CN100590778C - 电子发射器件 - Google Patents

电子发射器件 Download PDF

Info

Publication number
CN100590778C
CN100590778C CN200610067073A CN200610067073A CN100590778C CN 100590778 C CN100590778 C CN 100590778C CN 200610067073 A CN200610067073 A CN 200610067073A CN 200610067073 A CN200610067073 A CN 200610067073A CN 100590778 C CN100590778 C CN 100590778C
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
emitting area
emission device
electron emission
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200610067073A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1866459A (zh
Inventor
安商爀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN1866459A publication Critical patent/CN1866459A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100590778C publication Critical patent/CN100590778C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/467—Control electrodes for flat display tubes, e.g. of the type covered by group H01J31/123
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/04—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电子发射器件，包括第一基板和面对第一基板的第二基板。第一电极和第二电极形成在第一基板上并且互相绝缘。电子发射区被电连接至第一电极或第二电极至少之一。荧光粉层形成在第二基板上。阳极形成在荧光粉层的表面上。电子发射区的区域为发射区域，并且第一电极或第二电极至少之一包括互相平行地间隔开、并且插入发射区域到其间的一对线部和横贯发射区域以互连该对线部的连接器。

Description

电子发射器件
技术领域
本发明涉及电子发射器件，并且特别是涉及具有在交叉区域具有改进形状的驱动电极以降低电容值并且最小化(或者减小或者防止)信号延迟的电子发射器件。
背景技术
根据电子源的种类，电子发射器件可以分类为使用热阴极的电子发射器件，或者使用冷阴极的电子发射器件。
在使用冷阴极的电子发射器件中，有场发射阵列(FEA)型、表面导电发射(SCE)型、金属-绝缘体-金属(MIM)型和金属-绝缘体-半导体(MIS)型。
FEA型电子发射器件包括为形成真空腔(或者真空容器)的第一和第二基板。电子发射区在第一基板上与阴极和作为控制电子从发射区域发射的驱动电极的栅极共同形成。荧光粉层与将荧光粉层置于高势态的阳极共同形成在第二基板的面对第一基板的表面上。
阴极和栅极互相交叉同时在它们之间插入绝缘层，并且开口部分形成在栅极和绝缘层处，以对应于栅极和阴极各自的交叉区域。电子发射区形成在阴极上该开口部分内。
扫描信号电压施加至阴极(或者栅极)，并且数据信号电压施加至其它电极(例如，栅极，如果扫描信号电压施加至阴极的话，或者阴极，如果扫描信号电压施加至栅极的话)。电场形成在电子发射区周围阴极和栅极之间电压差超过阈值的像素处，并且电子从这些电子发射区发射。所发射的电子被施加至阳极的高电压吸引，并且与相应荧光粉层碰撞以发光。
在操作中，信号失真可能发生在电子发射器件。驱动信号可以由于驱动电极的电阻和驱动电极之间的寄生电容而被延迟。信号延迟正比于该电阻和电容。该电容正比于绝缘层的介电常数，以及电极和栅极的交叠区域的尺寸，但是反比于绝缘层的厚度。
