CN100576302C - 发光装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种发光装置。具体地，该发光装置包括阈值电压补偿器。该阈值电压补偿器连接在驱动TFT的栅极和漏极之间，并且其栅极连接到第二扫描线，以响应于由第二扫描线提供的第二扫描信号将反映驱动TFT的阈值电压的栅电压临时存储在存储电容器处，并在向发光二极管提供输出电流时传送数据信号，而与驱动TFT的阈值电压的变化无关。

Description

发光装置

技术领域

本发明涉及一种发光装置。

背景技术

有机发光装置，也称为有机发光二极管(OLED)，是一种在产生电子-空穴对时使荧光材料发光的自发光装置。与诸如液晶显示器的需要独立光源的无源发光装置相比，自发光的发光装置具有更快的响应速度和更低的直流驱动电压，并能够利用非常薄的膜来实现。这些优点使得有机发光显示器能够实现为各种结构，例如墙壁安装式及便携式。

有机发光装置使用像素(其中红色、蓝色和绿色子像素各产生一种颜色)来实现色彩。根据子像素的驱动类型，有机发光装置可以分类为作为简单矩阵的无源矩阵OLED(PMOLED)和使用薄膜晶体管来驱动该装置的有源矩阵OLED(AMOLED)。

已经采用了多种AMOLED驱动方法，例如基于电流的驱动方法、基于电压的驱动方法和数字驱动方法。

图1表示根据常规的基于电流的驱动方法的AMOLED 10像素的等效电路图。AMOLED 10被构成为包括两个TFT和一个电容器的2T1C结构。具体地，这两个TFT是图1中被表示为DT和ST的驱动TFT和开关TFT，该电容器是图1中被表示为Cst的存储电容器。驱动TFT DT和开关TFT ST是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。

AMOLED 10包括其中在电荷传输层之间形成有机发光层的OLED。该OLED连接在电源电压VDD和驱动TFT DT之间。OLED发出与从驱动TFT DT提供的输出电流I_OLED的量相对应的光。

驱动TFT DT连接在OLED和地电压GND之间，驱动TFT DT的栅极与存储电容器Cst的一端连接。驱动TFT DT向OLED提供输出电流I_OLED。

开关TFT ST连接在驱动TFT DT的栅极和数据线12之间，开关TFTST的栅极与扫描线14连接。因此，当通过扫描线14向开关TFT ST的栅极提供扫描信号时，开关TFT ST导通以向驱动TFT DT的栅极提供数据信号。结果，将数据信号存储在存储电容器Cst内。

存储电容器Cst存储由开关TFT ST进行切换的数据信号，该存储数据信号使得驱动TFT DT即使在通过扫描信号的禁能使开关TFT ST截止时也能够保持“导通”状态。

常规AMOLED 10将数据信号存储在存储电容器Cst上，并响应于所存储的数据信号对驱动TFT DT进行驱动，从而利用与数据信号相对应的输出电流I_OLED使OLED发光。

常规AMOLED 10可能由于各种因素而劣化，因为AMOLED 10使用驱动TFT DT。因此，如图2所示，驱动TFT DT具有向右偏移的电流-电压特性曲线。结果，阈值电压Vth通常增加。例如，阈值电压Vth可能从2V增加至2.5V。

在阈值电压Vth增加时，常规AMOLED 10的驱动TFT DT的输出电流I_OLED减小。具体地，输出电流I_OLED的减小通常降低了OLED的亮度。以下数学方程表示阈值电压Vth与输出电流I_OLED之间的上述关系。

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(\mathrm{Vgs}-\mathrm{Vth})}^2$

方程1

这里，I_OLED、β、Vgs和Vth分别表示驱动TFT DT的输出电流、驱动TFT DT的常数、驱动TFT DT的源极和栅极之间的电压、以及驱动TFTDT的阈值电压。

