CN103023490B - 一种稳定锁相环路特性的电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种稳定锁相环路特性的电路,其包括:鉴频鉴相器,用于将一参考振荡器的输出信号与压控振荡器的回馈信号之间的相位进行比较,产生相应于输出信号与回馈信号的相位差信号;电荷泵,用于将相位差信号转换成电流信号;环路滤波器,用于将电流信号积分滤波,以产生用于控制压控振荡器输出频率的控制电压;压控振荡器,用于通过变容管产生具有基于控制电压而改变输出频率的振荡信号;压控电流源,连接于环路滤波器的输出端和电荷泵的偏置输入端之间,用于补偿所述变容管随控制电压的变化而出现的非线性变化。本发明增加一个压控电流源,通过调整电荷泵电流Icp,使其正好抵消变容管的非线性对Kv的影响,稳定锁相环的环路特性。

Description

一种稳定锁相环路特性的电路
技术领域
本发明涉及锁相环电路,具体涉及一种稳定锁相环路特性的电路。
背景技术
在无线收发机中,频率综合器20用来产生可编程的精确的振荡信号,一般用锁相环(PLL)电路实现,常用的电荷泵锁相环电路一般由参考振荡器11、鉴频鉴相器12、电荷泵13、环路滤波器16、压控振荡器(VCO)17构成,其中,电荷泵13包括电荷泵核心电路14和电荷泵偏置电路15,鉴频鉴相器12将两个输入信号的相位进行比较,产生一个相应于两个输入信号之差成正比的相位差信号,两个输入信号其中一个来自参考振荡器11的输出信号,另一个来自压控振荡器17的回馈信号,该相位差信号通过电荷泵13转换成电流信号,然后在通过环路滤波器16进行积分滤波后产生一控制电压,对压控振荡器的输出频率进行控制,从而实现相位恢复,达到锁频的目的。在频率综合器20中,通过一在回馈信号上增加分频器,从而实现压控振荡器17的最终输出频率N倍于参考振荡器11的输出频率。
频率综合器20的输出频率范围取决于压控振荡器17的输出频率范围,为得到较低的相位噪声,压控振荡器一般用电感电容压控振荡器实现。这种类型的振荡器相位噪声较低,但是压控增益也较低,低压控增益有利于优化锁相环的噪声,却使压控振荡器输出频率范围也较小。在大带宽应用中,为了得到较宽的输出频率范围,电容电感压控振荡器通常都会通过开关电容阵列来实现多条调谐曲线。这样每条调谐曲线仅需覆盖较窄的频率,控制电压Vt决定了压控振荡器在当前这条调谐曲线上工作时的输出频率。我们希望Vt的取值范围尽量大,这样意味着单条曲线可以覆盖更宽的频率范围。
锁相环作为一个反馈电路,其环路特性影响电路稳定性和噪声等多方面的性能。以三阶锁相环为例,其开环传递函数,
H 3 o ( s ) = I cp K v N F 2 ( s ) s            (1式)
其中Icp为电荷泵输出电流,Kv为VCO的压控增益,N为分频器的分频比。F2(s)为二阶环路滤波器的传递函数,
F 2 ( s ) = 1 + s R 1 C 1 s ( C 1 + C 2 + s R 1 C 1 C 2 )        (2式)
开环传递函数中Kv和N都是随VCO输出频率变化的,若要求锁相环在较宽频率范围内环路特性保持不变,则要求IcpKv/N为常数。
VCO的输出频率,
f = 1 2 π L ( C 0 + C v )         (3式)
其中L为电感值,C0为固定电容值,Cv为变容管的电容值。
VCO的压控增益:
K v = df dV t = 1 4 π ( 2 πf ) 3 L · dC v dV t       (4式)
因为N=f/fref(其中f为VCO的输出频率,fref参考振荡器11的输出频率),在假定dCv/dVt为常数,即变容管电容随控制电压Vt线性变化的情况下,结合1式、2式和4式可知,使电荷泵电流Icp与VCO输出频率f的平方成反比关系,这样就可以抵消分频比不同对环路特性的影响。
