CN101026154B

CN101026154B - 薄膜器件

Info

Publication number: CN101026154B
Application number: CN200710084169.XA
Authority: CN
Inventors: 桑岛一; 伊东正弘; 宫崎雅弘; 古屋晃
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2006-02-17
Filing date: 2007-02-17
Publication date: 2010-05-26
Anticipated expiration: 2027-02-17
Also published as: TWI409935B; US7649251B2; JP4172654B2; TW200805621A; CN101026154A; US20070194345A1; JP2007220984A

Abstract

一种薄膜器件，具有衬底、在该衬底上依次层叠的绝缘层、多个下部导体层、电介质膜、绝缘层、多个上部导体层以及保护膜、以及多个端子电极。一个端子电极与一个下部导体层连接。一个下部导体层具有比绝缘层的侧面进一步向侧向突出的突出部。端子电极具有放置突出部的至少一部分并与其接触的凹部，并且，与绝缘层的侧面相接触。

Description

薄膜器件

技术领域

本发明涉及具有导体层和与该导体层连接的端子电极的薄膜器件。

背景技术

近年来，随着移动电话机等高频电子设备的小型化、薄型化的要求，要求安装在高频电子设备上的电子部件的小型化、厚度薄。在电子部件上构成为，使用薄膜形成技术在衬底上形成绝缘层或者导体层等。在本申请中，将这样使用薄膜形成技术所形成的电子部件称为薄膜器件。

在薄膜器件中，设置将导体层连接到外部电路上用的端子电极。此处，将薄膜器件中的端子电极以外的部分称为器件主体。连接在端子电极上的导体层例如以如下方式形成：包含布线部分，该布线部分的端面在器件主体的侧面露出。此时，端子电极例如配置在器件主体的侧面上，以便与布线部分的端面连接。

以下，对在器件主体的侧面配置有端子电极的薄膜器件的一例制造方法进行说明。在该制造方法中，首先，在一枚晶片(衬底)上形成与多个薄膜器件对应的导体层等，由此，制作薄膜器件用基础结构体。该基础结构体含有分别成为器件主体的多个器件主体预定部。此外，在基础结构体上，在邻接的器件主体预定部之间设定除去预定部。然后，在除去预定部的位置切断基础结构体，由此，使多个器件主体预定部分离，制作多个器件主体。这样，切断基础结构体，由此，形成器件主体的侧面，并且，在该侧面上，与端子电极连接的布线部分的端面露出。然后，在器件主体的侧面形成端子电极。

但是，为了薄膜器件的小型化、厚度薄，对于使导体层等层变薄很有效。但是，在如上所述的制造方法中，若使导体层较薄，则与端子电极连接的布线部分的端面面积减小。其结果是，存在如下问题：导体层和端子电极的接触区域的面积减小，难以确保导体层与端子电极的连接可靠性。

为了避免如上所述的问题，考虑使布线部分的宽度增大，由此，使布线部分端面的面积增大。但是，此种情况下，存在如下问题：在薄膜器件中，布线部分的密度降低，薄膜器件的小型化较困难，或者，布线部分的阻抗偏离所希望的值，薄膜器件的特性恶化。

在特开平10-163002号公报中记载了如下技术：在衬底上配置内部导体膜、并且在内部导体膜的端面上连接有外部端子的芯片型电子部件中，使内部导体膜的端面相对于衬底的切断面倾斜。

此外，在特开平11-3833号公报中记载了如下技术：在衬底上配置电极、并且在电极的端面上连接有外部端子的电子部件中，使衬底上的电极的端面相对于衬底的切断面倾斜。

在以下的说明中，可以将特开平10-163002号公报中的外部端子电极和特开平11-3833号公报中的外部端子中的任意一个称为端子电极。

如上所述，在器件主体的侧面配置有端子电极的薄膜器件中，若使导体层变薄，则连接到端子电极上的布线部分的端面面积减小，其结果是，存在如下问题：导体层和端子电极的接触区域的面积减小，难以确保导体层与端子电极的连接可靠性。

若按照特开平10-163002号公报或者特开平11-3833号公报中记载的技术，能够使导体层和端子电极的接触区域的面积增加，但是，其面积增加量很少。因此，在如上所述各公报记载的技术中，难以充分确保导体层与端子电极的连接可靠性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有导体层和与该导体层连接的端子电极的薄膜器件，其能够提高导体层和端子电极的连接可靠性。

本发明的薄膜器件具有基底层、导体层和端子电极。基底层具有相互朝向相反侧的下表面以及上表面、和连接这些下表面和上表面的侧面。导体层配置在基底层的上表面上。端子电极与导体层连接。此外，导体层具有比基底层的侧面进一步向侧向突出的突出部。端子电极具有放置突出部的至少一部分、并与其接触的凹部，并且，与基底层的侧面接触。

