CN100581692C - 一种镁基热电材料的制备方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 title claims description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 abstract description 19
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 abstract 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 abstract 1
- 229910019752 Mg2Si Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 229910019741 Mg2SixSN1-x Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明是一种镁基热电材料的制备方法,利用半固态制备和放电等离子烧结成型结合的方法,以高纯镁、硅、锡粉为原料,升温到合金的半固态区,在合金的凝固过程中,对其进行强力搅拌,然后快速冷却。粉碎合成后的镁基热电材料并且研磨成粉,最后利用放电等离子烧结成型。本发明的特点是工艺简便,合成时间短,制备出的镁基热电材料热电性能优良、组织均匀、晶粒细小、无枝晶和偏析。
Description
技术领域
本发明属于新能源材料领域,涉及一种镁基热电材料的制备方法。
背景技术
目前镁基热电材料的制备方法最主要是熔炼法和固相合成法。熔炼法主要是将原料按配比混合,然后升到合金熔点以上,合成目标化合物。这种方法虽然可以制备有取向的单晶材料,但在熔炼过程中镁的氧化、挥发非常严重,由于比重不同原料在熔融状态容易发生分层,产物中容易引入杂质,组织均匀性不好,脆性大,可加工性差,热电性能只在某一方向上比较优越。
另一种主要方法是:固相合成法。相对于熔炼法,它的制备方法简单,易于控制,但对原材料的要求高,实验时间长,并且需要专门的合成设备。相比其它方法,利用固相合成技术制备出的镁基热电材料更容易引入杂质,缺陷更多,电导率低,热电性能差。姜洪义用镁粉和硅粉通过固相反应在823K时保温8h合成了Mg2Si粉末,并通过外加银粉用二次固相反应在相同条件下合成了p型Mg2Si基固溶体(低温固相反应制备p型Mg2Si基热电材料.硅酸盐学报[A],2004,32(9))。该实验虽然成功的制备出掺杂Ag的Mg2Si基热电材料,但是耗时长,实验流程复杂,样品的热电性能差,在513K时,ZT值仅为0.01。
不管是固相合成法,还是熔炼法,都存在制备时间长,制备过程容易引入杂质,组织均匀性差的缺点,这些直接导致镁基热电材料的性能低下。
发明内容
本发明的目的是提供了一种制备时间短、热电性能优良的镁基热电材料的制备方法。本发明采用半固态制备(Semi-Solid Preparation,简称SSP),使反应进行完全,然后利用放电等离子(Spark Plasma Sintering,简称SPS)烧结成型,大大缩短了制备时间,并且样品组织均匀,性能优良。
本发明的技术方案是:
a.将镁基热电材料按照化学式为Mg2Si1-XSnX固溶体的化学配比进行称量,其中x选自下列数值中的任意一个:0、0.2、0.4,0.6、0.8、1.0,然后利用震动式混料机进行预混合20~30分钟;
b.将混合均匀的原料装进刚玉坩埚压实,上层覆盖KCl溶盐,放入预热到500℃的井式电阻炉中然后加热到857℃保温1h,在整个过程中通入氩气保护;
c.升温到1000~1050℃之间,在有保护气氛的环境下,在液固两相温度区间内对其进行强烈的机械搅拌,使其原料进一步混合反应,均匀生成目标固溶体;
d.粉碎半固态制备后的样品,研磨成粉,筛取粒径<75μm的粉料,利用放电等离子技术烧结成型,所述放电等离子技术烧结成型的升温步骤为:8min升温到600℃,然后到650℃、2min,到680℃、2min,到700℃、1min;最后在700℃、30MPa下,烧结成型并保温8min。
本发明的有益效果是:
1)镁基热电材料半固态制备工艺解决了传统方法的制备时间长,容易引入杂质,组织具有取向性等困难,缩短工艺流程,提高了镁基热电材料的性能。
2)将先进的半固态加工理论技术与放电等离子烧结相结合,提出制备具有良好性能的镁基热电材料的新思路。
附图说明
下面结合附图和样品性能对本发明进一步说明。
图1是样品的断口扫描照片。
具体实施方式
按照Mg2SixSn1-x(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)固溶体的化学配比对原料进行称量,然后利用震动式混料机进行混合20~30min,使原料充分混合均匀。原料采用高纯Mg粉(纯度为99.9%,熔点为648.8℃),高纯Si粉(纯度为99.99%),高纯Sn粉(纯度为99.9%),平均粒径均<75μm。