但是传统锁相环中,仅考虑环路特性随分频比的变化是不够的。因为上述变容管线性的假定一般都是不成立的,见附图2。即使分频比不变,不同的控制电压也会影响环路特性。所以在实际的锁相环中经常遇到同一个子频带,带宽随控制电压发生明显变化的情况。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的在于提供一种稳定锁相环路特性的电路,其通过压控电流源对变容管随控制电压的变化而出现的非线性进行补偿,实现锁相环路特性的稳定。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种稳定锁相环路特性的电路,其包括:鉴频鉴相器,用于将一参考振荡器的输出信号与压控振荡器的回馈信号之间的相位进行比较,产生相应于输出信号与回馈信号的相位差信号;电荷泵,用于将所述相位差信号转换成电流信号;环路滤波器,用于将所述电流信号积分滤波,以产生用于控制压控振荡器输出频率的控制电压;压控振荡器,用于通过变容管产生具有基于所述控制电压而改变输出频率的振荡信号;压控电流源,连接于所述环路滤波器的输出端和电荷泵的偏置输入端之间,用于补偿所述变容管随控制电压的变化而出现的非线性变化。
优选地,所述电荷泵包括电荷泵核心电路和电荷泵偏置电路,所述电荷泵核心电路连接于鉴频鉴相器的输出端和环路滤波器的输入端之间,所述电荷泵偏置电路连接于压控电流源的输出端和电荷泵核心电路的偏置输入端之间。
作为本发明的一种实施方式,所述压控电流源包括NMOS管M1、PMOS管M4以及第一PMOS电流镜和第二PMOS电流镜,所述NMOS管M1和PMOS管M4的栅极均电性连接至控制电压,其中:NMOS管M1的源极接地,其漏极通过第一PMOS电流镜输出形成第一输出电流;PMOS管M4的漏极接至一直流电压,其源极通过第二PMOS电流镜输出形成第二输出电流;所述第一输出电流和第二输出电流相叠加后,形成输出电流,连接于电荷泵的偏置输入端。
优选地,所述第一PMOS电流镜包括PMOS管M2和PMOS管M3,该PMOS管M2和PMOS管M3的漏极均接地,且PMOS管M2和PMOS管M3的栅极均接于PMOS管M2的源极,PMOS管M2的源极连接至NMOS管M1的漏极,PMOS管M3的源极输出所述第一输出电流;所述第二PMOS电流镜包括PMOS管M7和PMOS管M8,该PMOS管M7和PMOS管M8的漏极均接至所述直流电压,且PMOS管M7和PMOS管M8的栅极均接于PMOS管M7的源极,PMOS管M7的源极连接至PMOS管M4的源极,PMOS管M8的源极输出所述第二输出电流。
优选地,所述压控电流源进一步包括一由NMOS管M5和NMOS管M6组成的NMOS电流镜,所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均接地,NMOS管M5和NMOS管M6的栅极均接于NMOS管M5的漏极,NMOS管M5的漏极连接于PMOS管M4的源极,NMOS管M6的漏极连接于PMOS管M7的源极。
作为本发明的另一种实施方式,所述压控电流源包括:比较器X1,所述比较器X1的输入端分别电性连接控制电压和一固定中间电压;放大器X6,用于输出所述控制电压和固定中间电压相位差的绝对值的倍数;VI转换电路,连接于放大器X6的输出端,用于将放大器X6的输出电压转换成输出电流,以连接于电荷泵的偏置输入端;开关电路,连接于比较器X1的输出端和放大器X6的输入端之间,用于将控制电压的电压值和固定中间电压的电压值中较大的值输出至放大器X6的同相输入端,较小的值输出至放大器X6的反相输入端。
优选地,所述控制电压和固定中间电压分别连接于比较器X1的同相输入端和反相输入端,所述开关电路包括非门A1、非门A2以及开关X2、开关X3、开关X4、开关X5,其中:所述开关X2和开关X4的输入端均与控制电压相连,开关X2的输出端与放大器X6的反相输入端相连,开关X4的输出端与放大器X6的同相输入端相连,比较器X1的输出端与开关X4的控制端相连,比较器X1的输出端通过非门A1与开关X2的控制端相连;所述开关X3和开关X5的输入端均与中间固定电压相连,开关X3的输出端与放大器X6的同相输入端相连,开关X5的输出端与放大器X6的反相输入端相连,比较器X1的输出端与开关X5的控制端相连,比较器X1的输出端通过非门A2与开关X3的控制端相连。
