CN101025638A - 一种补偿mos器件栅极漏电流的装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种补偿MOS器件栅极漏电流的装置及方法，用以解决现有补偿技术中增加的电路面积大，系统消耗大的问题。补偿电路装置包括：镜像电路，用于向反馈控制单元输出镜像电压，产生镜像电流，栅极漏电流与镜像电流所成比例为镜像比例参数；补偿电流单元，用于根据反馈控制单元输出的控制电压的控制生成调整电流和用于补偿栅极漏电流的补偿电流，补偿电流与调整电流所成比例为镜像比例参数；反馈控制单元，用于分别接收输入的参考电压和来自镜像电路与补偿电流单元连接点的镜像电压，根据参考电压和镜像电压向补偿电流单元输出控制电压，并根据镜像电流对补偿电流单元的调整电流进行调整，使调整电流等于镜像电流。

Description

一种补偿MOS器件栅极漏电流的装置及方法

技术领域

本发明涉及模拟集成电路技术，尤其涉及一种深亚微米级MOS器件栅极漏电流补偿的装置及方法。

背景技术

锁相环(Phase Locked Loops，PLL)是一种反馈控制系统，其输出信号的频率跟踪输入信号的频率，当输出信号频率与输入信号频率成固定倍数时，输出电压与输入电压保持固定的相位差值，故称为锁相环路，简称锁相环。

PLL电路的原理框图如图1所示，主要由相位比较器(Phase Detector，PD)或相位频率比较器(Phase frequency Detector，PFD)、环路滤波器(Loops Filter，LF)和压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator，VCO)三部分组成。在相位锁定速度要求比较低的PLL电路中，采用PD检测输入信号与反馈信号的相位差，并将该相位差转换成为电压信号u_D(t)，称为误差电压；在相位锁定速度要求比较高的PLL电路中，采用PFD检测输入信号与反馈信号的相位差和频率差，由于频率信息能够反应出相位信息，因此，采用PFD能够达到快速锁定的目的，快速将相位差转换成为误差电压u_D(t)；因而PD或PFD是一个相位差--电压转换电路。LF一般采用低通滤波器(Low Pass Filter，LPF)，用于滤除PD或PFD输出的误差电压中的高频分量和干扰信号，输出稳定的电压u_C(t)，称为滤波电压。VCO能够将LPF输出的滤波电压转换成频率与其压值成正比的输出信号，因而VCO是一个电压——频率转换电路，其振荡频率由滤波电压来确定；VCO能够输出矩形波，通常用于产生理想时钟，所以对输入的滤波电压的稳定性有较高要求。VCO的输出信号通过一个1/K分频器，成为上述反馈信号，回送到PD或PFD的输入端，形成反馈回路，分频器使反馈信号的频率为VCO的输出信号频率的1/K，最终，使PLL的输出信号频率为输入信号频率的K倍，输出电压与输入电压保持固定的相位差值，实现锁相的目的。

图2构成了一个常规的PLL电路，主要由PD或PFD、LPF和VCO三部分组成，采用PD还是PFD由具体应用PLL的电路对锁相速度的要求而定。PD或PFD用于检测输入信号与反馈信号的相位差，并将该相位差转换成为误差电压；PD或PFD输出的误差电压通过LPF去除高频分量和干扰信号，获得稳定的滤波电压V_ctl；LPF输出的滤波电压V_ctl用来控制VCO产生理想时钟，VCO的输出信号通过一个1/K分频器回送到PD或PFD的输入端，形成反馈回路，VCO对输入的V_ctl的稳定性有较高要求。LPF由电阻R和两个N沟道MOS(NMOS)管M1、M2组成，M1和M2作为该LPF的电容。MOS管可分为薄栅和厚栅两种，薄栅MOS管单位面积电容较大。在常规PLL电路中，M1和M2的面积远远大于其他部分，直接决定了PLL电路的面积和系统消耗，为了降低电路面积和系统消耗，LPF一般使用薄栅MOS管。