就此而论，通常建议辅助电极应该形成在具有高导电金属材料的驱动电极上以减少电阻，并且绝缘层应该被制做为减小电容，即，由具有低介电常数或者大厚度的新型绝缘材料形成。
然而，为减小电容以最小化(或者减小或者防止)信号延迟而形成新型绝缘材料包括高的材料成本和开发新材料的重复试验，并且因此不适合批量生产。
而且，特别是关于增加绝缘层厚度以减小电容的技术，当绝缘层被湿法刻蚀以形成开口部分，倾斜的侧壁由于湿法刻蚀工艺的各向同性效应而形成于开口部分，使栅极的开口部分的尺寸被扩大。在此情况下，电子发射区和栅极之间的距离增加，由此提高相应的驱动电压，使制造高分辨率显示装置变得困难。此外，像素的电子发射均匀性变坏了。
发明内容
本发明的一个方面是提供电子发射器件。该电子发射器件通过改进驱动电极的形状而不改变绝缘层材料及其厚度来降低电容，并且最小化(或者减小或防止)信号延迟，从而增强显示图像质量。
根据本发明的一个实施例，电子发射器件包括第一基板和面对第一基板的第二基板。第一电极和第二电极形成在第一基板上并且互相绝缘。电子发射区被电连接至第一电极或者第二电极至少之一。荧光粉层形成在第二基板上。阳极形成在荧光粉层的表面上。电子发射区的区域为发射区域，并且第一电极或者第二电极至少之一包括互相平行地分隔开并且插入发射区域在其间的一对线部，以及横贯发射区域以互连该对线部的连接器。
根据本发明的另一实施例，电子发射器件包括第一基板和面对第一基板的第二基板。第一电极和第二电极形成在第一基板并且互相绝缘。电子发射区被电连接至第一电极或者第二电极至少之一。荧光粉层形成在第二基板上。阳极形成在荧光粉层的表面上。电子发射区的区域为第一发射区域，并且第一电极或者第二电极至少之一具有形成在第一发射区域和第二发射区域之间的开口部分，该开口部分位于第一电极或者第二电极至少之一的长度方向上，以提供第一和第二电极之间的非交叠区域。
电子发射区位于第一和第二电极的交叉区域的中央，并且第一电极或者第二电极至少之一具有形成在其表面的除了对应于发射区域的部分之外的整个表面上的辅助电极。
根据本发明的另一实施例，电子发射器件包括第一基板和面对第一基板的第二基板。第一电极和第二电极形成在第一基板上并且互相绝缘。电子发射区被电连接至第一电极或者第二电极至少之一。荧光粉层形成在第二基板上。第一电极和第二电极每个都包括线部和有效部分，该有效部分从线部伸出以对应于由第一基板限定的各自像素，使得第一和第二电极的线部互相交叉并且第一和第二电极的相应有效部分互相交叠，并且电子发射区位于第一电极或第二电极的有效部分处。
该电子发射区包括碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、C60和/或硅纳米线。
附图说明
附图和特性示例性共同说明本发明的实施例，并且同描述一起服务于解释本发明的原理。
图1为根据本发明第一实施例的电子发射器件的部分分解视图；
图2为图1所示电子发射器件的部分截面视图；
图3至6为图1所示形成在第一基板上的结构的部分平面视图；
图7为根据本发明一个实施例的电子发射器件的第一电极的部分切透视图；
图8为根据本发明一个实施例的电子发射器件的第二电极的部分切透视图；
图9为根据本发明第二实施例的形成在电子发射器件第一基板上的结构的部分平面视图；
图10为根据本发明第三实施例的形成在电子发射器件第一基板上的结构的部分平面视图；
图11为根据本发明第四实施例的电子发射器件的部分分解视图；
图12为图11所示形成在第一基板上的结构的部分平面视图；
图13为根据本发明第五实施例的形成在电子发射器件第一基板上的结构的部分平面视图；和
图14为根据本发明第六实施例的形成在电子发射器件第一基板上的结构的部分平面视图。
具体实施方式
在下文的详细描述中，本发明的某个实施例通过举例说明被示出并且描述。本领域技术人员应该认识到，所描述的实施例可以以各种方式修改，所有这些修改都没有脱离本发明的精神或者范围。相应地，附图和描述本质上被视为是说明性的，而非限制性的。
图1和图2为根据本发明第一实施例的电子发射器件的部分分解视图和部分截面视图，并且图3为图1所示第一基板结构的部分平面视图。
如图1、2和3所示，电子发射器件包括互相平行地面对，且间隔一定距离的第一基板2和第二基板4(其中第一基板2和第二基板4之间的距离可以预先确定)。电子发射结构被提供在第一基板2以发射电子，并且光发射或者显示结构被提供在第二基板4上，以便由于电子发射可见光而显示理想的图像。