在本发明的薄膜器件中，端子电极的凹部与导体层的突出部接触，由此，端子电极与导体层连接。

在本发明的薄膜器件中，基底层可以由绝缘材料构成。

此外，本发明的薄膜器件还具有覆盖层，该覆盖层具有相互朝向相反侧的下表面以及上表面、和连接这些下表面和上表面的侧面，导体层中的突出部以外的部分的至少一部分配置在基底层的上表面和覆盖层的下表面之间，突出部可以比基底层的侧面以及覆盖层的侧面进一步向侧向突出。并且，端子电极还可以与覆盖层的侧面接触。覆盖层可以由绝缘材料构成。

此外，在本发明的薄膜器件中，以与基底层的上表面正交的虚拟平面切断突出部时的突出部的截面轮廓的至少一部分可以是凸状的曲线。

此外，在本发明的薄膜器件中，突出部的最大厚度可以比导体层的突出部以外的部分的厚度大。

在本发明的薄膜器件中，端子电极的凹部与导体层的突出部接触，由此，端子电极与导体层连接。由此，按照本发明，能够使导体层与端子电极的接触面积增大，其结果是，能够提高导体层与端子电极的连接可靠性。

本发明的其他的目的、特征以及利益能够根据以下的说明充分理解。

附图说明

图1是本发明第一实施方式的薄膜器件的平面图。

图2是表示本发明第一实施方式的薄膜器件所包含的上部导体层的平面图。

图3是表示本发明第一实施方式的薄膜器件所包含的下部导体层的平面图。

图4是以图1到图3中以4-4线表示的薄膜器件的剖面图。

图5是以图1到图3中以5-5线表示的薄膜器件的剖面图。

图6是表示本发明第一实施方式的薄膜器件的电路结构的电路图。

图7是表示本发明第一实施方式的薄膜器件制造方法的一个步骤的剖面图。

图8是表示与图7所示步骤连续的步骤的剖面图。

图9是表示与图8所示步骤连续的步骤的剖面图。

图10是表示与图9所示步骤连续的步骤的剖面图。

图11是表示与图10所示步骤连续的步骤的剖面图。

图12是表示与图11所示步骤连续的步骤的剖面图。

图13是表示与图12所示步骤连续的步骤的剖面图。

图14是本发明第二实施方式的薄膜器件的剖面图。

图15是本发明第二实施方式的薄膜器件制造方法的一个步骤的剖面图。

图16是表示与图15连续的步骤的剖面图。

具体实施方式

第一实施方式

以下参照附图对本发明的实施方式进行详细地说明。首先，参照图6对本发明第一实施方式的薄膜器件的电路结构进行说明。图6是表示本实施方式的薄膜器件的电路结构的电路图。

如图6所示，本实施方式的薄膜器件1具有进行信号输入输出的两个输入输出端子101、102和三个电感器111、112、113。

薄膜器件1还具有设置在电感器111的一端与地之间电容器121、设置在电感器112的一端与地之间的电容器122、设置在电感器113的一端与地之间的电容器123、设置在电感器111的一端与电感器112一端之间的电容器124、设置在电感器112的一端与电感器113一端之间的电容器125、设置在电感器111的一端与电感器113一端之间的电容器126。

输入输出端子101与电感器111的一端连接。输入输出端子102与电感器113的一端连接。电感器111、112、113各自的另一端接地。

然后，对本实施方式的薄膜器件1的作用进行说明。本实施方式的薄膜器件1具有带通滤波器的功能。在对薄膜器件1的输入输出端子101输入了信号的情况下，选择性地从输入输出端子102输出该信号中的预定频带内的频率信号。相反，在对输入输出端子102输入了信号的情况下，选择性地从输入输出端子101输出该信号中的预定频带内的频率信号。

然后，参照图1到图5对本实施方式的薄膜器件1的结构进行说明。图1是薄膜器件1的平面图。图2是薄膜器件1所包含的上部导体层的平面图。图3是薄膜器件1所包含的下部导体层的平面图。图4以及图5分别是薄膜器件1的剖面图。图4是图1到图3中以4-4线表示的剖面。图5是图1到图3中以5-5线表示的剖面。

如图4以及图5所示，薄膜器件1具有衬底2和配置在该衬底2上的绝缘层3。如图3所示，薄膜器件1还具有配置在绝缘层3上的下部导体层41～43。

如图4以及图5所示，薄膜器件1还具有以覆盖绝缘层3以及下部导体层41～43的大部分的方式配置的电介质膜5、和配置在该电介质膜5上的绝缘层6。如图2所示，薄膜器件1还具有大部分配置在绝缘膜6上的上部导体层72、74～76。

如图4以及图5所示，薄膜器件1还具有以覆盖绝缘膜6以及上部导体层72、74～76的大部分的方式配置的保护膜8。如图1所示，薄膜器件1还具有四个端子电极11～14。端子电极11构成图6中的输入输出端子101。端子电极12构成图6中的输入输出端子102。端子电极13、14接地。

