JP2002311898A

JP2002311898A - 発光装置及びそれを用いた電子機器

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Publication number: JP2002311898A
Application number: JP2002028984A
Authority: JP
Inventors: Hajime Kimura; 肇木村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-02-08
Filing date: 2002-02-06
Publication date: 2002-10-25

Abstract

(57)【要約】【課題】有機発光層が多少劣化したり、環境温度が変
わったりしても、発光素子の輝度の変化を抑え、安定し
て所望のカラー表示を行うことが可能な発光装置の提供
を課題とする。【解決手段】ビデオ信号のデータから画素部に流れる
電流の基準値を計算する。そして、該ビデオ信号のデー
タにしたがって画素部に画像を表示し、そのときに画素
部全体の発光素子の駆動電流を測定する。そして、測定
した駆動電流が基準の値になるように、可変電源から上
記２つの画素部に供給される電圧の値を補正する。上記
構成によって、有機発光層の劣化に伴う輝度の低下を抑
えることができ、その結果鮮明な画像を表示することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た発光素子、例えば有機発光素子（ＯＬＥＤ：Organic
Light Emitting Device）を、該基板とカバー材の間に
封入したＯＬＥＤパネルに関する。また、該ＯＬＥＤパ
ネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した、ＯＬＥＤ
モジュールに関する。なお本明細書において、ＯＬＥＤ
パネル及びＯＬＥＤモジュールを発光装置と総称する。
本発明はさらに、該発光装置を用いた電子機器に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＯＬＥＤは自ら発光するため視認性が高
く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライトが要
らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無
い。そのため、近年ＯＬＥＤを用いた発光装置は、ＣＲ
ＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。

【０００３】ＯＬＥＤは、電場を加えることで発生する
ルミネッセンス（Electroluminescence）が得られる有
機化合物（有機発光材料）を含む層（以下、有機発光層
と記す）と、陽極層と、陰極層とを有している。有機化
合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から
基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から
基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明
の発光装置は、上述した発光のうちのいずれか一方の発
光を用いても良いし、または両方の発光を用いても良
い。

【０００４】なお、本明細書では、ＯＬＥＤの陽極と陰
極の間に設けられた全ての層を有機発光層と定義する。
有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注
入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に
ＯＬＥＤは、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造
を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／
発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送
層／陰極等の順に積層した構造を有していることもあ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】発光装置を実用化する
上で問題となっているのが、有機発光材料の劣化に伴
う、ＯＬＥＤの輝度の低下であった。

【０００６】有機発光材料は水分、酸素、光、熱に弱
く、これらのものによって劣化が促進される。具体的に
は、発光装置を駆動するデバイスの構造、有機発光材料
の特性、電極の材料、作製工程における条件、発光装置
の駆動方法等により、その劣化の速度が左右される。

【０００７】有機発光層にかかる電圧が一定であって
も、有機発光層が劣化するとＯＬＥＤの輝度は低下し、
表示する画像は不鮮明になる。なお本明細書において、
一対の電極から有機発光層に印加する電圧をＯＬＥＤ駆
動電圧（Ｖｅｌ）と定義する。

【０００８】また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対
応した三種類のＯＬＥＤを用いたカラー化表示方式にお
いて、有機発光層を構成する有機発光材料は、ＯＬＥＤ
の対応する色によって異なる。そのため、ＯＬＥＤの有
機発光層が、対応する色にごとに異なる速度で劣化する
ことがある。この場合、時間が経つにつれ、ＯＬＥＤの
輝度が色ごとに異なってしまい、発光装置に所望の色を
有する画像を表示することができなくなる。

【０００９】本発明は上述したことに鑑み、有機発光層
が劣化しても、ＯＬＥＤの輝度が低下するのを抑え、鮮
明で所望のカラー表示を行うことが可能な発光装置を提
供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者は、ＯＬＥＤ駆
動電圧を一定に保って発光させるのと、ＯＬＥＤに流れ
る電流を一定に保って発光させるのとでは、後者の方
が、劣化によるＯＬＥＤの輝度の低下が小さいことに着
目した。なお本明細書において、ＯＬＥＤに流れる電流
をＯＬＥＤ駆動電流（Ｉｅｌ）と呼ぶ。

