CN100576973C - 蚀刻装置及蚀刻方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种蚀刻装置及蚀刻方法，该蚀刻装置对配线用基板实施蚀刻来形成导体图案，该蚀刻装置(1)具有滚筒(2)、容器(10)、喷头(4)。滚筒(2)将挠性配线用基板(3)缠绕在滚筒面(2a)上旋转移动。容器(10)是在一定的压力下储存蚀刻液(5)的室。喷头(4)在容器(10)的上部配置在接近滚筒面(2a)的位置上，从喷嘴孔(40)对滚筒面(2a)以直线状喷射在容器(10)内加压了的蚀刻液(5)。

Description

蚀刻装置及蚀刻方法

技术领域

本发明涉及一种用于在具有挠性的配线用基板上实施蚀刻来形成导体图案的蚀刻装置，还涉及当在配线用基板上形成导体图案时，对其配线用基板实施湿式蚀刻的蚀刻方法。

背景技术

以往，如图1A所示，在用于COF或TAB等安装方式的挠性配线板中，进行导体3a的窄间距化，要求线/空比＝15/15μm或15/15μm以下的细微化。而且，随着信号的高频化，导体电阻成为重要的因素，不仅要求导体图案3a的窄间距化，还要求导体图案3a的截面形状准的矩形。

通常，当使用挠性配线用基板3形成具有规定的导体图案的挠性配线板时，在采用金属面腐蚀法时，对层叠在聚酰亚胺等绝缘性薄膜3b上的铜箔，涂敷抗蚀涂层3c，然后，用掩模曝光规定的图案再显影，通过由蚀刻除去露出的铜箔，从而形成规定的导体图案3a。而且，为了对形成于挠性配线用基板3上的导体图案3a实现窄间距化及截面形状的矩形化，需要在材料、前处理(清洁处理)、抗蚀涂层、曝光、蚀刻等全部工序中采取提高精度的对策，特别重要的是在蚀刻工序中采取提高精度的对策。

但是，在挠性配线板的制造工序中所使用的蚀刻工序中，如图2所示，提出有这样的方案(参照日本特开平7-150370号公报)：在相对于水平输送的挠性配线用基板3离开约50～200mm左右的上方和/或下方位置上，分别配置喷雾嘴100，从该喷雾嘴100以扇状或圆锥状地以雾状喷射蚀刻液5而在较宽的范围内进行蚀刻。另外，在图2中，表示仅在挠性配线用基板3的上侧配置了喷雾嘴100的结构。

另外，还提出了一种蚀刻装置(参照日本特开2003-55779号公报)：在以雾状喷射蚀刻液5的工序中，为了避免在挠性配线用基板3上存留蚀刻液5，仅在挠性配线用基板3的下表面一侧配置喷雾嘴100来以雾状喷射蚀刻液5。

还提出这样的电解蚀刻方法(参照日本特开平8-209400号公报)：为了实现形成于挠性配线用基板3上的导体图案3a的微细化，使截面形状高精度地成为矩形，而遮蔽构成所形成的导体图案3a的金属带的边缘，在该边缘上不实施蚀刻。在该电解蚀刻方法中，在装满了电解溶液的电解槽内，浸入主辊及半圆截面状的电极，在主辊及电极之间，通过粘贴了遮蔽带的金属带并浸入电解溶液中。

可是，在上述的以往使用的或者提出的蚀刻方法或者装置中，存在下面的问题。

在使用上述的图2所示的蚀刻装置来进行蚀刻的方法中，在挠性配线用基板3的上表面一侧实施蚀刻时，由于从喷雾嘴100喷射的蚀刻液5的喷射压力和存留在挠性配线用基板3的上表面的蚀刻液5的重量，使挠性配线用基板3挠曲，蚀刻液5不能以通常的喷射角度与其挠曲的部分接触，并且，由于在其挠曲的部分上存留蚀刻液5，因此新的蚀刻液5不能与其挠曲的部分接触，难以高精度地蚀刻微细化的导体图案3a。

