CN101023553A - 高频电路装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可对高频信号的信号路径进行切换的微型开关，其具备：电路基板；一对第1贯穿型配线，其在电路基板上互相离开而配置着且以电气方式分别连接着电路基板的表面和里面；一对信号线，其在电路基板的表面上在一对第1贯穿型配线连结用的直线上具有间隙以及互相面对而配置着，且以电气方式分别连接着一对第1贯穿型配线；以及可动部，其在构造上可对电路基板的表面交替地相接触或相离开，且其在与表面相接触时可以电气方式而与一对信号线相连接。

Description

高频电路装置

技术领域

本发明涉及一种高频电路装置。特别是，本发明涉及一种处理GHz以上的高频信号所用的高频电路装置。又，本发明主张下记的日本专利申请案所主张的优先权。借由参照该申请案中所记载的内容以编入本案中而成为本案的记载的一部份。

特愿2004-275088申请日2004年9月22日

背景技术

先前，GHz以上的高频信号处理用的高频电路装置的一例是各种提案中以MEMS技术所制成的切换(Switching)装置。例如，各种提案中借由静电引力以驱动可动接点来进行射频(RF)信号的切换所用的有接点继电器(Relay)(例如，请参阅非专利文献1)。

【非专利文献1】MWE2003 Microwave Workshop Digest pp.375-378

发明内容

然而，先前的有接点继电器存在着一种不能与半导体测试装置等所要求的高速信号的切换相对应的问题。又，以MEMS技术作成切换装置时虽然通常都使用玻璃基板，然而，为了设置该贯通基板所用的贯穿型配线，在玻璃基板中以钻子(drill)来开孔时，由于孔的直径大约是300微米，则高频信号线和贯穿型配线的直径都成为同样程度的大小。此处，在贯穿型配线和信号路径的结合部份中会发生电磁波的放射。因此，特别是共平面型配线时，贯穿型配线和接地之间若变成较靠近，则由于接地处会拾取由上述结合部份而来的电磁波而造成一种所谓信号的功率低下的不适当事实的存在。

为了解决上述问题，在本发明的高频电路装置的第1形式中，此高频电路装置具备：一对第1贯穿型配线，其以电气方式连接着电路基板的表面和里面；一对第1信号线，其配置在电路基板的表面且互相之间具有间隙(gap)；第1可动部，其面对该间隙而配置着；以及第1接地图样和第2接地图样(pattern)，其挟持着一对第1信号线以配置在电路基板的表面。第1可动部在构造上可交替地与一对第1信号线相接触或相离开。一对第1信号线在电性上分别与一对第1贯穿型配线相连接。第1接地图样和第2接地图样对一对第1信号线具有间隙且延迟至其近旁为止，以形成一种对一对第1信号线是共平面的线路。第1接地图样和第2接地图样分别位于第1贯穿型配线的近旁且具有一种由第1贯穿型配线离开的形状。此处，第1和第2接地图样较佳是分别由第1贯穿型配线离开至一种第1贯穿型配线和第1信号线之间所产生的电磁波不会造成干涉的程度。

在上述的高频电路装置中，第1贯穿型配线的直径亦可较第1信号线的宽度还大。此种情况下，贯穿型配线和接地之间的距离较佳是可使阻抗成为50欧姆的程度。

上述的高频电路装置亦可另外具备：第2贯穿型配线，其以电气方式连接着电路基板的表面和里面；第2信号线，其位于电路基板的表面且对第1信号线的一侧具有间隙而配置着；以及第2可动部，其面对该间隙而配置着。第2信号线以电气方式而与第2贯穿型配线连接着。第2可动部在构造上可与第1可动部相独立以交替地与第1信号线的一和第2信号线相接触或相离开。第1接地图样和第2接地图样对第2信号线具有间隙且延伸至其近旁为止，以对第2信号线形成一种共平面路线。第1接地图样和第2接地图样分别位于第2贯穿型配线的近旁且具有一种由第2贯穿型配线离开的形状。