【００１１】図２に、ＯＬＥＤ駆動電圧を一定にしたと
きと、ＯＬＥＤ駆動電流を一定にしたときの、ＯＬＥＤ
の輝度の変化を示す。図２に示すとおり、ＯＬＥＤ駆動
電流を一定にした方が、劣化による輝度の低下が小さ
い。

【００１２】よって本発明者は、劣化等によってＯＬＥ
Ｄ駆動電流が低下しても、ＯＬＥＤ駆動電圧を補正し
て、常にＯＬＥＤ駆動電流を一定にすることができる発
光装置を考案した。

【００１３】具体的に本発明の発光装置は、ＯＬＥＤ駆
動電流を測定する第１の手段と、ＯＬＥＤ駆動電流の理
想とする値（基準値）をビデオ信号から算出する第２の
手段と、前記測定値と前記基準値を比較する第３の手段
と、ＯＬＥＤ駆動電圧を補正することで、測定値と基準
値の差を縮める第４の手段とを有している。

【００１４】上記構成によって、本発明の発光装置は、
有機発光層が劣化してもＯＬＥＤ電流を一定にすること
ができるので、輝度の低下を抑えることができ、その結
果鮮明な画像を表示することができる。

【００１５】そして、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に
対応した三種類のＯＬＥＤを用いたカラー化表示方式の
場合、各色のＯＬＥＤごとにＯＬＥＤ駆動電流を測定
し、ＯＬＥＤ駆動電圧を補正するようにしても良い。こ
の構成によって、ＯＬＥＤの有機発光層が、対応する色
にごとに異なる速度で劣化しても、各色の輝度のバラン
スが崩れるのを防いで所望の色を表示することができ
る。

【００１６】また、有機発光層の温度は、外気温やＯＬ
ＥＤパネル自身が発する熱等に左右されるが、一般的に
ＯＬＥＤは温度によって流れる電流の値が変化する。図
３に、有機発光層の温度を変化させたときの、ＯＬＥＤ
の電圧電流特性の変化を示す。電圧が一定のとき、有機
発光層の温度が高くなると、ＯＬＥＤ駆動電流は大きく
なる。そしてＯＬＥＤ駆動電流とＯＬＥＤの輝度は比例
関係にあるため、ＯＬＥＤ駆動電流が大きければ大きい
ほど、ＯＬＥＤの輝度は高くなる。図２において、定電
圧時における輝度が約２４時間の周期で上下しているの
も、昼夜の温度差が反映されているためである。しか
し、本発明の発光装置では、有機発光層の温度が変化し
ても、ＯＬＥＤ駆動電圧を補正することでＯＬＥＤ駆動
電流を常に一定に保つことができる。よって、温度変化
に左右されずに一定の輝度を得ることができ、また温度
の上昇に伴って消費電力が大きくなるのを防ぐことがで
きる。

【００１７】さらに、一般的に、有機発光材料の種類に
よって温度変化におけるＯＬＥＤ駆動電流の変化の度合
いが異なるため、カラー表示において各色のＯＬＥＤの
輝度が温度によってバラバラに変化することが起こりう
る。しかし本発明の発光装置では、温度変化に左右され
ずに一定の輝度を得ることができるので、各色の輝度の
バランスが崩れるのを防ぐことができ、所望の色を表示
することができる。

