CN101027432B - 电镀用阳极 - Google Patents
电镀用阳极 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101027432B CN101027432B CN2003801072596A CN200380107259A CN101027432B CN 101027432 B CN101027432 B CN 101027432B CN 2003801072596 A CN2003801072596 A CN 2003801072596A CN 200380107259 A CN200380107259 A CN 200380107259A CN 101027432 B CN101027432 B CN 101027432B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- anode
- masked segment
- substrate
- present
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 19
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 15
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- UGWKCNDTYUOTQZ-UHFFFAOYSA-N copper;sulfuric acid Chemical compound [Cu].OS(O)(=O)=O UGWKCNDTYUOTQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N Busulfan Chemical compound CS(=O)(=O)OCCCCOS(C)(=O)=O COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003011 anion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical compound [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 platinum metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000003334 potential effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
本发明涉及用于电镀的阳极，它具有阳极基底和屏蔽部分，其特征在于，当将其用于电镀时，降低了添加剂的分解。
Description
本发明涉及电镀用阳极。
迄今为止，已经利用可溶性阳极来进行许多电镀工艺比如镀铜、镀镍、镀锌、镀锡等。这些通常是由所涉及的金属制成的板状电极，或者是钛篮中的金属片。
另一方面，在贵金属镀液、比如金和铂金属镀液中，通常利用不溶性阳极。
但是，在工业规模的电镀镀覆工艺中，由于增加了自动化的程度，从而也存在这样一种趋势，也就是在之前习惯于使用可溶性阳极的领域转变为使用不溶性阳极。在这些领域中的应用包括例如印刷电路板、凹版印刷用滚筒等的镀铜以及发动机内缸等镀镍。
这种不溶性阳极的范围是现有技术已知的。这些通常由支撑材料和活性层组成。通常钛、铌等被用作支撑材料。但是，在每种情况下，使用在电解条件下可自钝化的材料，因此，例如在碱性镀液中使用镍也是可行的。活性层通常是导电层。它大多由材料比如铂、铱、含铂系金属的混合氧化物或金刚石组成。活性层可以直接位于支撑材料的表面上，但是也可以位于固定在支撑材料上并且与其有一定距离的基体上。例如，可以考虑作为支撑材料使用的材料也可作为基体。
在所述的大多数电镀工艺中，在镀液中加入了可作为光亮剂的添加剂，它们可以增加硬度并且拓宽范围。在这里大多数情况下它们是有机化合物。
在大多数情况下，电镀过程中在不溶性阳极上形成了氧气，并且在含氯的镀液中形成了氯气。在阳极形成并且在竖直放置的阳极的情况下上升的这些气体可氧化添加剂，并且使它们部分或甚至完全分解。这存在两种负面效果：首先，有一些非常贵的添加剂必须进行连续的更换，从而使在技术上非常有利的不溶性阳极的应用反而在经济方面成问题，其次，添加剂的分解产物是带有破坏性的，它会导致必须更频繁地更换镀液，这同样是不经济的，和此外对环境也是有害的。
在通常习惯于使用不溶性阳极的贵金属镀液中引发了另一个问题。在该领域中，通常使用主要由钛构成其基底和由铂氧化物或混合氧化物构成其活性层的阳极。在操作过程中，与非贵金属电镀中使用的活性层相比，该活性层的分解非常迅速(以电流密度Ah/m2计)。这主要归因于添加剂对该活性层的侵蚀，所述添加剂通过络合溶解了涂层的铂系金属。另外，在一些类型的镀液中，氰化物和碳酸酯的形成也是有破坏性的。
迄今为止，试图通过使有机化合物远离阳极来解决这个问题。这通过使用膜来实现，在使用阳离子或阴离子交换膜的情况下，使带电的添加剂远离阳极，或者在扩散膜的情况下，极大地减少添加剂向阳极的流动。但是，该解决方法需要一个密闭室，该封闭室包括阳极周围的阳极电解质、电解质的隔离物以及要求有更高的电压。因此，使用它们以带来其它的缺陷为代价。而且，该方法根本不能在例如使用成型阳极的情况下使用，比如管的内部镀覆情况下使用。
因此，本发明的目的是提供可明显降低添加剂的分解，并且同时避免了使用膜的缺点的阳极。
令人惊讶的是，通过利用本发明权利要求1-11的阳极实现了该目的。本发明也涉及根据权利要求12的电镀方法和权利要求13的阳极的用途。本发明还涉及权利要求14-17的阳极，根据权利要求18的电镀方法以及根据权利要求19的阳极用途。