此处，将薄膜器件1中的端子电极11～14以外的部分称为器件主体1B。器件主体1B大致构成长方体形状，具有上表面(保护膜8的上表面)1a、底面(衬底2的下表面)1b、连接这些上表面1a和底面1b的四个侧面1c～1f。端子电极11～14以分别与侧面1c～1f的一部分接触的方式进行配置。

衬底2例如由绝缘材料(电介质材料)构成。构成衬底2的绝缘材料可以是无机材料，也可以是有机材料。作为构成衬底2的绝缘材料，例如可以使用Al₂O₃。此外，衬底2可以由半导体材料构成。

绝缘层3由绝缘材料构成。构成绝缘层3的绝缘材料可以是无机材料，也可以是有机材料。作为构成绝缘层3的无机材料，例如可以使用Al₂O₃。作为构成绝缘层3的有机材料，例如可以使用树脂。此种情况下，树脂可以是热可塑性树脂和热固化性树脂的任意一种。绝缘层3的上表面的表面粗糙度比衬底2的上表面的表面粗糙度小。因此，绝缘层3具有减小下部导体层41～43的基底的表面粗糙度的功能。在绝缘层3上吸收衬底2上表面的凹凸，可实现绝缘层3上表面的平坦。因此，优选绝缘层3的厚度在0.1～10μm的范围内。在衬底2由绝缘材料构成，并且，其上表面的表面粗糙度充分小的情况下，可以不设置绝缘层3，而在衬底2上直接配置下部导体层41～43。

下部导体层41～43、上部导体层72、74～76、端子电极11～14由导电材料构成。优选下部导体层41～43的厚度在5～10μm的范围内。优选上部导体层72、74～76的厚度在5～10μm的范围内。考虑到在角部或者台阶差上不产生端子电极11～14的断线，优选端子电极11～14的厚度在0.5～10μm的范围内。

电介质膜5由电介质材料(绝缘材料)构成。构成电介质膜5的电介质材料优选是无机材料。作为构成电介质膜5的电介质材料，例如，可以使用Al₂O₃、Si₄N₃或者SiO₂。电介质膜5的厚度优选在0.02～1μm的范围内，进一步优选在0.05～0.5μm的范围内。

绝缘层6和保护膜8均由绝缘材料构成。构成绝缘层6和保护膜8的各绝缘材料可以是无机材料，也可以是有机材料。作为构成绝缘层6和保护膜8的无机材料，例如，可以使用Al₂O₃。作为构成绝缘层6和保护膜8的有机材料，例如，可以使用树脂。此种情况下，树脂可以是热可塑性树脂和热固化性树脂的任意一种。作为树脂，可以使用聚酰亚胺系树脂、丙稀系树脂、环氧系树脂、四氟化乙烯树脂、变性聚苯醚、液晶聚合物、变性聚酰亚胺。此外，树脂可以是感光性树脂。为了使上部导体层与下部导体层的绝缘可靠性良好，并且，为了抑制浮置电容等的无用成分的产生以使高频特性良好，绝缘层6的厚度优选在0.1～10μm的范围内。为了由保护膜8保护产品内部，保护膜8的厚度优选在1～50μm的范围内。

衬底2具有相互朝向相反侧的第一面(上表面)2a以及第二面(下表面)2b、和连接第一面2a和第二面2b的四个侧面2c～2f。图4以及图5示出侧面2c、2d。但是，图4以及图5未示出侧面2e、2f。因此，为了方便，在图1中示出侧面2c～2f的位置。

在衬底2的第一面2a和第二面2b之间从预定高度开始的上侧部分，随着接近第一面2a，与第一面2a平行的剖面的大小逐渐变小。此外，衬底2的侧面2c～2f中从如上所述的预定高度的位置开始的上侧部分变为倾斜面。

绝缘层3具有相互朝向相反侧的下表面以及上表面、和连接这些下表面和上表面的侧面。从下部导体层41、43观察，绝缘层3与本发明的基底层对应。在不设置绝缘层3的情况下，从下部导体层41、43观察，衬底2与本发明的基底层对应。

电介质膜5具有相互朝向相反侧的下表面以及上表面、和连接这些下表面和上表面的侧面。从下部导体层41、43观察，电介质膜5与本发明的覆盖层对应。

绝缘层6具有相互朝向相反的下表面以及上表面、和连接这些下表面和上表面的侧面。从上部导体层74、72观察，绝缘层6与本发明的基底层对应。

保护膜8具有相互朝向相反侧的下表面以及上表面、和连接这些下表面和上表面的侧面。从上部导体层74、72观察，保护膜8与本发明的覆盖层对应。

此处，参照图3，对下部导体层41～43进行详细地说明。下部导体层41具有布线部41a、与该布线部41a连接的电感器结构部41b以及电容器结构部41c。下部导体层41还具有与布线部41a连接的突出部41p。突出部41p比配置在器件主体1B侧面1c的绝缘层3的侧面以及电介质膜5的侧面进一步向侧向突出。下部导体层42具有布线部42a、与该布线部42a连接的电感器结构部42b以及电容器结构部42c。下部导体层43具有布线部43a、与该布线部43a连接的电感器结构部43b以及电容器结构部43c。下部导体层43还具有与布线部43a连接的突出部43p。突出部43p比配置在器件主体1B侧面1d的绝缘层3的侧面以及电介质膜5的侧面进一步向侧向突出。