【００１８】また、本発明の発光装置では、ＯＬＥＤ電
流を測定する際に、使用者の意図に反して表示する画面
を変える必要がないため、利便性に優れている。

【００１９】また一般的な発光装置は、各画素に電流を
供給する配線自体が抵抗を有するため、配線の長さによ
ってその電位が多少降下する。そしてこの電位の降下
は、表示する画像によっても大きく異なる。特に、同じ
配線から電流が供給される複数の画素において、階調数
の高い画素の割合が大きくなると、配線に流れる電流が
大きくなり、電位の降下が顕著に現れる。電位が降下す
ると、各画素のＯＬＥＤにそれぞれかかる電圧が小さく
なるため、各画素に供給される電流は小さくなる。よっ
て、ある所定の画素において一定の階調を表示しようと
しても、同じ配線から電流が供給されている他の画素の
階調数が変化すると、それに伴って該所定の画素に供給
される電流が変化し、結果的に階調数も変化する。しか
し本発明の発光装置では、表示する画像毎に測定値と基
準値を得て、ＯＬＥＤ電流を補正することができるの
で、表示する画像が変化しても補正により所望の階調数
を表示することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成について説明
する。

【００２１】図１に本発明のＯＬＥＤパネルの構成を、
ブロック図で示す。１０１は画素部であり、複数の画素
１０２がマトリクス状に形成されている。また１０３は
ソース線駆動回路、１０４はゲート線駆動回路である。

【００２２】なお図１ではソース線駆動回路１０３とゲ
ート線駆動回路１０４とが、画素部１０１と同じ基板上
に形成されているが、本発明はこの構成に限定されな
い。ソース線駆動回路と１０３とゲート線駆動回路１０
４とが画素部１０１と異なる基板上に形成され、ＦＰＣ
等のコネクターを介して、画素部１０１と接続されてい
ても良い。また、図１ではソース線駆動回路１０３とゲ
ート線駆動回路１０４は１つづつ設けられているが、本
発明はこの構成に限定されない。ソース線駆動回路１０
３とゲート線駆動回路１０４の数は設計者が任意に設定
することができる。

【００２３】また図１では、画素部１０１にソース線Ｓ
１〜Ｓｘ、電源線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙが設
けられている。なおソース線と電源線の数は必ずしも同
じであるとは限らない。またこれらの配線の他に、別の
異なる配線が設けられていても良い。

【００２４】各画素１０２にはＯＬＥＤ１０５が設けら
れている。ＯＬＥＤ１０５は陽極と陰極を有しており、
本明細書では、陽極を画素電極（第１の電極）として用
いる場合は陰極を対向電極（第２の電極）と呼び、陰極
を画素電極として用いる場合は陽極を対向電極と呼ぶ。

【００２５】各画素１０２のＯＬＥＤ１０５の画素電極
は、１つまたは複数のＴＦＴを介して電源線Ｖ１〜Ｖｘ
のいずれか１つに接続されている。そして電源線Ｖ１〜
Ｖｘは全て電流計１０７を介して、可変電源１０６に接
続されている。さらに、ＯＬＥＤ１０５の対向電極は全
て可変電源１０６に接続されている。なおＯＬＥＤ１０
５の対向電極は、１つまたは複数の素子を介して可変電
源１０６に接続されていても良い。

【００２６】なお本明細書において可変電源とは、回路
や素子に電流又は電圧を供給する電源であり、なおかつ
供給する電圧又は電流が可変である電源を意味する。図
１では、可変電源１０６が、電源線側が高い電位（Ｖｄ
ｄ）に、対向電極側が低い電位（Ｖｓｓ）に保たれるよ
うに接続されている。しかし本発明はこの構成に限定さ
れず、可変電源１０６はＯＬＥＤ１０５に流れる電流が
順バイアスになるように接続されていれば良い。

【００２７】なお図１では、全ての電源線Ｖ１〜Ｖｘが
電流計１０７に直列に接続されているが、電源線Ｖ１〜
Ｖｘのいくつかが電流計１０７を介して可変電源１０６
に接続され、残りの電源線が電流計１０７を介さずに可
変電源１０６に接続されていても良い。