在常规AMOLED 10中，OLED的亮度可能由于阈值电压Vth的增加而降低。因此，包括常规AMOLED的有机发光显示器的使用寿命可能缩短。

发明内容

因此，本发明致力于一种发光装置，其基本消除了由于现有技术的限制和缺点而产生的一个或多个问题。

本发明的一个优点在于至少克服了现有技术的这些问题和缺点。

本发明的实施例致力于一种发光装置，其即使在驱动TFT由于补偿驱动TFT的阈值电压而劣化时也能提高亮度。

本发明的其它特征和优点将在下列说明中阐述，并且将通过说明而部分地变得明显，或者可从本发明的实践中习得。本发明的目的和其它优点可通过书面说明和权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如此处实施并概括描述的，一种发光装置包括：发光二极管，其由于输出电流而发光；存储电容器，其存储由数据线提供的数据信号；驱动薄膜晶体管(TFT)，其连接在电源电压与发光二极管之间，并且其栅极连接到存储电容器的一端，以利用存储在存储电容器中的数据信号向发光二极管提供输出电流；输入开关，其连接在存储电容器的一端与数据线之间，并其栅极连接到第一扫描线，以响应于由第一扫描线提供的第一扫描信号而传送由数据线提供的数据信号；和阈值电压补偿器，其连接在驱动TFT的栅极和漏极之间，并且其栅极连接到第二扫描线，以响应于由第二扫描线提供的第二扫描信号将反映驱动TFT的阈值电压的栅电压临时存储在存储电容器处，并在向发光二极管提供输出电流时传送数据信号，而与驱动TFT的阈值电压的变化无关。

在本发明的另一方面中，一种发光装置包括：发光二极管，其由于输出电流而发光；存储电容器，其存储由数据线提供的数据信号；驱动薄膜晶体管(TFT)，其连接在地电压与发光二极管之间，并且其栅极连接到存储电容器的一端，以利用存储在存储电容器中的数据信号向发光二极管提供输出电流；输入开关，其连接在驱动TFT的漏极与数据线之间，并且其栅极连接到第一扫描线，以响应于由第一扫描线提供的第一扫描信号而传送由数据线提供的数据信号；和阈值电压补偿器，其连接在驱动TFT的栅极和漏极之间，并且其栅极连接到第二扫描线，以响应于由第二扫描线提供的第二扫描信号将反映驱动TFT的阈值电压的栅电压临时存储在存储电容器处，并在向发光二极管提供输出电流时传送数据信号，而与驱动TFT的阈值电压的变化无关。

在本发明的又一方面中，该发光装置还可以包括阈值电压恢复器，其连接到驱动TFT的栅极，并利用通过提供低于地电压的栅电压而产生的负偏压来恢复阈值电压。

因此，根据本发明各种示例性实施例的发光装置能够降低功耗，从而提供较长的使用寿命。

应理解的是，对本发明的前述总体说明和以下详细说明都是示例性和说明性的，旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