第一电极6沿第一基板2的方向(沿图2和图3的y轴方向)形成在第一基板2上，作为阴极，并且绝缘层8被形成在第一基板2的整个表面上，以覆盖第一电极6。第二电极10形成在绝缘层8上，作为栅极，使得第二电极10垂直于第一电极6(沿图1、2和3的x轴方向)布置。
在此实施例中，当第一和第二电极6和10的交叉区域对应于像素时，一个或者多个电子发射区12形成在第一电极6上，以对应于每个像素，并且开口部分14形成在绝缘层8和第二电极10上以对应于各自的电子发射区12，从而在第一基板2上暴露电子发射区12。
电子发射区12由在真空环境下当在其上施加电场时发射电子的材料，例如含碳材料和/或纳米(nm)尺度材料构成。在一个实施例中，电子发射区12由碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石、C60(球壳状碳分子)、硅纳米线，或者其组合型成。电子发射区12可以通过丝网印刷、直接生长、化学气相沉积和/或溅射形成。
荧光粉层16和黑色层18在第二基板4的面对第一基板2的表面上形成，并且阳极20用类铝金属材料形成在荧光粉层16和黑色层18上。阳极20接收从电子发射区12加速电子束所需要的高电压，并且向第二基板4侧反射从荧光粉层16辐射至第一基板2的可见光，从而提高屏幕亮度。
可选择地，阳极可以由透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)，而非金属材料形成。在此可选的情况下，阳极可以以多个部分的形式在荧光粉层和黑色层的指向第二基板的表面上形成图案(即阳极位于第二基板与荧光粉层和黑色层之间)。
如图4所示的矩形区域，第一电极6和第二电极10互相交叉以使第一电极6的两边形成一对长边，而第二电极10的两边形成一对短边。在图4中，该对长边和该对短边被示为第一电极6和第二电极10的交叉区域A。进一步，电子发射区12所位于的在器件工作期间基本上发射电子的区域被示为发射区域B。
发射区域B的尺寸小于交叉区域A。在一个实施例中，发射区域B位于交叉区域A的中央。
在发射区域B被置于第一电极6和第二电极10的交叉区域A中的情况下，第一电极6形成为具有置于其两边的一对线部61和横贯发射区域B以互连该对线部61的连接器62。第二电极10也形成为具有置于其两边的一对线部101和横贯发射区域B以互连该对线部102的连接器102。
如图5所示，第一电极6的线部61之间的距离d1大于发射区域B在第一电极6宽度方向上的宽度w1，并且在一个实施例中第一电极6的连接器62具有与发射区域B在第一电极6长度方向上的宽度w2相同的宽度。
第二电极10的线部101之间的距离d2被形成成大于发射区域B在第二电极10宽度方向上的宽度w2，并且在一个实施例中，第二电极10的连接器102具有与发射区域B在第二电极10长度方向上的宽度w1相同的宽度。
当第一电极6和第二电极10被构造成如上形状时，如图6所示，在交叉区域A中只有第一电极6的线部61和第二电极10的线部101互相交叠的四个域C，和电子发射区12所位于的发射区域B的域。
往回参考图1和3并且考虑第一电极6和第二电极10的形状，第一电极6具有沿纵向方向位于各自的发射区域B之间的开口部分63，并且第二电极10也具有沿纵向方向位于各自的发射区域B之间的开口部分103。第一电极6的开口部分63和第二电极10的开口部分103形成非交叠区域。
由于第一电极6的开口部分63，第一电极6宽度方向上的长度(在其x轴方向)大于发射区域B在x轴方向上的宽度，并且在一个实施例中，第一电极6纵向的长度(在其y轴方向)与沿y轴方向的两个相邻发射区域B之间的距离相同。
由于第二电极10的开口部分103，第二电极10宽度方向上的长度(在其y轴方向)大于发射区域B在y轴方向上的宽度，并且在一个实施例中，第二电极10纵向的长度(在其x轴方向)与x轴方向的两个相邻发射区域之间的距离相同。
由于上述结构，第一电极6通过一对线部61接收驱动电压，并且提供发射电子所需要的电流给置于发射区域B处的电子发射区12。第二电极10也通过一对线部101接收驱动电压，以由于来自发射区域B的第一电极6处的电压差在电子发射区12周围形成电场。
如图7所示，并且根据本发明的一个实施例，辅助电极64由高导电金属材料在第一电极6的除了发射区域B之外的整个顶面上形成。如图8所示，并且根据本发明的一个实施例，辅助电极104在第二电极10的除了发射区域B之外的整个顶面上形成。