【００２８】また電流計１０７を設ける位置は、必ずし
も可変電源１０６と電源線との間である必要はなく、可
変電源１０６と対向電極の間であっても良い。本発明で
用いる電流計は、配線を流れる電流値の変化を感知でき
るものであるならば、どのような構成を有していても良
い。

【００２９】そして１０８は補正回路であり、電流計１
０７において測定された電流の値（測定値）に基づい
て、可変電源１０６から対向電極及び電源線Ｖ１〜Ｖｘ
に供給される電圧を制御する。また補正回路１０８には
ビデオ信号が入力されており、該ビデオ信号から理想と
する電流の値である基準値を算出する。

【００３０】なお、電流計１０７、可変電源１０６、補
正回路１０８は、各々画素部１０１が形成されている基
板とは異なる基板上に形成され、コネクター等を介して
画素部１０１と接続されていても良いし、作製が可能で
あれば画素部１０１と同じ基板上に形成しても良い。

【００３１】またカラー化表示方式の場合、各色ごとに
可変電源、電流計を設け、各色のＯＬＥＤにおいてＯＬ
ＥＤ駆動電圧を補正するようにしても良い。なおこのと
き、補正回路は色毎に設けても良いし、複数の色のＯＬ
ＥＤに共通の補正回路を設けても良い。

【００３２】図４に各画素の詳しい構成を示す。図４に
示した画素は、ソース線Ｓｉ（ｉ＝１〜ｘ）、ゲート線
Ｇｊ（ｊ＝１〜ｙ）、電源線Ｖｉ、スイッチング用ＴＦ
Ｔ１１０、駆動用ＴＦＴ１１１、コンデンサ１１２及び
ＯＬＥＤ１０５を有している。なお図４に示した画素の
構成はほんの一例であり、画素が有する配線や素子の
数、種類及びその接続は、図４に示した構成に限定され
ない。本発明の発光装置は、可変電源１０６により各画
素のＯＬＥＤのＯＬＥＤ駆動電圧が制御可能であるなら
ば、どのような構成を有していても良い。

【００３３】図４では、スイッチング用ＴＦＴ１１０の
ゲート電極がゲート線Ｇｊに接続されている。そしてス
イッチング用ＴＦＴ１１０のソース領域とドレイン領域
は、一方はソース線Ｓｉに、もう一方は駆動用ＴＦＴ１
１１のゲート電極に接続されている。そして、駆動用Ｔ
ＦＴ１１１のソース領域とドレイン領域は、一方は電源
線Ｖｉに、もう一方はＯＬＥＤ１０５の画素電極に接続
されている。コンデンサ１１２は駆動用ＴＦＴ１１１の
ゲート電極と電源線Ｖｉとの間に形成されている。

【００３４】図４に示した画素では、ゲート線Ｇｊの電
位がゲート線駆動回路１０４によって制御され、ソース
線Ｓｉにはソース線駆動回路１０３によってビデオ信号
が入力される。スイッチング用ＴＦＴ１１０がオンにな
ると、ソース線Ｓｉに入力されたビデオ信号は、スイッ
チング用ＴＦＴ１１０を介して駆動用ＴＦＴ１１１のゲ
ート電極に入力される。そして駆動用ＴＦＴ１１１がビ
デオ信号によりオンになると、可変電源１０６によりＯ
ＬＥＤ１０５の画素電極と対向電極の間にＯＬＥＤ駆動
電圧が印加されているので、ＯＬＥＤ１０５が発光す
る。

【００３５】電流計１０７は、全ての画素に流れるＯＬ
ＥＤ電流を測定する第１の手段を有している。ＯＬＥＤ
１０５が発光しているときに、電流計１０７において電
流が測定される。電流を測定する期間は電流計１０７の
性能により異なり、計測可能な長さ以上の期間であるこ
とが必要である。また電流計１０７では、計測する期間
に流れる電流の平均値もしくは最大値が読み取られるよ
うにする。