根据本发明用于电镀的阳极的特征在于，它具有阳极基底和屏蔽部分，其中，阳极基底具有支撑材料和活性层，屏蔽部分以一定的间距固定于阳极基底，并且它减少了材料向阳极基底之间的来回传输。
根据本发明的阳极优选是其中支撑材料在电解条件下为钝化性的阳极。
很自然的是，在本发明所述的阳极中，活性层优选是导电的。
在根据本发明的阳极的优选实施方式中，屏蔽部分可以由塑料构成。
在根据本发明的阳极的另一优选实施方式中，屏蔽部分由金属构成。该金属在阳极条件下应当是尽可能耐腐蚀的.另外，如果屏蔽部分由金属栅格、金属网或多孔板材组成，则是特别优选的。
另外，如果屏蔽部分由金属和塑料组成，则是特别优选的，因为按照这样的方式可以将各种所需的材料性能彼此组合在一起。金属屏蔽部分可以导致其它的潜在效果，而利用塑料可以更容易地有效阻碍传输。因此，两个金属栅格与位于它们二者之间的塑料的细织物或膜的结合形成了本发明的优选实施方式。该设置特别有利的是非常容易组装。
另外，如果根据本发明的阳极的屏蔽部分以导电的方式被连接于阳极基底，则是特别有利的.由于屏蔽部分也带有阳极电位，带正电的添加剂必须除了克服机械阻碍之外，还必须克服静电障碍。因此，可以明显增加屏蔽部分的效率。这种带电的金属屏蔽部分具有静电作用，但由于其表面上产生的氧化层，而不具有电化学作用.
根据本发明，屏蔽部分与阳极基底之间的距离尤其是0.01-100mm，优选0.05-50mm，特别优选0.1-20mm，最优选0.5-10mm。如果屏蔽部分不与阳极基底平行，比如当波浪状的板材被用作屏蔽部分时，则上述值是指屏蔽部分与阳极基底之间的平均距离。与阳极基底之间具有这种距离的屏蔽部分的作用特别大，因为添加剂分子或离子必须首先通过特定的路径区域。与例如直接施加至阳极基体表面且仅仅是几微米厚的屏蔽部分相比，这是特别有利的。根据本发明的阳极中，阳极基底的活性层的表面积没有减少，与屏蔽部分直接位于活性层上的上述阳极相比，这是另外一个优点。
对于在电镀中通常用来代替极状阳极的、总是在正面和背面具有活性层的金属网阳极，阳极基底的屏蔽部分也是可行的，但是，同样优选在正面和背面连接。
本发明的另一优选实施方式是这样的阳极，其中，屏蔽部分的形式、设置以及与阳极基底之间的距离应使得在操作中阳极上产生的气泡被引导至一起。
当为基本上垂直设置的光滑阳极时，在阳极形成的气体以小气泡的形式上升。在向顶部的方向上气泡的数目增加，并且因此导致阳极的不均匀屏蔽。有利的是，根据本发明的阳极可导致气泡数目的减少，因为气泡聚集在一起并且由此变的更大。由于添加剂的分解一部分是气液反应，表面积与体积之比的变化导致添加剂分解的进一步降低。由于气泡所导致的屏蔽的降低，也有利的是沉积速度会增加。另一个优点是，沉积在阴极侧的金属层变得更均匀，因为气泡所导致的屏蔽部分的不均匀性降低了。如果存在预定的最小层厚，则根据本发明的阳极还有助于节省材料。为了得到基本上均匀的阴极层，通过剩余的气泡在整个阳极高度上并且从而同时在阴极上产生的梯度例如通过阳极基底的活性层以锥形状向下延伸来补偿，或者是利用具有不同表面因子的金属网来补偿。
通过改变表面积与体积的比率，可以有利地减少或者是完全抑制其它反应。因此，可以减少例如Sn(II)镀液中Sn(IV)的形成或Cr(III)镀液中Cr(VI)的形成，由此导致操作上显著的效益，因为例如Sn(IV)作为SnO2沉积并导致许多问题，比如掩盖了阳极并且阻塞了循环泵。也值得去避免形成Cr(VI)，因为即使是在低的Cr(VI)浓度下，Cr(III)镀液的运行也不再令人满意。
此外，具有相当大体积的少量气泡的存在导致了当形成的气泡脱离它时，阳极活性层成分的带走被减少，并且由此增加了阳极的使用时间。
另外，特别有利的是，如果在阳极周围产生了氧，则H+被留下来，这样降低了阳极的pH值。对于不能在pH值大于12的条件下使用的阳极而言，根据本发明的阳极有利地使得在强碱性溶液中的应用成为可能，原因是在于在由此形成的介质中，上述阳极周围pH值局部降低了，因此在操作中阳极基本上是耐腐蚀的。在极化完成之后，该阳极自然被从镀液中移去。
根据本发明，上述阳极也可以被连接作为阴极。当该阳极与阴极连接时，屏蔽部分不是自钝化的。这样大表面积是有利的，因为这导致电流密度的下降和阴极过压的降低。阳极与阴极相连导致了长的操作时间。
此外本发明涉及其中采用了上述阳极的电镀方法。除了根据本发明的阳极的常规阳极用途之外，阳极的阴极连接、即阳极作为阴极也很重要，特别是对于被称为反向脉冲工艺的情况也很重要。在该反向脉冲工艺中，在电镀工艺的各个时间点可以发生极性的反向，例如当用铜镀覆印刷电路板的孔时，首先将一系列的脉冲施加至待镀覆的具有阴极电位的印刷电路板，而根据本发明的阳极具有阳极电位.最终进行几微秒的极性互换，则印刷电路板具有阳极电位，而根据本发明的阳极作为阴极。不同的是，例如当对铁制成的物体进行硬铬镀覆时，通常将铁制品首先设置为阳极电位，以达到活化表面的目的。在该工艺步骤中，被称为“蚀刻”，根据本发明的阳极作为阴极。在几分钟的时间段之后，接着进行极性互换，并且现在具有阳极电位的本发明阳极被按照常规方式用于目前具有阴极电位的电镀铁制品。在两种情况下，阳极的屏蔽部分导致在极性反向过程中电流密度的降低，这对于阳极寿命而言是有利的。
本发明的上述阳极在电镀中的用途是本发明的另一个目的。
另外，具有支撑材料和活性层的电镀用阳极是本发明的主题，其中活性层具有两端，并且从操作中基本上位于上部的一端到操作中基本上位于下部的一端的方向上，活性层的表面积有所降低.
在优选实施方式中，该阳极中的活性层被直接固定于支撑材料。
在另一优选实施方式中，在该阳极中，将活性层以一定的距离固定于支撑材料。此时，特别优选将活性层施加至基体，并且该基体固定于支撑材料。接着，可以将该基体直接设置在支撑材料上，或者是与支撑材料有一定的距离。最优选的是阳极中通过点焊将带有活性层的基体固定于支撑材料。