随着集成电路技术的发展，电路和器件的特征尺寸越来越小。通常，将特征尺寸为0.8～0.35μm的集成电路称为亚微米级，0.25μm及其以下的集成电路称为深亚微米级，0.05μm及其以下的集成电路称为纳米级。目前，国际上集成电路的主流生产工艺技术已达到深亚微米级。在深亚微米时，由于隧穿效应，MOS管的栅极会存在漏电流，此栅极漏电流会影响PLL电路中输入VCO的滤波电压V_ctl的稳定性，从而带来较大的抖动(jitter)，严重影响了PLL电路的工作状态。

现有技术的解决方案是选择厚栅MOS管作为LPF的电容，通过栅极变厚来减小其漏电流。厚栅MOS管的栅厚一般是薄栅MOS管的2～3倍，为了得到相同大小的电容，厚栅MOS管的面积就需要增大为薄栅MOS管面积的2～3倍。由于MOS管的面积直接决定了电路面积和系统消耗，这就大大增加了电路面积和系统消耗，并且该方案的补偿精度也不理想，与集成电路小型化的发展趋势相背离。

发明内容

本发明提供一种应用于深亚微米级MOS器件栅极漏电流补偿电路装置和方法，用以解决现有技术中存在的用较大的电路面积和系统消耗补偿MOS器件栅极漏电流的问题，提高补偿精度。

本发明提供了一种MOS器件栅极漏电流补偿电路的装置，该装置包括：镜像电路、补偿电流单元和反馈控制单元，其中，

所述镜像电路，用于向反馈控制单元输出镜像电压，产生镜像电流，被补偿的栅极漏电流与该镜像电流所成比例称为镜像比例参数；

所述补偿电流单元，用于根据反馈控制单元输出的控制电压的控制生成调整电流和用于补偿栅极漏电流的补偿电流，补偿电流与调整电流所成比例为镜像比例参数；

所述反馈控制单元，用于分别接收输入的参考电压和来自镜像电路与补偿电流单元连接点的镜像电压，根据参考电压和镜像电压向补偿电流单元输出控制电压，并根据镜像电流对补偿电流单元的调整电流进行调整，使调整电流等于镜像电流。

所述装置进一步包括被补偿电路，用于向反馈控制单元输出所述参考电压，接收所述补偿电流。

所述镜像电路的电路结构与所述被补偿电路相对应，每个元件都是所述被补偿电路对应元件的镜像元件，镜像元件与被补偿电路的对应元件特征参数的比值为镜像比例参数或者镜像比例参数的倒数。

所述镜像电路单元，包括两个N沟道MOS管和一个电阻，所述两个N沟道MOS管与被补偿电路中对应的两个N沟道MOS管的面积之比为镜像比例参数的倒数，所述电阻与被补偿电路中对应的电阻阻值之比为镜像比例参数。

所述补偿电流单元，包括：

两个压控电流源，同时受所述反馈控制单元输出的控制电压的控制，一个压控电流源用于产生输入到镜像电路的调整电流，另一个压控电流源用于提供补偿电流。

所述两个压控电流源，一种具体实现方式为两个P沟道MOS管，两管沟道长度相同，用于输出补偿电流的MOS管的沟道宽度与用于输出调整电流的MOS管的沟道宽度所成比例为镜像比例参数。

所述反馈控制单元，一种具体实现方式为一个运算放大器，将所述参考电压作为负输入端的输入，将所述镜像电压作为正输入端的输入。

本发明提供了一种补偿MOS器件栅极漏电流的方法，包括下列步骤：

电路上电后，被补偿电路产生栅极漏电流，镜像电路产生镜像电流，所述栅极漏电流与所述镜像电流所成比例为镜像比例参数；

反馈控制单元将被补偿电路的输出电压作为输入的参考电压，将镜像电路与补偿电流单元连接点的电压作为输入的镜像电压，根据参考电压和镜像电压输出控制电压，控制补偿电流单元生成输入到被补偿电路的补偿电流和输入到镜像电路的调整电流，并根据镜像电流对调整电流进行调整，使调整电流等于镜像电流，所述补偿电流与所述调整电流所成比例为镜像比例参数。