【００３６】なお、電流計に流れる電流に、トランジス
タのオフ電流等による漏れ電流が含まれている可能性が
ある。そこで、いったん全画素のＯＬＥＤに電流が流れ
ないようなビデオ信号を入力し、そのとき電流計に流れ
る電流値を測定しておく。そして、実際に電流を測定す
るときには、記憶しておいた電流値を差し引くようにす
る。そうすると、漏れ電流等に代表されるノイズ成分を
除去した正確な電流値を得ることができる。

【００３７】電流計１０７において得られた測定値は、
データとして補正回路１０８に送られる。一方、補正回
路１０８にはビデオ信号が入力される。図５に、補正回
路１０８の構成をブロック図で示す。

【００３８】１２０は電流値計算回路、１２１は電流値
比較回路、１２２は電源制御回路である。電流値計算回
路１２０は、入力されたビデオ信号から、電流計１０７
に流れる電流の理想の値（基準値）を、ビデオ信号から
算出する第２の手段を有している。

【００３９】電流値比較回路１２１は、測定値と基準値
を比較する第３の手段を有している。

【００４０】そして、電源制御回路１２２は、測定値と
基準値の間にある程度の差が生じている場合に、可変電
源１０６を制御することでＯＬＥＤ駆動電圧を補正し、
測定値と基準値の差を縮める第４の手段を有している。
具体的には、電源線Ｖ１〜Ｖｘと対向電極との間の電圧
を補正することにより、各画素１０２が有するＯＬＥＤ
１０５においてＯＬＥＤ駆動電圧が補正され、所望の大
きさのＯＬＥＤ駆動電流が流れる。

【００４１】なお、ＯＬＥＤ駆動電圧は、電源線側の電
位が制御されることで補正されていても良いし、対向電
極側の電位が制御されることで補正されていても良い。
また、電源線側の電位と対向電極側の電位とが共に制御
されることで、補正されていても良い。

【００４２】なお、電圧の補正により駆動用ＴＦＴ１１
１のゲート電圧が確保できなくなるようなことが起こら
ないように、ビデオ信号の電位は、予め調整しておくこ
とが望ましい。

【００４３】図１９に、カラーの発光装置において、電
源線側の電位を制御する場合の、各色のＯＬＥＤのＯＬ
ＥＤ駆動電圧の変化を示す。図１９において、ＶｒはＲ
用ＯＬＥＤにおける補正前のＯＬＥＤ駆動電圧であり、
Ｖｒ₀は補正後のＯＬＥＤ駆動電圧である。同様に、Ｖ
ｇはＧ用ＯＬＥＤにおける補正前のＯＬＥＤ駆動電圧で
あり、Ｖｇ₀は補正後のＯＬＥＤ駆動電圧である。Ｖｂ
はＢ用ＯＬＥＤにおける補正前のＯＬＥＤ駆動電圧であ
り、Ｖｂ₀は補正後のＯＬＥＤ駆動電圧である。

【００４４】図１９の場合、対向電極の電位（対向電
位）は全てのＯＬＥＤにおいて同じ高さに固定されてい
る。各色のＯＬＥＤごとにＯＬＥＤ駆動電流を測定し、
電源線の電位（電源電位）を可変電源により制御するこ
とで、ＯＬＥＤ駆動電圧が補正される。

【００４５】本発明は上記構成によって、有機発光層が
劣化してもＯＬＥＤの輝度の低下を抑えることができ、
その結果鮮明な画像を表示することができる。また、各
色毎に対応したＯＬＥＤを用いたカラー表示の発光装置
の場合、ＯＬＥＤの有機発光層が、対応する色にごとに
異なる速度で劣化しても、各色の輝度のバランスが崩れ
るのを防いで所望の色を表示することができる。

【００４６】また、有機発光層の温度は、外気温やＯＬ
ＥＤパネル自身が発する熱等に左右されても、ＯＬＥＤ
の輝度が変化するのを抑えることができ、また温度の上
昇に伴って消費電力が大きくなるのを防ぐことができ
る。また、カラー表示の発光装置の場合、温度変化に左
右されずに各色のＯＬＥＤの輝度の変化を抑えることが
できるので、各色の輝度のバランスが崩れるのを防ぐこ
とができ、所望の色を表示することができる。