第一电极6由具有光透射能力的ITO形成，并且第二电极10由铬(Cr)形成。辅助电极64和104由低电阻材料，例如银(Ag)和/或铝(Al)形成，以降低第一电极6和第二电极10的电阻，因此最小化(或者减小或者防止)电压下降和信号延迟。
进一步，第一电极6的线部61和连接器62可以由相同材料，例如ITO或者不同材料形成。类似地，第二电极10的线部101和连接器102也可以由相同材料或者其它(或者不同的)适当材料形成。
如图2所示的间隔件22，被安装在在其外围互相密封的第一和第二基板2和4之间。基板2和4之间的内部空间被清空以形成真空(或者处于真空状态)，从而构建电子发射器件。间隔件22位于对应于黑色层18的非光发射区域。为解释方便，图2仅示出一个间隔件22。
如上构造的电子发射器件通过从外部提供电压(可以预先确定)至第一电极6、第二电极10和阳极20被驱动。电压差为几伏至几十伏的驱动电压被施加至第一电极6和第二电极10，并且几百伏至几千伏的正(+)电压被施加至阳极20。
因此，电场在电子发射区12周围第一电极6和第二电极10之间的电压差超过阈值的像素处形成，并且电子从这些电子发射区12发射。所发射的电子被施加至阳极20的高电压吸引，并且与相应的荧光粉层16碰撞以发光。
由于开口部分63和103在第一电极6和第二电极10处形成，电阻被增加，但是由于两电极6和10的交叠区域的减小，电容被显著降低了，从而有效地最小化(或者减小或者防止)信号延迟。
图9和10为根据本发明的第二和第三实施例的电子发射器件的第一基板结构的部分平面视图。
如图9所示，由于根据本发明第二实施例的电子发射器件，第一电极6’被形成具有一定宽度(可以预先确定)的条状图案，并且第二电极10’具有基本上与第一实施例的第二电极10的结构相同的结构。在第二实施例中，由于第二电极10’的开口部分103’，第一电极6’和第二电极10’的交叠区域被减小(与不具有开口部分103’的条状图案的第二电极比较)，从而降低第一电极6’和第二电极10’之间的寄生电容。
如图10所示，根据本发明第三实施例的电子发射器件，第二电极10”被形成具有一定宽度(可以预先确定)的条状图案，并且第一电极6”具有基本上与第一实施例的第一电极6的结构相同的结构。在第三实施例中，由于第一电极6”的开口部分63’，第一电极6”和第二电极10”的交叠区域被减小(与不具有开口部分63’的条状图案的第一电极比较)，从而降低第一电极6”和第二电极10”之间的寄生电容。
图11为根据本发明第四实施例的电子发射器件的部分分解透视图，并且图12为形成在如图11所示的第一基板上的结构的部分平面视图。
如图11和12所示，每个第一电极24被形成为具有沿第一基板2’方向(沿图11的y轴方向)布置的线部241，以及从线部241伸出以对应各自的由第一基板2’限定的像素的有效部分242。第二电极26形成在绝缘层8’上，每个第二电极具有横跨第一电极24(沿图11的x轴方向)的线部241的线部261，以及有效部分262，有效部分262从线部261向一个对应的第一电极24的有效部分242伸出，并且与这些有效部分242交叠。
一个或多个电子发射区12’形成在各自的第一电极24的有效部分241上，并且开口部分14’形成在绝缘层8和对应的第二电极26的有效部分262处，以对应于各自的电子发射区12’，从而暴露第一基板2’上的电子发射区12’。以此方式，第一电极24和第二电极26的有效部分242和262形成主要发射电子的发射区域。
开口区域245形成于第一电极24的有效部分242之间，并且开口区域265形成于第二电极26的有效部分262之间。在本应用中，开口区域可以如第一、第二和/或第三实施例的结构那样，指的是由第一和/或第二电极的线部和连接器围绕的闭合的开口区域，或者如根据本实施例的结构那样，指的是由线部和第一和/或第二电极的有效部分形成的部分未闭合的开口区域。
此外，在一个实施例中，辅助电极243和263分别形成在第一电极24的线部241和第二电极26的线部261上。辅助电极243和263可以补偿第一电极电极24和第二电极26由于线宽减小而造成的电阻增加。
如图12所示，在每个像素处的第一电极24和第二电极26在两电极24和26的线部241和261互相交叉的域D处，以及电子发射区12’所位于的发射区域的域B’处互相交叠。由于开口区域245和265的存在，第一电极24和第二电极26不在第一电极24和第二电极26之间的其它域的每个像素处交叠。
