CN100543468C - 监控对衬底晶片的污染的方法和设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于例如在FOUP(前开口式通用盒)或SMIF(标准机械接口)类型的传送密闭盒中直接测量污染的设备。将该传送密闭盒置于适配器上，该适配器在该传送密闭盒与外部气体分析器之间形成直接连通。该气体分析器对采样气体进行离子化，并通过测量由这种离子化得到的离子的参数来执行分析。这种方法可实时地测量非常低级别的气态污染。

Description

监控对衬底晶片的污染的方法和设备

相关申请的交叉引用

本申请基于2005年3月18日提交的法国专利申请No.0550703，在此通过引用的方式包含其全部内容，并因此要求其优先权。

技术领域

本发明涉及在半导体和微机电系统(MEMS)的制造工艺中监控对诸如衬底晶片之类的部件的污染。

背景技术

半导体和微机电系统的有源组件的不断减小的尺寸使得它们对其表面上或其基质内部出现的杂质越来越敏感，这些杂质一般是在加工期间由包围衬底晶片的空气带来的。因此，在半导体和微机电系统的制造工艺期间必须尽可能地减少杂质(通常称为污染)的出现。

出于这个原因，在空气保持在非常低级别的污染下的绝尘室中执行制造工艺。持续地监控绝尘室中空气的污染级别。

例如，文献US-2004/0023419描述了一种测量吸附在用于照相平版印刷(photolithographic)工艺的光学表面上的污染的方法。该方法利用具有较高容量的聚合体来吸附容易形成气态污染的化合物。然后，采用热解吸、气相色谱法和质谱分析法来对该聚合体进行分析。该聚合体应当优选地保留在空气中以便被监控足够的时间(时间量级可以是几小时到几天或几个星期)，以在相对较低的浓度下收集出现空气中的足够多的污染物。这种方法的缺点是，测量不是“实时”地实现的并且没有提供在气态污染浓度较低的情况下的定制的和快速的反应。

文献DE-101 33 520描述了另一种确定用于半导体制造的绝尘室中的空气特性的系统。该系统结合在标准前开口传送密闭盒(FOUP)中，因此其具有在制造期间容纳衬底晶片的传送密闭盒的通常的整体尺寸。包含该监控系统的传送密闭盒从绝尘室中吸入空气、分析该空气，并将其返回到绝尘室，从而沿着由容纳衬底晶片的标准传送密闭盒(FOUP)选取的路线来监控绝尘室中的空气。测量到的参数可以是绝尘室中的空气温度、相对湿度、微粒污染级别以及由某些不期望的气体带来的污染的级别。该测量系统必须适合于具有小于标准前开口传送密闭盒(FOUP)中的可用内部空间的整体尺寸。

由于这种较小的尺寸，测量设备不能测量以数量级为1ppb(partper billion，十亿分之一)的痕量(trace amount)存在的非常低级别的气态污染。

此外，上述设备不能分析包含在衬底晶片传送密闭盒本身中的空气，测量是整体地基于包含衬底晶片传送密闭盒的绝尘室中的空气而实现的。

现在，这些衬底晶片传送密闭盒是会聚集污染物并且特别是有机污染物、胺污染物和酸污染物的多孔环境。衬底晶片在等待加工时持续地暴露在这种空气中。在这些半导体制造工艺中，这些加工气体装填衬底晶片，然后又从衬底晶片中逸出并污染传送密闭盒的各壁。这种污染对诸如晶片或掩模之类的半导体衬底非常有害。

已经发现，特别是在衬底晶片或其他部件的较低级别的气态污染的情况下，现有技术中已知的污染监控方法是不够的。这种由于替换、添加或掺杂引起的较低级别的分子气态污染有可能产生的缺陷有可能不能用目前的后期(post-production)测量技术发现但会减小以这种方式制造的半导体和微机电系统的服务寿命。

