CN100527444C - 金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法 - Google Patents
金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法 Download PDFInfo
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- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 136
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 120
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 120
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title abstract 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 80
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 23
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- VMJRMGHWUWFWOB-UHFFFAOYSA-N nickel tantalum Chemical compound [Ni].[Ta] VMJRMGHWUWFWOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- -1 aluminium molybdenum gold Chemical compound 0.000 claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical group [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RLNMYVSYJAGLAD-UHFFFAOYSA-N [In].[Pt] Chemical compound [In].[Pt] RLNMYVSYJAGLAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N [Si].[Pt] Chemical compound [Si].[Pt] XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003412 degenerative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法。二极管为衬底(1)上有氮化镓层(2)、正极、负极(3)和掩模(4)，正极含氮化镓铝层(8)、肖特基接触金属层(7)、多晶硅层(6)和金属电极层(5)；方法为(a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，再分别使用现有方法于其上分别生长或淀积正极、负极和掩模；(b)使用低压化学气相淀积法或金属溅射法或电子回旋共振-等离子体增强化学气相淀积法于肖特基接触金属层上淀积多晶硅层，同时使用离子注入或扩散法或化学气相淀积中的掺杂法来调整多晶硅层的电阻率，制得本发明二极管。它的正极边缘处的电流分布均匀，极适用于高温大功率器件。
Description
技术领域
本发明涉及一种肖特基二极管及制法，尤其是金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法。
背景技术
氮化镓(GaN)是继第二代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)之后，应用最为广泛的半导体材料。由于GaN具有宽的禁带宽度和高的临界击穿场强，良好的电子输运特性和导热特性，所以特别适用于高温大功率器件。氮化镓铝(AlGaN)材料具有与GaN材料相同的晶格结构，与GaN的晶格失配不超过2.5％，使AlGaN/GaN的异质结器件的实现成为可能。目前，以AlGaN/GaN异质结为核心的器件日益发展，包括金属/AlGaN/GaN异质结肖特基二极管、高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结场效应晶体管(HFET)等，这些器件以其大功率和高温稳定性已逐渐在军事、航空、雷达通信、汽车工业等方面得到广泛的应用。人们为了获得以AlGaN/GaN异质结为核心的肖特基二极管，作了一些尝试和努力，如在2004年7月27日公开的美国发明专利说明书US 6768146B2中披露的一种“使用相同的材料和方法制备III-V簇氮化物半导体器件、保护元件和功率转换器”。它意欲提供一种横向肖特基二极管、纵向肖特基二极管和场效应晶体管的设计与制备方法。