在上述的高频电路装置中，第2贯穿型配线的直径亦可较第2信号线的宽度还大。

在上述的高频电路装置中，可借由第1可动部对电路基板的表面形成接触，使一对第1贯穿型配线的一端所输入的电气信号在一对第1贯穿型配线的另一端输出，借由第2可动部对电路基板的表面形成接触，亦可使一对第1贯穿型配线的一端所输入的电气信号在第2贯穿型配线的另一端输出。

在上述的高频电路装置中，第1和第2可动部亦可分别具有：双压电晶片部，可动接点和加热区。双压电晶片部具有：固定端，其对电路基板是成固定；以及自由端，其与电路基板相隔开而由固定端伸出，借由加热而弯曲以对电路基板的表面交替地形成接触或离开。加热区配置在双压电晶片部的自由端的前端近旁，双压电晶片部的自由端接触该电路基板的表面时，此加热区对以电气方式连接一对第1或第2信号线所用的可动接点以及双压电晶片部进行加热。

上述的高频电路装置亦可另外具备一对第3贯穿型配线和第4贯穿型配线。一对第3贯穿型配线在电路基板中互相离开而配置着，以及以电气方式分别连接着电路基板的表面和里面，且同时在电路基板的表面上使电力供应至第1可动部所具有的加热区。第4贯穿型配线在电路基板中由第3贯穿型配线离开而配置着，以及以电气方式连接着电路基板的表面和里面，且同时在与第3贯穿型配线之间的电路基板的表面上使电力供给至第2可动部所具有的加热区。又，全体亦可封装在一个封装(package)内。

又，上述的发明的概要未列举本发明的必要的特征的全部，这些特征群的下位组合(sub-combination)亦属本发明。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1是实施形式所属的微型开关500的上视图。

图2是微型开关500实装在外部基板600时的状态的断面图。

102：可动接点    104：固定接点

106：氧化硅层    108：双压电晶片部

110：支持部      120：可动部

126：基板        128：加热区

129：加热电极    130：金属层

132：固定接点电极150：变形防止层

500：微型开关    502：基准电位贯穿型配线

502a～502f：基准电位贯穿型配线

504：加热用贯穿型配线

504a～504c：加热用贯穿型配线

506：信号用贯穿型配线    506a～506c：信号用贯穿型配线

508：接地                508a、508c：接地

520：信号线              520a、520b：第1信号线

520c：第2信号线          550：电路基板

560：焊接球              600：外部基板

具体实施方式

以下将依据本发明的实形式来说明本发明，但以下的实施形式不是对申请专利范围所属的发明的一种限定，又，实施形式中所说明的特征的组合的全部不限于发明的解决手段所必需者。

实施例1

图1是本实施形式的高频电路装置的一例微型开关500的上视图。又，图2是微型开关500实装在外部基板600时的状态的断面图。图2的断面位置是图1的A-A所示的位置。微型开关500微型开关500是一种1输入2输出的单极双投(SPDT，Single Pole Double Throw)开关的一例。微型开关500具备电路基板550，一对的可动部120以及支持部110。可动部120例如是一种悬梁(cantilever)状(即，具有片段的梁状)的开关。支持部110固定在电路基板550上且支持着可动部120的一端。电路基板550例如是一种玻璃基板。电路基板550亦可为硅基板。本实施形式的微型开关500的特征是能以高速且高精度的方式来切换高频信号的信号路径。电路基板550的大小的一种例子是4毫米×5毫米大小的平面，其厚度大约是0.3毫米。