为了更详细地描述本发明的主题，以例举的方式在图1中示出了特别优选的实施方式。图1示出了本发明特别优选的实施方式的平面图(上方)和侧视图(下方)。所示的阳极具有支撑材料(1)，并且其上固定有活性层(2)。所述活性层被施加至基体，而所述基体与支撑材料(1)以一定的距离连接。例如钛可作为支撑材料，同样例如钛也可被用作基体，并且活性层可由例如金属氧化物(MOX)组成.从而活性层被固定于支撑材料，原因是带有活性层的基体被固定于支撑材料。这种固定接例如可通过螺栓、枢轴并且优选点焊获得。因此，在图3中，交叉线代表例如点焊。
根据本发明的阳极特别有利的优点是，操作中在阳极形成的气泡导致的屏蔽以及导致的阴极沉积的不均匀性基本上可以被补偿，从而使得厚度更均匀的层可以被沉积在阴极上。本领域技术人员通过简单的初步测试可以确定、在各种情况下应选择哪种几何设置。
根据本发明，阳极同样可被连接作为阴极。
另外，本发明涉及使用了上述阳极的电镀方法。
阳极在上述电镀中的用途是本发明的另一主题。
下面通过实施例更详细地描述本发明。
实施例
实施例1
在直流操作中研究了硫酸镀铜液工作条件下的添加剂的分解。含硫化合物作为添加剂。具有混合氧化物活性层的两个直流板被用作阳极。第一个阳极仅由阳极基底组成，根据本发明的第二个阳极由阳极基底和屏蔽部分组成。在每种情况下，利用黄铜板作为阴极。利用循环伏安法测量了使用两个阳极时的添加剂消耗，并且在图2中绘制了其与安培小时之间的相对变化曲线。很明显可以知道，与使用第一个阳极时的添加剂分解相比，使用本发明的第二阳极时的添加剂分解被减少了2.5-3倍。
实施例2
在反向脉冲电镀条件下、在用于孔中镀铜的硫酸镀铜液中，研究了在生产条件下的气泡形成。两个阳极被并排悬挂在垂直镀覆设备的侧壁上。第一个阳极仅由阳极基底组成，所述阳极基底由钛支撑材料和金属氧化物活性层组成，并且尺寸是1100mm×500mm×1.5mm。根据本发明的第二个阳极由阳极基底和钛金属网制成的屏蔽部分组成，所述阳极基底同样由钛构成的支撑材料和混合氧化物构成的活性层组成，并且尺寸也与第一个阳极的基底相同。在操作中，使相同的电流流过两个阳极，并且当使用第一阳极时，形成了常规的气泡，并且发现结果是使镀液地强烈移动。另一方面，当使用根据本发明的第二阳极时，极大地减少了气泡的形成。
实施例3
为了研究Sn(II)镀液中Sn(IV)的浓度，在直流操作和常规沉积条件下和含有甲烷磺酸锡镀液中，测量了两个试样的浓度。带有混合氧化物活性层的两个直流板被用作阳极。第一个阳极仅由阳极基底组成，根据本发明的第二个阳极由阳极基底和屏蔽部分组成。在沉积实验过程中，黄铜板作为阴极。
在沉积前，在仅由阳极基底组成的第一个阳极的镀液中，测量了以下的浓度：
Sn(II)：40.8g/l，Sn(IV):7.7g/l，假定总的Sn浓度是48.5g/l。
在沉积后，在第一个阳极的镀液中，测量了以下值：
Sn(II)：33.1g/l，Sn(IV):9.4g/l，假定总的Sn浓度是42.5g/l。
在沉积前，在由阳极基底和屏蔽部分组成的本发明第二个阳极的镀液中，测量了以下的浓度：
Sn(II)：39.0g/l，Sn(IV):10.5g/l，假定总的Sn浓度是49.5g/l。
在沉积后，在第一个阳极的镀液中，测量了以下值：
Sn(II)：34.3g/l，Sn(IV):8.5g/l，假定总的Sn浓度是42.8g/l。
这些结果清楚地表明，在仅由阳极基底组成的第一个阳极的镀液中，操作过程中Sn(IV)的浓度增加.相反地，当使用根据本发明的阳极时，该Sn(IV)浓度实际上降低了。
Claims (12)
1.用于电镀的阳极，它具有阳极基底和屏蔽部分，其中，阳极基底包括支撑材料和活性层，并且其中屏蔽部分以一定的间距固定于阳极基底，并且它减少了材料向阳极基底之间的来回传输，其中屏蔽部分以电流导通的方式被连接于阳极基底，屏蔽部分由金属构成，或者屏蔽部分由塑料和金属构成。
2.权利要求1的阳极，其中支撑材料在电解条件下是自钝化性的。
3.权利要求1或2的阳极，其中，活性层是导电的。
4.权利要求1的阳极，其中，屏蔽部分由金属栅格、金属网或多孔板材构成。
5.权利要求1或2的阳极，其中，屏蔽部分与阳极基底之间的距离是0.01-100mm。
6.权利要求5的阳极，其中，屏蔽部分与阳极基底之间的距离是0.05-50mm。
7.权利要求5的阳极，其中，屏蔽部分与阳极基底之间的距离是0.1-20mm。
8.权利要求5的阳极，其中，屏蔽部分与阳极基底之间的距离是0.5-10mm。
9.权利要求1或2的阳极，其中，屏蔽部分的形式、设置以及与阳极基底之间的距离应使得在电镀过程中阳极上产生的气泡被引导在一起。
10.权利要求1或2的阳极，该阳极被连接作为阴极。
11.电镀方法，其中使用了根据权利要求1-10任一项的阳极。
12.权利要求1-10任一项的阳极在电镀中的用途。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10261493A DE10261493A1 (de) | 2002-12-23 | 2002-12-23 | Anode zur Galvanisierung |
| DE10261493.8 | 2002-12-23 | ||
| PCT/EP2003/014785 WO2004059045A2 (de) | 2002-12-23 | 2003-12-23 | Anode zur galvanisierung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101027432A CN101027432A (zh) | 2007-08-29 |
| CN101027432B true CN101027432B (zh) | 2010-09-29 |
Family