因此，根据本实施例的电子发射器件，由于第一电极24和第二电极26的线宽减小造成电阻增加，但是由于两电极交叠区域的减小，电容显著地降低了，从而有效地最小化(或者减小或者防止)信号延迟。
图13和14为根据本发明第五和第六实施例的电子发射器件的部分平面视图，示意性地示出了在第一电极上形成的电极。根据第五和第六实施例的电极以根据前述实施例的电极形状组合形成。
参照图13，第五实施例的第一电极30和第二电极32分别具有与图1所示第一电极6的形状基本上相同的形状，和与图11所示第二电极26的形状基本上相同的形状。图14所示的第一电极34和第二电极36分别具有与图11所示的第一电极24的形状基本上相同的形状，和与图1所示第二电极10的形状基本上相同的形状。
即，本发明中，第一和第二电极可以以任何适当的形状形成，只要当它们被置于第一基板上时，它们不在其交叉区域部分地交叠。
根据本发明的电子发射器件，由于第一和第二电极的形状，第一和第二电极的交叠区域减小了，因此显著降低了电容。结果，当驱动信号(或者电压)被施加于第一和第二电极以控制各自像素的电子发射时，信号延迟被有效地最小化(或者减小或者防止)，从而增强显示图像质量。
虽然结合某些示范性实施例描述了本发明，但是本领域技术人员应该理解，本发明不限定于所公开的实施例，，相反而是想要涵盖包括在权利要求及其等效物的精神和范围中的各种修改。

Claims (16)

1、一种电子发射器件，包括：
第一基板和面对该第一基板的第二基板；
第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极形成在第一基板上并且互相绝缘；
电连接至该第一电极和第二电极至少之一的电子发射区；
形成在该第二基板上的荧光粉层；和
形成在荧光粉层的表面上的阳极，
其中电子发射区的区域为发射区域，并且其中该第一电极和第二电极二者均包括互相平行地间隔开、并且插入该发射区域于其间的一对线部，以及横贯该发射区域以互连该对线部的连接器。
2、如权利要求1所述的电子发射器件，其中所述第一电极的该对线部之间的距离大于所述发射区域在该第一电极宽度方向上的宽度。
3、如权利要求2所述的电子发射器件，其中该第一电极的连接器的宽度与该发射区域在该第一电极长度方向上的宽度相等。
4、如权利要求1所述的电子发射器件，其中所述第二电极的该对线部之间的距离大于所述发射区域在该第二电极宽度方向上的宽度。
5、如权利要求4所述的电子发射器件，其中该第二电极的连接器的宽度与该发射区域在该第二电极长度方向上的宽度相等。
6、如权利要求1所述的电子发射器件，其中该发射区域位于该第一和第二电极的交叉区域的中央。
7、如权利要求1所述的电子发射器件，其中该第一电极和第二电极至少之一具有形成在其表面的除了对应于该发射区域的部分之外的整个表面上的辅助电极。
8、如权利要求1所述的电子发射器件，其中所述电子发射区包括碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、C60和/或硅纳米线。
9、一种电子发射器件，包括：
第一基板和面对该第一基板的第二基板；
第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极形成在第一基板上并且互相绝缘；
电连接至该第一电极和第二电极至少之一的电子发射区；
形成在该第二基板上的荧光粉层；和
形成在荧光粉层的表面上阳极，
其中电子发射区的区域为发射区域，并且其中该第一电极和第二电极至少之一具有形成在两个相邻发射区域之间的开口部分，该开口部分位于该第一电极和第二电极至少之一的长度方向上，以提供该第一电极和第二电极之间的非交叠区域；并且
其中该第一电极和第二电极二者均包括互相平行地间隔开、并且插入该发射区域于其间的一对线部，以及横贯该发射区域以互连该对线部的连接器。
10、如权利要求9所述的电子发射器件，其中该第一电极具有所述形成于所述两个相邻发射区域之间的开口部分，并且该开口部分在该第一电极宽度方向上的宽度大于该发射区域在该第一电极宽度方向上的宽度。
11、如权利要求10所述的电子发射器件，其中该第一电极的开口部分被构造成，该开口部分在该第一电极长度方向的长度等于所述两个相邻发射区域之间在纵向上的距离。
12、如权利要求9所述的电子发射器件，其中该第二电极具有所述形成于所述两个相邻发射区域之间的开口部分，并且该开口部分在该第二电极宽度方向上的宽度大于该发射区域在该第二电极宽度方向上的宽度。