可动部120可对电路基板550的表面形成接触或离开该表面。例如，可动部120具有双压电晶片部108和加热区128而可作为一种致动器(actuator)。双压电晶片部108具有：固定端，其支持在支持部110上；以及自由端，其与电路基板550相隔开且由固定端伸出。双压电晶片部108随着由固定端向自由端的方向而逐渐向上方反转。双压电晶片部108的自由端借由加热而向电路基板550的方向弯曲，以对电路基板550的表面交替地接触或离开。双压电晶片部108具备：氧化硅层106；以及金属层130，其形成在氧化硅层106上且所具有的热膨胀系数较氧化硅层106者还高。金属层130例如由铜或铝等金属所构成。

加热区128是以金属层130和氧化硅层106效率良好地加热时所需的图样所形成的导电体。例如，加热区128大略平行地设置在金属层130和氧化硅层106之间。此时，加热区128的周围借由以氧化硅等的绝缘体来覆盖而与加热区128和金属层130形成绝缘。可动部120更具有可动接点102。可动接点102设在双压电晶片部108的前端的下面，即，设在电路基板550的对面。另一方面，电路基板550在与可动接点102相面对的位置上具有固定接点104。在常温时，双压电晶片部108使可动接点102由固定接点104离开一定的距离而保持着。本实施例的双压电晶片部108的长度大约是600微米，以固定接点104作为基准点来计算时，可动接点102的中央部份的高度大约是50微米。

加热电极129是一种在电性上与加热区128相连接的金属电极。若经由此加热电极以将电力供应至加热区128，则金属层130和氧化硅层106几乎同时加热。因此，金属层130较氧化硅层106形成更大的延伸而在双压电晶片部108的弯曲量减少的方向中发生变形。结果，双压电晶片部108使可动接点102和固定接点104相接触。因此，可动接点102和固定接点104在电性上相连接。可动接点102和固定接点104例如以白金等的金属来形成。

支持部110是一种形成在电路基板550的表面上的氧化硅层。本实施例中支持部110只支持着双压电晶片部108的一端。另一实施例中支持部110亦可支持着双压电晶片部108的二端。又，可动部120可动部120亦可具有压电元件以作为致动器，亦可具有静电电极以借由静电力来驱动该可动部120。

电路基板550具有二个可动部120a、120b和三个信号用贯穿型配线506a、506b、506c。信号用贯穿型配线506a、506b、506c互相隔开而配置着且以电气方式分别连接着电路基板550的表面和里面。此处，信号用贯穿型配线506a、506b是本发明的第1贯穿型配线的一例，信号用贯穿型配线506c是本发明的第2贯穿型配线的一例。

电路基板550的表面中，一对的信号用贯穿型配线506a、506b连结用的直线上形成一对第1信号线520a、520b。一对信号线520a、520b在电性上分别连接至一对信号用贯穿型配线506a、506b。一对信号线520a、520b具有间隙且互相面对而配置着。一对第1信号线520a、520b的互相面对的前端分别配置着固定接点104。可动部120若与一对第1信号线520a、520b的固定接点104相接触，则信号用贯穿型配线506a和506b会经由第1信号线520a、520b和固定接点104而在电性上相连接。

同样，电路基板550的表面中一对信号用贯穿型配线506a、506c连结用的直线上成对地形成上述的第1信号线520a和第2信号线520c。第2信号线520c在电性上连接至信号用贯穿型配线506c。第1信号线520a和第2信号线520c之间具有间隙且互相面对而配置着。第1信号线520a和第2信号线520c的互相面对的前端上分别配置着固定接点104。可动部120b若与第1信号线520a和第2信号线520c的固定接点104相接触时，则信号用贯穿型配线506a和506c在电性上会经由第1信号线520a，第2信号线520c及固定接点104而相连接。又，信号用贯穿型配线506如图2所示是以焊接球560而与外部基板600相连接。

借由独立地以交替方式使电力是否供应至一对加热用贯穿型配线504b的各配线中，则可动部120可各别地对电路基板550的表面形成接触或离开此表面，而且可高速地切换。因此，可各别地且高速地对”信号用贯穿型配线506a中所输入的高频信号是否输出至各别的信号用贯穿型配线506b中”进行切换。