包含附图以提供对本发明的进一步理解，并入附图并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。

附图中：

图1表示常规AMOLED的等效电路图；

图2是表示由于常规AMOLED的驱动TFT劣化而导致的电压-电流特性变化的曲线图；

图3例示了根据本发明第一实施例的有机发光装置的等效电路图；

图4是图3中例示的有机发光装置的驱动时序图；

图5例示了在图4例示的区间T1中进行电流编程操作(currentprogramming operation)时的等效电路图；

图6例示了在图4例示的区间T2中提供输出电流时的等效电路图；

图7例示了根据本发明第二实施例的有机发光装置的等效电路图；

图8是图7中例示的有机发光装置的驱动时序图；

图9例示了根据本发明第三实施例的有机发光装置的等效电路图；

图10例示了根据本发明第四实施例的有机发光装置的等效电路图；

图11例示了根据本发明第五实施例的有机发光装置的等效电路图；

图12例示了图11中例示的有机发光装置的驱动时序图；

图13是表示由根据本发明第五实施例的有机发光装置的驱动TFT的恢复阈值电压而导致的电压-电流特性的变化的曲线图；

图14例示了根据本发明第六实施例的有机发光装置的等效电路图；

图15例示了图14中例示的有机发光装置的驱动时序图；

图16例示了根据本发明第七实施例的有机发光装置的等效电路图；以及

图17例示了图16中例示的有机发光装置的驱动时序图。

具体实施方式

下面将详细参照本发明的实施例，其示例在附图中示出。

图3例示了根据本发明第一实施例的有机发光装置的等效电路图。具体地，该有机发光装置为AMOLED。

如图所示，AMOLED 20包括被表示为DT的驱动TFT、被表示为ST1和ST2的第一和第二开关TFT、存储电容器Cst、以及OLED。

驱动TFT DT以及第一和第二开关TFT ST1和ST2是NMOS晶体管。第二开关TFT ST2是用于补偿阈值电压的阈值电压补偿器。

OLED包括形成在电荷传输层之间的有机发光层，并通过耦合的电子-空穴对来发光。OLED连接在电源电压VDD和驱动TFT DT之间。

OLED发出与从驱动TFT DT提供的输出电流I_OLED的量相对应的光。OLED可以由各种材料形成并构成为层叠结构。然而，将省略对其的详细描述。

驱动TFT DT连接在OLED和地电压GND之间，驱动TFT DT的栅极与存储电容器Cst的一端连接。

驱动TFT DT是向OLED提供输出电流I_OLED的驱动晶体管。

具体地，第二开关TFT ST2连接在驱动TFT DT的栅极和漏极之间。因此，当第二开关TFT ST2导通时，驱动TFT DT表现出与OLED基本相同的工作特性。结果，驱动TFT DT的阈值电压Vth可存储在存储电容器Cst上。

第一开关TFT ST1连接在驱动TFT DT的漏极与数据线22之间，第一开关TFT ST1的栅极与扫描线24连接。因此，当通过扫描线24向第一开关TFT ST1的栅极提供扫描信号时，第一开关TFT ST1导通，然后向驱动TFT DT的漏极提供数据信号，从而将数据信号与驱动TFT DT的上述阈值电压一起存储在存储电容器Cst中。

第二开关TFT ST2用作阈值电压补偿器，并且如上所述连接在驱动TFT DT的栅极和漏极之间。第二开关TFT ST2的栅极与扫描线24连接。

当通过经由扫描线24提供的扫描信号使第二开关TFT ST2导通时，第二开关TFT ST2将由第一开关TFT ST1切换的数据信号以及驱动TFT DT的阈值电压Vth存储在存储电容器Cst上。

存储电容器Cst存储由第一开关TFT ST1切换的数据信号以及反映驱动TFT DT的阈值电压Vth的栅电压，并且即使在扫描信号禁能时使第一和第二开关TFT ST1和ST2截止，也能够基于所存储的数据信号和阈值电压Vth对驱动TFT DT进行驱动。

驱动TFT DT根据存储电容器Cst中的所存储的阈值电压Vth，在上述数学方程的限定下对阈值电压Vth进行补偿。因此，驱动TFT DT向OLED提供特定电平的输出电流I_OLED而与阈值电压Vth无关。

因此，即使驱动TFT DT由于对驱动TFT DT的阈值电压的补偿而劣化，AMOLED 20的亮度也不会降低。参照图4至6，将描述根据本发明第一实施例的AMOLED 20的操作。

图4是图3中例示的AMOLED 20的驱动时序图。图5例示了在图4例示的区间T1中进行电流编程操作时的等效电路图。图6例示了在图4例示的区间T2中提供输出电流时的等效电路图。

参照图4，在根据本发明第一实施例的AMOLED 20中，当通过扫描线24提供扫描信号时，禁能电源电压VDD。该操作与电流编程区间T1相对应。相反，在扫描信号禁能时提供电源电压VDD。该操作与输出电流提供区间T2相对应。

通过连接在AMOLED 20与在形成有AMOLED 20的面板外部的电源电压端子(未示出)之间的外部开关来切换电源电压VDD。即，在向外部开关提供与扫描信号同步的控制信号时提供扫描信号，并且电源电压响应于该扫描信号而关闭。相反，在扫描信号禁能时，提供电源电压。

参照图5，在电流编程区间T1中，通过扫描线24向第一和第二开关TFT ST1和ST2的栅极提供扫描信号，而不提供电源电压VDD。当第一和第二开关TFT ST1和ST2由于扫描信号而导通时，数据信号，即，数据电流I_data通过数据线22提供至驱动TFT DT以对驱动TFT DT进行驱动。

因为驱动TFT DT的栅极和漏极连接在一起，所以驱动TFT DT表现出与OLED基本相同的工作特性，由数据电流I_data产生的电压和驱动TFT DT的阈值电压Vth被存储在与驱动TFT DT的栅极连接的存储电容器Cst中。

参照图6，在输出电流提供区间T2中，扫描信号禁能，从而提供电压电压VDD。因此，存储在存储电容器Cst中的由数据电流I_data产生的电压对驱动TFT DT进行驱动，从而向OLED提供输出电流I_OLED。