由于对衬底进行替换、添加或掺杂引起的较低级别的分子污染是一个实际的问题。以这种方式制造的半导体在出厂时也许宣称是令人满意的，但却被证明其服务寿命有可能缩短了。因此，通过减少这种较低级别的分子污染可获得巨大的利益。

本发明所解决的问题是进一步减小在通过包括在传送密闭盒中传输和/或存储衬底晶片的步骤的制造工艺制造的半导体和微机电系统中出现缺陷的风险。

同时，本发明的目的在于避免由于添加诸如气相吸附聚合体之类的材料而为衬底带来附加污染的全部风险。

本发明的目的还在于减小传输包含在传送密闭盒中的衬底晶片或其他部件的污染的风险。

本发明的基本思想是采用与传送密闭盒的内部空气连通的有力的外部分析装置来监控传送密闭盒本身中的空气。

因此，该分析装置的尺寸可以独立于并且特别是可以大于标准传送密闭盒的内部容积，并且在分析期间保持包含在该标准的传送密闭盒中的衬底晶片的间隔。

因此，可以采用能够实时地即在非常短的时间内提供分析并且能够检测和测量数量级为1ppb的非常低的污染的分析装置。

发明内容

为实现以上目的和其他目的，本发明提出一种用于在半导体或微机电系统的制造工艺中监控衬底晶片或其他部件的污染的设备，该制造工艺包括在传输密闭室中传输和/或存储衬底晶片或其他部件，该设备包括气体分析器，其包括用于对气体进行离子化的装置和用于通过测量离子的参数来识别离子化的气体的装置。其中将气体分析器设置在传送密闭盒外部。

根据本发明，该用于对气体进行离子化的装置适合于在大气压力下对气体进行离子化，并且该设备还包括接口装置，其用于在气体分析器与传送密闭盒的内部空气之间形成直接连通，以执行对包含在传送密闭盒的内部空气中的气体的实时分析。

该接口装置优选地适合于直接地并且不需要有关的外部输入地将待分析的气流从传送密闭盒的内部空气中传送到所述气体分析器。术语“外部输入”等同地意指来自外部的气体和驱除气体。

因此，由于接口装置的恰好足够的容积并且由于在用于对气体进行采样并将这些气体传送给气体分析器的装置(导管、电磁阀体、泵体等)中所用的材料，该设备捕获来自该盒的气体，并且只捕获来自该盒的那些气体。接口装置有利地包括由于其较高的化学和机械稳定性及其不透气性而被选中的全氟烷氧基(PFA)聚合体。因此，使用PFA使得材料吸附和释放的气体最少，这对于1ppb级别的测量是必不可少的。

由于该特征，可以实时地分析对包含在传送密闭盒中的气体的污染的痕量(trace)。还可以在离衬底晶片或其他部件最近的空气中执行这种分析，并且这种分析不会受到环境干扰，即不会受到包围传送密闭盒的空气的干扰。

该设备可以用于监控对衬底晶片、掩模、处理室的组成部件(诸如必须定期清理的部件)或甚至传送密闭盒的污染。

接口装置优选地包括隔离装置，以确保到达气体分析器的待分析的气流占据了传送密闭盒的绝大部分，由从传送密闭盒外部的空气中泄漏而得到的气流占据了小部分。这增加了分析的敏感度。

本发明的设备还包括传送密闭盒。

为执行敏感到足以检测气态污染级别的痕量的分析，一个选择是采用适合于测量所述离子的迁移率的类型的气体分析器。

在说明书和权利要求中，将离子迁移率参数定义为置于电场中的离子由于由介质的粘性引起的制动力而达到的终速(terminalvelocity)与该离子所受到的电场作用之间的比值。

