层272上。第一吸附防止层285、第二吸附防止层281和第三吸附防止层282的例子可以包括氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化钇或者它们的组合物。
第一吸附防止层285可比第二吸附防止层281厚。具体地讲，第一吸附防止层285可以是大约2μm的厚度，第二吸附防止层281可以是大约1μm的厚度。
此外，第二吸附防止层281和第三吸附防止层282每个的厚度可以是第一荧光层271和第二荧光层272每个厚度的20％或者更少。具体地讲，第二吸附防止层281和第三吸附防止层282可以是10nm到10μm的厚度，优选地为10nm到0.5μm。
洗提防止层286介于第二基底212和第二荧光层272之间，用于防止包含在第二基底212中的钠离子被洗提到第二荧光层272上。
图3中示出的第二实施例的混合物荧光层191和192可以被施加到本发明的第三实施例的表面光源装置200。
实施例4
图7是示出根据本发明第四实施例的背光单元1000的分解透视图。
在图7中，背光单元1000包括根据第三实施例的表面光源装置200、上壳体1100、下壳体1200、光学片900和逆变器1300。
由于表面光源装置200的结构与图5中示出的表面光源装置的结构基本相同，所以以下对表面光源装置200不作进一步的描述。根据上面的第一实施例和第二实施例的其它表面光源装置可以应用于背光单元1000。
为了容纳表面光源装置，下壳体1200具有底部1210和多个侧壁部分1220，侧壁部分1220从底部1210的周围延伸出来形成容纳空间。表面光源装置200被容纳在下壳体1200的容纳空间中。
逆变器1300位于下壳体1200的后表面并且产生放电电压来驱动表面光源装置200。由逆变器1300产生的放电电压通过第一功率线1352和第二功率线1354被施加到表面光源装置200的电极250上。
光学片900可包括用于使从表面光源装置200发射出的光均匀漫射的漫射板(未显示)和用于为漫射光设置线性的棱镜片(未显示)。
上壳体1100连接到下壳体1200并且固定表面光源装置200和光学片900。上壳体1100防止表面光源装置200离开下壳体1200。
用于显示图像的液晶显示面板(未显示)可以位于上壳体1100之上。
表面光源装置的制造
实验例子1
厚度为150μm的反射层150形成在第一基底上。由氧化钇材料制成并且厚度为5μm的第一吸附防止层形成在反射层上。接下来，厚度为40μm的第一荧光层形成在第一吸附防止层上。由氧化钇材料制成并且厚度为5μm的洗提防止层形成在第二基底的底表面上。然后，厚度为20μm的第二荧光层形成在洗提防止层上。由氧化钇材料制成并且厚度为5μm的第二吸附防止层和第三吸附防止层分别形成在第一荧光层和第二荧光层上。
实验例子2
厚度为150μm的反射层形成在第一基底上。厚度为40μm的第一荧光层形成在反射层上。厚度为20μm的第二荧光层形成在第二基底的底表面上。厚度为5μm的氧化钇层仅形成在第二荧光层上。
实验例子3
厚度为150μm的反射层150形成在第一基底上。由氧化钇材料制成并且厚度为5μm的第一吸附防止层形成在反射层上。厚度为40μm的第一荧光层形成在第一吸附防止层上。厚度为20μm的第二荧光层形成在第二基底的底表面上。由氧化钇材料制成并且厚度为5μm的第二吸附防止层形成第一荧光层上。
实验例子4
厚度为150μm的反射层形成在第一基底上。由氧化钇材料制成并且厚度为5μm的第一吸附防止层形成在反射层上。厚度为40μm的第一荧光层形成在第一吸附防止层上。厚度为20μm的第二荧光层形成在第二基底的底表面上。由氧化钇和荧光物质的混合物制成并且厚度为5μm的混合物荧光层仅形成在第一荧光层上。
对比例子
厚度为150μm的反射层形成在第一基底上。厚度为40μm的第一荧光层形成在反射层上。厚度为20μm的第二荧光层形成在第二基底的底表面上。
根据实验例子1和2以及对比例子的表面光源装置的亮度均匀性的评价
每隔100小时测量根据实验例子1和2以及对比例子的表面光源装置的亮度。
图8A是显示根据实验例子1的表面光源装置的初始亮度的图片，图8B是显示根据实验例子2的表面光源装置的初始亮度的图片，图8C是显示根据对比例子的表面光源装置的初始亮度的图片。
如图8A、8B和8C所示，全部表面光源装置的初始亮度均匀。也就是说，由于当表面光源装置初始被驱动时在放电空间中存在较小温度差，所以汞气在放电空间中均匀地分布。
图9A是显示根据实验例子1的表面光源装置在100小时后的亮度的图片，图9B是显示根据实验例子2的表面光源装置在100小时后的亮度的图片，图9C是显示根据对比例子的表面光源装置在100小时后的亮度的图片。
如图9A、9B和9C所示，根据实验例子1和2的表面光源装置即使在100小时后也具有均匀的亮度。然而，如图9C所示，根据对比例子的表面光源装置局部具有无光的区域。图9C证明，在根据对比例子不具有吸附防止层和洗提防止层的表面光源装置中，由于汞气被物理地吸附到荧光层上，所以汞气在放电空间中分布不均匀。此外，还证明了由于包含在基底中的钠离子被洗提到荧光层上，所以会发生变黑的现象。