又，依据以上的构成，微型开关500中由电路基板550的里面而来的配线长度较短。又，微型开关500的可动部120由于配置成可在电路基板550上形成接触或由此电路基板550离开，则可使电路基板550的表面上的线路长度变短。又，借由使用双压电晶片部108作为微型开关，则可使开关的全体变小，因此可使电路基板550上的线路长度变成更短。借由配线长度变短，则开关全体的电感成为较小，即使高频信号输入时亦可达到“信号不会衰减”的效果。而且，由于可借由焊接球560来对外部基板600进行表面实装，则可使实装效率提高。

可动部120由于具有双压电晶片部108和加热区128而可作为致动器，则可借由供给至加热区128的电力的切换，使可动部120高速地动作。于是，微型开关500的应答速率可提高。由于具备双压电晶片部108以作为可动部120的驱动手段，则在与静电引力用在驱动手段中的情况相比较下可得到“该可动部120的面积可更小”的效果。又，电路基板550对该可动部120a具有一对加热用贯穿型配线504a、504b，对该可动部120b具有一对加热用贯穿型配线504a、5 04c。加热用贯穿型配线504a、504b、504c在电路基板550的表面上经由加热电极129而使电力供应至加热区128。三个加热用贯穿型配线504a、504b、504c在电路基板550上互相隔开而配置着且分别以电气方式连接着电路基板550的表面和里面。加热用贯穿型配线504a、504b是本发明第2贯穿型配线的一例。电路基板550由于具有加热用贯穿型配线504a、504b、504c，则能以短配线来对加热区128供应电力。因此，电力供给时加热区128的温度会很快上升，可动部120可很快动作。因此，微型开关500的应答速率可提高。

又，电路基板550在以第1信号线520a为中心的一侧上具有三条基准电位贯穿型配线502a、502b、502c。此三条基准电位贯穿型配线502a、502b、502c互相隔开而配置着且分别以电气方式连接着电路基板550的表面和里面。基准电位贯穿型配线502a、502b、502c造成微型开关500的基准电位。基准电位贯穿型配线502a，502b是本发明第1基准电位贯穿型配线的一例。电路基板550另外在电路基板550的表面上对该信号线520具有间隙且具有一种延伸至第1信号线520a、520b及第2信号线520c近旁为止的接地508a。接地508a在电性上分别连接至基准电位贯穿型配线502a、502b、502c。接地508a是本发明的第1接地图样的一例。

又，电路基板550在以第1信号线520a为中心的另一侧上具有三条基准电位贯穿型配线502d、502e、502f。此三条基准电位贯穿型配线502d、502e、502f互相隔开而配置着且分别以电气方式连接着电路基板550的表面和里面。基准电位贯穿型配线502d、502e、502f造成微型开关500的基准电位。基准电位贯穿型配线502d、502e是本发明第2基准电位贯穿型配线的一例。电路基板550另外在电路基板550的表面上在以第1信号线520a为中心的接地508a的相反侧上对第1信号线520a和第2信号线520c具有间隙且具有一种延伸至第1信号线520a及第2信号线520c近旁为止的接地508c。接地508c在电性上分别连接至基准电位贯穿型配线502d、502e、502f。接地508c是本发明的第2接地图样的一例。

又，基准电位贯穿型配线502，加热用贯穿型配线504和信号用贯穿型配线506任何一种配线所具有的直径大小都是0.35毫米。又，第1信号线520a、520b和第2信号线520c的长度分别是600微米，宽度分别是200微米。又，第1信号线520a、520b和第2信号线520c的固定接点104之间的间隙是50微米的程度。又，第1信号线520a、520b和第2信号线520c和接地508a、508c之间的间隔是由信号线的宽度和电路基板的介电率等来设定成大约30微米。