【００４７】また、本発明の発光装置では、ＯＬＥＤ電
流を測定する際に、使用者の意図に反して表示する画面
を変える必要がないため、利便性に優れている。

【００４８】また一般的な発光装置は、各画素に電流を
供給する配線（図１では電源線）自体が抵抗を有するた
め、配線の長さによってその電位は多少降下する。そし
てこの電位の降下は、表示する画像によっても大きく異
なる。特に、同じ配線から電流が供給される複数の画素
のうち、階調数の高い画素の割合が大きくなると、配線
に流れる電流が大きくなり、電位の降下が顕著に現れ
る。電位が降下すると、各画素のＯＬＥＤにそれぞれか
かる電圧が小さくなるため、各画素に供給される電流は
小さくなる。よって、ある所定の画素において一定の階
調を表示しようとしても、同じ配線から電流が供給され
ている他の画素の階調数が変化すると、それに伴って該
所定の画素に供給される電流が変化し、結果的に階調数
も変化する。しかし本発明の発光装置では、表示する画
像毎に測定値と基準値を得て、ＯＬＥＤ電流を補正する
ことができるので、表示する画像が変化しても補正によ
り所望の階調数を表示することができる。

【００４９】なお本発明では、電流の補正を、使用者が
好きな時に任意に行うようにしても良いし、設定により
あらかじめ決まった時に自動的に行われるようにしても
良い。

【００５０】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。

【００５１】（実施例１）本実施例では、デジタルのビ
デオ信号（デジタルビデオ信号）を用いて画像を表示す
る発光装置の、図５に示した補正回路１０８のより詳し
い構成について説明する。

【００５２】図６に、本実施例の補正回路１０８の構成
をブロック図で示す。補正回路１０８は、電流値計算回
路１２０、電流値比較回路１２１、電源制御回路１２２
を有している。

【００５３】電流値計算回路１２０は、カウンタ回路１
２３と、除算回路１２４と、Ａ／Ｄ変換回路１２９と、
基準電流値用レジスタ１２５とを有している。電流計１
０７において得られた測定値のデータは、Ａ／Ｄ変換回
路１２９においてデジタルに変換されて、除算回路１２
４に入力される。なお、電流計１０７において得られた
測定値がアナログではなくデジタルだった場合、Ａ／Ｄ
変換回路１２９を設ける必要はない。

【００５４】また電流値計算回路１２０に入力されたデ
ジタルビデオ信号は、カウンタ回路１２３に入力され
る。カウンタ回路１２３では、入力されたデジタルビデ
オ信号のパルスの出現している期間から、電流値を測定
した時に発光している画素の数を算出する。該画素数は
除算回路１２４にデータとして送られる。

【００５５】除算回路１２４では、入力された測定値と
発光している画素数から、発光している各画素において
ＯＬＥＤに流れる電流の値（画素測定値）を算出する。
画素測定値はデータとして電流値比較回路１２１に入力
される。

【００５６】電流値比較回路１２１は、減算回路１２６
と、許容誤差値用レジスタ１２７と、比較回路１２８と
を有している。

【００５７】電流値比較回路１２１に入力された画素測
定値は、減算回路１２６に入力される。一方、基準電流
値用レジスタ１２５には、各画素の理想とするＯＬＥＤ
電流の値（基準値）が記憶されている。基準値はマスク
等の設計により決められた固定データであっても良い
し、ＣＰＵやディップスイッチ等による書き換えが可能
なデータであっても良い。

【００５８】基準電流値用レジスタ１２５に記憶されて
いる基準値は、減算回路１２６に入力される。そして減
算回路１２６では、除算回路１２４から入力された画素
測定値と、基準値との差（以下、偏差電流）を算出す
る。