13、如权利要求12所述的电子发射器件，其中该第二电极的开口部分被构造成，该开口部分在该第二电极长度方向上的长度等于所述两个相邻发射区域之间在纵向上的距离。
14、如权利要求9所述的电子发射器件，其中该发射区域位于该第一和第二电极的交叉区域的中央。
15、如权利要求9所述的电子发射器件，其中该第一电极和第二电极至少之一具有形成在其表面的除了对应于该发射区域的部分之外的整个表面上的辅助电极。
16、如权利要求9所述的电子发射器件，其中所述电子发射区包括碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、C60和/或硅纳米线。
CN200610067073A 2005-03-31 2006-03-31 电子发射器件 Expired - Fee Related CN100590778C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050026990A KR20060104657A (ko) 2005-03-31 2005-03-31 전자 방출 소자
KR1020050026990 2005-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1866459A CN1866459A (zh) 2006-11-22
CN100590778C true CN100590778C (zh) 2010-02-17

Family

ID=36604192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200610067073A Expired - Fee Related CN100590778C (zh) 2005-03-31 2006-03-31 电子发射器件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7579763B2 (zh)
EP (1) EP1708224B1 (zh)
JP (1) JP2006286640A (zh)
KR (1) KR20060104657A (zh)
CN (1) CN100590778C (zh)
DE (1) DE602006003583D1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5367343B2 (ja) * 2008-11-11 2013-12-11 ソニー株式会社 冷陰極電界電子放出表示装置
US9741309B2 (en) 2009-01-22 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device including first to fourth switches
US8907473B2 (en) * 2009-02-02 2014-12-09 Estivation Properties Llc Semiconductor device having a diamond substrate heat spreader
US10351640B2 (en) * 2010-04-22 2019-07-16 Fina Technology, Inc. Formation of Ziegler-Natta catalyst using non-blended components
CN103237817B (zh) * 2010-07-01 2016-03-16 道达尔研究技术弗吕公司 改性的催化剂载体

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04284324A (ja) 1991-03-13 1992-10-08 Seiko Epson Corp 電界電子放出装置
JP3072795B2 (ja) * 1991-10-08 2000-08-07 キヤノン株式会社 電子放出素子と該素子を用いた電子線発生装置及び画像形成装置
FR2687839B1 (fr) 1992-02-26 1994-04-08 Commissariat A Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ utilisant cette source.