图10A是显示根据实验例子1的表面光源装置在200小时后的亮度的图片，图10B是显示根据实验例子2的表面光源装置在200小时后的亮度的图片，图10C是显示根据对比例子的表面光源装置在200小时后的亮度的图片。
如图10A、10B和10C所示，根据实验例子1和2的表面光源装置在200小时后还具有均匀的亮度。也就是说，在放电空间中即使温度差上升，由于汞气被防止物理地吸附到荧光层上，所以汞气在放电空间中也能均匀地分布。此外，由于洗提防止层防止包含在基底中的钠离子被洗提到荧光层上，所以防止了表面光源装置的变黑现象。然而，如图10C所示，在根据对比例子的表面光源装置中，无光区域出现的更多了。
图11A是显示根据实验例子1的表面光源装置在300小时后的亮度的图片，图11B是显示根据实验例子2的表面光源装置在300小时后的亮度的图片，图11C是显示根据对比例子的表面光源装置在300小时后的亮度的图片。
如图11A、11B和11C所示，根据实验例子1和2的表面光源装置在300小时后还具有均匀的亮度。然而，如图11C所示，在根据对比例子的表面光源装置中，无光区域出现的越来越多了。
图12A是显示根据实验例子1的表面光源装置在500小时后的亮度的图片，图12B是显示根据实验例子2的表面光源装置在500小时后的亮度的图片，图12C是显示根据对比例子的表面光源装置在500小时后的亮度的图片。
如图12A、12B和12C所示，根据实验例子1和2的表面光源装置在500小时后还具有均匀的亮度。也就是说，根据实验例子1和2的表面光源装置中，在500小时后几乎保持了初始亮度。然而，如图12C所示，在根据对比例子的表面光源装置中，存在非常大的无光区域。
从上面描述的结果可知，根据本发明实施例的吸附防止层防止汞气被物理地吸附到荧光层上。此外，洗提防止层防止包含在基底中的钠离子被洗提到荧光层上，从而防止了表面光源装置的变黑现象。因此，即使在放电空间中在温度差的影响下，汞气流向放电空间的低温区域，汞气也可被防止物理地吸附到荧光层上。这样，当汞气在放电空间中均匀地分布时，根据本发明实施例的表面光源装置即使在其被长时间驱动后也可具有均匀的亮度。
利用优选示例性实施例描述了本发明。但是，应该理解，本发明的范围不限于所公开的实施例。相反，本发明的范围包括本领域技术人员利用现在已知或未知技术及其等同物能够实现的各种修改和替换。因此，权利要求的范围应该按照最宽的范围解释，以将所有这样的修改和类似的替换包含在内。

Claims (10)

1、一种表面光源装置，包括：
光源主体，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之间形成多个放电空间，放电气体被供给到放电空间中；
反射层，形成在第一基底的内表面上；
第一吸附防止层，形成在反射层上，用于防止放电气体被吸附到反射层上；
第一荧光层，形成在第一吸附防止层上；
第二荧光层，形成在第二基底的内表面上；
电极，将放电电压施加到放电气体。
2、如权利要求1所述的表面光源装置，还包括：
第二吸附防止层，形成在第一荧光层上，用于防止放电气体被吸附到第一荧光层上；
第三吸附防止层，形成在第二荧光层上，用于防止放电气体被吸附到第二荧光层上。
3、如权利要求2所述的表面光源装置，其中，所述第二吸附防止层的厚度是第一荧光层的厚度的20％或者更少。
4、如权利要求2所述的表面光源装置，其中，所述第二吸附防止层的厚度为10nm到10μm。
5、如权利要求2所述的表面光源装置，其中，所述第一吸附防止层的厚度比第二吸附防止层的厚度更厚。
6、如权利要求2所述的表面光源装置，其中，所述第一吸附防止层和第二吸附防止层由金属氧化物制成。
7、如权利要求6所述的表面光源装置，其中，所述金属氧化物包括从氧化铝、氧化锆、氧化钛和氧化钇的组中选择出的至少任何一种。
8、如权利要求1所述的表面光源装置，还包括：
洗提防止层，介于第二基底和第二荧光层之间，用于防止包含在第二基底中的金属被洗提到第二荧光层。
9、一种表面光源装置，包括：
光源主体，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之间形成多个放电空间，放电气体被供给到放电空间中；
反射层，形成在第一基底的内表面上；
混合物荧光层，形成在反射层和第二基底的内表面中的至少任何一个上，混合物荧光层包含荧光物质和吸附防止材料；
电极，将放电电压施加到放电气体。
10、一种背光单元，包括：
表面光源装置，包括：
光源主体，具有第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底之间形成多个放电空间，放电气体被供给到放电空间中；
反射层，形成在第一基底的内表面上；
第一吸附防止层，形成在反射层上，用于防止放电气体被吸附到反射层上；
第一荧光层，形成在第一吸附防止层上；
第二荧光层，形成在第二基底的内表面上；
电极，将放电电压施加到放电气体；
壳体，用于容纳表面光源装置；
光学片，介于表面光源装置和壳体之间；
逆变器，将用于驱动表面光源装置的放电电压施加到电极。
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