优选地,所述放大器X6的反相输入端通过一电阻R4连接于开关X2和开关X5的输出端之间,所述放大器X6的同相输入端通过一电阻R3连接于开关X3和开关X4的输出端之间,一电阻R2连接于放大器X6的反相输入端和输出端之间,一电阻R1的一端接地,另一端连接于电阻R3和放大器X6的同相输入端之间。
优选地,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4的阻值相等,所述放大器X6的输出端还连接一放大器X7。
优选地,所述VI转换电路包括PMOS管M20和PMOS管M10,所述PMOS管M20和PMOS管M10的栅极均连接于放大器X7的输出端,PMOS管M20和PMOS管M10的漏极均连接于一直流电压,其源极通过一电阻R5接地,放大器X7的反相输入端连接于电阻R5和PMOS管M20的源极之间,PMOS管M10的源极输出所述输出电流。
本发明用电荷泵电流补偿变容管电容随控制电压变化的非线性。在分频比N不变的情况下,要保持环路特性恒定,结合1式、2式和4式可知应使Icp和Kv的乘积为常数,同一条频带线上,频率变化很小,得到,
          (5式)
即Icp随控制电压Vt的变化,应该与Cv随控制电压Vt的变化趋势相反。
本发明的优点在于:
通过增加一个压控电流源,使其输出电流与电荷泵偏置电路的输出电流相加。压控电流源的输出电流随控制电压Vt变化,控制电压Vt在中间电平时,压控电流源输出电流最小,偏离中间电平时,压控电流源输出电流变大。通过调整电荷泵电流Icp,使其正好抵消变容管的非线性对Kv的影响。
附图说明
图1是现有锁相环的结构框图;
图2是变容管的电容值及其变化率随控制电压Vt的变化曲线,其中实线为电容值变化曲线,虚线为电容值变化率的变化曲线;
图3是本发明锁相环的结构框图;
图4是图3中压控振荡器的实施例一的电路原理图;
图5是图3中压控振荡器的实施例二的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
如图3所示,一种稳定锁相环路特性的电路,其包括:鉴频鉴相器12,用于将参考振荡器11的输出信号与回馈信号(来自压控振荡器17)之间的相位进行比较,产生相应于输出信号与回馈信号的相位差信号;电荷泵13,用于将所述相位差信号转换成电流信号;环路滤波器16,用于将所述电流信号进行积分滤波,以产生控制电压Vt,该控制电压Vt用来控制压控振荡器17的输出频率;压控振荡器17,用于通过变容管产生具有基于所述控制电压而改变输出频率的振荡信号。
由上可知,锁相环是一种利用反馈(Feedback)控制原理实现的频率及相位的同步技术,其作用是将电路输出的时钟与其外部的参考时钟保持同步。当参考时钟的频率或相位发生改变时,锁相环会检测到这种变化,并且通过其内部的反馈系统来调节输出频率,直到两者重新同步,从而实现锁相的目的。
图3并示出了锁相环在频率综合器20中的应用,频率综合器20是在锁相环电路中压控振荡器17的回馈信号上增设分频器18,从而实现压控振荡器17的最终输出频率N倍于参考振荡器11的输出频率,而频率综合器20的输出频率范围取决于压控振荡器17的输出频率范围,以频率综合器20为例,为了使频率综合器20得到较宽频率范围同时具有较小的噪声,还要保持锁相环的环路特性保持不便,由背景技术可知,需保证压控振荡器17中的变容管随控制电压Vt的变化而呈线性变化。因此需要通过一定的装置去补偿变容管随控制电压的变化而出现的非线性变化,如图2所示,变容管在控制电压达到一定值(以下称之为中间电平)时,其电容值的变化率最大,而在控制电压变大或变小时,其电容值变化率均减小。在本发明的较佳的实施例中,在环路滤波器16的输出端和电荷泵13的偏置输入端之间连接一压控电流源21,该压控电流源21在控制电压为中间电平时,压控电流源21的输出电流最小,偏离该中间电平时,压控电流源的输出电流变大,由5式可知,因此压控电流源的输出电流Icp随控制电压Vt的变化,与Cv随控制电压Vt的变化趋势相反,结合背景技术中的4式可知,通过调整电流Icp的变化值,使其正好抵消变容管的非线性对Kv的影响。