JP3633154B2 (ja) 1996-03-22 2005-03-30 株式会社日立製作所 薄膜型電子源および薄膜型電子源応用機器
US5346683A (en) 1993-03-26 1994-09-13 Gas Research Institute Uncapped and thinned carbon nanotubes and process
US5404070A (en) * 1993-10-04 1995-04-04 Industrial Technology Research Institute Low capacitance field emission display by gate-cathode dielectric
US5528103A (en) 1994-01-31 1996-06-18 Silicon Video Corporation Field emitter with focusing ridges situated to sides of gate
US5578225A (en) * 1995-01-19 1996-11-26 Industrial Technology Research Institute Inversion-type FED method
JPH09231919A (ja) 1996-02-21 1997-09-05 Toshiba Corp 電界放出型冷陰極を用いた画像表示装置
US5633561A (en) * 1996-03-28 1997-05-27 Motorola Conductor array for a flat panel display
US6057637A (en) 1996-09-13 2000-05-02 The Regents Of The University Of California Field emission electron source
KR100365444B1 (ko) * 1996-09-18 2004-01-24 가부시끼가이샤 도시바 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치
JPH10125215A (ja) 1996-10-18 1998-05-15 Nec Corp 電界放射薄膜冷陰極及びこれを用いた表示装置
US6683783B1 (en) 1997-03-07 2004-01-27 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
US6002199A (en) 1997-05-30 1999-12-14 Candescent Technologies Corporation Structure and fabrication of electron-emitting device having ladder-like emitter electrode
JP3790047B2 (ja) 1998-07-17 2006-06-28 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 電子放出源の製造方法
JP2000123712A (ja) 1998-10-12 2000-04-28 Nec Corp 電界放射型冷陰極およびその製造方法
US6250984B1 (en) 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
JP4196490B2 (ja) 1999-05-18 2008-12-17 ソニー株式会社 冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネル及び冷陰極電界電子放出表示装置、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネルの製造方法
JP2003507304A (ja) * 1999-08-12 2003-02-25 ミッドウエスト リサーチ インスティチュート 高純度単一壁カーボンナノチューブ
JP2001257079A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機ｅｌ表示装置
US6617798B2 (en) 2000-03-23 2003-09-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display device having planar field emission source
JP4312937B2 (ja) 2000-08-29 2009-08-12 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 蛍光表示管
JP3639809B2 (ja) 2000-09-01 2005-04-20 キヤノン株式会社 電子放出素子，電子放出装置，発光装置及び画像表示装置
US7078863B2 (en) 2000-09-28 2006-07-18 Sharp Kabushiki Kaisha Cold-cathode electron source and field-emission display
JP3768803B2 (ja) * 2000-11-09 2006-04-19 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP2002265942A (ja) 2001-03-15 2002-09-18 Sony Corp 蛍光体粉末及びその製造方法、表示用パネル、並びに、平面型表示装置
US6486599B2 (en) * 2001-03-20 2002-11-26 Industrial Technology Research Institute Field emission display panel equipped with two cathodes and an anode
JP2003016954A (ja) * 2001-04-25 2003-01-17 Sony Corp 電子放出装置及びその製造方法、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法
US7195938B2 (en) * 2001-10-19 2007-03-27 Nano-Proprietary, Inc. Activation effect on carbon nanotubes
US6621232B2 (en) 2002-01-04 2003-09-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Field emission display device having carbon-based emitter
KR100468845B1 (ko) 2002-01-30 2005-01-29 삼성전자주식회사 탄소나노튜브 제조방법
KR100852690B1 (ko) 2002-04-22 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시소자용 탄소 나노 튜브 에미터 페이스트조성물 및 이를 이용한 전계 방출 표시소자용 탄소 나노튜브 에미터의 제조방법
JP3937907B2 (ja) * 2002-05-01 2007-06-27 ソニー株式会社 冷陰極電界電子放出表示装置
ITMI20021737A1 (it) 2002-08-01 2004-02-02 Univ Degli Studi Trieste Processo di purificazione di nanotubi di carbonio.