另外，即使仅在挠性配线用基板3的下表面一侧喷射蚀刻液5，由于在因喷射的蚀刻液5的喷射压力而挠曲的部分上蚀刻液5不以通常的喷射角度与其接触，因此，同样地高精度地蚀刻微细化的导体图案3a变得困难。

这样的蚀刻液5在挠性配线用基板3上的存留液和蚀刻液5对挠性配线用基板3的喷射角度的问题是：在挠性配线用基板3上产生图1C所示的快蚀刻的导体图案3a的部分和图1B所示的慢蚀刻的导体图案3a的部分，进而，使导体图案3a的宽度及截面形状产生偏差。

另一方面，通常情况下，由于在挠性配线用基板3的宽度中央部分上容易产生蚀刻液5的存留液，有宽度方向的中央部分的蚀刻速度比两侧缘侧部分的蚀刻速度慢的倾向，因此在以往的蚀刻装置中，需要摆动喷雾嘴100或者调整喷雾嘴100的布置或蚀刻液5的喷射压力。

但是，在挠性配线用基板3的表面上的全区域上使蚀刻速度均匀是困难的，例如，即使挠性配线用基板3不产生挠曲，由于喷雾嘴100的特性，喷射的蚀刻液5扩散成扇状或者圆锥状，对挠性配线用基板3的喷射压力不均匀，依然不能从根本上消除被蚀刻的导体图案3a的宽度和截面形状的偏差。

发明内容

然而，为了在挠性配线用基板3上形成导体图案3a，在对挠性配线用基板3喷射蚀刻液5来进行蚀刻的方法中，如上所述，由于蚀刻液5对挠性配线用基板3的喷射压力或喷射角度的差别、挠性配线用基板3的挠曲等，产生蚀刻速度局部不同的现象，作为这种现象的对策，如图1B所示，在以最慢的蚀刻速度完成的导体图案3a的部分为基准来设定蚀刻速度，其结果，比其蚀刻快的导体图案3a的部分被过度蚀刻，如图1C所示，导致了导体图案3a变细。

另外，在导体图案3a的形成上采用上述的电解蚀刻方法时，通过将缠绕在主辊上的挠性配线用基板3浸入于填充在容器中的蚀刻液5内，虽然可以实现导体图案3a的窄间距化，但不能得到由蚀刻液5的喷射产生的迅速的蚀刻效果。另外，在此使用的蚀刻方法，由于是将挠性配线用基板3浸入于填充在容器中的蚀刻液5中进行蚀刻的方法，因为导体图案3a的蚀刻没有方向性，因此不能使导体图案3a的截面形状矩形化。

本发明的目的在于，提供一种可以解决以往的蚀刻装置及蚀刻方法存在的问题的新颖的蚀刻装置及方法。

本发明的另一个目的在于提供能使配线用基板的蚀刻速度均匀，实现所形成的导体图案的窄间距化，并且形成高精度的截面形状，可以形成高精度、且能与高频信号的传输对应的导体图案的蚀刻装置及蚀刻方法。

本发明是一种蚀刻装置，在滚筒外周的滚筒面上缠绕配线用基板，通过使滚筒旋转而使缠绕在上述滚筒上的配线用基板移动，并从喷头喷射蚀刻液对缠绕在该滚筒面上的配线用基板喷射蚀刻液而对配线用基板进行蚀刻。在与滚筒面接近的位置配置喷头，在该喷头上设置多个喷嘴，以使以直线状对滚筒面喷射蚀刻液，在上述滚筒的外侧配置储存了上述蚀刻液的容器，在该容器的上部，以凹状形成有与上述滚筒面相对配置的上壁部，上述喷头构成为可相对于上述壁部的多个部位装卸。

另外，本发明是一种蚀刻装置，在滚筒的外周的滚筒面上缠绕配线用基板，使缠绕于上述滚筒面上的配线用基板沿上述滚筒面移动并从喷头对上述配线用基板喷射蚀刻液来对上述配线用基板进行蚀刻，在与滚筒面接近的位置上配置喷头，在上述喷头上以对上述滚筒面以直线状喷射蚀刻液的方式设置多个喷嘴，上述喷头形成为与上述滚筒面的曲率相等的凹曲面状。