作为替代，气体分析器可以属于适合于测量离子的飞行时间的类型。将该飞行时间参数定义为受到电场作用的离子行进给定距离所需的时间。

对待分析的气体进行离子化的一个选择是采用通过用IMS(离子迁移谱计)仪器进行电子轰击来使气体分子分裂的常规方法。

另一个选择是采用离子附着质谱计(IAMS)技术来执行离子化，其用例如Li⁺离子或Na⁺离子之类的碱性离子来轰击待分析的气体，这些碱性离子会附着到所述气体的分子上并从而产生阳离子。然后，采用质谱计来测量所得到的离子的质量，并且通过减去已知的碱性离子质量来确定表示气体分子质量的参数。

在实现中，接口装置可以优选地包括：

-通过传送密闭盒的壁的通道；以及

-适配器，其适合于使得传送密闭盒能够耦合到该适配器，其中选择性地将该通道设置为与通向气体分析器的导管连通。

第一个选择是适配器包括定位装置，其用于对传送密闭盒进行定位，使得通道面对通向气体分析器的导管的孔口。

在此情况下，定位装置包括接线片，其适合于装配在相应的孔中。

另一个选择是传送密闭盒具有入口，并且接口装置包括适配器，该适配器包括用于选择性地打开入口的装置以及用于从传送密闭盒中对气体进行采样并将其传送给气体分析器的收集器装置，其中限制对从周围环境中泄漏进来的气体的采样。

在本发明的一个实施例中，将适配器直接集成到前开口类型的传送密闭盒的装载装置中，该传送密闭盒特别是前开口通用盒(FOUP)、侧开口盒或SMIF(标准机械接口)类型的底部开口盒。这些装载装置位于包括半导体衬底处理室的结构的入口处。这些装载装置使得能够在衬底晶片进入处理室之前打开或关闭传输盒。

因此，为了限制对处理室的污染，本发明的设备实现了在打开传输盒并使其与设备的处理室开始进行连通之前监控对衬底和/或传输盒的污染。与此类似，在处理后将衬底晶片存储于传输盒中之前，测试传输盒中的空气的污染，以便使晶片不会在受污染的空气中做任何时间的停留。

作为替代，接口装置可以包括连接到气体分析器并适合于穿透传送密闭盒的插针。通过提供适合于穿透的壁部分，该解决方案可以适合于结合诸如FOUP或SMIF类型的传送密闭盒之类的刚性壁传送密闭盒而使用。该解决方案还可以适合于结合柔性壁密封类型的传送密闭盒而使用。

本发明的监控设备可以有利地包括用于选择性地将用于驱除的惰性气体注入所体分析器中的装置。该惰性气体可以是例如由氮源提供的氮气。

还可以提供用于选择性地在气体分析器的入口与包围传送密闭盒的空气之间形成直接连通的装置，因此，该设备还能够分析包围传送密闭盒的绝尘室的空气。

然后，接口装置包括用于传送采样气体的导管以及插入这些导管中的用以控制采样气流的阀。

通过提供用于使各组件的操作自动化的装置，还提高了分析的可靠性。因此，可以提供用于控制气体分析器和接口装置的操作的电子控制装置。

在实现中，电子控制装置可以包括处理器和相关联的程序，该相关联的程序包括处理器用于控制传送密闭盒与气体分析器之间的连通的测量工序以及以下工序中的至少一个工序：

驱除工序，处理器用驱除工序来控制将氮气注入气体分析器中；

校准工序，处理器用校准工序来控制将参考气体注入气体分析器中；以及

外部监控工序，处理器用外部监控工序来控制在气体分析器与周围环境之间形成连通。

本发明的设备还可以安装在专用监控站上，在该专用监控站上生产线工人可以在任意时间检查传输盒的内部空气的污染级别。

本发明的另一方面提出了一种用于在半导体或微机电系统的制造工艺中监控衬底晶片或其他部件的污染的方法，该制造工艺包括在传送密闭盒中进行传输和/或存储的步骤。该方法包括测量步骤，在该测量步骤中从传送密闭盒的内部空气中采样得到气体并对其进行隔离，对采样气体进行离子化并通过测量由离子化得到的离子的参数来分析该采样气体，其中在传送密闭盒外部实施该测量步骤。