在本发明实施例中,所述电荷泵13包括电荷泵核心电路14和电荷泵偏置电路15,所述电荷泵核心电路14连接于鉴频鉴相器12的输出端和环路滤波器16的输入端之间,所述电荷泵偏置电路15连接于压控电流源21的输出端和电荷泵核心电路14的偏置输入端之间,该电荷泵核心电路14的偏置输入端即为电荷泵13的偏置输入端。压控电流源21的输出电流通过电荷泵偏置电路15去改变电荷泵核心电路14的输入电流,进而补偿变容管的非线性变化。
如图4所示,作为本发明的实施例一,压控电流源21包括NMOS管M1、PMOS管M4以及第一PMOS电流镜和第二PMOS电流镜,所述NMOS管M1和PMOS管M4的栅极均电性连接至控制电压,使NMOS管M1和PMOS管M4形成共栅极形式工作的晶体管,其中:NMOS管M1的源极接地,其漏极通过第一PMOS电流镜输出形成第一输出电流;PMOS管M4的漏极接至一直流电压,其源极通过第二PMOS电流镜输出形成第二输出电流;所述第一输出电流和第二输出电流相叠加后,形成输出电流,连接于电荷泵的偏置输入端。当然,也可以直接将第一PMOS电流镜形成的第一输出电流和PMOS管M4的源极的输出电流进行叠加,形成该压控振荡器21的输出电流。
具体地,第一PMOS电流镜包括PMOS管M2和PMOS管M3,该PMOS管M2和PMOS管M3的漏极均接地,且PMOS管M2和PMOS管M3的栅极均接于PMOS管M2的源极,PMOS管M2的源极连接至NMOS管M1的漏极,PMOS管M3的源极输出所述第一输出电流;所述第二PMOS电流镜包括PMOS管M7和PMOS管M8,该PMOS管M7和PMOS管M8的漏极均接至所述直流电压,且PMOS管M7和PMOS管M8的栅极均接于PMOS管M7的源极,PMOS管M7的源极连接至PMOS管M4的源极,PMOS管M8的源极输出所述第二输出电流。
另外,为了使第一输出电流和第二输出电流更方便地叠加,压控电流源21进一步包括一由NMOS管M5和NMOS管M6组成的NMOS电流镜,所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均接地,NMOS管M5和NMOS管M6的栅极均接于NMOS管M5的漏极,NMOS管M5的漏极连接于PMOS管M4的源极,NMOS管M6的漏极连接于PMOS管M7的源极。
其工作原理是:当控制电压Vt由中间值变大时,流过NMOS管M1的电流变大,流经PMOS管M4的电流变小,根据NMOS管M1PMOS管M4的特性曲线可知,NMOS管M1和PMOS管M4的输出电流通过电流镜叠加后,实现输出电流Iout变大。同理,当控制电压Vt由中间值变小时,流过NMOS管M1的电流变小,流经PMOS管M4的电流变大,根据NMOS管M1PMOS管M4的特性曲线可知,NMOS管M1和PMOS管M4的输出电流通过电流镜叠加后,实现输出电流Iout变大。因此,实现控制电压Vt由中间电平变大或变小,输出电流Iout都变大的目的。
如图5所示,作为本发明的实施例二,压控电流源21包括:比较器X1,所述比较器X1的输入端分别电性连接控制电压Vt和一固定中间电压Vref(即上述的中间电平);放大器X6,用于输出所述控制电压和固定中间电压相位差的绝对值的倍数;VI转换电路,连接于放大器X6的输出端,用于将放大器X6的输出电压转换成输出电流,以连接于电荷泵的偏置输入端;开关电路,连接于比较器X1的输出端和放大器X6的输入端之间,用于将控制电压的电压值和固定中间电压的电压值中较大的值输出至放大器X6的同相输入端,较小的值输出至放大器X6的反相输入端。
具体地,控制电压和固定中间电压分别连接于比较器X1的同相输入端和反相输入端,所述开关电路包括非门A1、非门A2以及开关X2、开关X3、开关X4、开关X5,其中:所述开关X2和开关X4的输入端均与控制电压相连,开关X2的输出端与放大器X6的反相输入端相连,开关X4的输出端与放大器X6的同相输入端相连,比较器X1的输出端与开关X4的控制端相连,比较器X1的输出端通过非门A1与开关X2的控制端相连;所述开关X3和开关X5的输入端均与中间固定电压相连,开关X3的输出端与放大器X6的同相输入端相连,开关X5的输出端与放大器X6的反相输入端相连,比较器X1的输出端与开关X5的控制端相连,比较器X1的输出端通过非门A2与开关X3的控制端相连,开关X2、开关X3、开关X4、开关X5都可采用晶体管如三极管,以开关X2采用三极管为例,其中开关X2的控制端即为三极管的基极,开关X2的输入端即为三极管的集电极,开关X2的输出端即为三极管的发射极。