如图4所示，以与绝缘层3的上表面正交的虚拟平面切断突出部41p、43p时的突出部41p、43p的剖面轮廓的至少一部分为凸状的曲线。此外，突出部41p、43p的最大厚度比下部导体层41、43的突出部41p、43p以外的部分的厚度大。

然后，参照图2，对上部导体层72、74～76进行详细说明。上部导体层72具有布线部72a、与该布线部72a连接的三个电感器结构部72b、72c、72d以及三个电容器结构部72e、72f、72g。从上方观察上部导体层72时，电感器结构部72b的一部分配置在与电感器结构部41b的一部分相重叠的位置上，电感器结构部72c的一部分配置在与电感器结构部42b的一部分重叠的位置上，电感器结构部72d的一部分配置在与电感器结构部43b的一部分重叠的位置上。此外，从上方观察上部导体层72时，电容器结构部72e的一部分配置在与电容器结构部41c的一部分重叠的位置上，电容器结构部72f的一部分配置在与电容器结构部42c的一部分重叠的位置上，电容器结构部72g的一部分配置在与电容器结构部43c的一部分重叠的位置上。并且，上部导体层72还具有与布线部72a连接的突出部72p。突出部72p比配置在器件主体1B的侧面1f的绝缘层6的侧面以及保护膜8的侧面进一步向侧向突出。

从上方观察上部导体层74时，上部导体层74配置在衬底2的第一面2a和侧面2e之间的山脊附近。上部导体层74具有突出部74p，该突出部74p比配置在器件主体1B的侧面1e的绝缘层6的侧面以及保护膜8的侧面进一步向侧向突出。

以与绝缘层6的上表面正交的虚拟平面切断突出部74p、72p时的突出部74p、72p的剖面轮廓的至少一部分是凸状的曲线。此外，突出部74p、72p的最大厚度比上部导体层74、72的突出部74p、72p以外部分的厚度大。

从上方观察上部导体层75时，上部导体层75配置在各布线部41a、43a的一部分与布线部42a重叠的位置上。从上方观察上部导体层76时，上部导体层76配置在各布线部41a、43a的另一部分与布线部42a重叠的位置上。

然后，参照图2以及图3对分别形成在电介质膜5和绝缘层6上的多个开口部进行说明。在图2以及图3中，以虚线表示这些开口部的位置。在电介质膜5上形成开口部55～59。在绝缘层6上形成开口部65～69和开口部6C1～6C6。开口部65～69分别与开口部55～59连通。

上部导体层75通过开口部55、65与下部导体层42的布线部42a连接。上部导体层76通过开口部56、66与下部导体层43的布线部43a连接。

上部导体层72的电感器结构部72b通过开口部57、67与下部导体层41的电感器结构部41b连接。电感器结构部72b、41b构成图6中的电感器111。

上部导体层72的电感器结构部72c通过开口部58、68与下部导体层42的电感器结构部42b连接。电感器结构部72c、42b构成图6中的电感器112。

上部导体层72的电感器结构部72d通过开口部59、69与下部导体层43的电感器结构部43b连接。电感器结构部72d、43b构成图6中的电感器113。

上部导体层72的电容器结构部72e的一部分配置在开口部6C1内，通过电介质膜5与下部导体层41的电容器结构部41c的一部分对置。这些电容器结构部72e、41c的各一部分与电介质膜5构成图6中的电容器121。

上部导体层72的电容器结构部72f的一部分配置在开口部6C2内，通过电介质膜5与下部导体层42的电容器结构部42c的一部分对置。这些电容器结构部72f、42c的各一部分与电介质膜5构成图6中的电容器122。

上部导体层72的电容器结构部72g的一部分配置在开口部6C3内，通过电介质膜5与下部导体层43的电容器结构部43c的一部分对置。这些电容器结构部72g、43c的各一部分与电介质膜5构成图6中的电容器123。

上部导体层75的一部分配置在开口部6C4内，通过电介质膜5与下部导体层41的布线部41a的一部分对置。这些上部导体层75、布线部41a的各一部分和电介质膜5构成图6中的电容器124。

上部导体层75的另一部分配置在开口部6C5内，通过电介质膜5与下部导体层43的布线部43a的一部分对置。这些上层导体层75、布线部43a的各一部分和电介质膜5构成图6中的电容器125。