该方法可以包括外部分析步骤，在该外部分析步骤期间在包围传送密闭盒的空气中采样得到气体，对采样气体进行离子化并通过测量由离子化得到的离子的参数来分析该采样气体。

根据下面对特定实施例的描述，本发明的其它目的、特征和优点将变得明显，该描述参考了附图。

附图说明

图1是本发明的污染监控设备的一个实施例的框图。

图2是示出在气体分析器与前开口传送密闭盒之间形成连通的装置的第一实施例的部分视图。

图3是示出在气体分析器与前开口传送密闭盒之间形成连通的装置的第二实施例的部分视图。

图4示出了在气体分析器与底部开口传送密闭盒之间形成连通的装置的一个实施例。

图5示出了在气体分析器与底部开口传送密闭盒之间形成连通的装置的另一实施例。

具体实施方式

在图1示出的实施例中，该设备适合于在绝尘室中将衬底晶片或其他部件从一个站点传送到另一站点时监控对在传送密闭盒1中传输的衬底晶片或其他部件的污染。

例如，图1中示出的FOUP类型的标准前开口传送密闭盒就用于这一目的。

这些FOUP类型的传送密闭盒1具有其尺寸允许插入或取出衬底晶片或其他部件的前入口4，并通常具有一个或多个底部开口20，这些底部开口20配有阻止受污染的粒子渗透到传送密闭盒1内部的过滤器。

传送密闭盒1是密封的，但却是以相对较低的程度密封的，使得来自大气的空气可以通过孔口20并通过入口4的封盖的泄漏，但是绝大部分的泄漏是经由过滤器到达孔口20的。特别是当关闭或打开入口4时，孔口20结合过滤器使得空气可以从大气中进入和离开，以平衡气压。

在图1中，在构成监控站的绝尘室中，传送密闭盒1耦合到适配器5。

适配器5将传送密闭盒的过滤器孔口20连接到将气体传送到气体分析器2的输入的导管3。导管3中的阀6打开或关闭导管3以选择性地放行或阻断来自传送密闭盒1的气流。阀6由微控制器或PLC(可编程逻辑控制器)类型的处理器16控制。

气体分析器2采用离子迁移谱计(IMS)仪器的原理来测量离子的迁移率，以测量气体的痕量并测量其浓度。

在这种类型的气体分析器中，将气体采样引入电子管的反应部分，在该反应部分中，例如通过电子轰击来对分子进行离子化。将使分子分裂而得到的离子注入引入离子运动的区域，以便分析其迁移率，该迁移率由正离子以及随后的负离子到达电场中的速度决定。所产生的离子被吸往一个电极，这就生成了电流。然后，处理该电流以得到气体浓度(以ppbv为单位)。

作为替代，可以采用离子附着质谱计(IAMS)技术来对采样气体进行离子化并对其进行分析。

将计算机9连接到气体分析器2。计算机9包括用于存储由气体分析器2产生的测量值的存储器。存储于计算机9中的软件将由气体分析器2产生的数据直接显示在屏幕上并将其存储于存储器中。可以经由输入屏幕对测量值添加注释。因此，计算机9构成了用于处理和存储由气体分析器提供的测量结果的电子处理装置。

计算机9的软件还管理触发门限，以便提醒用户是否超过了门限。

计算机9的软件还用于对同样连接到计算机9的处理器16的参数进行设置。

当测量内部污染时，经由导管3将包含在传送密闭盒1中的气体吸入气体分析器2，气体分析器2随后通过排放口17将这些气体返回到绝尘室。当这些气体通过气体分析器2时对它们进行分析并将所得到的信息发送给计算机9。

将导管3和适配器5密封到足够的级别，以防止不期望的气体从绝尘室渗透到导管3和气体分析器2的内部。这将确保气体分析器2实际上分析了来自传送密闭盒1的内部空气中的气体。因此，将由气体分析器2分析的气流占据了传送密闭盒1的绝大部分，由从传送密闭盒外部的空气中泄漏而得到的气流占据了较少的部分。