横向肖特基二极管的构成为蓝宝石衬底上依次覆有氮化镓层、重掺杂氮化镓层，以及重掺杂氮化镓层上的正极和负极；正极由掺杂氮化镓层和氮化镓铝层及其上的肖特基接触金属层构成，肖特基接触金属层为依次叠加淀积的肖特基接触金属钛和肖特基接触金属铂，负极为欧姆接触，由钽硅层构成；在实际使用时，肖特基接触金属层上还覆有用于电连接的金属电极层，以致其构成实为金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管。其制备方法为分别先后使用分子束外延法和等离子体化学气相淀积法于蓝宝石衬底上生长或淀积氮化镓层、重掺杂氮化镓层和其上的正极与负极。但是，这种横向肖特基二极管及其制备方法均存在着不足之处，首先，之所以选用GaN作为肖特基二极管的基底，是基于其具有可应用于高温大功率器件的优良电学性质，可是，这种横向肖特基二极管却有着正极电流分布均匀性的问题。在实测或实际使用中，当这种横向肖特基二极管正向偏置时，电流在正极内的分布是不均匀的，正极边缘的电流密度比中间的电流密度大得多。其缘由为当金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管正向偏置时，电流从二极管的正极流入，经过AlGaN薄层后再从二维电子气沟道流到接地的负极，在电流流经二维电子气沟道时，二维电子气沟道内存在的电压降，使得加在AlGaN层上的电压在横向上存在着差异，而这种差异使正极边缘附近的电压降最大，因此正极边缘附近流经AlGaN层的电流密度也就最大，这极易造成正极边缘附近的局域过热，损坏金属与AlGaN的肖特基接触，加之电流与温度的正反馈效应也将使局域过热加剧，长时间必将烧毁这种横向肖特基二极管。有着被称之为电流集边效应的这种横向肖特基二极管随着其中的沟道设计长度的加大，这种电流的不均匀性将更加显著。为解决这一问题，人们在设计这种横向肖特基二极管正极时，将不得不减小横向肖特基二极管正极的宽度，然而这又将极大地增加制作的难度；其次，此制备方法既不能有效地缓解横向肖特基二极管的电流集边效应，又因工艺过程较单一而难以降低生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题为克服现有技术中的不足之处，提供一种结构合理、电流集边效应低，使用方便的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法。
金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管包括衬底上的氮化镓层，以及氮化镓层上的正极、负极和其相互间的掩模，所说正极包含氮化镓铝层、肖特基接触金属层和金属电极层，特别是所说正极中还包含有多晶硅层，所说多晶硅层位于所说肖特基接触金属层和金属电极层之间。
作为金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管的进一步改进，所述的多晶硅层的厚度为100～500nm、电阻率为6×10-2～2×10-1Ωcm；所述的肖特基接触金属层为金属镍层或金属金层或金属铂层或金属钯层或金属铼层或钽镍合金(Ni/Ta)层或铂铟(PdIn)层或镍硅(NiSi)层或铂硅(PtSi)层；所述的负极为欧姆接触，其接触层为钛铝合金层或钛铝钼金层或钛铝钛金层；所述的掩模为氮化硅掩模或氮化铝掩模或氧化硅掩模。
金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管的制备方法包括使用分子束外延法和等离子体化学气相淀积法于衬底上生长或淀积氮化镓层及其上的正极、负极和其相互间的掩模，所说正极包含氮化镓铝层、肖特基接触金属层和金属电极层，特别是它是按以下步骤完成的：(a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，再分别使用外延法或金属溅射法或金属蒸发法或化学气相淀积法于氮化镓层上生长或淀积正极和负极，使用等离子体增强化学气相淀积法或常压化学气相淀积法或低压化学气相淀积法或高密度等离子体化学气相淀积法于氮化镓层上淀积掩模；(b)使用低压化学气相淀积(LPCVD)法或金属溅射(Sputter)法或电子回旋共振-等离子体增强化学气相淀积(ECR-PECVD)法于肖特基接触金属层上淀积多晶硅层，同时使用离子注入法或离子扩散法或化学气相淀积中的掺杂法来调整多晶硅层的电阻率，制得金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管。
作为金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管的制备方法的进一步改进，所述的淀积多晶硅层时的衬底温度为550～700℃，多晶硅的离子注入浓度为1015/cm3～1017/cm3；所述的肖特基接触金属为金属镍或金属金或金属铂或金属钯或金属铼或钽镍合金(Ni/Ta)或铂铟合金(PdIn)或镍硅(NiSi)或铂硅(PtSi)，其退火温度为500～700℃、退火时间为2～4min；所述的使用等离子体增强化学气相淀积法或低压化学气相淀积法或高密度等离子体化学气相淀积法淀积掩模时的压力为1～3.5Pa。所述的于多晶硅层上淀积金属电极层为使用蒸发法或溅射法，金属电极层为金属金层，其厚度为20～60nm；所述的负极为欧姆接触，其接触层为钛铝合金层或钛铝钼金层或钛铝钛金层；所述的掩模为氮化硅掩模或氮化铝掩模或氧化硅掩模；所述的衬底为蓝宝石或碳化硅或单晶硅。
相对于现有技术的有益效果是，其一，在肖特基接触金属层与金属电极层之间插有的多晶硅层，起着串联电阻的作用，它分掉了加在二极管正极上的一部分电压，并因横向肖特基二极管正极边缘的电流密度高于中间的电流密度，而引起正极边缘处的分压也高于正极中间处，使得正极边缘处加在肖特基结上的电压的减小超过了正极中间处加在肖特基结上的电压。因此，多晶硅层的串联电阻对正极电流沿横向边缘的增大起到了负反馈的作用，大大地减小了正极中间与两侧边缘电流密度的差异。根据热电子激发模型，流过肖特基结的电流密度与结电压之间呈指数形式的变化，而多晶硅层的串联电阻的作用使电流与电阻的分压满足欧姆定律，电流的增大将引起电阻分压的线性增大，引起肖特基结电压的线性减小，从而引起肖特基结电流的指数减小，由此也可见增加多晶硅层的串联电阻的负反馈效应的高效性；其二，由于本发明二极管中的电流集边效应得到了大幅度的降低，从而也就保证了本发明二极管中沿电子气沟道方向上温度的均匀性，进而极大地减少了电流与温度的正反馈，杜绝了局部过热引起的本发明二极管失效或者损坏的可能性，有效地提高了本发明二极管的稳定性和可靠性；其三，采用多晶硅层作为串联电阻，可易于通过改变淀积时的反应气掺杂的含量来控制多晶硅的原位掺杂，从而控制多晶硅的电阻率，实现可根据横向肖特基二极管的尺寸需要来对多晶硅的掺杂浓度进行控制，以制备出正极宽度合适、正极电流密度均匀的横向肖特基二极管的目的。对按理论推导和计算给出的二极管正极宽度随多晶硅层的电阻率变化的规律曲线制作出的本发明二极管进行长期的满负荷运行测试，其正极处的温升完全满足高温大功率器件实际应用的要求；其四，经分别对未采用多晶硅层的现有的横向肖特基二极管和本发明二极管进行测试，由得到的测试结果，即金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管的电流密度随正极边缘的分布曲线图可知，对于相同正极宽度的金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管，增加了多晶硅层的串联电阻之后，横向肖特基二极管正极的电流分布更加均匀，相应地正极的温度分布也更加均匀。这一结果与用计算机进行模拟的结果也是极为一致的；其五，随着电流集边效应的大幅度降低，也就避免了现有的二极管正极要求过窄而带来的芯片面积利用率过低的难题。同时，由于本发明二极管的宽度变宽，且电流分布更加均匀，从而进入了良性循环，其正极温度的分布更加均匀、工作更加稳定；其六，制备过程中可选择的方法较多，且易实施，极宜于工业化生产。
作为有益效果的进一步体现，一是多晶硅层的厚度选为100～500nm、电阻率选为6×10-2～2×10-1Ωcm，即可完全满足用于高温大功率器件的实际需要；二是肖特基接触金属层采用金属镍层或金属金层或金属铂层或金属钯层或金属铼层或钽镍合金层或铂铟层或镍硅层或铂硅层，负极采用钛铝合金层或钛铝钼金层或钛铝钛金层，掩模采用氮化硅掩模或氮化铝掩模或氧化硅掩模，既能实现其相应的功效，又使得原料的来源广，还易于制作；三是选用淀积多晶硅层时的衬底温度为550～700℃，多晶硅的离子注入浓度为1015/cm3～1017/cm3，就可圆满地完成所需厚度和电阻率的多晶硅的淀积；四是肖特基接触金属采用金属镍或金属金或金属铂或金属钯或金属铼或钽镍合金或铂铟合金或镍硅或铂硅时的退火温度选为500～700℃、退火时间为2～4min，即能使肖特基接触稳定牢固；五是于氮化镓表面淀积掩模采用等离子体增强化学气相淀积法或低压化学气相淀积法或高密度等离子体化学气相淀积法时，其压力选为1～3.5Pa，就完全能使淀积的掩模牢固可靠；六是于多晶硅层上淀积金属电极层时采用蒸发法或溅射法，金属电极层选用金属金层，其厚度为20～60nm，既易于淀积，又有着极好的导电性；七是负极采用钛铝合金层或钛铝钼金层或钛铝钛金层，掩模采用氮化硅掩模或氮化铝掩模或氧化硅掩模，衬底采用蓝宝石或碳化硅或单晶硅，除能实现相应的功效之外，还易于淀积，其原料也易得。
附图说明
下面结合附图对本发明的优选方式作进一步详细的描述。
图1是本发明二极管的一种基本结构剖面示意图；
图2是本发明二极管的正极宽度随多晶硅层电阻率变化的规律曲线图，其中，横坐标为电阻率，纵坐标为正极宽度。由该图中的规律曲线，只要根据拟制备的金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管的尺寸需要来对多晶硅的掺杂浓度进行控制，就可制备出正极宽度合适、正极电流密度均匀的二极管；
图3是分别对本发明的二极管和于正极中未含有多晶硅层的现有的金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管的电流密度的均匀性进行测试后得到的比较图，其中，横坐标为正极中心距正极边缘的距离，纵坐标为电流强度。由该图可看出，对于相同正极宽度的金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管，增加了多晶硅层的串联电阻之后，其正极的电流分布更加均匀，相应地正极的温度分布也更加均匀，其工作的稳定性得到了极大的提高。
具体实施方式
在实施本发明的过程中，所使用的外延法包含分子束外延法或氢化物气相外延法或金属有机化合物气相外延法，所使用的现有方法包含外延法或金属溅射法或金属蒸发法或化学气相淀积法。
实施例1：按以下步骤依次完成制备：a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，其中，衬底选用蓝宝石，外延法选用分子束外延法，生长时的条件同现有的。再分别使用现有方法于氮化镓层上分别生长或淀积正极、负极和掩模，其中，于氮化镓层的表面淀积掩模为选用等离子体增强化学气相淀积法，淀积时的压力为1Pa，其它条件同现有的，掩模为氮化硅掩模；于氮化镓层的表面淀积负极使用的是现有方法，负极为欧姆接触，其接触层为钛铝合金层；于氮化镓层的表面生长氮化镓铝层使用现有方法；选用钽镍合金作为氮化镓铝层上的肖特基接触金属，并使其经温度为500℃、时间为4min的退火而制得肖特基接触金属层。b)使用电子回旋共振-等离子体增强化学气相淀积法于钽镍合金层上淀积多晶硅层，其中，淀积多晶硅层时的蓝宝石衬底的温度为550℃，多晶硅的离子注入浓度为1015/cm3。在淀积多晶硅层的过程中，同时使用离子注入法来调整多晶硅层的电阻率，多晶硅层电阻率调整参数的选择取自图2中的曲线。之后，再于多晶硅层上使用蒸发法淀积厚度为20nm的金属金层。从而制得多晶硅层的厚度为100nm、电阻率为2×10-1Ωcm的、如图1所示、图3中实线曲线所示的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管。
实施例2：按以下步骤依次完成制备：a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，其中，衬底选用蓝宝石，外延法选用分子束外延法，生长时的条件同现有的。再分别使用现有方法于氮化镓层上分别生长或淀积正极、负极和掩模，其中，于氮化镓层的表面淀积掩模为选用等离子体增强化学气相淀积法，淀积时的压力为1.5Pa，其它条件同现有的，掩模为氮化硅掩模；于氮化镓层的表面淀积负极使用的是现有方法，负极为欧姆接触，其接触层为钛铝合金层；于氮化镓层的表面生长氮化镓铝层使用现有方法；选用钽镍合金作为氮化镓铝层上的肖特基接触金属，并使其经温度为550℃、时间为3.5min的退火而制得肖特基接触金属层。b)使用电子回旋共振-等离子体增强化学气相淀积法于钽镍合金层上淀积多晶硅层，其中，淀积多晶硅层时的蓝宝石衬底的温度为580℃，多晶硅的离子注入浓度为1015/cm3。在淀积多晶硅层的过程中，同时使用离子注入法来调整多晶硅层的电阻率，多晶硅层电阻率调整参数的选择取自图2中的曲线。之后，再于多晶硅层上使用蒸发法淀积厚度为30nm的金属金层。从而制得多晶硅层的厚度为200nm、电阻率为6×10-1Ωcm的、如图1所示、图3中实线曲线所示的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管。
实施例3：按以下步骤依次完成制备：a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，其中，衬底选用蓝宝石，外延法选用分子束外延法，生长时的条件同现有的。再分别使用现有方法于氮化镓层上分别生长或淀积正极、负极和掩模，其中，于氮化镓层的表面淀积掩模为选用等离子体增强化学气相淀积法，淀积时的压力为2Pa，其它条件同现有的，掩模为氮化硅掩模；于氮化镓层的表面淀积负极使用的是现有方法，负极为欧姆接触，其接触层为钛铝合金层；于氮化镓层的表面生长氮化镓铝层使用现有方法；选用钽镍合金作为氮化镓铝层上的肖特基接触金属，并使其经温度为600℃、时间为3min的退火而制得肖特基接触金属层。b)使用电子回旋共振-等离子体增强化学气相淀积法于钽镍合金层上淀积多晶硅层，其中，淀积多晶硅层时的蓝宝石衬底的温度为620℃，多晶硅的离子注入浓度为1016/cm3。在淀积多晶硅层的过程中，同时使用离子注入法来调整多晶硅层的电阻率，多晶硅层电阻率调整参数的选择取自图2中的曲线。之后，再于多晶硅层上使用蒸发法淀积厚度为40nm的金属金层。从而制得多晶硅层的厚度为300nm、电阻率为9×10-1Ωcm的、如图1所示、图3中实线曲线所示的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管。
实施例4：按以下步骤依次完成制备：a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，其中，衬底选用蓝宝石，外延法选用分子束外延法，生长时的条件同现有的。再分别使用现有方法于氮化镓层上分别生长或淀积正极、负极和掩模，其中，于氮化镓层的表面淀积掩模为选用等离子体增强化学气相淀积法，淀积时的压力为3Pa，其它条件同现有的，掩模为氮化硅掩模；于氮化镓层的表面淀积负极使用的是现有方法，负极为欧姆接触，其接触层为钛铝合金层；于氮化镓层的表面生长氮化镓铝层使用现有方法；选用钽镍合金作为氮化镓铝层上的肖特基接触金属，并使其经温度为650℃、时间为2.5min的退火而制得肖特基接触金属层。b)使用电子回旋共振-等离子体增强化学气相淀积法于钽镍合金层上淀积多晶硅层，其中，淀积多晶硅层时的蓝宝石衬底的温度为660℃，多晶硅的离子注入浓度为1016/cm3。在淀积多晶硅层的过程中，同时使用离子注入法来调整多晶硅层的电阻率，多晶硅层电阻率调整参数的选择取自图2中的曲线。之后，再于多晶硅层上使用蒸发法淀积厚度为50nm的金属金层。从而制得多晶硅层的厚度为400nm、电阻率为2×10-2Ωcm的、如图1所示、图3中实线曲线所示的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管。
实施例5：按以下步骤依次完成制备：a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，其中，衬底选用蓝宝石，外延法选用分子束外延法，生长时的条件同现有的。再分别使用现有方法于氮化镓层上分别生长或淀积正极、负极和掩模，其中，于氮化镓层的表面淀积掩模为选用等离子体增强化学气相淀积法，淀积时的压力为3.5Pa，其它条件同现有的，掩模为氮化硅掩模；于氮化镓层的表面淀积负极使用的是现有方法，负极为欧姆接触，其接触层为钛铝合金层；于氮化镓层的表面生长氮化镓铝层使用现有方法；选用钽镍合金作为氮化镓铝层上的肖特基接触金属，并使其经温度为700℃、时间为2min的退火而制得肖特基接触金属层。b)使用电子回旋共振-等离子体增强化学气相淀积法于钽镍合金层上淀积多晶硅层，其中，淀积多晶硅层时的蓝宝石衬底的温度为700℃，多晶硅的离子注入浓度为1017/cm3。在淀积多晶硅层的过程中，同时使用离子注入法来调整多晶硅层的电阻率，多晶硅层电阻率调整参数的选择取自图2中的曲线。之后，再于多晶硅层上使用蒸发法淀积厚度为60nm的金属金层。从而制得多晶硅层的厚度为500nm、电阻率为6×10-2Ωcm的、如图1所示、图3中实线曲线所示的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管。
再分别选用分子束外延法或氢化物气相外延法或金属有机化合物气相外延法于作为衬底的碳化硅或单晶硅上生长氮化镓层、等离子体增强化学气相淀积法或常压化学气相淀积法或低压化学气相淀积法或高密度等离子体化学气相淀积法于氮化镓层的表面淀积作为掩模的氮化铝掩模或氧化硅掩模、现有方法于氮化镓层的表面淀积作为负极的钛铝钼金层或钛铝钛金层、金属镍或金属金或金属铂或金属钯或金属铼或钽镍合金或铂铟合金或镍硅或铂硅作为氮化镓铝层上的肖特基接触金属、低压化学气相淀积法或金属溅射法于肖特基接触金属层上淀积多晶硅层，并同时使用离子扩散法或化学气相淀积中的掺杂法来调整多晶硅层的电阻率、溅射法于多晶硅层上淀积金属金层，重复上述实施例1～5，同样制得多晶硅层的厚度为100～500nm、电阻率为6×10-2～2×10-1Ωcm的、如图1所示、图3中实线曲线所示的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管。
显然，本领域的技术人员可以对本发明的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1、一种金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管，包括衬底(1)上的氮化镓层(2)，以及氮化镓层(2)上的正极、负极(3)和其相互间的掩模(4)，所说正极包含氮化镓铝层(8)、肖特基接触金属层(7)和金属电极层(5)，其特征在于：所说正极中还包含有多晶硅层(6)，所说多晶硅层(6)位于所说肖特基接触金属层(7)和金属电极层(5)之间。
2、根据权利要求1所述的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管，其特征是多晶硅层(6)的厚度为100～500nm、电阻率为6×10-2～2×10-1Ωcm。
3、根据权利要求1所述的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管，其特征是肖特基接触金属层(7)为金属镍层或金属金层或金属铂层或金属钯层或金属铼层或钽镍合金层或铂铟层或镍硅层或铂硅层。
4、根据权利要求1所述的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管，其特征是负极(3)为欧姆接触，其接触层为钛铝合金层或钛铝钼金层或钛铝钛金层。
5、根据权利要求1所述的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管，其特征是掩模(4)为氮化硅掩模或氮化铝掩模或氧化硅掩模。
6、根据权利要求1所述的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管的制备方法，包括使用分子束外延法和等离子体化学气相淀积法于衬底上生长或淀积氮化镓层及其上的正极、负极和其相互间的掩模，所说正极包含氮化镓铝层、肖特基接触金属层和金属电极层，其特征在于是按以下步骤完成的：
(a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，再分别使用外延法或金属溅射法或金属蒸发法或化学气相淀积法于氮化镓层上生长或淀积正极和负极，使用等离子体增强化学气相淀积法或常压化学气相淀积法或低压化学气相淀积法或高密度等离子体化学气相淀积法于氮化镓层上淀积掩模；
(b)使用低压化学气相淀积法或金属溅射法或电子回旋共振-等离子体增强化学气相淀积法于肖特基接触金属层上淀积多晶硅层，同时使用离子注入法或离子扩散法或化学气相淀积中的掺杂法来调整多晶硅层的电阻率，制得金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管。
7、根据权利要求6所述的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管的制备方法，其特征是淀积多晶硅层时的衬底温度为550～700℃，多晶硅的离子注入浓度为1015/cm3～1017/cm3。
8、根据权利要求6所述的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管的制备方法，其特征是肖特基接触金属为金属镍或金属金或金属铂或金属钯或金属铼或钽镍合金或铂铟合金或镍硅或铂硅，其退火温度为500～700℃、退火时间为2～4min。
9、根据权利要求6所述的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管的制备方法，其特征是使用等离子体增强化学气相淀积法或低压化学气相淀积法或高密度等离子体化学气相淀积法淀积掩模时的压力为1～3.5Pa。
10、根据权利要求6所述的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管的制备方法，其特征是于多晶硅层上淀积金属电极层为使用蒸发法或溅射法，金属电极层为金属金层，其厚度为20～60nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100975971A CN100527444C (zh) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100975971A CN100527444C (zh) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101179098A CN101179098A (zh) | 2008-05-14 |
| CN100527444C true CN100527444C (zh) | 2009-08-12 |
Family
ID=39405265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006100975971A Expired - Fee Related CN100527444C (zh) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100527444C (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101604700B (zh) | 2008-06-13 | 2012-12-12 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 图像检测元件及其形成方法 |
| CN101694842B (zh) * | 2009-10-20 | 2013-04-03 | 中山大学 | 一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管及其制作方法 |
| CN101908511B (zh) * | 2010-07-27 | 2012-07-25 | 南京大学 | 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法 |
| TWI648858B (zh) * | 2016-06-14 | 2019-01-21 | 黃知澍 | Ga-face III族/氮化物磊晶結構及其主動元件與其製作方法 |
| CN109917261B (zh) * | 2019-02-20 | 2021-06-18 | 东软睿驰汽车技术（沈阳）有限公司 | 一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法及装置 |
| CN112928114B (zh) * | 2021-02-03 | 2022-08-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种功率器件模块及其制作方法 |
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| US20060065911A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-03-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic device and heterojunction FET |
-
2006
- 2006-11-10 CN CNB2006100975971A patent/CN100527444C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101179098A (zh) | 2008-05-14 |
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