上部导体层76的一部分配置在开口部6C6内，通过电介质膜5与下部导体层41的布线部41a的另一部分对置。这些上部导体层76、布线部41a的各一部分和电介质膜5构成图6中的电容器126。

然后，参照图1、图4以及图5对端子电极11～14进行详细说明。以与衬底2的侧面2c的一部分、配置在器件主体1B侧面1c的绝缘层3侧面的一部分、电介质膜5侧面的一部分、绝缘层6侧面的一部分以及保护膜8侧面的一部分相接触的方式来配置端子电极11。此外，端子电极11具有放置突出部41p的至少一部分、并与其接触的凹部11c。这样，端子电极11与下部导体层41连接。端子电极11的宽度比侧面1c的宽度小。

以与衬底2侧面2d的一部分、配置在器件主体1B侧面1d的绝缘层3侧面的一部分、电介质膜5侧面的一部分、绝缘层6侧面的一部分以及保护膜8侧面的一部分相接触的方式来配置端子电极12。此外，端子电极12具有放置突出部43p的至少一部分、并与其接触的凹部12c。这样，端子电极12与下部导体层43连接。端子电极12的宽度比侧面1d的宽度小。

以与衬底2的侧面2e的一部分、配置在器件主体1B侧面1e的绝缘层3侧面的一部分、电介质膜5侧面的一部分、绝缘层6侧面的一部分以及保护膜8侧面的一部分相接触的方式来配置端子电极13。此外，端子电极13具有放置突出部74p的至少一部分、并与其接触的凹部。这样，端子电极13与下部导体层74连接。端子电极13的宽度比侧面1e的宽度小。

以与衬底2的侧面2f的一部分、配置在器件主体1B的侧面1f的绝缘层3侧面的一部分、电介质膜5侧面的一部分、绝缘层6侧面的一部分以及保护膜8侧面的一部分相接触的方式来配置端子电极14。此外，端子电极14具有放置突出部72p的至少一部分、并与其接触的凹部。这样，端子电极14与下部导体层72连接。端子电极14的宽度比侧面1f的宽度小。

然后，参照图5以及图7到图13对本实施方式的薄膜器件1的制造方法进行说明。图7到图13是用于说明薄膜器件1的制造方法的剖面图。图7到图13的任意一个表示与图5对应的剖面。并且，在以下的说明中，举出各层的材料与厚度的一例，但是，本实施方式的薄膜器件1的制造方法并不限定于此。

图7示出薄膜器件1的制造方法的一个步骤。在该步骤中，首先，准备晶片2W。晶片2W包括排列为多列的衬底预定部2P、和设置在邻接的衬底预定部2P之间的除去预定部2R。衬底预定部2P是以后成为衬底2的部分。除去预定部2R是以后通过切断晶片2W而被除去的部分。

然后，在晶片2W上形成绝缘层3。继而，通过研磨使绝缘层3的上表面平坦化。作为此种情况下的研磨方法，例如，使用化学机械研磨(以下记为CMP)。研磨后的绝缘层3的厚度例如为2μm。并且，即使不使绝缘层3的上表面平坦化、绝缘层3的上表面的粗糙度亦充分小的情况下，不通过研磨使绝缘层的上表面平坦化亦可。

然后，在绝缘层3上形成下部导体层41～43。形成下部导体层41、43以便使通过除去预定部2R上方的区域而邻接的两个下部导体层在除去预定部2R上方的区域内连接。下部导体层41～43例如以如下的方式形成。首先，例如，通过溅射法在绝缘层3上形成电极膜。该电极膜用作以后通过电镀法形成电镀膜时的电极，并且，构成下部导体层41～43的一部分。电极膜例如制作成30nm厚的Ti膜和100nm厚的Cu膜的层叠膜。然后，在电极膜上形成例如8μm厚的光致抗蚀剂层。然后，通过光刻对光致抗蚀剂进行构图，形成框架。该框架具有与应该形成的下部导体层41～43的形状相对应的形状的槽部。然后，使用电极膜作为电极，通过电镀法在框架的槽部内形成电镀膜。作为电镀膜的材料，例如，可使用Cu。电镀膜的厚度例如为9～10μm。然后，通过研磨使电镀膜的上表面平坦化。作为此时的研磨方法，例如使用CMP。研磨后的电镀膜的厚度例如为8μm。然后，剥离框架。继而，用干法刻蚀或者湿法刻蚀，将电极膜中的存在于电镀膜下的部分以外的部分除去。由此，由残留的电极膜以及电镀膜形成下部导体层41～43。

并且，可以代替如上所述的方法，在电极膜的整个上表面形成未被构图的电镀膜，然后，部分地对该电镀膜以及电极膜进行刻蚀，由此，形成下部导体层41～43。或者，可以在绝缘层3上使用溅射、蒸镀等物理气相生长法，形成未构图的导体膜，并部分地对该导体膜进行刻蚀，由此，形成下部导体层41～43。