ID=32478077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2003801072596A Expired - Lifetime CN101027432B (zh) | 2002-12-23 | 2003-12-23 | 电镀用阳极 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7943032B2 (zh) |
| EP (1) | EP1581673B1 (zh) |
| JP (1) | JP4346551B2 (zh) |
| KR (1) | KR101077000B1 (zh) |
| CN (1) | CN101027432B (zh) |
| AT (1) | ATE503043T1 (zh) |
| AU (1) | AU2003296716A1 (zh) |
| DE (2) | DE10261493A1 (zh) |
| ES (1) | ES2363278T3 (zh) |
| WO (1) | WO2004059045A2 (zh) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5156175B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2013-03-06 | Ｆｄｋエナジー株式会社 | ニッケル光沢メッキを施した電池 |
| EP1712660A1 (de) | 2005-04-12 | 2006-10-18 | Enthone Inc. | Unlösliche Anode |
| EP1717351A1 (de) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Enthone Inc. | Galvanikbad |
| DE102005051632B4 (de) | 2005-10-28 | 2009-02-19 | Enthone Inc., West Haven | Verfahren zum Beizen von nicht leitenden Substratoberflächen und zur Metallisierung von Kunststoffoberflächen |
| WO2007056267A2 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-18 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Thermally actuated valves, photovoltaic cells and arrays comprising same, and methods for producing same |
| EP2009147A1 (en) * | 2007-06-20 | 2008-12-31 | METAKEM Gesellschaft für Schichtchemie der Metalle GmbH | Anode assembly for electroplating |
| TWI384094B (zh) * | 2008-02-01 | 2013-02-01 | Zhen Ding Technology Co Ltd | 電鍍用陽極裝置及包括該陽極裝置之電鍍裝置 |
| FR2927909B1 (fr) * | 2008-02-26 | 2010-03-26 | Serme | Cache souple pour support galvanique, support et procede de mise en oeuvre |
| EP2123799B1 (en) * | 2008-04-22 | 2015-04-22 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions |
| DE202008006707U1 (de) | 2008-05-16 | 2008-08-07 | Saueressig Gmbh & Co. | Vorrichtung zum Glavanisieren von Werkstücken |
| US8236163B2 (en) * | 2009-09-18 | 2012-08-07 | United Technologies Corporation | Anode media for use in electroplating processes, and methods of cleaning thereof |
| TWI422714B (zh) * | 2010-11-24 | 2014-01-11 | Intech Electronics Co Ltd | 電鍍裝置及其電鍍槽中的電極板結構 |
| CN102477576A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-05-30 | 加贺开发科技有限公司 | 电镀装置及其电镀槽中的电极板结构 |
| CN103820839A (zh) * | 2014-01-14 | 2014-05-28 | 杭州三耐环保科技有限公司 | 一种高效抑制电积酸雾的阴阳极板结构及其实现方法 |
| CN104073862A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-10-01 | 张钰 | 一种用于碱性锌镍合金电镀的不溶性阳极装置 |
| US10428439B2 (en) * | 2015-11-16 | 2019-10-01 | Intel Corporation | Predictive capability for electroplating shield design |