另外，本发明是进行蚀刻的方法，是对移动的配线用基板喷射蚀刻液来进行蚀刻的方法，使滚筒旋转的同时使缠绕于其外周的滚筒面上的配线用基板移动，对处于滚筒面上的配线用基板从与滚筒面接近的位置以直线状对处于滚筒面上的配线用基板喷射蚀刻液来对配线用基板进行蚀刻，使上述蚀刻液的喷射位置接近成从上述滚筒面离开1～10mm的位置。

另外，在下面的说明中，所谓“蚀刻速度”是指在配线用基板的表面上进行蚀刻除去没有被抗蚀涂层覆盖的导体的反应速度，以被蚀刻的导体图案的截面形状形成为矩形的场合为基准，将导体图案的宽度大、导体图案变粗的场合等称为“蚀刻速度慢”，将导体图案的宽度小、导体图案变细的场合等称为“蚀刻速度快”。

根据本发明，通过将配线用基板缠绕在滚筒上并使其移动，从而可以用滚筒面支承承受从喷头喷射的蚀刻液的喷射压力的配线用基板，可以消除配线用基板的挠曲。另外，通过从与滚筒面接近的位置对滚筒面上的配线用基板以直线状喷射蚀刻液，从而可以确保蚀刻液的直线前进性及一定的喷射压力。而且，通过消除配线用基板的挠曲及确保蚀刻液的直线前进性和一定的喷射压力，可以使对配线用基板的蚀刻速度均匀、并实现导体图案的窄间距化，并且可形成高精度的截面形状。

本发明的其它目的、由本发明得到的具体的优点，将在下面的参照附图说明的实施例中会更加明确。

附图说明

图1A是表示在正常的蚀刻速度的状况下，形成了导体截面为矩形的导体图案的状态的配线板的截面图，图1B是表示在慢的蚀刻速度的状况下，使导体图案的截面形状粗了的状态的配线用基板的截面图，图1C是表示在快的蚀刻速度的状况下，使导体图案的截面细了的状态的配线用基板的截面图。

图2是表示以往的蚀刻装置的概略结构的侧视截面图。

图3是表示具有本发明的蚀刻装置的蚀刻处理室的概略结构的主视截面图。

图4是放大表示蚀刻装置的滚筒及喷头的主视截面图。

图5是表示由多个狭缝状贯通孔构成了喷嘴孔的喷头的俯视图。

图6是表示由多个圆形贯通孔构成了喷嘴孔的喷头的俯视图。

图7是表示本发明的蚀刻装置的另一个实施例的主视图。

图8是表示本发明的蚀刻装置的另一个实施例的主视图。

具体实施方式

下面参照附图说明本发明的蚀刻装置及蚀刻方法的最佳实施例。

如图3及图4所示，本发明的蚀刻装置1是这样的装置：与缠绕于滚筒2的外周面上的挠性配线用基板3相接近地配置喷头4，从该喷头4对挠性配线用基板3以直线状喷射蚀刻液5。

该蚀刻装置1用于在挠性配线用基板3上形成导体图案的金属面腐蚀法的各工序中的蚀刻工序，被设置在连结实施各工序的处理室而构成的蚀刻系统中的蚀刻处理室6内。

如图3及图4所示，该蚀刻装置1具有滚筒2、容器10、喷头4、泵11等。

滚筒2是在其外周面上形成了用于缠绕挠性配线用基板3的滚筒面2a的圆筒状的旋转体，在该滚筒2的滚筒面2a上，缠绕从上游侧第1辊12向下游侧第2辊13移动的挠性配线用基板3。

在此，对设置了本发明的蚀刻装置1的蚀刻处理室6进行说明，该蚀刻处理室6在其前后连接有具有第1张力辊列14的第1洗净室15和具有第2张力辊列16的第2洗净室17。第1张力辊列14及第2张力辊列16控制速度，以使挠性配线用基板3以一定的张力并以一定的速度移动。