这时，由于存储在存储电容器Cst中的阈值电压Vth，使得输出电流I_OLED的值与根据上述数学方程进行了补偿的阈值电压无关。

因此，即使阈值电压Vth由于驱动TFT DT的劣化而增大，也能保持特定电平的输出电流I_OLED。因此，OLED可以保持特定级别的亮度。

图7例示了根据本发明第二实施例的有机发光装置的等效电路图。图8是图7中例示的有机发光装置的驱动时序图。

参照图7和8，除了通过相应的扫描线24和26向第一开关TFT ST1和第二开关TFT ST2的栅极提供不同的扫描信号之外，有机发光装置30具有与AMOLED 20基本相同的结构。

即使通过两条相应的扫描线24和26向第一开关TFT ST1和第二开关TFT ST2的栅极提供不同的扫描信号，也可以与本发明第一实施例相同，在提供扫描信号时不提供电源电压。

图9例示了根据本发明第三实施例的有机发光装置的等效电路图。图10例示了根据本发明第四实施例的有机发光装置的等效电路图。

分别根据本发明第三和第四实施例的有机发光装置40和50与分别根据本发明第一和第二实施例的有机发光装置20和30的不同之处在于，驱动TFT DT以及第一和第二开关TFT ST1和ST2是P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。

然而，驱动TFT DT、第一和第二开关TFT ST1和ST2以及存储电容器Cst具有基本相同的功能。

为了具有与包括NMOS晶体管的有机发光装置20和30相同的功能，各个有机发光装置40和50的OLED连接在驱动TFT DT和地电压GND之间，存储电容器Cst连接在驱动TFT DT的源极和栅极之间，第二开关TFTST2连接在驱动TFT DT的栅极和漏极之间。

有机发光装置40和50之间的不同在于，第一和第二TFT ST1和ST2的栅极分别与同一扫描线24连接或者与两条不同的扫描线24和26连接。但是，有机发光装置40和50进行基本相同的操作。

如本发明的以上实施例所述，该发光装置为包括有机发光层的有机发光装置。

在根据本发明的以上实施例的有机发光装置中，提供给数据线的数据信号是静态电流，并且在第一扫描信号和第二扫描信号变成“导通”状态时对驱动TFT进行驱动。

更具体地，当第一扫描信号和第二扫描信号导通时，根据利用设置为反映作为阈值电压的静态电流的整定电流的源极驱动方法，通过数据线将数据信号提供至驱动TFT。因此，即使阈值电压由于驱动TFT的劣化而增加，OLED也能够以期望级别的亮度发光。

图11例示了根据本发明第五实施例的有机发光装置的等效电路图。图12例示了图11中例示的有机发光装置的驱动时序图。

参照图11和12，有机发光装置110包括驱动TFT DT、第一和第二开关TFT ST1和ST2、存储电容器Cst、OLED和阈值电压恢复器ST3。

驱动TFT DT、第一和第二开关晶体管ST1和ST2、存储电容器Cst和OLED具有与根据本发明第一实施例的有机发光装置20的驱动TFT DT、第一和第二开关晶体管ST1和ST2、存储电容器Cst和OLED基本相同的功能和操作。因此，将省去对其的详细说明。

阈值电压恢复器ST3连接在驱动TFT DT的栅极和支持数据线118之间，阈值电压恢复器ST3的栅极连接到支持扫描线116。因此，在通过支持扫描线116向阈值电压恢复器ST3的栅极提供支持扫描信号时，阈值电压恢复器ST3导通。阈值电压恢复器ST3可以是NMOS晶体管，但不限于该说明性实施。

如上所述，阈值电压恢复器ST3与驱动TFT DT的栅极连接，预先提供低于地电压GND_n的栅电压，从而产生负偏压。阈值电压恢复器ST3利用该负偏压来恢复驱动TFT DT的阈值电压Vth。

因此，能够获得特定级别的亮度而不增加电源电压VDD。因此可降低功耗。

参照图12和13，下面将详细描述根据第五实施例的有机发光装置的操作。

图13是表示根据本发明第五实施例的有机发光装置110的驱动TFTDT的电压-电流特性的变化的曲线图。

参照图12，有机发光装置110与根据第一实施例的有机发光装置20相似地进行操作。更具体地，当通过扫描线114提供扫描信号Scan1Signal时(即，在电流编程区间T1中)，消除(erase)电源电压VDD。相反，在消除扫描信号Scan1 Signal时(即，在输出电流提供区间T2中)，提供电源电压VDD。