KR100863952B1 (ko) * 2002-08-21 2008-10-16 삼성에스디아이 주식회사 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치
US6798127B2 (en) 2002-10-09 2004-09-28 Nano-Proprietary, Inc. Enhanced field emission from carbon nanotubes mixed with particles
JP3943001B2 (ja) 2002-10-09 2007-07-11 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 平面ディスプレイとその製造方法
DE602004003904T2 (de) 2003-01-22 2007-08-30 E.I. Dupont De Nemours And Co., Wilmington Strukturierung einer schicht einer dickfilmpaste durch bindemitteldiffusion
US20040256975A1 (en) 2003-06-19 2004-12-23 Applied Nanotechnologies, Inc. Electrode and associated devices and methods
JP2005041835A (ja) 2003-07-24 2005-02-17 Fuji Xerox Co Ltd カーボンナノチューブ構造体、その製造方法、カーボンナノチューブ転写体および溶液
KR20050014430A (ko) * 2003-07-31 2005-02-07 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시소자의 전자 방출원 형성용 조성물 및 이로부터제조되는 전자 방출원
US7227331B2 (en) * 2005-02-14 2007-06-05 International Rectifier Corporation Safety interlock and protection circuit for permanent magnet motor drive

Also Published As

Publication number Publication date
DE602006003583D1 (de) 2008-12-24
US20070029922A1 (en) 2007-02-08
EP1708224A1 (en) 2006-10-04
EP1708224B1 (en) 2008-11-12
US7579763B2 (en) 2009-08-25
KR20060104657A (ko) 2006-10-09
JP2006286640A (ja) 2006-10-19
CN1866459A (zh) 2006-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100590778C (zh) 电子发射器件
US7301268B2 (en) Field emission display having emitter arrangement structure capable of enhancing electron emission characteristics
US7173365B2 (en) Field emission display having emitter arrangement structure capable of enhancing electron emission characteristics
KR20050104562A (ko) 전자 방출 표시장치
CN100524597C (zh) 电子发射装置和电子发射显示装置
US7459843B2 (en) Electron emission device with multilayered insulating layers
KR101107133B1 (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
CN1959923B (zh) 电子发射显示器
EP1770741B1 (en) Electron emission device and electron emission display using the same
US7671525B2 (en) Electron emission device and electron emission display having the same
US7764011B2 (en) Electron emission display device
CN100587891C (zh) 电子发射显示器
US20080088220A1 (en) Electron emission device
US7468577B2 (en) Electron emission display having a spacer with inner electrode inserted therein
KR101049821B1 (ko) 전자 방출 소자
US7880383B2 (en) Electron emission display
CN100585784C (zh) 电子发射显示器
CN1971804A (zh) 电子发射装置及采用该电子发射装置的电子发射显示装置
KR20070103900A (ko) 전자 방출 표시 디바이스
KR20070054837A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20080023453A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 디스플레이
US20070090750A1 (en) Electron emission device and electron emission display using the same
KR20070106109A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20070046511A (ko) 전자 방출 표시 디바이스
KR20060019856A (ko) 전자 방출 소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100217

Termination date: 20120331