而且，滚筒2被驱动控制，使其圆周速度成为与在第1张力辊列14及第2张力辊列16之间移动的挠性配线用基板3的速度相同。另外，也可以使滚筒2不被主动地驱动旋转，而是以被挠性配线用基板3的移动而带动进行旋转的方式支承滚筒2。该情况下，最好是滚筒2被支承成可自由旋转的状态，使其旋转时支承阻力变小。

容器10是储存蚀刻液5的空间，配置在滚筒2的下方。在容器10的侧壁部上通过导管18、阀19等连接泵11。该泵11被构成为调整成在一定的压力下向容器10内加压输送蚀刻液5。另外，在容器10的上部形成凹状的上壁部10a，该上壁部10a与滚筒面2a相对配置。该情况下，滚筒2被配置成上侧的大致半圆筒部分从容器10中突出、下侧的大致半圆筒部分埋设在容器10内。

如图3所示，上壁部10a形成为大致沿滚筒2的外周方向的圆弧状，在其表面上形成凹凸状部。凹凸状部中的凸状的部分，成为喷嘴安装部10b。该喷嘴安装部10b沿滚筒面2a的法线方向、即沿朝向滚筒2中心的方向延伸，并在滚筒2的外周方向上以一定的间隔排列多个。该喷嘴安装部10b形成为将截面形状做成矩形的筒状，其上侧开口。另外，在相邻的喷嘴安装部10b、10b之间形成的凹部10c起到蚀刻液5的废液路的作用。

在喷嘴安装部10b的开口部分上安装着能由螺钉等装卸的喷头4。该喷头4是在与滚筒面2a相对的状态下，在滚筒2的圆周旋转方向上隔开一定的间隔在一定的区域范围中对滚筒面2a以直线状喷射在容器10内加压了的蚀刻液5，该喷头4形成为长方形的盖状以覆盖喷嘴安装部10b的开口。

如图4所示，喷头4安装于喷嘴安装部10b上时，被配置在与滚筒面2a接近的位置上。这时，喷嘴面4a和滚筒面2a的间隔d被设定为1～10mm左右。当喷嘴面4a和滚筒面2a的间隔d比1mm小时，由于向挠性配线用基板3喷射的碰到挠性配线用基板3反弹回的蚀刻液5和从喷嘴孔40喷射的蚀刻液5发生冲突，所以存在对从喷嘴孔40喷射的蚀刻液5的直线前进性有坏影响的危险，当该间隔d大于10mm时，则不能保持从喷嘴孔40喷射的蚀刻液5对滚筒面2a上的挠性配线用基板3的直线前进性。

另外，如图4所示，在喷头4上形成多个喷嘴孔40。这些喷嘴孔40沿滚筒面2a的大致法线方向贯通地形成。在此，各喷嘴孔40中的几个喷嘴孔40，其贯通方向与喷嘴面4a的法线方向相同，严格说不与滚筒面2a的法线方向相同，但由于其误差微小，因此对从该喷嘴孔40向滚筒面2a喷射的蚀刻液5的直线前进性几乎没有影响(参照图4)。

而且，如图4所示，在喷嘴安装部10b的流入口部分上安装有压力调整板21。该压力调整板21在容器10内的蚀刻液5流入各喷嘴安装部10b时，调整各喷嘴安装部10b内的蚀刻液5的压力为均匀。压力调整板21形成为堵塞喷嘴安装部10b的流入口的板状体，由在其板状体上开口的调整孔22控制向喷嘴安装部10b内流入的蚀刻液5的量。由此，喷嘴孔40可以与喷嘴安装部10b的位置无关地以均匀的压力喷射蚀刻液5。