又，接地508a位于信号用贯穿型配线506a的近旁且具有一种由该信号用贯穿型配线506a离开的斜面511。同样，接地508a位于信号用贯穿型配线506b的近旁且具有一种由该信号用贯穿型配线506b离开的斜面510，以及接地508a位于信号用贯穿型配线506c的近旁且具有一种由该信号用贯穿型配线506c离开的斜面512。同样，接地508c位于信号用贯穿型配线506a、506b、506c的近旁，且具有分别由信号用贯穿型配线506a、506b、506c离开的斜面513、514、515。此种情况下，借由这些斜面510、511、512、513、514、515使接地508a、508c较佳是相隔开至一种程度，使大直径的信号用贯穿型配线506a、506b、506c和第1，第2信号线520a、520b、520c的结合部所放射的电磁波不会造成干涉作用。特别是，第1和第2信号线520a、520b和520c中所流通的信号是更高频的信号，接地508a、508c较佳是由信号用贯穿型配线506a、506b、506c远离。例如，在处理数十GHz的信号的本实施例中，接地508a、508c较佳是由信号用贯穿型配线506a、506b、506c远离100微米的程度。因此，电感在理想情况下成为50欧姆的大小。

借由以上的构成，微型开关500在第1信号线520a、520b和第2信号线520c的近旁形成一种具有接地508a、508c的共平面线路。因此，微型开关500的电感可变小。又，借由各斜面510、511、512、513、514、515，则各接地508a、508b可防止一种与直径较第1信号线520a、520b和第2信号线520c的宽度还大的信号用贯穿型配线506a、506b、506c相接触所造成的短路。又，借由各斜面510、511、512、513、514、515使接地508a、508c可拾取信号用贯穿型配线506a、506b、506c和第1，第2信号线520a、520b、520c的结合部所放射的电磁波，以防止信号的功率下降。

又，金属层130亦可为钛铜和铍铜等的析出硬化型合金。钛铜和铍铜等的析出硬化型合金由于应力缓和特性优良而可使双压电晶片部108动作时的失真较小。因此，会有“双压电晶片部108的形状不易经常变化”的效果。

双压电晶片部108覆盖氧化硅层106的表面且更具有一种变形防止层150，其水份和氧的透过率都较氧化硅层106者还小。变形防止层150是一种氮化硅层。氮化硅形成一种较氧化硅更致密的层而可更确实地遮断水份和氧。或，变形防止层150即使在形成氧化硅层106时亦可为一种在更高的能量中进行成膜时所形成的氧化硅。借由氧化硅成膜时能量的提高，则已成膜的氧化硅的致密性会提高，可使水份和氧更确实地被遮断。此时，由于能以和氧化硅层106相同的材料使变形防止层150成膜，则双压电晶片部108的制造更容易。因此，双压电晶片部108由于具有此变形防止层150，则可借由氧化硅层106经常变化来防止上述膨胀的发生。于是，双压电晶片部108的形状可更精确-且良好地保持着。

以下将说明可动部120的制造方法的一例。可动部120的制造方法包含：金属层形成阶段，退火阶段，加热形成阶段，氧化硅层形成阶段，变形防止层形成阶段，可动接点形成阶段以及牺牲层除去阶段。首先，金属层形成阶段中例如在氧化硅所构成的牺牲层上在常温时借由溅镀来堆积铜或铝等的金属以形成金属层130。

其次，在退火阶段中，对该牺牲层之上已形成的金属层130进行退火。在牺牲层之上已形成的金属层130中残留着由于溅镀而形成堆积时所产生的内部应力。因此，此种内部应力借由退火而趋于缓和。退火的温度较形成金属层130用的金属的再结晶温度及后述的电浆CVD的温度还高。例如，金属层130的材料使用铜时，退火的温度可达400℃的程度。又，金属层130的材料使用铝时，退火的温度可达350℃的程度。退火的时间大约15分钟时是适当的。