在根据本发明第五实施例的有机发光装置110中，通过支持扫描线116向阈值电压恢复器ST3的栅极提供支持扫描信号Scan2 Signal。当阈值电压恢复器ST3由于支持扫描信号Scan2 Signal而导通时，通过支持数据线118提供支持数据信号，即，低于地电压GND_n的栅电压。

结果，如图13所示，驱动TFT DT的电压-电流特性曲线向左偏移。该偏移表示恢复了阈值电压Vth。

因此，即使阈值电压Vth由于驱动TFT DT的劣化而增加，由阈值电压恢复器ST3提供的负偏压也会阻止阈值电压Vth的变化。因此，经增加的阈值电压Vth电平可恢复到以前的电平。

图14例示了根据本发明第六实施例的有机发光装置的等效电路图。图15例示了图14中例示的有机发光装置的驱动时序图。

参照图14和15，与根据第五实施例的有机发光装置110相似，本实施例中的有机发光装置150包括驱动TFT DT、第一和第二开关晶体管ST1和ST2、存储电容器Cst、OLED和阈值电压恢复器ST3。

阈值电压恢复器ST3连接在驱动TFT DT的栅极与前级端子(precedent terminal)的地电压GND_n-1(下文称为“前级地电压”)之间。

具体地，阈值电压恢复器ST3的栅极连接到前级端子的扫描线154(下文称为“前级扫描线”并且还标记为Scan_n-1)，从而通过前级扫描线154提供的前级扫描信号使得驱动TFT DT能够具有经恢复的阈值电压Vth电平。

下面将参照图15详细描述根据第六实施例的有机发光装置150的操作。

在电流编程区间T1中，在通过前级扫描线154向第一和第二开关TFT ST1和ST2的栅极提供扫描信号Scan_n Signal时，消除电源电压VDD。

在输出电流提供区间T2中，消除扫描信号Scan_n Signal，并提供电源电压VDD。因此，由存储在存储电容器Cst上的数据电流产生的电压对驱动TFT DT进行驱动，从而向OLED提供输出电流I_OLED。

在负偏压提供区间T3中，在提供前级扫描信号Scan_n-1 Signal时，消除前级地电压GND_n-1并提供地电压GND_n。结果，提供与地电压GND_n和低于地电压GND_n的前级地电压GND_n-1之间的电压差(VSSL-VSSH)相等的负偏压。

可使用前级扫描线Scan_n-1和前级地电压GND_n-1来恢复阈值电压Vth而不需要另外构造支持扫描线或支持数据线。

图16例示了根据本发明第七实施例的有机发光装置的等效电路图。图17例示了图16中例示的有机发光装置的驱动时序图。

参照图16和17，有机发光装置170包括驱动TFT DT、第一和第二开关TFT ST1和ST2、存储电容器Cst、OLED和阈值电压恢复器ST3。

阈值电压恢复器ST3连接在驱动TFT DT的栅极与扫描线Scan_n之间。

具体地，阈值电压恢复器ST3的栅极连接到被标记为Scan_n-1的前级扫描线174，从而通过前级扫描线174提供的前级扫描信号使得驱动TFTDT能够具有经恢复的阈值电压Vth电平。

下面将参照图17详细描述根据本发明第七实施例的有机发光装置170的操作。

在电流编程区间T1中，在通过前级扫描线174向第一和第二开关TFT ST1和ST2的栅极提供扫描信号Scan_n Signal时，消除电源电压VDD。

在输出电流提供区间T2中，消除扫描信号Scan_n Signal，并提供电源电压VDD。因此，驱动TFT DT由于存储在存储电容器Cst上的数据电流产生的电压而进行驱动。结果，向OLED提供输出电流I_OLED。

在负偏压提供区间T3中，在提供前级扫描信号Scan_n-1 Signal时，消除扫描信号Scan_n Signal并提供地电压GND_n。结果，提供与地电压GND_n和低于地电压GND_n的扫描信号Scan_n Signal的电压之间的电压差(VSSL-VSSH)相等的负偏压。

如上所述，可以使用前级扫描线Scan_n-1和扫描线Scan_n来恢复阈值电压Vth而不需要另外构造支持扫描线和支持数据线。

在本发明的以上示例性实施例中，发光装置为包括有机发光层的有机发光装置。

尽管在示例性实施例中说明了在输出电流提供区间T2之后向驱动TFT DT提供负偏压，但是可以在电流编程区间T1之前或者在输出电流提供区间T2中提供负偏压。

对于本领域中的技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下可以对本发明进行各种改进和变型。因此，本发明旨在涵盖本发明的这些改进和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (19)