所述根据镜像电流对调整电流进行调整，包括：

反馈控制单元确定调整电流大于镜像电流时，将镜像电压拉到低电平，使补偿电流单元被关断，调整电流迅速减小，当调整电流小于镜像电流后，将镜像电压拉到高电平，使调整电流迅速增大，

当调整电流大于镜像电流后，重复以上调整过程，直至达到调整电流等于镜像电流；

或者，

反馈控制单元确定调整电流小于镜像电流时，将镜像电压拉到高电平，使调整电流迅速增大，当调整电流大于镜像电流后，将镜像电压拉到低电平，使补偿电流单元被关断，调整电流迅速减小，

当调整电流小于镜像电流后，重复以上调整过程，直至调整电流等于镜像电流。

所述栅极漏电流与镜像电流所成比例为镜像比例参数通过设置被补偿电路和镜像电路的电路参数来实现。

所述补偿电流单元包括两个压控电流源，所述补偿电流与调整电流所成比例为镜像比例参数通过设置两个压控电流源的电路参数来实现。

相对于现有技术，本发明有益效果如下：

1、本发明中通过设置栅极漏电流补偿装置实现对MOS器件栅极漏电流的补偿，由于反馈控制单元和补偿电流单元的电路面积基本可以忽略不计，镜像电路的电路面积是栅极漏电流补偿装置电路面积的决定因素，所以增加的电路面积与现有方案相比大大减小，使用较小的系统代价就实现了对MOS器件栅极漏电流的补偿，大大节省了系统消耗。

2、本发明提供的方案系统补偿精度可以达到99％以上，稳定了被补偿电路的输出电压，减小了深亚微米条件下PLL电路的抖动(jitter)，改善了其工作状态。

3、本发明应用范围比较广泛，在线宽低于0.13μm工艺下，使用PLL电路的产品中均可能得到应用；同时也是一种补偿深亚微米条件下MOS器件栅极漏电流的普遍适用方法。

附图说明

图1为PLL的原理框图；

图2为常规PLL示意图；

图3为实施例一栅极漏电流补偿装置结构示意图；

图4为实施例二栅极漏电流补偿装置电路图；

图5为实施例三栅极漏电流补偿装置电路图。

具体实施方式

在深亚微米时，带有MOS管的电路会产生栅极漏电流，此栅极漏电流将影响该电路的输出电压的稳定性，本发明实施例通过栅极漏电流补偿电路对带有MOS管的电路的栅极漏电流进行补偿，达到稳定输出电压的目的。

实施例一

请参阅图3，该图为本发明实施例中栅极漏电流补偿装置结构示意图，主要包括：镜像电路、补偿电流单元和反馈控制单元。

其中，镜像电路，用于向反馈控制单元输出镜像电压，产生镜像电流，被补偿电路的栅极漏电流与该镜像电流所成比例称为镜像比例参数，通过设置被补偿电路和镜像电路的电路参数可得到确定的镜像比例参数；镜像电路的结构与被补偿电路相对应，形成其镜像；

补偿电流单元，是受输入的控制电压的控制输出稳定电流的单元，包括两个压控电流源，一个压控电流源用于向被补偿电路提供栅极漏电流的补偿电流，另一个压控电流源生成调整电流；所述补偿电流和调整电流受同一个输入电压控制，补偿电流与调整电流所成比例为镜像比例参数；通过设置两个压控电流源的电路参数可使补偿电流与调整电流所成比例为镜像比例参数。

反馈控制单元，用于将来自被补偿电路的输出电压作为输入的参考电压，将来自镜像电路和补偿电流单元连接点的电压作为输入的镜像电压，根据参考电压和镜像电压向补偿电流单元输出控制电压，并根据镜像电流对补偿电流单元的调整电流进行调整，使调整电流等于镜像电流。