在本发明的一个优选实施例中，由接线片将传送密闭盒1定位在适配器5上。

假定过滤器孔口20在传送密闭盒1上的位置是未标准化的，则即使密闭盒属于标准的FOUP类型，适配器5的位置也是可调节的，以便连接到传送密闭盒1的过滤器。

由于传送密闭盒1有可能在其底壁上不具有入口孔口20，因此适配器5包括用于打开传送密闭盒1的入口的装置以及用于提供与绝尘室的空气的充分隔离的控制装置。然后就可以执行测量了，其中传送密闭盒1的入口4是部分打开的(参见以下内容)。

在图1示出的实施例中，导管3包括阀6，在阀6的下游还包括配备有相应的阀10、12和14的三个分支连接7、13和21。分支连接7经由适配器5附近的孔口8向绝尘室的内部空气中进行排放。分支连接13通向参考气体源。分支连接21通向惰性气体源11。

阀10、12和14同样由处理器16控制。

以上类型的结构用于：

-测量经由孔口8、分支连接7和阀10耦合到适配器5的传送密闭盒1附近的外部空气，以便对对应于绝尘室的污染级别的背景噪声进行量化；

-从惰性气体源11提供诸如氮气之类的惰性气体，用于驱除气体分析器2的测量单元；

-测量参考气体以检验气体分析器2的测量单元的校准。

处理器16对阀的操作进行排序以执行各种测量。

为此，处理器16包含相关联的程序，该相关联的程序包括该处理器用于控制传送密闭盒1与气体分析器2之间的连通的测量工序以及以下工序中的至少一个工序：

驱除工序，该处理器用驱除工序来控制将氮气从惰性气体源11注入气体分析器2中；

校准工序，该处理器用校准工序来控制经由分支连接13将参考气体注入气体分析器中；以及

外部监控工序，该处理器用外部监控工序来控制经由分支连接7和孔口8在气体分析器2与周围环境之间形成连通。

在附图中示出的实施例中，导管3和每个分支连接7、13和21具有相应的独立的阀6、10、12和14。

作为替代，三向阀可以用于提供相同的功能。

现在考虑图2至图5，其示出了适配器5匹配不同类型的传送密闭盒的四个实施例。

图2重复了图1中示出的结构，其中适配器5适合于构成设置有FOUP类型的标准前开口传送密闭盒1的支撑平面。还可以看到前入口4和配备有过滤器的底部孔口20，该过滤器连接到配有阀6的导管3。

在图3中，将适配器5设计为与前开口传送密闭盒1协作，前开口传送密闭盒1不具有可以连接到导管3的底部孔口20。在此情况下，适配器5包括收集器18，其提供了包围前入口4的采样密闭室并使得至少部分地打开前入口4。经由底部孔口18a将由收集器18限定的采样密闭室连接到导管3。

在图4中，适配器5适合于与例如标准的SMIF类型的密闭室之类的底部开口传送密闭盒1协作。在此情况下，传送密闭盒1的入口是底部入口4，该底部入口4配备有孔口，导管3可以经由适配器5连接到该孔口。

图5示出了适合于与SMIF类型即底部开口类型的传送密闭盒协作的适配器结构5，但其中底部入口4不具有可以连接到导管3的孔口。在此情况下，适配器5包括限定包围传送密闭盒1的开口的采样密闭室并使得至少部分地打开底部入口4的收集器19。横向孔口19a使得导管3能够连接到收集器19的采样密闭室的内部。

在使用中，该设备测量传送密闭盒1中存在的污染；在该测量期间，在传送密闭盒1中对气体进行采样，对采样气体进行离子化，并通过测量由这种离子化得到的离子的参数来分析离子化的气体。