图8表示以下的步骤。在该步骤中，首先，例如使用溅射法以覆盖绝缘层3以及下部导体层41～43的方式形成电介质膜5。电介质膜5的厚度例如为0.1μm。然后，在电介质膜5上形成光致抗蚀剂层。然后，通过光刻对光致抗蚀剂层进行构图，在光致抗蚀剂层上形成多个开口部。该开口部形成在与应该形成在电介质膜5上的开口部55～59对应的位置上。然后，通过灰化或者刻蚀除去电介质膜5中的与光致抗蚀剂层的多个开口部对应的部分。由此，在电介质膜5上形成开口部55～59。然后，除去光致抗蚀剂层。

然后，如图9所示，在电介质膜5上形成绝缘层6。绝缘层6具有开口部65～69、6C1～6C6。使用感光性树脂作为绝缘层6的材料的情况下，通过光刻对绝缘层6进行构图。在使用感光性树脂以外的材料作为绝缘层6的材料的情况下，例如，通过选择性的刻蚀对绝缘层6进行构图。

图10示出以下的步骤。在该步骤中，形成上部导体层72、74～76。并且，在图10中未示出上部导体层72、74、76。形成上部导体层72、74，以便通过除去预定部2R上方的区域而邻接的两个上部导体层在除去预定部2R上方的区域内连接。上部导体层72、74～76的形成方法与下部导体层41～43的形成方法相同。

然后，如图11所示，以覆盖绝缘层6以及上部导体层72、74～76的方式形成保护膜8。

此处，将通过此前的步骤制作的由晶片2W乃至保护膜8构成的层叠体称作薄膜器件用基础结构体。该基础结构体包括：分别成为器件主体1B的多个器件主体预定部1P、和配置在邻接的器件主体预定部1P之间的除去预定部1R。器件主体预定部1P由基础结构体中的衬底预定部2P和其上方的部分构成。除去预定部1R由基础结构体中的除去预定部2R和其上方的部分构成。

然后，如图12所示，在除去预定部1R的位置上，对薄膜器件用基础结构体实施浅槽加工。在该浅槽加工中，在比除去预定部1R的宽度更宽的区域上，除去保护膜8、上部导体层74、72、绝缘层6、电介质膜5、下部导体层41、43以及绝缘层3，并且，除去晶片2W中的从预定的高度位置开始的上侧部分的一部分，以在晶片2W上形成以后作为倾斜面的面，对基础结构体形成浅槽9。例如，能够通过激光加工进行浅槽加工。此时，上部导体层74、72中的在除去预定部2R上方区域连接的部分被熔断，其剖面呈慢圆，由此，形成所述形状的突出部72p、74p。同样，下部导体层41、43中的在除去预定部2R上方区域内连接的部分被熔断，其剖面呈慢圆，由此，形成所述形状的突出部41p、43p。

然后，如图13所示，例如用划片机在除去预定部1R的位置上切断基础结构体。由此，除去预定部1R被除去，使多个器件主体预定部1P分离。此时，形成衬底2的包括倾斜面的侧面2c～2f。分离后的器件主体预定部1P形成为器件主体1B。并且，在图13中，符号10表示划片机的刀片。

然后，如图5所示，在器件主体1B的预定位置上形成端子电极11～14。端子电极11～14例如以如下方式形成。首先，在器件主体1B的预定位置上形成基底电极膜。例如，通过丝网印刷或者转印，将导电性树脂或者导电膏涂敷在器件主体1B的预定位置上，使其干燥以及固化，由此，形成该基底电极膜。或者，可以对器件主体1B在预定位置上形成具有开口部的掩模后，例如，通过溅射法，在掩模上或者开口部内形成导电膜，然后，除去掩模，由此，形成由导电膜构成的基底电极膜。作为此时的导电膜，例如，可以使用Cr膜和Cu膜的层叠膜、Ti膜和Cu膜的层叠膜、或者Ni膜和Cu膜的层叠膜。然后，通过滚镀法在基底电极膜上形成电镀膜。作为电镀膜，可以使用由Ni或者Ti构成的第一膜和由Sn或者Au构成的第二膜所构成的层叠膜；或者，由Cu构成的第一膜、由Ni或者Ti构成的第二膜、由Sn或者Au构成的第三膜所构成的层叠膜。

并且，端子电极11～14的形成方法不限于如上所述的方法。例如，可以使用丝网印刷或者转印，在器件主体1B的预定位置上涂敷导电性树脂或者导电膏，使其干燥或者固化，由此，形成端子电极11～14。