所述MOS器件栅极漏电流补偿装置的工作原理包括以下步骤：

101、电路上电后，被补偿电路产生栅极漏电流，镜像电路产生镜像电流，通过设置被补偿电路和镜像电路的电路参数使栅极漏电流与镜像电流所成比例为镜像比例参数；

102、将被补偿电路输出的电压作为输入反馈控制单元的参考电压，将镜像电路与补偿电流单元连接点的电压作为输入反馈控制单元的镜像电压，反馈控制单元根据参考电压和镜像电压输出控制电压；

103、补偿电流单元在反馈控制单元输出的控制电压的控制下产生两个电流，一个是输入到被补偿电路的补偿电流，一个是输入到镜像电路的调整电流，通过设置补偿电流单元的电路参数使补偿电流与调整电流所成比例为镜像比例参数；

104、在反馈控制单元的作用下，根据镜像电流对调整电流进行调整，具体的调整过程为：

反馈控制单元确定调整电流大于镜像电流时，将镜像电压拉到低电平，使补偿电流单元被关断，调整电流迅速减小，当调整电流小于镜像电流后，将镜像电压拉到高电平，使调整电流迅速增大，当调整电流大于镜像电流后，重复以上调整过程；如此反复直至达到稳定状态，即调整电流等于镜像电流、参考电压等于镜像电压；

或者，

反馈控制单元确定调整电流小于镜像电流时，将镜像电压拉到高电平，使调整电流迅速增大，当调整电流大于镜像电流后，将镜像电压拉到低电平，使补偿电流单元被关断，调整电流迅速减小，当调整电流小于镜像电流后，重复以上调整过程；如此反复直至达到稳定状态，即调整电流等于镜像电流、参考电压等于镜像电压；

105、电路稳定后，调整电流等于镜像电流，又由于栅极漏电流与镜像电流所成比例为镜像比例参数，补偿电流与调整电流所成比例为镜像比例参数，所以补偿电流等于栅极漏电流，实现了对栅极漏电流进行补偿目的，被补偿电路的输出电压也达到稳定状态。

实施例二

请参阅图4，为本发明一个具体实施例，该图是一个应用于PLL电路的MOS器件栅极漏电流补偿装置电路图。

图中PD或PFD、VCO、LPF和1/K分频器都是常规PLL电路中的一部分。LPF由电阻R和NMOS管M1、M2组成，M1和M2是单位面积电容较大的薄栅MOS管。LPF输出的滤波电压V_ctl是VCO的输入电压。在深亚微米条件下，由于隧穿效应，MOS管会产生栅极漏电流，此漏电流会影响PLL电路中滤波电压的稳定性，带来较大的抖动(jitter)，从而严重影响PLL电路的工作状态。

在本实施例中，被补偿电路即为所述的LPF，在虚线框中加入MOS器件栅极漏电流补偿电路，对LPF中MOS器件的栅极漏电流进行补偿，达到稳定V_ctl的目的，该电路包括：LPF的镜像电路、反馈控制单元和两个压控电流源。对各个器件的选择和连接方式说明如下：

LPF的镜像电路由两个NMOS管Mc1、Mc2和一个电阻Rc组成，连接方式与LPF相对应；Mc1是M1的镜像，面积为M1的1/N，N为镜像比例参数，通常在5到10之间，但是N的范围不局限于此；Mc2是M2的镜像，面积为M2的1/N；Rc是R的镜像，阻值为R的N倍；该镜像电路用于向反馈控制单元输出镜像电压，产生镜像电流，LPF产生的栅极漏电流与该镜像电流的比值为N；

两个压控电流源I1和I2，用于在输入的控制电压的控制下输出稳定的电流，I1用于生成调整电流，I2用于向LPF提供栅极漏电流的补偿电流；在同一个控制电压下，I2的输出电流是I1的N倍；

反馈控制单元，用于将来自LPF输出的滤波电压V_ctl作为输入的参考电压；将来自镜像电路和I1连接点的电压V_mirror作为输入的镜像电压，根据参考电压和镜像电压向两个压控电流源输出控制电压V_c。并根据镜像电流对I1生成的调整电流进行调整，使调整电流等于镜像电流。