1、一种发光装置，包括：

发光二极管，其由于输出电流而发光；

存储电容器，其存储由数据线提供的数据信号；

驱动薄膜晶体管，其连接在电源电压与所述发光二极管之间，并且其栅极连接到所述存储电容器的一端，以利用存储在所述存储电容器中的数据信号向所述发光二极管提供所述输出电流；

输入开关，其连接在所述存储电容器的所述一端与所述数据线之间，并且其栅极连接到第一扫描线，以响应于由所述第一扫描线提供的第一扫描信号而传送由所述数据线提供的数据信号；以及

阈值电压补偿器，其连接在所述驱动薄膜晶体管的所述栅极和漏极之间，并且其栅极连接到第二扫描线，以响应于由所述第二扫描线提供的第二扫描信号将反映所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的栅电压临时存储在所述存储电容器处，并在向所述发光二极管提供所述输出电流时传送所述数据信号，而与所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的变化无关。

2、根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述驱动薄膜晶体管、所述输入开关和所述阈值电压补偿器是P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。

3、根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线是相同的线，并且所述第一扫描信号和所述第二扫描信号是相同的信号。

4、根据权利要求1所述的发光装置，其中，由所述数据线提供的数据信号是静态电流，并且在所述第一扫描信号和所述第二扫描信号处于“导通”状态时，所述数据信号驱动所述驱动薄膜晶体管。

5、根据权利要求4所述的发光装置，其中，在所述第一扫描信号和所述第二扫描信号处于“导通”状态时，向所述驱动薄膜晶体管提供所述静态电流。

6、根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置包括有机发光层。

7、一种发光装置，包括：

发光二极管，其由于输出电流而发光；

存储电容器，其存储由数据线提供的数据信号；

驱动薄膜晶体管，其连接在地电压与所述发光二极管之间，并且其栅极连接到所述存储电容器的一端，以利用存储在所述存储电容器中的数据信号向所述发光二极管提供所述输出电流；

输入开关，其连接在所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述数据线之间，并且其栅极连接到第一扫描线，以响应于由所述第一扫描线提供的第一扫描信号而传送由所述数据线提供的数据信号；以及

阈值电压补偿器，其连接在所述驱动薄膜晶体管的所述栅极和漏极之间，并且其栅极连接到第二扫描线，以响应于由所述第二扫描线提供的第二扫描信号将反映所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的栅电压临时存储在所述存储电容器处，并在向所述发光二极管提供输出电流时传送数据信号，而与所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的变化无关。

8、根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述驱动薄膜晶体管、所述输入开关和所述阈值电压补偿器是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。

9、根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线是相同的线，并且所述第一扫描信号和所述第二扫描信号是相同的信号。

10、根据权利要求7所述的发光装置，其中，由所述数据线提供的数据信号是静态电流，并且在所述第一扫描信号和所述第二扫描信号处于“导通”状态时，所述数据信号驱动所述驱动薄膜晶体管。

11、根据权利要求10所述的发光装置，其中，在所述第一扫描信号和所述第二扫描信号处于“导通”状态时，向所述驱动薄膜晶体管提供所述静态电流。

12、根据权利要求9所述的发光装置，还包括：

阈值电压恢复器，其连接到所述驱动薄膜晶体管的栅极，并提供低于所述地电压的栅电压。

13、根据权利要求12所述的发光装置，其中，所述阈值电压恢复器连接在所述驱动薄膜晶体管的栅极与支持数据线之间，并且其栅极连接到支持扫描线。

14、根据权利要求12所述的发光装置，其中，所述阈值电压恢复器连接在所述驱动薄膜晶体管的栅极与前级端子的地电压之间，并且其栅极连接到所述前级端子的所述第一扫描线。

15、根据权利要求12所述的发光装置，其中，所述阈值电压恢复器连接在所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线之间，并且其栅极连接到所述前级端子的所述第一扫描线。

16、根据权利要求13所述的发光装置，其中，所述阈值电压恢复器是NMOS晶体管。

17、根据权利要求14所述的发光装置，其中，所述阈值电压恢复器是NMOS晶体管。

18、根据权利要求15所述的发光装置，其中，所述阈值电压恢复器是NMOS晶体管。

19、根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述发光装置包括有机发光层。

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