下面，从与喷嘴孔40等的关系上，对喷嘴孔40的形状等的详细情况与蚀刻速度的控制方法一并进行说明。

在本发明中，可以使用如图5所示的由多个狭缝状贯通孔41构成的喷嘴孔40的喷头4、和如图6所示的由多个圆形贯通孔42构成喷嘴孔40的喷头4中的任一种。

在此，如图5所示，构成喷嘴孔40的狭缝状贯通孔41形成为向滚筒面2a的母线方向A细长地延伸。另外，滚筒面2a的母线方向A是在喷嘴面4a上与挠性配线用基板3的宽度方向A平行的方向。这些狭缝状贯通孔41形成为宽度W为0.1～1mm、长宽L为3～10mm，最好相互平行地形成3～10条。当蚀刻速度为使形成的导体图案的截面形状成为矩形的“基准蚀刻速度”时，该贯通孔41的宽度W、长度L及狭缝数量成为用于将来自喷嘴孔40的蚀刻液5的作为喷射压的喷嘴压(例如200KPa)、蚀刻液5的流速(例如20m/s)等定为最佳值的控制因素。

具有由这种狭缝状贯通孔41构成的喷嘴孔40的喷头4，在主要用于通过在挠性配线用基板3的整个宽度方向A范围内全部以均匀的蚀刻速度进行蚀刻来形成导体图案的场合是有用的。

另外，图6所示的设于喷头4上的构成喷嘴孔40的圆形贯通孔42是以滚筒面2a的大致法线方向为中心、实际上以喷嘴面4a的法线方向为中心形成为圆形。这些圆形贯通孔42最好形成为直径φD为0.1～1mm。这些贯通孔42的数量因实施蚀刻的挠性配线用基板3的宽度而异，但最好是在1个喷嘴面4a上设置约10～50个左右。

另外，当蚀刻速度为所形成的导体图案的截面形状成为矩形的“基准蚀刻速度”时，圆形贯通孔42的直径φD、设置的数量，与狭缝状贯通孔41同样地成为用于将来自喷嘴孔40的蚀刻液5的作为喷射压的喷嘴压、蚀刻液5的流速等定为最佳值的控制因素。

具有由这种圆形贯通孔42构成的喷嘴孔40的喷头4，不仅用于通过在挠性配线用基板3的整个宽度方向A范围内全部以均匀的蚀刻速度进行蚀刻来形成导体图案的场合，而且用于在由例如电解电镀形成的厚度有偏差的导体上实施蚀刻来形成导体图案的场合更有效。

可是，对于以上述的“基准蚀刻速度”实施蚀刻而形成的基准的导体图案3a的厚度，在宽度中央部分的导体图案3a的厚度大、边缘部分的导体图案厚度3a小的情况下的挠性配线用基板3中，有必要控制导体图案3a的宽度中央部分及边缘部分的蚀刻速度，使其整体以相同的“基准蚀刻速度”进行蚀刻。

具体地讲，对于“基准蚀刻速度”中的圆形贯通孔42的基准的直径φD及基准的形成数量，在滚筒2的圆周方向B的中央孔列42a中，使减小贯通孔42的直径φD1而形成的小直径的贯通孔42的数量增多，从而使来自喷嘴孔40的蚀刻液5的作为喷射压的喷嘴压及蚀刻液5的单位时间的总流量增加。

另外，在此，滚筒2的圆周方向B在喷嘴面4a上相当于挠性配线用基板3的移动方向B。

另外，在滚筒2的圆周方向B的边缘孔列42b中，减少通过增大贯通孔42的直径φD2而形成的大直径贯通孔42的数量，从而使蚀刻液5的作为喷射压的喷嘴压及蚀刻液5的单位时间的总流量减少。

这样，对于具有由狭缝状贯通孔41构成的喷嘴孔40的喷头4，也同样可以通过变更其贯通孔41的宽度W及长度L来实现对挠性配线用基板3的宽度方向A的蚀刻速度的控制。

另一方面，挠性配线用基板3的移动方向B的蚀刻速度的控制，可以通过狭缝状贯通孔41的数量等的变更、或沿滚筒面2a的母线方向A所形成的圆形贯通孔42的数量等的变更来实现，也可以通过变更喷头4的安装数量、进一步变更蚀刻装置1自身的设置数量来实现。

在减慢挠性配线用基板3的移动方向B的蚀刻速度时，使狭缝状贯通孔41的数量、圆形贯通孔42的数量、喷头4的安装数量等控制因素减少，在加快挠性配线用基板3的移动方向B的蚀刻速度时，除了上述控制因素以外，使蚀刻装置1的自身的设置数量增加。另外，去掉了喷头4的喷嘴安装部10b的开口，由遮蔽板(未图示)堵塞。