基于上述补偿电路的设计，本发明实现深亚微米级PLL中MOS器件栅极漏电流的补偿，具体补偿过程的工作原理包括以下步骤：

201、电路上电后，LPF中M1的栅极漏电流为I_leak1，M2的栅极漏电流为I_leak2，则LPF的栅极漏电流为I_leak＝I_leak1+I_leak2；

202、镜像电路中，Mc1的栅极漏电流为I_mc1，Mc2的栅极漏电流为I_mc2，Mc1是M1的镜像，面积为M1的1/N，所以I_mc1是I_leak1的镜像电流， $I_{\mathrm{mc}1}=\frac{1}{N}{I}_{\mathrm{leak}1};$ Mc2是M2的镜像，面积为M2的1/N，同理 $I_{\mathrm{mc}2}=\frac{1}{N}{I}_{\mathrm{leak}2},$ 则镜像电路的镜像电流 $I_{\mathrm{mirror}}=I_{\mathrm{mc}1}+I_{\mathrm{mc}2}=\frac{1}{N}{I}_{\mathrm{leak}};$

203、将LPF输出的滤波电压V_ctl作为输入反馈控制单元的参考电压，将镜像电路和I1连接点的电压V_mirror作为输入反馈控制单元的镜像电压，反馈控制单元根据参考电压和镜像电压输出控制电压V_c；

204、压控电流源I1和I2在反馈控制单元输出的控制电压V_c的控制下输出电流，I1输出的电流为I₁，称为调整电流，I2输出的电流为I₂，称为补偿电流，通过设置两个压控电流源的电路参数，使I₂＝N·I₁；

205、在反馈控制单元的作用下，根据I_mirror对I₁进行调整，具体的调整过程是：

当反馈控制单元确定I₁＞I_mirror时，将V_mirror拉到低电平V_dd，使I1被关断，导致I₁迅速减小；当I₁＜I_mirror后，将V_mirror拉到高电平V_ss，使I1上产生很大的电流，导致I₁迅速增大；

当I₁＞I_mirror后，重复以上调整过程；如此反复直至达到稳定状态，即I₁＝I_mirror，V_mirror＝V_ctl；

或者，

当反馈控制单元确定I₁＜I_mirror时，将V_mirror拉到高电平V_ss，使I1上产生很大的电流，导致I₁迅速增大；当I₁＞I_mirror后，将V_mirror拉到低电平V_dd，使I1被关断，导致I₁迅速减小；

当I₁＜I_mirror后，重复以上调整过程；如此反复直至达到稳定状态，即I₁＝I_mirror，V_mirror＝V_ctl；

206、电路稳定后I₁＝I_mirror，又由于 $I_{\mathrm{mirror}}=\frac{1}{N}{I}_{\mathrm{lesk}},$ I₂＝N·I₁，所以I₂＝I_leak，实现了补偿LPF的栅极漏电流的目的，稳定了LPF输出的滤波电压。

本电路利用压控电流源I2输出的补偿电流对LPF的栅极漏电流进行补偿，达到了稳定LPF输出的电压的目的，减小了深亚微米条件下PLL的抖动(jitter)，改善了其工作状态。

实施例三

图5给出了深亚微米级PLL中MOS器件栅极漏电流补偿电路的又一个具体实施例，这是实施例二的一种具体实现方式，其中，反馈控制单元由运算放大器(Operational Amplifier，OPAMP)实现，压控电流源由P沟道MOS(PMOS)管实现。在本实施例中，被补偿电路为LPF，MOS器件栅极漏电流补偿电路包括：LPF的镜像电路，两个PMOS管P1和P2，一个OPAMP。各器件的选择和连接方式说明如下：

LPF的镜像电路由两个NMOS管Mc1、Mc2和一个电阻Rc组成，连接方式与LPF相对应；Mc1是M1的镜像，面积为M1的1/N，N为镜像比例参数；Mc2是M2的镜像，面积为M2的1/N；Rc是R的镜像，阻值为R的N倍；该镜像电路用于向OPAMP的正输入端输出镜像电压，产生镜像电流，所述栅极漏电流与该镜像电流的比值为N；