然后将均匀混合的原料放入刚玉坩埚中,压实,覆盖KCl溶盐后放入到井式电阻炉中。入炉温度为500℃,并且提前通入高纯氩气排尽其中的空气,尽量减少镁的氧化和逸散。
升温到857℃,保温1h,使原料发生反应。
保温过后继续升温到1050℃,停留10min,然后从电阻炉中取出,利用自行设计的搅拌装置进行搅拌,迅速冷却。
粉碎半固态熔炼后的样品,筛取粒径<75μm的粉料。
利用放电等离子烧结成型,压强为30MPa,烧结温度为700℃,并且保温8min。
制备出的镁基热电材料组织均匀、晶粒细小、无枝晶和偏析,热电性能优良。Seebeck系数的绝对值在300℃可以达到312.12μV/K,热导率为2.87W/mK,功率因子为4.35×10-4W/mK2,热电优值ZT为0.087。图1为制备样品的断口扫描照片,图中断口呈现明显的多晶层状结构,晶粒成长均匀,颗粒间接触紧密,没有任何表观气孔。
Claims (1)
1.一种镁基热电材料的制备方法,其特征在于制备步骤如下:
a.将镁基热电材料按照化学式为Mg2Si1-XSnX固溶体的化学配比进行称量,其中x选自下列数值中的任意一个:0、0.2、0.4,0.6、0.8、1.0,然后利用震动式混料机进行预混合20~30分钟;
b.将混合均匀的原料装进刚玉坩埚压实,上层覆盖KCl溶盐,放入预热到500℃的井式电阻炉中然后加热到857℃保温1h,在整个过程中通入氩气保护;
c.升温到1000~1050℃之间,在有保护气氛的环境下,在液固两相温度区间内对其进行强烈的机械搅拌,使其原料进一步混合反应,均匀生成目标固溶体;
d.粉碎半固态制备后的样品,研磨成粉,筛取粒径<75μm的粉料,利用放电等离子技术烧结成型,所述放电等离子技术烧结成型的升温步骤为:8min升温到600℃,然后到650℃、2min,到680℃、2min,到700℃、1min;最后在700℃、30MPa下,烧结成型并保温8min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200810056869A CN100581692C (zh) | 2008-01-25 | 2008-01-25 | 一种镁基热电材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200810056869A CN100581692C (zh) | 2008-01-25 | 2008-01-25 | 一种镁基热电材料的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101224501A CN101224501A (zh) | 2008-07-23 |
CN100581692C true CN100581692C (zh) | 2010-01-20 |
Family
ID=39856824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200810056869A Expired - Fee Related CN100581692C (zh) | 2008-01-25 | 2008-01-25 | 一种镁基热电材料的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100581692C (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101613846B (zh) * | 2009-07-13 | 2010-11-17 | 浙江大学 | 快速凝固制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法 |
CN103192203B (zh) * | 2013-01-10 | 2015-06-17 | 昆明贵千新型材料技术研究有限公司 | 一种制备银钎料的工艺方法 |
DE112015000196T5 (de) * | 2014-10-07 | 2016-07-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermoelektrisches Umwandlungselement, Verfahren zu dessen Herstellung und thermoelektrisches Umwandlungsmodul |
-
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---|
用低温固相反应制备p型Mg2Si基热电材料. 姜洪义,龙海山,张联盟.硅酸盐学报,第32卷第9期. 2004 * |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN101224501A (zh) | 2008-07-23 |
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