另外，对于挠性配线用基板3的宽度方向A及移动方向B双方复合控制蚀刻速度时，使其与上述的例子的场合适当组合地调整狭缝状贯通孔41的宽度W及长度L、狭缝状贯通孔41的数量、喷头4安装数量等控制因素。

下面，一并说明本实施例的蚀刻方法与本发明的蚀刻装置1的使用状态。

为了在设置于挠性配线用基板3上的例如由铜箔形成的导体上实施蚀刻来形成导体图案3a，首先，如图3所示，使实施蚀刻的挠性配线用基板3的实施蚀刻的面向下地将其缠绕于旋转的滚筒2的滚筒面2a上，使其从第1张力辊列14侧向第2张力辊列16侧地沿容器10的上壁部10a的上方移动。

另一方面，借助泵11的动作，向容器10内流入蚀刻液5并以一定的压力加压，从喷头4的喷嘴孔40以均匀的压力喷射蚀刻液5。该情况下，蚀刻液5沿滚筒面2a的法线方向以直线状连续喷射。

然后，以一定的喷射压力喷射的蚀刻液5，对挠性配线用基板3的形成导体图案3a的一表面，从与其接近的位置向垂直方向喷射。当继续这样的蚀刻液5的喷射时，挠性配线用基板3上的导体的未被防蚀涂层覆盖的部分总是从法线方向承受蚀刻液并进行溶解，导体的被防蚀涂层覆盖的部分，其截面如前述的图1A所示，成为矩形并成为被实施了蚀刻而成的导体图案3a。而且，由于通过控制上述的挠性配线用基板3的宽度方向A及移动方向B的蚀刻速度而使蚀刻速度无论在挠性配线用基板3上的任何位置上都变得均匀，因此在通过了一个或者多个容器10的挠性配线用基板3上形成的导体图案3a的截面形状全部成为矩形。

另外，在从与挠性配线用基板3接近的位置用一定的喷射压力以直线状喷射蚀刻液5的状况下，不受导体图案3a的间距大小的影响地进行被蚀刻出的导体图案3a的截面形状的均匀的矩形化。

另一方面，在这样的蚀刻处理中，由于挠性配线用基板3由滚筒2用滚筒面2a支承，因此即使承受蚀刻液5的喷射也不会挠曲。

另外，对挠性配线用基板3的两表面实施蚀刻时，将结束了单面的蚀刻处理的挠性配线用基板3进行洗净处理后，反转该挠性配线用基板3，经与上述同样的蚀刻处理的工序对其下表面实施蚀刻，形成所希望的导体图案3a。

如上所述，根据本实施例，由于对缠绕在滚筒面2a上的挠性配线用基板3，从与其接近的位置在一定的喷射压下以直线状喷射蚀刻液5，因此可以消除挠性配线用基板3的挠曲，并且可以确保蚀刻液5的直线前进性及一定的喷射压。其结果，可以使挠性配线用基板3的面内的蚀刻速度均匀，可以实现导体图案3a的窄间距化及截面形状的矩形化，进而可以形成高精度且可以对应高频信号的传输的导体图案。

另外，根据本实施例，由于在滚筒2的外周方向上沿滚筒面2a配置多个喷头4的安装位置，使得在各安装位置可以装卸喷头4，因此，通过装卸或更换喷头4，可以控制挠性配线用基板3的沿移动方向B的蚀刻速度。

特别在本发明的蚀刻装置1中，可以更换具有由狭缝状贯通孔41构成的喷嘴孔40的喷头4和具有由圆形贯通孔42构成的喷嘴孔40的喷头4，通过对狭缝状贯通孔41的宽度W及长度L、狭缝状贯通孔41的数量等控制因素或圆形贯通孔42的直径φD、设置圆形贯通孔的数量等控制因素进行调整，从而不仅可以控制挠性配线用基板3的移动方向B的蚀刻速度，而且也可控制其宽度方向A的蚀刻速度，即使是表面内存在厚度差的导体也能以均匀的蚀刻速度实施蚀刻。