两个PMOS管P1和P2，用于在输入的控制电压的控制下输出电流，P1用于生成调整电流，P2用于向LPF输出补偿电流；P1的沟道长度和P2的相同，P2的沟道宽度为P1的N倍，在同一个控制电压的控制下，P2的输出电流是P1的N倍；

OPAMP，用于将来自LPF输出的滤波电压V_ctl作为负输入端的参考电压；将来自镜像电路和P1连接点的电压V_mirror作为正输入端的镜像电压，根据参考电压和镜像电压向两个PMOS管输出控制电压V_c。针对镜像电流对P1生成的调整电流进行调整，使调整电流等于镜像电流。

基于上述补偿电路的设计，具体补偿过程的工作原理包括以下步骤：

301、电路上电后，LPF中M1的栅极漏电流为I_leak1，M2的栅极漏电流为I_leak2，则LPF的栅极漏电流为I_leak＝I_leak1+I_leak2；

302、镜像电路中，Mc1的栅极漏电流为I_mc1，Mc2的栅极漏电流为I_mc2，Mc1是M1的镜像，面积为M1的1/N，所以I_mc1是I_leak1的镜像电流， $I_{\mathrm{mc}1}=\frac{1}{N}{I}_{\mathrm{leak}1};$ Mc2是M2的镜像，面积为M2的1/N，同理 $I_{\mathrm{mc}2}=\frac{1}{N}{I}_{\mathrm{leak}2},$ 则镜像电路的镜像电流为 $I_{\mathrm{mirror}}=I_{\mathrm{mc}1}+I_{\mathrm{mc}2}=\frac{1}{N}{I}_{\mathrm{leak}};$

303、将LPF输出的滤波电压V_ctl作为输入OPAMP负输入端的参考电压，将镜像电路和P1连接点的电压V_mirror作为输入OPAMP正输入端的镜像电压，OPAMP根据参考电压和镜像电压输出控制两个PMOS管的控制电压V_c；

304、PMOS管P1和P2在OPAMP输出的控制电压V_c的控制下输出电流，P1输出的电流为I_p1称为调整电流，P2输出的电流为I_p2，称为补偿电流，设置P1的沟道长度和P2的相同，P2的沟道宽度为P1的N倍，由MOS管的特性可知，在同一个电压控制下，I_p2为I_p1的N倍，即I_p2＝N·I_p1；

305、在OPAMP的作用下，根据I_mirror对I_p1进行调整，具体的调整过程是：

当OPAMP确定I_p1＞I_mirror时，将V_mirror拉到低电平V_dd，使P1被关断，导致I_p1迅速减小；当I_p1＜I_mirror后，将V_mirror拉到高电平V_ss，使P1上产生很大的电流，导致I_p1迅速增大；

当I_p1＞I_mirror后，重复以上调整过程；如此反复直至达到稳定状态，即I_p1＝I_mirror，V_mirror＝V_ctl；

或者，

当OPAMP确定I_p1＜I_mirror时，将V_mirror，拉到高电平V_ss，使P1上产生很大的电流，导致I_p1迅速增大；当I_p1＞I_mirror后，将V_mirror拉到低电平V_dd，使P1被关断，导致I_p1迅速减小；

当I_p1＜I_mirror后，重复以上调整过程；如此反复直至达到稳定状态，即I_p1＝I_mirror，V_mirror＝V_ctl；

306、电路稳定后I_p1＝I_mirror，又由于 $I_{\mathrm{mirror}}=\frac{1}{N}{I}_{\mathrm{lesk}},$ I_p2＝N·I_p1，所以I_p2＝I_leak，实现了补偿LPF的栅极漏电流的目的，稳定了LPF输出的电压。