比较器X1比较固定中间电压Vref和控制电压Vt的大小后输出控制开关X2、X3、X4和X5。若控制电压Vt大于固定中间电压Vref,则比较器X1的输出为高电平,则控制电压Vt输入放大器X6的同相输入端,固定中间电压Vref输入放大器X6的反相输入端;若控制电压Vt小于固定中间电压Vref,则比较器X1的输出为低电平,则控制电压Vt输入放大器X6的反相输入端,固定中间电压Vref输入放大器X6的同相输入端。这样输入放大器X6的同相输入端总是较大的值,反相输入端总是较小的值,然后通过放大器X6放大通过VI转换电路输出的电流满足无论控制电压Vt由中间电平变大或变小,输出电流Iout都变大的目的。
放大器X6的反相输入端通过一电阻R4连接于开关X2和开关X5的输出端之间,所述放大器X6的同相输入端通过一电阻R3连接于开关X3和开关X4的输出端之间,一电阻R2连接于放大器X6的反相输入端和输出端之间,一电阻R1的一端接地,另一端连接于电阻R3和放大器X6的同相输入端之间。
作为本发明的较佳实施方式,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4的阻值相等,所述放大器X6的输出端还连接一放大器X7,此种情况下,放大器X6的放大倍数为1,即其输出端即为控制电压Vt和固定中间电压Vref差值的绝对值,然后通过放大器X7进行放大,当然,也可以根据电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4的关系使放大器X6呈现适合的放大倍数,从而可以省去放大器X7。
VI转换电路具体包括PMOS管M20和PMOS管M10,所述PMOS管M20和PMOS管M10的栅极均连接于放大器X7的输出端,PMOS管M20和PMOS管M10的漏极均连接于一直流电压,其源极通过一电阻R5接地,放大器X7的反相输入端连接于电阻R5和PMOS管M20的源极之间,PMOS管M10的源极输出所述输出电流。放大器X6的输出电压被放大器X7放大后,由PMOS管M20和电阻R5转成电流,由PMOS管M10的源极输出。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,其包括:
鉴频鉴相器,用于将一参考振荡器的输出信号与压控振荡器的回馈信号之间的相位进行比较,产生相应于输出信号与回馈信号的相位差信号;
电荷泵,用于将所述相位差信号转换成电流信号;
环路滤波器,用于将所述电流信号积分滤波,以产生用于控制压控振荡器输出频率的控制电压;
压控振荡器,用于通过变容管产生具有基于所述控制电压而改变输出频率的振荡信号;
压控电流源,连接于所述环路滤波器的输出端和电荷泵的偏置输入端之间;压控电流源的输出电流随所述控制电压的变化,与压控振荡器的变容管的电容值随所述控制电压的变化趋势相反,用于补偿所述变容管随控制电压的变化而出现的非线性变化。
2.根据权利要求1所述的稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,所述电荷泵包括电荷泵核心电路和电荷泵偏置电路,所述电荷泵核心电路连接于鉴频鉴相器的输出端和环路滤波器的输入端之间,所述电荷泵偏置电路连接于压控电流源的输出端和电荷泵核心电路的偏置输入端之间。
3.根据权利要求1所述的稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,所述压控电流源包括NMOS管M1、PMOS管M4以及第一PMOS电流镜和第二PMOS电流镜,所述NMOS管M1和PMOS管M4的栅极均电性连接至控制电压,其中:
NMOS管M1的源极接地,其漏极通过第一PMOS电流镜输出形成第一输出电流;
PMOS管M4的漏极接至一直流电压,其源极通过第二PMOS电流镜输出形成第二输出电流;
所述第一输出电流和第二输出电流相叠加后,形成输出电流,连接于电荷泵的偏置输入端。
4.根据权利要求3所述的稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,