| EP3914757B1 (en) | 2019-01-24 | 2023-04-05 | Atotech Deutschland GmbH & Co. KG | Method for electrolytic zinc-nickel alloy deposition using a membrane anode system |
| CN110029381B (zh) * | 2019-04-25 | 2020-12-15 | 首钢集团有限公司 | 一种高镀锡量镀锡板的生产方法 |
| CN113106527B (zh) * | 2021-04-19 | 2024-09-10 | 深圳铱创科技有限公司 | 不溶性阳极及脉冲电镀设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0471577A1 (en) * | 1990-08-15 | 1992-02-19 | Almex Inc. | Horizontal carrying type electroplating apparatus |
| US5560815A (en) * | 1994-06-27 | 1996-10-01 | Permelec Electrode Ltd. | Electrolytic chromium plating method using trivalent chromium |
| EP0462943B1 (en) * | 1990-06-20 | 1996-10-30 | Permelec Electrode Ltd. | Method of copper plating |
| US5626730A (en) * | 1994-05-24 | 1997-05-06 | Permelec Electrode Ltd. | Electrode structure |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5213300Y2 (zh) * | 1971-02-01 | 1977-03-25 | ||
| US3875041A (en) * | 1974-02-25 | 1975-04-01 | Kennecott Copper Corp | Apparatus for the electrolytic recovery of metal employing improved electrolyte convection |
| US4075069A (en) * | 1975-04-10 | 1978-02-21 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Processes for preventing the generation of a mist of electrolyte and for recovering generated gases in electrowinning metal recovery, and electrodes for use in said processes |
| JPS59226189A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-19 | Nippon Steel Corp | 鉄系電気メツキにおけるメツキ液の通電酸化抑制方法 |
| GB8327300D0 (en) * | 1983-10-12 | 1983-11-16 | Deso Inc | Acid mist reduction |
| JP2722259B2 (ja) * | 1989-09-14 | 1998-03-04 | ペルメレック電極株式会社 | 電極保護体 |
| JPH08376Y2 (ja) * | 1990-08-15 | 1996-01-10 | 株式会社アルメックス | 不溶解性陽極を用いたメッキ装置 |
| JP3468545B2 (ja) * | 1993-04-30 | 2003-11-17 | ペルメレック電極株式会社 | 電解用電極 |
| DE19545231A1 (de) | 1995-11-21 | 1997-05-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Metallschichten |
| US6391166B1 (en) * | 1998-02-12 | 2002-05-21 | Acm Research, Inc. | Plating apparatus and method |
| DE19834353C2 (de) * | 1998-07-30 | 2000-08-17 | Hillebrand Walter Gmbh & Co Kg | Alkalisches Zink-Nickelbad |
| DE19845506A1 (de) | 1998-10-02 | 2000-04-06 | Wieland Edelmetalle | Verfahren zur Herstellung von prothetischen Formteilen für den Dentalbereich und prothetisches Formteil |
| US6120658A (en) * | 1999-04-23 | 2000-09-19 | Hatch Africa (Pty) Limited | Electrode cover for preventing the generation of electrolyte mist |