本电路利PMOS管P2输出的补偿电流对LPF的栅极漏电流进行补偿，达到了稳定LPF输出的滤波电压的目的，减小了深亚微米级PLL的抖动(jitter)，改善了其工作状态。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1、一种MOS器件栅极漏电流补偿电路的装置，其特征在于，该装置包括：镜像电路、补偿电流单元和反馈控制单元，其中，

所述镜像电路，用于向反馈控制单元输出镜像电压，产生镜像电流，被补偿的栅极漏电流与该镜像电流所成比例称为镜像比例参数；

所述补偿电流单元，用于根据反馈控制单元输出的控制电压的控制生成调整电流和用于补偿栅极漏电流的补偿电流，补偿电流与调整电流所成比例为镜像比例参数；

所述反馈控制单元，用于分别接收输入的参考电压和来自镜像电路与补偿电流单元连接点的镜像电压，根据参考电压和镜像电压向补偿电流单元输出控制电压，并根据镜像电流对补偿电流单元的调整电流进行调整，使调整电流等于镜像电流。

2、如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括被补偿电路，用于向反馈控制单元输出所述参考电压，接收所述补偿电流。

3、如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述镜像电路的电路结构与所述被补偿电路相对应，每个元件都是所述被补偿电路对应元件的镜像元件，镜像元件与被补偿电路的对应元件特征参数的比值为镜像比例参数或者镜像比例参数的倒数。

4、如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述镜像电路单元，包括两个N沟道MOS管和一个电阻，所述两个N沟道MOS管与被补偿电路中对应的两个N沟道MOS管的面积之比为镜像比例参数的倒数，所述电阻与被补偿电路中对应的电阻阻值之比为镜像比例参数。

5、如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述补偿电流单元，包括：

两个压控电流源，同时受所述反馈控制单元输出的控制电压的控制，一个压控电流源用于产生输入到镜像电路的调整电流，另一个压控电流源用于提供补偿电流。

6、如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述两个压控电流源，为两个P沟道MOS管，两管沟道长度相同，用于输出补偿电流的MOS管的沟道宽度与用于输出调整电流的MOS管的沟道宽度所成比例为镜像比例参数。

7、如权利要求1至6任一所述的装置，其特征在于，所述反馈控制单元，为一个运算放大器，将所述参考电压作为负输入端的输入，将所述镜像电压作为正输入端的输入。

8、一种补偿MOS器件栅极漏电流的方法，其特征在于，包括下列步骤：

电路上电后，被补偿电路产生栅极漏电流，镜像电路产生镜像电流，所述栅极漏电流与所述镜像电流所成比例为镜像比例参数；

反馈控制单元将被补偿电路的输出电压作为输入的参考电压，将镜像电路与补偿电流单元连接点的电压作为输入的镜像电压，根据参考电压和镜像电压输出控制电压，控制补偿电流单元生成输入到被补偿电路的补偿电流和输入到镜像电路的调整电流，并根据镜像电流对调整电流进行调整，使调整电流等于镜像电流，所述补偿电流与所述调整电流所成比例为镜像比例参数。

9、如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据镜像电流对调整电流进行调整，包括：

反馈控制单元确定调整电流大于镜像电流时，将镜像电压拉到低电平，使补偿电流单元被关断，调整电流迅速减小，当调整电流小于镜像电流后，将镜像电压拉到高电平，使调整电流迅速增大，

当调整电流大于镜像电流后，重复以上调整过程，直至达到调整电流等于镜像电流；

或者，

反馈控制单元确定调整电流小于镜像电流时，将镜像电压拉到高电平，使调整电流迅速增大，当调整电流大于镜像电流后，将镜像电压拉到低电平，使补偿电流单元被关断，调整电流迅速减小，

当调整电流小于镜像电流后，重复以上调整过程，直至调整电流等于镜像电流。

10、如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述栅极漏电流与镜像电流所成比例为镜像比例参数通过设置被补偿电路和镜像电路的电路参数来实现。

11、如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，补偿电流单元包括两个压控电流源，所述补偿电流与调整电流所成比例为镜像比例参数通过设置两个压控电流源的电路参数来实现。

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