所述第一PMOS电流镜包括PMOS管M2和PMOS管M3,该PMOS管M2和PMOS管M3的漏极均连接直流电压,且PMOS管M2和PMOS管M3的栅极均接于PMOS管M2的源极,PMOS管M2的源极连接至NMOS管M1的漏极,PMOS管M3的源极输出所述第一输出电流;
所述第二PMOS电流镜包括PMOS管M7和PMOS管M8,该PMOS管M7和PMOS管M8的漏极均接至所述直流电压,且PMOS管M7和PMOS管M8的栅极均接于PMOS管M7的源极,PMOS管M7的源极连接至PMOS管M4的源极,PMOS管M8的源极输出所述第二输出电流。
5.根据权利要求4所述的稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,所述压控电流源进一步包括一由NMOS管M5和NMOS管M6组成的NMOS电流镜,所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均接地,NMOS管M5和NMOS管M6的栅极均接于NMOS管M5的漏极,NMOS管M5的漏极连接于PMOS管M4的源极,NMOS管M6的漏极连接于PMOS管M7的源极。
6.根据权利要求1所述的稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,所述压控电流源包括:
比较器X1,所述比较器X1的输入端分别电性连接控制电压和一固定中间电压;
放大器X6,用于输出所述控制电压和固定中间电压相位差的绝对值的倍数;
VI转换电路,连接于放大器X6的输出端,用于将放大器X6的输出电压转换成输出电流,以连接于电荷泵的偏置输入端;
开关电路,连接于比较器X1的输出端和放大器X6的输入端之间,用于将控制电压的电压值和固定中间电压的电压值中较大的值输出至放大器X6的同相输入端,较小的值输出至放大器X6的反相输入端。
7.根据权利要求6所述的稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,
所述控制电压和固定中间电压分别连接于比较器X1的同相输入端和反相输入端,
所述开关电路包括非门A1、非门A2以及开关X2、开关X3、开关X4、开关X5,其中:
所述开关X2和开关X4的输入端均与控制电压相连,开关X2的输出端与放大器X6的反相输入端相连,开关X4的输出端与放大器X6的同相输入端相连,比较器X1的输出端与开关X4的控制端相连,比较器X1的输出端通过非门A1与开关X2的控制端相连;
所述开关X3和开关X5的输入端均与固定中间电压相连,开关X3的输出端与放大器X6的同相输入端相连,开关X5的输出端与放大器X6的反相输入端相连,比较器X1的输出端与开关X5的控制端相连,比较器X1的输出端通过非门A2与开关X3的控制端相连。
8.根据权利要求7所述的稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,所述放大器X6的反相输入端通过一电阻R4连接于开关X2和开关X5的输出端之间,所述放大器X6的同相输入端通过一电阻R3连接于开关X3和开关X4的输出端之间,一电阻R2连接于放大器X6的反相输入端和输出端之间,一电阻R1的一端接地,另一端连接于电阻R3和放大器X6的同相输入端之间。
9.根据权利要求8所述的稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4的阻值相等,所述放大器X6的输出端还连接一放大器X7。
10.根据权利要求9所述的稳定锁相环路特性的电路,其特征在于,所述VI转换电路包括PMOS管M20和PMOS管M10,所述PMOS管M20和PMOS管M10的栅极均连接于放大器X7的输出端,PMOS管M20和PMOS管M10的漏极均连接于一直流电压,PMOS管M20的源极通过一电阻R5接地,放大器X7的反相输入端连接于电阻R5和PMOS管M20的源极之间,PMOS管M10的源极输出所述输出电流。
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