| US6254742B1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-07-03 | Semitool, Inc. | Diffuser with spiral opening pattern for an electroplating reactor vessel |
| US6156169A (en) * | 1999-10-06 | 2000-12-05 | Jyu Lenq Enterprises Co., Ltd. | Electroplating anode titanium basket |
| US6755960B1 (en) * | 2000-06-15 | 2004-06-29 | Taskem Inc. | Zinc-nickel electroplating |
| ES2250166T5 (es) * | 2000-06-15 | 2016-05-20 | Coventya Inc | Electrochapado de zinc-níquel |
| US6402909B1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-06-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Plating system with shielded secondary anode for semiconductor manufacturing |
| US6425991B1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-07-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Plating system with secondary ring anode for a semiconductor wafer |
| US6391170B1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-05-21 | Envirotech Pumpsystems, Inc. | Anode box for electrometallurgical processes |
| US6852209B2 (en) * | 2002-10-02 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Insoluble electrode for electrochemical operations on substrates |
-
2002
- 2002-12-23 DE DE10261493A patent/DE10261493A1/de not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-12-23 EP EP03813909A patent/EP1581673B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-23 CN CN2003801072596A patent/CN101027432B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-23 AT AT03813909T patent/ATE503043T1/de active
- 2003-12-23 AU AU2003296716A patent/AU2003296716A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-23 US US10/540,232 patent/US7943032B2/en active Active
- 2003-12-23 KR KR1020057011715A patent/KR101077000B1/ko active IP Right Grant
- 2003-12-23 WO PCT/EP2003/014785 patent/WO2004059045A2/de active Application Filing
- 2003-12-23 DE DE50313572T patent/DE50313572D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-23 ES ES03813909T patent/ES2363278T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-23 JP JP2004563184A patent/JP4346551B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0462943B1 (en) * | 1990-06-20 | 1996-10-30 | Permelec Electrode Ltd. | Method of copper plating |
| EP0471577A1 (en) * | 1990-08-15 | 1992-02-19 | Almex Inc. | Horizontal carrying type electroplating apparatus |
| US5626730A (en) * | 1994-05-24 | 1997-05-06 | Permelec Electrode Ltd. | Electrode structure |
| US5560815A (en) * | 1994-06-27 | 1996-10-01 | Permelec Electrode Ltd. | Electrolytic chromium plating method using trivalent chromium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10261493A1 (de) | 2004-07-08 |