另外，根据本实施例，由于以一定的压力加压容器10内的蚀刻液5，因此，能以均匀的压力喷射蚀刻液5，对挠性配线用基板3施加均匀的压力。

还有，根据本实施例，由于挠性配线用基板3缠绕于滚筒2上地移动，因此与笔直的移动路线的场合相比，可以减小这种移动路线的占用空间，可以实现装置自身的小型化。

以下说明本发明的蚀刻装置的另一优选实施例。

如图7所示，这里所示的蚀刻装置1A的容器的上壁部及喷头与上述的实施例不同。在以下的说明中，主要说明与上述实施例的不同点。对于相同的结构要素标注相同的附图标记并省略其详细的说明。

在本实施例中，喷头4A构成容器10的上壁部10a₁，在滚筒2的圆周方向上连续地一体地形成与滚筒面2a的曲率相等的凹曲面。在该喷头4A上，沿滚筒面2a的法线方向贯通地形成有多个喷嘴孔40。该喷嘴孔40，与上述的实施例中设置的喷嘴孔不同，被做成其全部的贯通方向都与滚筒面2a的法线方向平行。

另外，在喷头4A的内壁面上安装多个未图示的遮蔽板。该遮蔽板通过在滚筒2的圆周方向上隔开一定的间隔在一定的区域范围内遮蔽喷嘴孔40，从而起到控制挠性配线用基板3的移动方向B的蚀刻速度的作用。除此之外，对于喷嘴孔40，挠性配线用基板3的移动方向B及宽度方向A的蚀刻速度的控制是与上述的实施例相同的。

根据本实施例，将喷头4A做成与滚筒面2a的曲率相同的凹曲面，将其喷嘴孔40的贯通方向全部做成与滚筒面2a的法线方向相同，由于可以总是从导体面的法线方向对挠性配线用基板3上的实施蚀刻的导体喷射蚀刻液，因此可以更高精度地实现所形成的导体图案的窄间距化及截面形状的矩形化。

另外，其他的结构及作用效果与上述的实施例相同。

下面，说明本发明的蚀刻装置的再一个实施例。

如图8所示，在此所示的蚀刻装置1B的容器10的上壁部10a₂及喷头4B与上述各实施例不同。在以下的说明中，主要说明与上述的实施例的不同点，对于相同的结构要素标注相同的附图标记并省略其详细的说明。

在本实施例中，容器10的上壁部10a₂，在沿滚筒2的外周方向上大致是凹凸状的这一点上，与上述前面的实施例相同，但在其喷嘴安装部10b₂的上端缘部分是接触凹曲面那样的开口形状这一点上不同。

在该实施例中，喷头4B在滚筒2的圆周方向上隔开一定的间隔在一定的区域范围内与滚筒面2a相对这一点上，与上述最前面的实施例相同，但在喷头4B形成为与滚筒面2a的曲率相同的凹曲面状这一点上，仅与上述图7所示的实施例相同。

另外，在喷嘴安装部10b₂的流入口部分上安装有压力调整板21B，该压力调整板21B形成为与滚筒面2a的曲率相同的凹曲面状。

如上所述，根据本实施例，在可以总是从导体面的法线方向对挠性配线用基板3上的实施蚀刻的导体喷射蚀刻液5这一点上，比最前面的实施例有利，在通过装卸或更换喷头4B而可以控制挠性配线用基板3的移动方向B上的蚀刻速度这一点上，比上述图7所示的实施例有利。

其他的结构及作用效果，与上述的各实施例相同。

本发明不限于上述的各实施例，可以进行各种变更。例如，在上述第1实施例中，也可以使喷嘴孔的贯通方向完全与滚筒面的法线方向一致。而且，在第2实施例中，也可以将喷头构成为可相对于容器上部装卸的上壁。