然后，对本实施方式的薄膜器件1的效果进行说明。在本实施方式的薄膜器件1中，下部导体层41、43分别具有比绝缘层3的侧面以及电介质膜5的侧面进一步向侧向突出的突出部41p、43p。对于端子电极11来说，凹部11c放置突出部41p的至少一部分，并与其接触，由此，与下部导体层41连接。此外，对于端子电极12来说，凹部12c放置突出部43p的至少一部分，并与其接触，由此，与下部导体层43连接。同样，上部导体层74、72分别具有比绝缘层6的侧面以及保护膜8的侧面进一步向侧向突出的突出部74p、72p。对于端子电极13来说，其凹部放置突出部74p的至少一部分，并与其接触，由此，与上部导体层74连接。此外，对于端子电极14来说，其凹部放置突出部72p的至少一部分，并与其接触，由此，与上部导体层72连接。根据这样的结构，按照本实施方式，与端子电极只与导体层的端面接触以与导体层相连接的情形相比，能够增大导体层41、43、74、72与端子电极11～14的接触区域的面积，其结果是，能够提高导体层41、43、74、72与端子电极11～14的连接可靠性。

此外，在本实施方式中，以与基底层(绝缘层3或者绝缘层6)的上表面正交的虚拟平面切断突出部41p、43p、74p、72p时的突出部41p、43p、74p、72p的剖面轮廓的至少一部分为凸状的曲线。由此，按照本实施方式，突出部41p、43p、74p、72p与端子电极11～14的紧靠性良好，能够进一步提高导体层41、43、74、72与端子电极11～14的连接可靠性。

此外，本实施方式中，突出部41p、43p、74p、72p的最大厚度比导体层41、43、74、72的突出部41p、43p、74p、72p以外的部分的厚度大。由此，根据本实施方式，能够增大导体层41、43、74、72与端子电极11～14的接触区域的面积，其结果是，能够进一步提高导体层41、43、74、72与端子电极11～14的连接可靠性。

第二实施方式

然后，对本发明第二实施方式的薄膜器件进行说明。本实施方式的薄膜器件的电路结构与第一实施方式相同。

图14是本实施方式的薄膜器件的剖面图。此外，图14示出与图5对应的剖面。在本实施方式的薄膜器件1中，突出部41p、43p、74p、72p的剖面轮廓为矩形。此外，在本实施方式中，突出部41p、43p的最大厚度与下部导体层41、43的突出部41p、43p以外部分的厚度相同，突出部74p、72p的最大厚度与上部导体层74、72的突出部74p、72p以外部分的厚度相同。此外，在本实施方式中，衬底2形成长方体形状。本实施方式的薄膜器件1的其他结构与第一实施方式相同。

然后，参照图15以及图16对本实施方式的薄膜器件1的制造方法进行说明。图15以及图16是用于说明本实施方式的薄膜器件1的制造方法的剖面图。图15以及与16示出与图14对应的剖面。并且，在以下的说明中，举出各层的材料和厚度的一例，但是，本实施方式的薄膜器件1的制造方法并不限定于此。

图15示出薄膜器件1的制造方法的一个步骤。在该步骤中，首先，在晶片2W上形成绝缘层3以及光致抗蚀剂层91。在本实施方式中，预先对绝缘层3进行构图，以形成为薄膜器件1的最终形状。光致抗蚀剂91配置在晶片2W上表面中的未配置绝缘层3的区域上。该区域是比除去预定部2R的宽度稍宽的区域。并且，对于绝缘层3和光致抗蚀剂层91来说，先形成哪个都可以。例如，可以在晶片2W的上表面的整个面上形成绝缘层3，对该绝缘层3进行构图之后，形成光致抗蚀剂91，也可以形成通过光刻进行构图后的光致抗蚀剂层91之后，将该光致抗蚀剂层91作为掩模，形成构图后的绝缘层3。然后，通过研磨使绝缘膜3以及光致抗蚀剂层91的上表面平坦化。研磨后的绝缘层3以及光致抗蚀剂层91的厚度例如是2μm。并且，即使不使绝缘层3以及光致抗蚀剂层91的上表面平坦化，在绝缘层3以及光致抗蚀剂层91上表面的粗糙度充分小的情况下，也可以不通过研磨使绝缘层3以及光致抗蚀剂层91的上表面平坦化。

然后，在绝缘层3以及光致抗蚀剂层91上形成下部导体层41～43。下部导体层41～43的形成方法与第一实施方式相同。在本实施方式中，预先对下部导体层41、43进行构图，以形成突出部41p、43p。或者，以在除去预定部2R上方的区域露出的方式形成下部导体层41、43，以便在以后切断晶片2W时形成突出部41p、43p。

然后，例如通过溅射法以覆盖绝缘层3以及下部导体层41～43的方式形成电介质膜5。电介质膜5的厚度例如是0.1μm。然后，通过与第一实施方式相同的方法，在电介质膜5上形成开口部55～59。在本实施方式中，此时预先对电介质膜5进行构图，以形成为薄膜器件1的最终形状。

然后，通过与第一实施方式相同的方法，在电介质膜5上形成绝缘层6。绝缘层6具有开口部65～69、6C1～6C6。在本实施方式中，预先对绝缘层6进行构图，以形成为薄膜器件1的最终形状。