借由上述的退火过程，金属层130的原子会再结晶，格子间的缺陷会减少。因此，金属层130的内部应力会趋于缓和，双压电晶片部108的形状经常变化的主因之一可被去除。又，借由退火阶段中金属层130的内部应力已趋于缓和，则随后在氧化硅层形成阶段的电浆CVD过程中又达到300℃的温度时，可防止金属层130的变形。因此，能以CVD来进行积层时的瓦特数而很精确地对双压电晶片部108制造时的初期弯曲量和氧化层106进行管理。

其次，在加热区形成阶段中，金属层130的表面上首先形成一种绝缘层。绝缘层例如在CVD过程中借由氧化硅的堆积而形成。然后，借由铜或金等的金属在常温时以溅镀方式进行堆积以形成加热区128。其次，在氧化硅层形成阶段中，借由使用TEOS的电浆CVD过程，以便在加热区形成阶段中所形成的绝缘层上及加热区128的上面堆积氧化硅。本实施形式的氧化硅层形成阶段中例如使电浆CVD的输出调整成130瓦，300℃的状态以沈积氧化硅而形成氧化硅层106。又，金属层130上依序形成铬层和钛层，其上较佳是形成氧化硅层106。因此，可使氧化硅层106和金属层130的密着强度提高。

其次，在变形防止层形成阶段中，氧化层106的表面上在电浆CVD过程中借由氮化硅的沈积以形成该变形防止层150。或，亦可在较氧化硅层形成阶段中还高的能量的电浆CVD过程中借由氧化硅层的沈积以形成该变形防止层150。以氧化硅来形成此变形防止层150时，在使电浆CVD的输出例如调整成150瓦的状态下沈积氧化硅以形成该变形防止层150。在较氧化硅层形成阶段中还高的能量的电浆CVD过程中借由氧化硅的沈积，则变形防止层150的氧化硅可形成一种较氧化硅层106的氧化硅更致密的层。

其次，在可动接点形成阶段中，金等的耐腐蚀性高的金属例如以溅镀方式而沈积在变形防止层150的表面上，借由蚀刻以除去可动接点102以外的范围的金属而形成可动接点102。最后，在牺牲层除去阶段中，借由蚀刻以除去该支持此金属层130所用的牺牲层。然后，对应于氧化硅层106和金属层130的内部应力的差而在双压电晶片部108中产生朝向金属层130的弯曲现象。此时所产生的弯曲的大小是由氧化硅层形成阶段中的电浆CVD的能量(即，瓦特数的大小)来决定。电浆CVD的瓦特数高时，双压电晶片部108的弯曲量变大。本实施形式的双压电晶片部108中适当的弯曲量如前所述是借由氧化硅层形成阶段的电浆CVD的输出调节成130瓦的大小时得到。这样所得到的双压电晶片部108借由上下反转而得到如图2中所示形式的双压电晶片部108。

由氮化硅所构成的变形防止层150形成一种较氧化硅更致密的层，可更确实地遮断水份和氧。又，以较氧化硅层形成阶段还高的能量的电浆CVD使氧化硅沈积而形成的变形防止层150由于具有较氧化硅层106的氧化硅更致密的层，则可由氧化硅层106来遮断水份及氧。此时，由于能以和氧化硅层106相同的材料来对该变形防止层150进行成膜过程，于是可使制程较容易。

即，微型开关500由于具有该变形防止层150，则可防止氧化硅层106经常变化时所造成的膨胀。因此，可很精确地维持着双压电晶片部108的形状，固定接点104和可动接点102的接点间隙(Gap)即可确定。于是，使开关切换而输入至加热区128中的电力以及切换的应答速率此二者都可达到“安定”的效果。又，本发明的双压电晶片元件亦可为一种微型感测器等的微型机械。