另外，在上述的各实施例中，可以在滚筒的母线方向上配置多个喷嘴安装部，通过调整喷头的安装数量来控制宽度方向的蚀刻速度。而且，也可以在喷头的喷嘴孔或压力调整板的调整孔上设置由电磁阀构成的快门机构来自动控制蚀刻速度或喷压。

还有，在上述的各实施例中，可以将滚筒做成蚀刻液的喷射用的内圆筒部和挠性配线用基板的旋转移动用的外圆筒部的二重结构。该情况下，在内圆筒部中，在其外周面上形成多个上述那样的喷嘴孔，由泵压使储存在其内部的蚀刻液从喷嘴孔喷射出。另外，在外圆筒部中，在其外周面上形成多个不与喷头的喷嘴孔重合的通过孔，使来自内圆筒部的蚀刻液从通过孔碰到挠性配线用基板的一面上来支承承受来自喷头的蚀刻液的另一面。这样的二重结构的滚筒，具有在一次处理中可以进行两面蚀刻的优点。

另外，本发明不局限于参照附图说明的上述的实施例，只要不脱离权利要求的范围及其宗旨，可以进行各种变更、置换或进行相同的处理，这对本领域技术人员来说是显而易见的。

Claims (9)

1.一种蚀刻装置，在滚筒的外周的滚筒面上缠绕配线用基板，使缠绕于上述滚筒面上的配线用基板沿上述滚筒面移动并从喷头对上述配线用基板喷射蚀刻液来对上述配线用基板进行蚀刻，其特征在于，

在与滚筒面接近的位置上配置喷头，在上述喷头上以对上述滚筒面以直线状喷射蚀刻液的方式设置多个喷嘴，

在上述滚筒的外侧配置储存了上述蚀刻液的容器，在该容器的上部，以凹状形成有与上述滚筒面相对配置的上壁部，

上述喷头构成为可相对于上述壁部的多个部位装卸。

2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，上述喷嘴孔由沿上述滚筒面的母线方向延伸的多个狭缝状贯通孔构成，上述狭缝状贯通孔的宽度W及设置数量根据蚀刻速度设定。

3.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，上述喷嘴孔由以上述滚筒面的法线方向为中心的多个圆形贯通孔构成，上述圆形贯通孔的直径及设置数量根据蚀刻速度设定。

4.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，上述喷头构成为通过上述容器内的压力调整而喷射上述蚀刻液。

5.一种蚀刻装置，在滚筒的外周的滚筒面上缠绕配线用基板，使缠绕于上述滚筒面上的配线用基板沿上述滚筒面移动并从喷头对上述配线用基板喷射蚀刻液来对上述配线用基板进行蚀刻，其特征在于，在与滚筒面接近的位置上配置喷头，在上述喷头上以对上述滚筒面以直线状喷射蚀刻液的方式设置多个喷嘴，上述喷头形成为与上述滚筒面的曲率相等的凹曲面状。

6.根据权利要求5所述的蚀刻装置，其特征在于，上述喷嘴孔由沿上述滚筒面的母线方向延伸的多个狭缝状贯通孔构成，上述狭缝状贯通孔的宽度W及设置数量根据蚀刻速度设定。

7.根据权利要求5所述的蚀刻装置，其特征在于，上述喷嘴孔由以上述滚筒面的法线方向为中心的多个圆形贯通孔构成，上述圆形贯通孔的直径及设置数量根据蚀刻速度设定。

8.一种蚀刻方法，对移动的配线用基板喷射蚀刻液来对该配线用基板进行蚀刻，其特征在于，

使滚筒旋转的同时、边在其外周的滚筒面上缠绕上述配线用基板、边使上述配线用基板移动，从与上述滚筒面接近的位置以直线状对处于上述滚筒面上的上述配线用基板喷射上述蚀刻液来对上述配线用基板进行蚀刻，

使上述蚀刻液的喷射位置接近成从上述滚筒面离开1～10mm的位置。

9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，在上述滚筒的外周方向上沿上述滚筒面配置多个上述蚀刻液的喷射位置，根据蚀刻速度增减上述蚀刻液的喷射位置的数量或上述蚀刻液的喷射孔的大小。

Images