然后，在光致抗蚀剂层91上方的区域，在光致抗蚀剂层91以及下部导体层41、43的一部分上形成光致抗蚀剂层92。

然后，在绝缘层6以及光致抗蚀剂92上形成上部导体层72、74～76。上部导体层72、74～76的形成方法与第一实施方式相同。在本实施方式中，预先对上部导体层74、72进行构图，以形成突出部74p、72p。或者，以在除去预定部2R上方的区域露出的方式形成上部导体层74、72，以便在以后切断晶片2W时形成突出部74p、72p。并且，在图15中未示出上部导体层72、74、76。然后，以覆盖绝缘层6以及上部导体层72、74～76的方式形成保护膜8，并且，在光致抗蚀剂层91上方的区域中，在光致抗蚀剂层92以及上部导体层74、72的一部分上形成光致抗蚀剂层93。在本实施方式中，预先对保护膜8进行构图，以形成为薄膜器件1的最终形状。并且，对于保护膜8和光致抗蚀剂层93来说，先形成哪个都可以。例如，可以在形成构图后的保护膜8之后形成光致抗蚀剂层93，也可以形成通过光刻进行构图后的光致抗蚀剂层93之后，将该光致抗蚀剂层93作为掩模，形成构图后的保护膜8。

然后，如图16所示，在除去预定部1R的位置切断基础结构体。由此，使多个器件主体预定部1P分离。分离后的器件主体预定部1P成为器件主体1B。此时，在器件主体1B上付着有光致抗蚀剂层91～93。并且，在图16中，符号10表示划片机的刀片。

然后，例如通过灰化或刻蚀，或者使用溶剂，从器件主体1B上除去光致抗蚀剂层91～93。由此，导体层41、43、74、72的突出部41p、43p、74p、72p露出。继而，如图14所示，形成端子电极11～14。

并且，在图16所示的步骤中，在除去预定部1R的位置切断基础结构体之后，除去光致抗蚀剂层91～93。代替这样的方法，可以在除去光致抗蚀剂层91～93之后，在除去预定部1R的位置切断基础结构体。并且，在本实施方式中，可以不形成光致抗蚀剂层93。

本实施方式的其他作用以及效果，除了第一实施方式中的突出部41p、43p、74p、72p的形状所引起的之外，其他均与第一实施方式相同。

并且，本发明不限于如上所述的各实施方式，可进行各种变形。例如，本发明的薄膜器件除了导体层之外还可以包含半导体层或者磁性体层。此外，在本发明的薄膜器件中，端子电极数不限于四个，可以是任意的。此外，在本发明的薄膜器件中，端子电极除了与器件主体侧面的一部分接触之外，也可以同和该侧面连续的器件主体的上表面或者下表面的一部分相接触。

此外，本发明不限于具有实施方式所示的带通滤波器功能的薄膜器件，可应用于具有导体层、和连接在该导体层上的端子电极的全部薄膜器件。作为应用本发明的薄膜器件的功能，例如，有包括电容器、电感器等无源元件、或者晶体管等有源元件、或者多个元件的电路。作为电路，具体地说，例如有LC电路部件、或者低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等各种滤波器、天线共用器、转换开关。

此外，本发明的薄膜器件例如可应用于移动电话机等移动体通信设备或者无线LAN(局域网)用的通信装置。

能够基于以上的说明，明确实施本发明的各种方式或者变形例。因此，在与以下的技术方案等同的范围内，在如上所述的优选实施方式以外的方式中也可以应用本发明。

Claims

1.一种薄膜器件，包括：基底层，具有相互朝向相反侧的下表面以及上表面、和连接这些下表面和上表面的侧面；导体层，配置在所述基底层的上表面上；端子电极，连接在所述导体层；以及覆盖层，该覆盖层具有相互朝向相反侧的下表面以及上表面、和连接这些下表面和上表面的侧面，其特征在于：

所述导体层中的所述突出部以外部分中的至少一部分配置在所述基底层的上表面和所述覆盖层的下表面之间，

所述导体层具有从所述基底层的侧面以及所述覆盖层的侧面向侧向突出的突出部，

所述端子电极具有放置所述突出部的至少一部分并与其接触的凹部，并且与所述基底层的侧面以及所述覆盖层的侧面相接触。

2.如权利要求1记载的薄膜器件，其特征在于：

所述基底层由绝缘材料构成。

3.如权利要求1记载的薄膜器件，其特征在于：

所述覆盖层由绝缘材料构成。

4.如权利要求1记载的薄膜器件，其特征在于：

利用与所述基底层的上表面正交的虚拟平面切断所述突出部时的所述突出部截面轮廓的至少一部分是凸状的曲线。

5.如权利要求1记载的薄膜器件，其特征在于：

所述突出部的最大厚度比所述导体层的所述突出部以外的部分的厚度大。