这种测量方法可以有利地包括外部分析步骤，在外部分析步骤期间经由分支连接7和孔口8在包围传送密闭盒的空气中采样得到气体，对采样气体进行离子化，并通过测量由这种离子化得到的离子的参数来分析离子化的气体。

该方法可以包括驱除步骤，在该驱除步骤期间将诸如氮气之类的气体注入气体分析器2中。

该方法可以包括校准步骤，在该校准步骤期间经由分支连接13将参考气体注入气体分析器2中。

上述方法是本发明的第一种应用，用于测量传送密闭盒1的内部空气中存在的污染，该污染是对传送密闭盒1有可能包含的衬底晶片或其他部件上存在的污染的近似。

在第二种应用中，该方法可以包括差分测量工序，其包括在将处理工艺应用于包含在传送密闭盒1中的衬底晶片之前对传送密闭盒1中的污染进行测量，以及在所述处理工艺以及将处理后的衬底晶片重新导入传送密闭盒1中之后对传送密闭盒1中的污染进行测量。

在另一种应用中，该方法可以包括预备监控步骤，在该预备监控步骤期间在将衬底晶片或其他部件导入传送密闭盒中之前对打开的或关闭的传送密闭盒1中的污染进行测量。

在另一种应用中，该方法可以在拿走衬底晶片或其他部件之后在传送密闭盒1中测量污染。该密闭盒具有较低的传导性，受污染气体可以仍然存在于该密闭盒内几个小时。利用存储器效应，这种应用提供了对在几个小时的时段上关于衬底晶片或其他部件的事件的跟踪。

在另一种应用中，可以将打开的或穿透的传送密闭盒置于绝尘室的各区域中。在将传送密闭盒置于绝尘室的给定区域中之后，可以再次关闭该密闭盒并随后将其送至监控系统以测量污染。以这种方式，本发明能够检测绝尘室的所有区域中的污染物。

本发明的优点是其使得单一的设备能够实时地测量多个区域中的气体所引入的较低级别污染。

这种污染测量是在没有为包含在传送密闭盒中的衬底晶片或其他部件带来附加污染的情况下实现的，附加污染有可能由于添加诸如吸附聚合体之类的测试材料而引入。

甚至可以在不拿走衬底晶片或其他部件的情况下在传送密闭盒1中测量污染。

本发明不限于以上已经明确描述的实施例，而是包括本领域普通技术人员容易想到的任何变型和推广。

Claims (28)

1.一种用于在半导体或微机电系统的制造工艺中监控对衬底晶片或其他部件的污染的设备，所述制造工艺包括在传送密闭盒中传输和/或存储所述衬底晶片或其他部件，所述设备包括气体分析器，其包括用于对气体进行离子化的装置和用于通过测量离子的参数来识别离子化的气体的装置，其中将所述气体分析器设置在所述传送密闭盒外部，其中所述用于对气体进行离子化的装置适合于在大气压力下对气体进行离子化，并且所述设备还包括接口装置，其用于在所述气体分析器与传送密闭盒的内部空气之间形成直接连通，以执行对包含在所述传送密闭盒的内部空气中的气体的实时分析。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述接口装置适合于直接地将待分析的气流从所述传送密闭盒的所述内部空气中传送到所述气体分析器。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述接口装置包括材料全氟烷氧基聚合体。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述接口装置包括隔离装置，以确保到达所述气体分析器的所述待分析的气流

占据了所述传送密闭盒的绝大部分，由从所述传送密闭盒外部的空气中泄漏而得到的气流占据了小部分。

5.根据权利要求1所述的设备，还包括所述传送密闭盒。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述气体分析器属于适合于测量所述离子的迁移率的类型。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述气体分析器属于适合于测量所述离子的飞行时间的类型。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述气体分析器属于适合于测量所述离子的质量的类型。

9.根据权利要求6或7所述的设备，其中通过电子轰击来对所述气体进行离子化。

10.根据权利要求6所述的设备，其中通过用碱性离子进行轰击来对所述气体进行离子化，这些碱性离子会附着到所述气体的分子上。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述接口装置包括：