| EP1581673A2 (de) | 2005-10-05 |
| DE50313572D1 (de) | 2011-05-05 |
| KR20050085863A (ko) | 2005-08-29 |
| US20060124454A1 (en) | 2006-06-15 |
| US7943032B2 (en) | 2011-05-17 |
| ES2363278T3 (es) | 2011-07-28 |
| CN101027432A (zh) | 2007-08-29 |
| WO2004059045A2 (de) | 2004-07-15 |
| AU2003296716A1 (en) | 2004-07-22 |
| JP2006511712A (ja) | 2006-04-06 |
| KR101077000B1 (ko) | 2011-10-26 |
| JP4346551B2 (ja) | 2009-10-21 |
| WO2004059045A3 (de) | 2005-02-24 |
| EP1581673B1 (de) | 2011-03-23 |
| ATE503043T1 (de) | 2011-04-15 |
| AU2003296716A8 (en) | 2004-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101027432B (zh) | 电镀用阳极 | |
| US8262873B2 (en) | Anode assembly for electroplating | |
| US4104133A (en) | Method of in situ plating of an active coating on cathodes of alkali halide electrolysis cells | |
| US10100423B2 (en) | Electrodeposition of chromium from trivalent chromium using modulated electric fields | |
| US4033837A (en) | Plated metallic cathode | |
| KR100741198B1 (ko) | 전기 도금 배스 | |
| US4043891A (en) | Electrolytic cell with bipolar electrodes | |
| CN1847466B (zh) | 不溶性阳极 | |
| KR100253607B1 (ko) | 불용해성전극구성물질 | |
| Ramesh Bapu et al. | Studies on non-cyanide alkaline zinc electrolytes | |
| EP0771370B1 (en) | Process for electrochemically dissolving a metal such as zinc or tin | |
| RU2226228C2 (ru) | Способ электрохимического получения ni(о) фосфитных и дифосфитных комплексов | |
| CN1091174C (zh) | 连续制造卷式发泡金属带材的技术 | |
| CN112251753A (zh) | 一种印刷线路板酸性蚀刻废液电解再生方法 | |
| EP1961842A1 (en) | Device and method for the electrolytic plating of a metal | |
| KR100571796B1 (ko) | Ａｇ-Ｃｕ 공정계 합금의 도금방법 | |
| Gill et al. | Electrolyte solutions in liquid ammonia—IX. Electrodeposition and electrodissolution of metals from their salts | |
| KR810001966B1 (ko) | 알카리 할로겐 화합물 전해조의 음극 관표면에 닉켈-아연 합금도막을 전착하는 방법 | |
| KR100653962B1 (ko) | 전기도금 방법 | |
| Hayashi et al. | The analysis of the deposition mechanism of Zn/Ni alloy plating using an EQCM | |
| Roev et al. | Application of a Built‐In Microscopic Antimony Electrode for Potentiometric Studies on Zinc‐Nickel Co‐Deposition | |
| Huang | Helen H. Lou | |
| MXPA97000479A (en) | Process to electrochemically dissolve a metal such as zinc or est | |
| JPS62284094A (ja) | 水素発生用陰極の製造方法 | |
| IES950782A2 (en) | An electroplating method and apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20100929 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |