CN100507993C - 发光装置以及包括缓冲器的发光装置的驱动方法 - Google Patents
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Abstract
有源矩阵EL显示装置中充电和放电源极信号线所需的功耗降低。双极晶体管(Bi1)的基极端子B连接到运算放大器(OP1)的输出端子c1,集电极端子C连接到低电源电势(GND),且发射极端子E连接到电阻器R2。高电源电势(VBH)为与发光元件的高电源电势同步的电势。运算放大器(OP1)的输出端子c1的电势被输出作为缓冲器低电源电势(VBL)。低电源电势(VBL)对应于高电源电势(VBH)和高电源电势(V1)之间的电势差。因此,低电源电势(VBL)可以跟随为发光元件高电源电势的高电源电势(VBH)。
Description
技术领域
本发明涉及具有发光元件的发光装置。
背景技术
有关具有自发光元件的有源矩阵发光装置的研究变得越来越活跃。这种自发光装置的典型示例为EL显示装置。
近年来,广泛用于便携信息终端的显示部分以及用于中等尺寸或大尺寸显示装置的平板显示装置的像素数目随着分辨率高而增大。随着像素数目的增大,这些显示器采用呈有源矩阵结构的像素,这种结构在每个像素内具有薄膜晶体管(TFT)且可以存储图像数据。
有源矩阵EL显示装置的灰度级方法包括模拟灰度级方法和数字灰度级方法。数字灰度级方法包括时间灰度级方法、面积灰度级方法、时间灰度级方法和面积灰度级方法混合的方法等。在数字灰度级方法的时间灰度级方法和面积灰度级方法任何一个中,每个像素或子像素由二进制值(即导通状态和断开状态)驱动。
因此,与模拟灰度级方法相比的优点为,由于布置于像素内的薄膜晶体管(TFT)阈值电压Vth变化引起的图像质量恶化可以减轻。专利文件1公开了一种由时间灰度级方法执行的数字灰度级显示。
此外,优选地采用行顺序方法快速将视频信号写入多个像素的每一个,在该行顺序方法中,以行为单位数据被同时输入。参照图9描述由行顺序方法驱动以执行数字灰度级显示的有源矩阵EL显示装置。
图9示出了由数字灰度级方法驱动的显示装置的配置,其中二进制数据输入到有源矩阵结构内的像素。像素部分501包括典型地为EL元件的发光元件以及用于控制发光元件的光发射的TFT。源极信号线驱动电路502和栅极信号线驱动电路503布置于像素部分501的外围,该源极信号线驱动电路包括移位寄存器504、第一锁存器电路505、第二锁存器电路506、电平移动电路(level shifter)507、以及缓冲器组电路508,该栅极信号线驱动电路包括移位寄存器509、电平移动电路510、以及缓冲器组电路511。图10A和10B示出了缓冲器组电路508的等效电路。
如图10A所示,缓冲器组电路508包括设于各列内的多个缓冲器601。图10B示出了由两个反相器形成的缓冲器601的等效电路。缓冲器601的输入连接到电平移动电路507,其输出连接到像素部分501。此外,从信号线602施加缓冲器高电源电势(VBH),从信号线603施加低电源电势(VBL)。
描述通过行顺序方法驱动图9所示有源矩阵显示装置以执行数字灰度级显示的方法。首先,移位寄存器509根据时钟信号(GCK)和起始脉冲(GSP)从第一级顺序输出选择脉冲。之后,由电平移动电路510执行幅值转换,由此由缓冲器组电路511从第一行顺序选择栅极线。
在选定的行中,移位寄存器504根据时钟信号(SCK)和起始脉冲从第一级顺序输出采样脉冲。第一锁存器电路505在采样脉冲被输入的时刻捕获视频信号(Video)。各级内捕获的视频信号保持在第一锁存器电路505内。
在一行的视频信号都被捕获之后闩锁脉冲(LAT)被输入时,保持在第一锁存器电路505内的视频信号一次全部传输到第二锁存器电路506,由此所有源信号被充电和放电。
此时,对源极信号线充电和放电的缓冲器高电源电势(VBH)与发光元件高电源电势(ANODE)同步,而低电源电势(VBL)固定。在该说明书中,发光元件高电源电势(ANODE)对应于施加于发光元件的阳极的电势。
从第一行到最后一行重复前述操作,由此将数据写入所有像素。因此,对应于一帧的图像被显示。重复类似的操作以显示图像。
[专利文件1]
日本专利申请公开No.2001-5426
发明内容
在模拟灰度级方法中,通过在一帧内至少一次将数据写入源极信号线,来执行灰度级显示。
相反,在数字灰度级方法中,例如其中每个像素由二进制值(导通状态和断开状态)驱动的时间灰度级方法中、面积灰度级方法中、以及时间灰度级方法和面积灰度级方法混合的方法中,在一帧内需要多次将数据写入源极信号线以显示灰度级。
在EL显示装置中,源极信号线为缓冲器的负载,因为设于像素部分中的多个TFT以及寄生电容。当在数字灰度级方法中,写入源极信号线的数据从低电势改变为高电势时,施加高电源电势(VBH)的外部高电势电源通过缓冲器601的p沟道TFT将由于源极信号线所致的负载电容从低电势充电到高电势。另一方面,当写入源极信号线的数据从高电势改变为低电势时,施加低电源电势(VBL)的外部低电势电源通过缓冲器601的n沟道TFT将由于源极信号线所致的负载电容从高电势放电到低电势。
当源极信号线的电压改变时,这些电能被消耗。因此,当源极信号线的输出经常改变时,外部电源的功耗增大。因此在数字灰度级方法中,当显示例如自然图像的需要大量灰度级水平的图像或者例如1点检查程序(1-dot checker)(这里,发光像素和不发光像素交替布置于有源矩阵结构内)的以行为单位逻辑频繁反相的图像时,由于源极信号线的电势频繁改变,外部电源的功耗增大。
此外,像素部分的发光元件的电流值也依赖于温度。尤其是,对于发光元件使用有机化合物的情形,温度特性显著。即使相同的电压施加到EL元件的电极之间时,由于EL元件的温度特性,当温度上升时更多的电流流过EL元件。因此,由于EL元件的温度上升,显示装置消耗更多的电能,这增加了发光元件的亮度。
对于彩色显示器的情形,根据发光材料,将每个EL元件的发光元件高电源电势(ANODE)设置于不同电平。在发射红(R)光的EL元件、发射绿(G)光的EL元件、以及发射蓝(B)光的EL元件中,由于随时间和温度的退化,其特性变化不同。
此外,例如对于用户频繁显示红色的情形,仅红色的EL元件在其他EL元件之前退化。因此需要一种能够管理发光元件高电源电势(ANODE)的各种电势变化的显示装置。
缓冲器高电源电势(VBH)需要等于或者高于发光元件高电源电势(ANODE)。缓冲器高电源电势(VBH)对源极信号线充电,因此缓冲器高电源电势(VBH)所需功率较低,因为待充电的电势更低。因此,缓冲器高电源电势(VBH)优选等于发光元件高电源电势(ANODE)。
如前所述,发光元件高电源电势(ANODE)的变化依赖于随时间的退化、温度变化、使用频率等。因此缓冲器高电源电势(VBH)需要跟随发光元件高电源电势(ANODE)并与发光元件高电源电势(ANODE)同步,以便降低充电至期望的发光元件高电源电势(ANODE)所需的功率。
因此,在常规显示装置中对源极信号线充电和放电的缓冲器高电源电势(VBH)与发光元件高电源电势(ANODE)同步,而低电源电势(VBL)固定。
结果,常规缓冲器电路如前所述趋于消耗更多功率,这容易升高缓冲器的温度。依据缓冲器所产生的热量,在像素部分中出现温度分布,导致亮度变化。
或者,由于随时间的退化以及EL元件的温度上升,发光元件高电源电势(ANODE)增大,这导致充电和放电源极信号线的电势差增大,该电势差即为高电源电势(VBH)和低电源电势(VBL)之间的差值。因此,充电和放电源极信号线的缓冲器601消耗更多的功率并因此产生热。结果为,出现像素部分亮度变化。
因此,在数字灰度级方法中,将数据写入源极信号线所需的功耗是用于要求低功耗的便携终端的紧凑显示装置中严重的问题。此外,难以避免源极信号线的寄生电容随显示装置(例如电视机)的尺寸增大而增大,且功耗的降低类似地对于紧凑显示装置而言也是一个问题。
鉴于前述问题提出了本发明,使得使用反相器(例如缓冲器)的电路消耗更低的功率。此外,本发明用于减小充电和放电使用发光元件的有源矩阵显示装置的源极信号线所需的功耗。
根据本发明,对源极信号线充电和放电的缓冲器(反相器)的低电源电势(VBL)跟随其高电源电势(VBH)。在发光装置中,尤其是,低电源电势(VBL)跟随发光元件高电源电势(ANODE)。
依据本发明的发光装置包括发光元件、双极晶体管、运算放大器、以及第一至第四电阻器。在双极晶体管中,基极端子连接到运算放大器的输出端子,集电极端子连接到低电源电势。第一电阻器的一个端子连接到第一高电源电势,另一个端子连接到运算放大器的第一输入端子。第二电阻器的一个端子连接到运算放大器的第一输入端子,另一个端子连接到双极晶体管的发射极端子。第三电阻器的一个端子连接到第二高电源电势,另一个端子连接到运算放大器的第二输入端子。第四电阻器的一个端子连接到运算放大器的第二输入端子,另一个端子连接到低电源电势。双极晶体管的发射极端子处和第二电阻器的所述另一个端子处的电势作为驱动电路的缓冲器的低电源电势提供。第二高电源电势作为缓冲器的高电源电势提供。
依据本发明的发光装置包括发光元件、运算放大器、以及第一至第四电阻器。第一电阻器的一个端子连接到第一高电源电势,另一个端子连接到运算放大器的第一输入端子。第二电阻器的一个端子连接到运算放大器的第一输入端子,另一个端子连接到运算放大器的输出端子。第三电阻器的一个端子连接到第二高电源电势,另一个端子连接到运算放大器的第二输入端子。第四电阻器的一个端子连接到运算放大器的第二输入端子,另一个端子连接到低电源电势。第二电阻器的所述另一个端子处的电势作为缓冲器的低电源电势供给,第二高电源电势作为缓冲器的高电源电势供给。
根据本发明,发光装置的发光元件布置于像素内。使用EL元件作为发光元件。EL元件具有一对电极(阳极和阴极)夹置一层(下文中称为EL层)的结构,该层在被施加电场时产生电致发光。EL层由有机化合物形成,且通常具有叠层结构。通常建议具有空穴输运层、发光层、和电子输运层的叠层结构。
此外,EL层的发光包括当从单量激发态返回到基态时产生的光发射(荧光)以及当从三重激发态返回到基态时产生的光发射(磷光)。本发明的发光装置可以采用前述光发射之一或二者。
此外,还可以采用其中空穴注入层、空穴输运层、发光层、以及电子输运层依次堆叠在阳极上的结构,或者其中空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、以及电子注入层依次堆叠在阳极上的结构。磷光颜料等可以添加到发光层中。
在本说明书中,设于阴极和阳极之间的所有层统称为EL层。因此,上述的空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层等都包括在EL层内。
根据本发明,当高电源电势(VBH或ANODE)升高时,缓冲器的低电源电势通过跟随该高电源电势而升高。因此,供给到缓冲器(反相器)的高电源电势和低电源电势之间电势差的增大可以得到抑制。结果,可以使用更低的功率重写入源极信号线的数据。因此,由缓冲器产生的热量可以得到抑制,这可以降低由所产生的热引起的像素部分的亮度变化。
因此,本发明尤其有益于通过行顺序方法执行数字灰度级驱动的例如EL显示装置的发光装置。
附图说明
图1为示出了实施方式1的图示。
图2A和2B为示出了实施方式1的图示。
图3为示出了实施方式2的图示。
图4A和4B为示出了实施方式2的图示。
图5为示出了实施例1的像素部分的图示。
图6示出了根据发光元件高电源电势(ANODE)的缓冲器低电源电势(VBL)。
图7示出了流过信号线的电流,该信号线根据发光元件高电源电势(ANODE)提供缓冲器低电源电势(VBL)。
图8A至8D分别示出了实施方式1和比较例中源极信号线驱动电路的温度分布和像素部分的亮度分布。
图9示出了数字灰度级方法的EL显示装置。
图10A和10B示出了缓冲器的等效电路。
图11A至11F为示出了电子装置的视图。
具体实施方式
尽管本发明将参考附图通过实施方式和实施例得到全面地描述,但是应该理解,各种变化和改进对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,除非这些变化和改进背离本发明的范围,否则其应该包括在本发明的范围之内。注意,在实施方式中相同部分用相同参考数字表示,并其详细描述被省略。
[实施方式1]
参照图1、2A和2B描述本实施方式。
图1为本实施方式的电势发生电路的电路图。如图1所示,该电势发生电路包括电阻器R1至R4、运算放大器(OP1)1002、以及双极晶体管(Bi1)1007。
运算放大器OP1的两个电源连接端子被分别输入了高电源电势(VDD1)和低电源电势(GND)。此外,运算放大器(OP1)的输出端子c1连接到双极晶体管(Bi1)的基极端子B。双极晶体管(Bi1)的基极端子B连接到运算放大器(OP1)的输出端子,且其集电极端子C连接到低电源电势(GND)。
电阻器R1的一个端子连接到高电源电势(V1),另一个端子连接到运算放大器(OP1)的输入端子a1。电阻器R2的一个端子连接到运算放大器(OP1)的输入端子a1,另一个端子连接到双极晶体管(Bi1)的发射极端子E。电阻器R3的一个端子连接到高电源电势(VBH),另一个端子连接到运算放大器(OP1)的输入端子b1。电阻器R4的一个端子连接到运算放大器(OP1)的输入端子b1,另一个端子连接到低电源电势(GND)。双极晶体管(Bi1)的发射极端子E和电阻器R2的所述另一个端子处的电势作为低电源电势(VBL)输出。低电源电势(VBL)对应于高电源电势(VBH)和高电源电势(V1)之间的差。
图2A示出了使用图1所示电路的发光装置。在图2A中,与图9相同的参考数字表示相同部件。
在图2A中,像素部分501设有典型地为EL元件的发光元件,以及用于控制发光元件的光发射的TFT,由此形成有源矩阵结构的像素。使用TFT形成的源极信号线驱动电路502和栅极信号线驱动电路503在与像素部分501相同的衬底500上布置于像素部分501的外围。
源极信号线驱动电路502包括移位寄存器504、第一锁存器电路505、第二锁存器电路506、电平移动电路507、以及缓冲器组电路508。栅极信号线驱动电路503包括移位寄存器509、电平移动电路510、以及缓冲器组电路511。
同样地在图2A中,如图10A所示,在缓冲器组电路508内在每列布置缓冲器601。图10B示出了缓冲器601的等效电路。缓冲器组电路508连接到用于供给缓冲器高电源电势(VBH)的信号线(电源线)1003和用于供给缓冲器低电源电势(VBL)的信号线(电源线)1004。此外,信号线1003连接到供给缓冲器组电路508的缓冲器高电源电势(VBH)的信号线602。信号线1004连接到供给缓冲器低电源电势(VBL)的信号线603(见图10B)。结果,缓冲器高电源电势(VBH)从信号线1003供给到缓冲器组电路508,低电源电势(VBL)从信号线1004供给。
此外,提供了用于将电能供给到发光元件的阳极的电源线。该电源线连接到施加缓冲器高电源电势(VBH)的外部电源。因此缓冲器高电源电势(VBH)等于发光元件高电源电势(ANODE)。注意,缓冲器的高电源电势(VBH)和发光元件高电源电势(ANODE)可以处于相同的电平,或者可以提供不同的外部电源。共享电源导致功率以及连接部分的数目减小。
在本实施方式中,图1所示电势发生电路连接到信号线1004。该电势发生电路包括由电阻器R1至R4与运算放大器(OP1)1002形成的电路1001,以及双极晶体管(Bi1)1007。在本实施方式的发光装置中,除双极晶体管(Bi1)1007以外,像素部分501、源极信号线驱动电路502、以及栅极信号线驱动电路503在相同衬底500上使用TFT形成。双极晶体管(Bi1)1007使用IC芯片形成并例如通过COG方法安装在衬底500上。
图2B示出了电路1001的电路图。运算放大器(OP1)1002的两个电源连接端子被分别输入高电源电势(VDD1)和低电源电势(GND)。此外,双极晶体管(Bi1)的基极端子B连接到运算放大器(OP1)1002的输出端子c1。
双极晶体管(Bi1)1007的基极端子B连接到运算放大器(OP1)1002的输出端子c1,其集电极端子C连接到低电源电势(GND),且其发射极端子E连接到电阻器R2以及供给低电源电势(VBL)的信号线1004。
电阻器R1的一个端子连接到供给高电源电势(V1)的信号线(电源线)1005,另一个端子连接到运算放大器(OP1)1002的输入端子a1。电阻器R2的一个端子连接到运算放大器(OP1)1002的输入端子a1,另一个端子连接到双极晶体管(Bi1)1007的发射极端子E。电阻器R3的一个端子连接到缓冲器的高电源电势(VBH)以及供给发光元件高电源电势(ANODE)的信号线1003,其另一个端子连接到运算放大器(OP1)1002的输入端子b1。电阻器R4的一个端子连接到运算放大器(OP1)1002的输入端子b1,另一个端子连接到低电源电势(GND)。
高电源电势(V1)的电平低于缓冲器高电源电势(VBH)和发光元件高电源电势(ANODE)。在本实施方式中,缓冲器高电源电势(VBH)和发光元件高电源电势(ANODE)电平相同,然而,缓冲器高电源电势(VBH)的电平可以更高。这种情况下,发光元件高电源电势(ANODE)和缓冲器高电源电势(VBH)使用不同的外部电源。
在本实施方式中,运算放大器(OP1)1002的放大器比率为1,电阻器R1至R4的电阻都相等。不言自明,电阻器R1至R4的电阻可以根据需要改变,从而将缓冲器高电源电势(VBH)、发光元件高电源电势(ANODE)、缓冲器低电源电势(VBL)、以及高电源电势(V1)设置为需要的电平。此外,运算放大器(OP1)1002优选设计为消耗更低的功率。
通过使用由本实施方式的运算放大器(OP1)1002形成的电势发生电路,缓冲器低电源电势(VBL)变为从发光元件高电源电势(ANODE)减去高电源电势(V1)而得到的电势。
因此,缓冲器低电源电势(VBL)通过跟随发光元件高电源电势(ANODE)升高,由此缓冲器功耗的增大可以得到抑制。
在本实施方式的电势发生电路中,电路1001除了双极晶体管(Bi1)以外形成于与像素部分501、源极信号线驱动电路502、以及栅极信号线驱动电路503相同的衬底上,由此外部元件的数目可以减少。图1所示电势发生电路可以全部由IC形成,其随后例如通过COG方法等安装在衬底500上。
在本实施方式中,源极信号线驱动电路502和栅极信号线驱动电路503以及像素部分501通过使用TFT形成,然而,每个电路的部分或全部可以由IC形成,并随后通过COG方法或TAB方法安装。
[实施方式2]
图3为本实施方式的电势发生电路的电路图。如图3所示,电势发生电路包括电阻器R1至R4以及运算放大器(OP1)。
运算放大器OP1的两个电源连接端子被分别输入了高电源电势(VDD1)和低电源电势(GND)。
电阻器R1的一个端子连接到高电源电势(V1),另一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输入端子a1。电阻器R2的一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输入端子a1,另一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输出端子c1。电阻器R3的一个端子连接到高电源电势(VBH),另一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输入端子b1。电阻器R4的一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输入端子b1,另一个端子连接到低电源电势(GND)。运算放大器(OP1)1102的输出端子c1的电势作为低电源电势(VBL)输出。低电源电势(VBL)对应于高电源电势(VBH)和高电源电势(V1)之间的差。
图4A示出了使用图3所示电势发生电路的发光装置。在图4A和4B中,与图9、2A和2B相同的参考数字表示相同部件。此外,除了电势发生电路1101之外,本实施方式的发光装置类似于实施方式1的图2A和2B。
本实施方式的电势发生电路1101通过TFT形成于与像素部分501、源极信号线驱动电路502、以及栅极信号线驱动电路503相同的衬底500上。
在图4B所示电势发生电路1101中,运算放大器(OP1)1102的两个电源连接端子分别连接到高电源电势(VDD1)和低电源电势(GND)。运算放大器(OP1)1102的输出端子c1连接到电阻器R2的一个端子以及将低电源电势(VBL)供给到缓冲器组电路508的信号线(电源线)1104。
电阻器R1的一个端子连接到供给高电源电势(V1)的信号线(电源线)1105,另一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输入端子a1。电阻器R2的一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输入端子a1,另一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输出端子c1。电阻器R3的一个端子连接到供给缓冲器的高电源电势(VBH)以及发光元件高电源电势(ANODE)的信号线(电源线)1103,另一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输入端子b1。电阻器R4的一个端子连接到运算放大器(OP1)1102的输入端子b1,另一个端子连接到低电源电势(GND)。
这里,运算放大器(OP1)1102的放大器比率为1,电阻器R1至R4的电阻都相等。不言自明,电阻器R1至R4的电阻可以根据需要改变,从而将缓冲器高电源电势(VBH)、发光元件高电源电势(ANODE)、缓冲器低电源电势(VBL)、以及高电源电势(V1)设置为需要的电平。此外,运算放大器(OP1)1102优选设计为消耗更低的功率。
缓冲器组电路508连接到信号线1103和1104。信号线1103连接到供给缓冲器组电路508的缓冲器高电源电势(VBH)的信号线602,且信号线1104连接到供给缓冲器低电源电势(VBL)的信号线603(见图10B)。结果,缓冲器高电源电势(VBH)从信号线1103供给,缓冲器低电源电势(VBL)从信号线1104供给。
在像素部分501中,提供了用于将向发光元件的阳极供电的电源线。该电源线连接到施加缓冲器高电源电势(VBH)的外部电源。因此在本实施方式中,缓冲器高电源电势(VBH)等于发光元件高电源电势(ANODE)。注意,缓冲器的高电源电势(VBH)和发光元件高电源电势(ANODE)可以处于相同的电平,或者可以提供不同的外部电源。共享电源导致功率以及连接部分的数目减小。
高电源电势(V1)的电平低于缓冲器高电源电势(VBH)和发光元件高电源电势(ANODE)。此外,缓冲器高电源电势(VBH)在此和发光元件高电源电势(ANODE)电平相同,然而,缓冲器高电源电势(VBH)的电平可以高于发光元件高电源电势(ANODE)。
通过电势发生电路1101,缓冲器低电源电势(VBL)变为从发光元件高电源电势(ANODE)减去高电源电势(V1)而得到的电势。因此,即使发光元件高电源电势(ANODE)升高,缓冲器低电源电势(VBL)可通过跟随发光元件高电源电势(ANODE)升高。
在本实施方式中,通过在与像素部分501、源极信号线驱动电路502、以及栅极信号线驱动电路503相同的衬底500上形成电势发生电路1101,外部元件的数目可以减少。不言自明,电势发生电路1101可以全部由IC形成,且随后例如通过COG方法等安装在衬底500上。
在本实施方式中,源极信号线驱动电路502和栅极信号线驱动电路503以及像素部分501通过使用TFF形成,然而,每个电路的部分或全部可以由IC形成,并随后通过COG方法或TAB方法安装。
在实施方式1和2中,对于在像素部分501内提供由不同EL材料形成的多种发光元件,例如发红(R)光的EL元件、发绿(G)光的EL元件、以及发蓝(B)光的EL元件的情形,优选地根据发光元件的类型例如R、G和B来设置发光元件高电源电势(ANODE)。因此,优选根据发光元件的类型提供发光元件高电源电势(ANODE)和缓冲器低电源电势(VBL)。
[实施方式3]
如实施方式1和2所述,本发明优选应用于需要具有高分辨率显示部分的电子装置,因为本发明可以抑制由于像素高分辨率引起的EL显示装置的功耗以及显示部分的亮度变化。电子装置的示例为电视装置(电视,电视接收器)、例如数码相机和数码摄像机的摄影机、便携电话装置(便携电话)、例如PDA的便携信息终端、便携游戏机、监视器、计算机、例如汽车组合音响的音频再现装置、以及例如家用游戏机的设有记录介质的图像再现装置。参照图11A至11F描述这些电子装置的具体示例。
例如,本发明可以应用于图11A所示的便携信息终端、图11B所示的数码摄像机、图11C所示的便携电话、图11D所示的便携电视装置、图11E所示的笔记本计算机、以及图11F所示的电视装置。本发明可以用于每个装置内的显示部分2001至2006。
根据本发明,由于功耗降低,使用电池的图11A至11E所示每个装置的寿命可以延长。
同样在例如图11F所示电视装置的大显示部分中,源极信号线驱动电路的热量产生可以被抑制,由此即使在长时间使用时,由于所产生的热量引起的亮度变化不容易发生。
[实施例]
[实施例1]
在实施例1中,描述制造图2A和2B所示实施方式1的发光装置的示例。该实施例与实施方式1不同之处为,图1中的电路采用IC。图5示出了本实施例的像素部分的等效电路配置。本实施例的像素配置不限于图5所示电路。
如图5所示,源极信号线112连接到n沟道TFT 120的源极端子,该TFT的漏极端子连接到n沟道TFT 117的源极端子。n沟道TFT 120和n沟道TFT 117的栅极端子连接到栅极信号线114。n沟道TFT 120和n沟道TFT 117示为串联连接的两个TFT。然而,这两个n沟道TFT117和120可以制造成为一个双栅极TFT,其共享设有沟道的半导体层。
像素电容器Cp116的一个端子连接到施加发光元件高电源电势(ANODE)的信号线(电源线)113,另一个端子连接到n沟道TFT 117的漏极端子和p沟道TFT 118的栅极端子。
p沟道TFT 118的源极端子连接到施加发光元件高电源电势(ANODE)的信号线113,漏极端子连接到发光元件119的阳极。
发光元件119由EL元件形成,其阳极连接到p沟道TFT 118的漏极端子,其阴极连接到发光元件低电源电势(CATHODE)。
图6和7示出了表明本实施例效果的测量结果。图6和7都示出了下述情形中的数据,其中缓冲器高电源电势(VBH)与发光元件高电源电势(ANODE)同步,以处于相同的电平。
图6示出了根据发光元件高电源电势(ANODE)变化的缓冲器低电源电势(VBL)的变化。图7示出了根据发光元件高电源电势(ANODE)变化的、流过供给缓冲器低电源电势(VBL)的信号线1004的电流的变化。通过将运算放大器(OP1)的高电源电势(VDD1)设置为15V,将其低电源电势(GND)设置为0V,发光元件高电源电势(ANODE)从5V改变为12V。高电源电势(V1)设置为3、4和5V,由此发光装置通过行顺序方法以数字灰度级驱动。
在图6中,固定于0V的缓冲器低电源电势(VBL)的数据对应于比较例的发光装置的数据,该比较例未设有图1所示电路。图7、8B和8D中的比较例也是如此。
如图6所示,在常规配置中,缓冲器低电源电势(VBL)固定于0V。因此,当发光元件高电源电势(ANODE)升高时,供给到缓冲器的反相器的高电源电势(VBH)和低电源电势(VBL)之间电势差增大。
另一方面,在本实施例中,缓冲器低电源电势(VBL)通过跟随发光元件高电源电势(ANODE)的升高而升高,由此与图6所示比较例比较,高电源电势(VBH)和低电源电势(VBL)之间的电势差降低。
发现在图7中,对于比较例的显示装置中缓冲器低电源电势(VBL)固定的情形,电流值与发光元件高电源电势(ANODE)成比例,且当发光元件高电源电势(ANODE)升高时,该电流值增大。
另一方面,在本实施方式中,电流值并不与发光元件高电源电势(ANODE)的升高成比例。对于发光元件高电源电势(ANODE)为7V或更高的情形,当缓冲器低电源电势(VBL)为3V时,电流值约为5.6mA;当缓冲器低电源电势为4V时,电流值约为7mA;且当缓冲器低电源电势为5V时,电流值约为9mA,因此电流值看上去几乎恒定。
也就是说,根据本实施例,即使当发光元件高电源电势(ANODE)依赖于随时间和温度的变化而升高时,功耗的增大也可以得到抑制。此外,源极信号线电路的热量产生可以得到抑制。
为了进一步核查本实施例的效果,在驱动1小时之后测量源极信号线驱动电路的温度以及发光装置像素部分的亮度。图8A和8B分别示出了本实施例和比较例的源极信号线的温度。图8C和8D分别示出了本实施例和比较例的发光元件的亮度。通过分别将发光元件高电源电势(ANODE)固定在10V并将高电源电势(V1)固定在4V,来驱动本实施例的发光装置。通过将发光元件高电源电势(ANODE)固定在10V,测量比较例的发光装置。
如图8A和8B所示,本实施例的发光装置中的源极信号线驱动电路的温度低于比较例的。本实施例(A)的平均温度低于比较例(B)约5℃。2至3℃的变化影响由环境温度导致的亮度退化,因此本发明的5℃下降视为显著效果。也就是说,通过本实施例,热量产生得到抑制,且由于所产生的热量引起的亮度变化可以得到抑制。
在图8C所示实施例中,源极信号线驱动电路的热量产生得到抑制,因此在源极信号线驱动电路的外围以及像素部分中心的外围,亮度几乎相等。然而,在图8D中,源极信号线驱动电路产生的热量增加了位于源极信号线驱动电路侧的一部分的亮度,由此引起亮度变化。也就是说,由于所产生的热量引起的像素部分亮度变化通过本实施例得到抑制。
在本实施例中,实施方式1的电路的效果得到验证。通过前述实验结果可以容易地估计,通过实施方式2的电路可以获得相似的效果。
本申请是基于2004年11月24日在日本专利局提交的日本专利申请No.2004-339684,其全部内容于此引入作为参考。
Claims (27)
1.一种发光装置,包括:
发光元件、双极晶体管、运算放大器、驱动电路、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、以及第四电阻器,
其中所述双极晶体管的基极端子连接到所述运算放大器的输出端子,集电极端子连接到低电源电势,
其中所述第一电阻器的一个端子连接到第一高电源电势,另一个端子连接到所述运算放大器的第一输入端子,
其中所述第二电阻器的一个端子连接到所述运算放大器的第一输入端子,另一个端子连接到所述双极晶体管的发射极端子,
其中所述第三电阻器的一个端子连接到第二高电源电势,另一个端子连接到所述运算放大器的第二输入端子,
其中所述第四电阻器的一个端子连接到所述运算放大器的第二输入端子,另一个端子连接到低电源电势,
其中所述双极晶体管的发射极端子和所述第二电阻器的所述另一个端子的电势作为所述驱动电路的缓冲器的低电源电势供给,并且
其中所述第二高电源电势作为所述缓冲器的高电源电势供给。
2.根据权利要求1的发光装置,其中所述发光元件为EL元件。
3.根据权利要求1的发光装置,其中所述发光装置设于半导体衬底上。
4.根据权利要求1的发光装置,其中所述发光装置设于玻璃衬底上。
5.根据权利要求1的发光装置,其中所述发光装置设于柔性衬底上。
6.根据权利要求1的发光装置,其中所述发光装置设于SOI衬底上。
7.根据权利要求1的发光装置,其中所述发光装置包括薄膜晶体管。
8.一种发光装置,包括:
发光元件、运算放大器、驱动电路、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、以及第四电阻器,
其中所述第一电阻器的一个端子连接到第一高电源电势,另一个端子连接到所述运算放大器的第一输入端子,
其中所述第二电阻器的一个端子连接到所述运算放大器的第一输入端子,另一个端子连接到所述运算放大器的输出端子,
其中所述第三电阻器的一个端子连接到第二高电源电势,另一个端子连接到所述运算放大器的第二输入端子,
其中所述第四电阻器的一个端子连接到所述运算放大器的第二输入端子,另一个端子连接到低电源电势,
其中所述第二电阻器的所述另一个端子的电势作为缓冲器的低电源电势供给,并且
其中所述第二高电源电势作为所述缓冲器的高电源电势供给。
9.根据权利要求8的发光装置,其中所述发光元件为EL元件。
10.根据权利要求8的发光装置,其中所述发光装置设于半导体衬底上。
11.根据权利要求8的发光装置,其中所述发光装置设于玻璃衬底上。
12.根据权利要求8的发光装置,其中所述发光装置设于柔性衬底上。
13.根据权利要求8的发光装置,其中所述发光装置设于SOI衬底上。
14.根据权利要求8的发光装置,其中所述发光装置包括薄膜晶体管。
15.一种发光装置,包括:
具有基极端子、集电极端子、以及发射极端子的双极晶体管;
具有运算放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器的电路;以及
具有缓冲器的驱动电路,
其中所述运算放大器具有输出端子、第一输入端子、以及第二输入端子,
其中所述基极端子连接到所述运算放大器的输出端子,所述集电极端子连接到低电源电势,
其中所述第一电阻器的一个端子连接到第一高电源电势,另一个端子连接到所述运算放大器的第一输入端子,
其中所述第二电阻器的一个端子连接到所述运算放大器的第一输入端子,另一个端子连接到所述双极晶体管的发射极端子,
其中所述第三电阻器的一个端子连接到第二高电源电势,另一个端子连接到所述运算放大器的第二输入端子,
其中所述第四电阻器的一个端子连接到所述运算放大器的第二输入端子,另一个端子连接到低电源电势,
其中所述双极晶体管的发射极端子和所述第二电阻器的所述另一个端子的电势等于所述驱动电路的缓冲器的低电源电势,并且
其中所述第二高电源电势等于所述缓冲器的高电源电势。
16.根据权利要求15的发光装置,其中所述发光装置设于半导体衬底上。
17.根据权利要求15的发光装置,其中所述发光装置设于玻璃衬底上。
18.根据权利要求15的发光装置,其中所述发光装置设于柔性衬底上。
19.根据权利要求15的发光装置,其中所述发光装置设于SOI衬底上。
20.根据权利要求15的发光装置,其中所述发光装置包括薄膜晶体管。
21.一种发光装置,包括:
具有运算放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器的电路;以及
具有缓冲器的驱动电路,
其中所述运算放大器具有输出端子、第一输入端子、以及第二输入端子,
其中所述第一电阻器的一个端子连接到第一高电源电势,另一个端子连接到所述运算放大器的第一输入端子,
其中所述第二电阻器的一个端子连接到所述运算放大器的第一输入端子,另一个端子连接到所述运算放大器的输出端子,
其中所述第三电阻器的一个端子连接到第二高电源电势,另一个端子连接到所述运算放大器的第二输入端子,
其中所述第四电阻器的一个端子连接到所述运算放大器的第二输入端子,另一个端子连接到低电源电势,
其中所述第二电阻器的所述另一个端子的电势等于缓冲器的低电源电势,并且
其中所述第二高电源电势等于所述缓冲器的高电源电势。
22.根据权利要求21的发光装置,其中所述发光装置设于半导体衬底上。
23.根据权利要求21的发光装置,其中所述发光装置设于玻璃衬底上。
24.根据权利要求21的发光装置,其中所述发光装置设于柔性衬底上。
25.根据权利要求21的发光装置,其中所述发光装置设于SOI衬底上。
26.根据权利要求21的发光装置,其中所述发光装置包括薄膜晶体管。
27.一种包括缓冲器的发光装置的驱动方法,所述驱动方法包括步骤:
向所述缓冲器供给高电源电势;以及
向所述缓冲器供给低电源电势,
其中,当所述高电源电势升高时,所述低电源电势通过跟随所述高电源电势的升高而升高。
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