就像由以上的说明所可得知者一样，依据本实施形式而提供一种微型开关500，其由电路基板的里面而来的配线长度较短且可借由焊接球而以表面安装方式安装在外部基板上。例如，本实施例的微型开关500借由使贯穿型配线和焊接区(1and)的直径未满0.6毫米，则可使成为短线(stub)的线路长抑制成未满0.6毫米。微型开关500由于配线长度较短，则开关整体的电感变成较小，可得到一种在宽频带中使信号不会衰减的效果。特别是，借由使用双压电晶片部108作为微型开关时，可使开关整体变小。因此，可使电路上的线路长度变成更短。又，由于可以表面安装方式安装在外部基板上，则可使安装效率提高。又，微型开关500更由于含有电阻而亦可构成一种衰减器(attenuator)。

以上，虽然使用本发明的实施形式来说明，但本发明的技术范围不限于上述实施形式中所记载的范围。上述实施形式中可施加多样化的变更或改良，此为此行的专家所明白。施加此种变更或改良后的形式亦属本发明的技术范围中可得到者，这由申请专利范围的记载即可明白。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许之更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (8)

1、一种高频电路装置，其特征在于其包括：

一对第1贯穿型配线，其配置在电路基板上；

一对第1信号线，其配置在电路基板的表面且互相之间具有间隙；

第1可动部，其面对该间隙而配置着；以及

第1接地图样和第2接地图样，其配置在一对第1信号线的二侧，

第1可动部在构造上可对上述的一对第1信号线形成接触或互相离开，

上述的一对第1信号线在电性上分别与上述的一对第1贯穿型配线相连接，

第1接地图样和第2接地图样延伸至上述的一对第1信号线近旁为止，以形成一种对上述的一对第1信号线是共平面的线路，以及

第1接地图样和第2接地图样分别位于第1贯穿型配线的近旁且具有一种由第1贯穿型配线离开的形状。

2、根据权利要求1所述的高频电路装置，其特征在于其中所述的一对第1贯穿型配线的直径较第1信号线的宽度还大。

3、根据权利要求2所述的高频电路装置，其特征在于其更具备：

第2贯穿型配线，其以电气方式连接着电路基板的表面和里面；

第2信号线，其位于电路基板的表面且对第1信号线的一侧具有间隙而配置着；以及

第2可动部，其面对该间隙而配置着，

第2信号线以电气方式而与第2贯穿型配线连接着，

第2可动部在构造上可与第1可动部相独立以交替地与第1信号线的一以及第2信号线相接触或相离开，

第1接地图样和第2接地图样对第2信号线具有间隙且延伸至其近旁为止，以对第2信号线形成一种共平面路线，以及

第1接地图样和第2接地图样分别位于第2贯穿型配线的近旁且具有一种由第2贯穿型配线离开的形状。

4、根据权利要求3所述的高频电路装置，其特征在于其中所述的第2贯穿型配线的直径较第2信号线的宽度还大。

5、根据权利要求4所述的高频电路装置，其特征在于其中借由第1可动部对电路基板的表面形成接触，使上述的一对第1贯穿型配线的一端所输入的电气信号在该一对第1贯穿型配线的另一端输出，以及

借由第2可动部对电路基板的表面形成接触，使上述的一对第1贯穿型配线的一端所输入的电气信号在第2贯穿型配线的另一端输出。

6、根据权利要求5所述的高频电路装置，其特征在于其中所述的第1和第2可动部分别具有：

双压电晶片部，其具有：固定端，其对电路基板是成固定；以及自由端，其由固定端伸出，

可动接点，其配置在双压电晶片部的自由端的前端近旁，该双压电晶片部的自由端在与电路基板的表面相接触时，此可动接点以电气方式而连接第1和第2信号线，以及

加热区，其对双压电晶片部进行加热。

7、根据权利要求6所述的高频电路装置，其特征在于其另外具备：

一对第3贯穿型配线，其位于基板的表面且使电力供应至第1可动部所具有的加热区，以及

第4贯穿型配线，其在与第3贯穿型配线之一之间的电路基板的表面上使电力供给至第2可动部所具有的加热区。

8、根据权利要求7所述的高频电路装置，其特征在于全体高频电路装置封装在一个封装内。

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