-通过所述传送密闭盒的壁的通道；以及

-适配器，其适合于使得所述传送密闭盒能够耦合到所述适配器，其中选择性地将所述通道设置为与通向所述气体分析器的导管连通。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述适配器包括定位装置，其用于对所述传送密闭盒进行定位，使得所述通道面对通向所述气体分析器的所述导管的孔口。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述定位装置包括接线片，其适合于装配在相应的孔中。

14.根据权利要求1所述的设备，其中所述传送密闭盒具有入口，并且所述接口装置包括适配器，所述适配器包括用于选择性地打开所述入口的装置以及用于从所述传送密闭盒中对气体进行采样并将其传送给所述气体分析器的收集器装置，其中限制对从周围环境中泄漏进来的气体的采样。

15.根据权利要求11或权利要求14所述的设备，其中将所述适配器直接集成到所述传送密闭盒的装载装置中。

16.根据权利要求1所述的设备，其中所述接口装置包括插针，其连接到所述气体分析器并适合于穿透所述传送密闭盒的壁。

17.根据权利要求1所述的设备，包括用于选择性地将用于驱除的惰性气体注入所述气体分析器中的装置。

18.根据权利要求17所述的设备，其中用于选择性地注入惰性气体的装置包括氮源。

19.根据权利要求1所述的设备，包括用于选择性地在所述气体分析器的入口与包围所述传送密闭盒的空气之间形成直接连通的装置。

20.根据权利要求1所述的设备，包括电子控制装置，其用于控制所述气体分析器和所述接口装置的操作。

21.根据权利要求1所述的设备，包括电子处理装置，其用于处理和存储由所述气体分析器提供的测量结果。

22.根据权利要求20所述的设备，其中所述电子控制装置包括处理器和相关联的程序，所述相关联的程序包括所述处理器用于控制所述传送密闭盒与所述气体分析器之间的连通的测量工序以及以下工序中的至少一个工序：

驱除工序，所述处理器用所述驱除工序来控制将氮气注入所述气体分析器中；

校准工序，所述处理器用所述校准工序来控制将参考气体注入所述气体分析器中；以及

外部监控工序，所述处理器用所述外部监控工序来控制在所述气体分析器与周围环境之间形成连通。

23.一种用于在半导体或微机电系统的制造工艺中监控衬底晶片或其他部件的污染的方法，所述制造工艺包括在传送密闭盒中进行传输和/或存储的步骤，所述方法包括测量步骤，在所述测量步骤中从传送密闭盒的内部空气中采样得到气体并对其进行隔离，对采样气体进行离子化并通过测量由离子化得到的离子的参数来分析所述采样气体，其中在所述传送密闭盒外部实施所述测量步骤。

24.根据权利要求23所述的方法，还包括外部分析步骤，在所述外部分析步骤期间在包围所述传送密闭盒的空气中采样，对采样气体进行离子化，并通过测量由离子化得到的离子的参数来分析所述采样气体。

25.根据权利要求23所述的方法，还包括驱除步骤，在所述驱除步骤期间将气体注入所述气体分析器中。

26.根据权利要求23所述的方法，还包括校准步骤，在所述校准步骤期间将参考气体注入所述气体分析器中。

27.根据权利要求23所述的方法，还包括差分测量工序，其包括在将处理工艺应用于包含在所述传送密闭盒中的衬底晶片之前对所述传送密闭盒中的污染进行测量，以及在所述处理工艺以及将处理后的衬底晶片重新导入所述传送密闭盒中之后对所述传送密闭盒中的污染进行测量。

28.根据权利要求23所述的方法，还包括预备监控步骤，在所述预备监控步骤期间在将衬底晶片或其他部件导入传送密闭盒中之前对打开的或关闭的传送密闭盒中的污染进行测量。

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