【００５９】該偏差電流はデータとして比較回路１２８
に入力される。一方、電源線Ｖ１〜Ｖｘと対向電極の間
の、補正によって変化する分の電圧を補正電圧とする
と、許容誤差値用レジスタ１２７には、電圧の補正を行
わない偏差電流の範囲を決める値が記憶されている。電
圧の補正は、偏差電流がこの範囲内に収束するまで、何
回も行われる。仮に電圧の補正により偏差電流が完全に
０になるならば、許容誤差値用レジスタ１２７は設けな
くとも良い。しかし実際には、電流計１０７の測定上の
ばらつきや、減算回路１２６における計算の誤差、雑音
などにより、偏差電流は微小に変動しつづけることが多
い。この場合、偏差電流の微小な変動にしたがって無意
味に電圧の補正を繰り返してしまうのを防ぐために、許
容誤差値用レジスタ１２７を設けて電圧の補正を行わな
い偏差電流の値の範囲を決めることは、極めて有効であ
る。なお、許容誤差値用レジスタ１２７に、電圧の補正
を行わない偏差電流の値の範囲の他に、偏差電流の値に
対応する補正電圧の値が記憶されていても良い。偏差電
流と補正電圧の関係は、例えば図７のように表される。
図７では偏差電流が一定の幅で変化するごとに、補正電
圧を一定の大きさで変化している。

【００６０】なお偏差電流と補正電圧の関係は、必ずし
も図７に示したグラフに則していなくても良い。偏差電
流と補正電圧は、電流計に実際に流れている電流の値が
基準値に近づくような関係であれば良い。例えば偏差電
流と補正電圧とが線形性をもつ関係であっても良いし、
偏差電流が補正電圧の二乗に比例していても良い。

【００６１】許容誤差値用レジスタ１２７に記憶されて
いる偏差電流と補正電圧の関係は、マスク等の設計によ
り決められた固定データであっても良いし、ＣＰＵやデ
ィップスイッチ等による書き換えが可能なデータであっ
ても良い。

【００６２】比較回路１２８では、減算回路１２６から
入力された偏差電流のデータが、許容誤差値用レジスタ
１２７に記憶されている、電圧の補正を行わない偏差電
流の値の範囲からはずれていた場合、所定の値の補正電
圧を電源制御回路１２２にデータとして入力する。なお
所定の補正電圧の値は比較回路１２８において予め定め
ておき、偏差電流が電圧の補正を行わない範囲からはず
れている場合は全て、該所定の補正電圧の値を電源制御
回路１２２に入力するようにする。

【００６３】電源制御回路１２２では、入力された補正
電圧の値をもとに可変電源１０６を制御することで、電
源線Ｖ１〜Ｖｘと対向電極との間の電圧を補正電圧の値
だけ補正する。上記構成によって、各画素１０２が有す
るＯＬＥＤ１０５においてＯＬＥＤ駆動電圧が補正さ
れ、ＯＬＥＤ駆動電流が所望の大きさに近づく。

【００６４】なお、ＯＬＥＤ駆動電圧は、電源線側の電
位が制御されることで補正されていても良いし、対向電
極側の電位が制御されることで補正されていても良い。
また、電源線側の電位と対向電極側の電位とが共に制御
されることで、補正されていても良い。

【００６５】そして、補正回路１０８における電圧の補
正は、偏差電流の値が、許容誤差値用レジスタ１２７に
記憶されている電圧の補正を行わない範囲内に収束する
まで、何回も行われる。

【００６６】なお、図７のように、偏差電流の値に対応
する補正電圧の値が許容誤差値用レジスタ１２７に記憶
されている場合、比較回路１２８では、減算回路１２６
から入力された偏差電流のデータと、許容誤差値用レジ
スタ１２７に記憶されている偏差電流と補正電圧の関係
とを照らし合わせて、補正電圧の値を決定する。この場
合、偏差電流の値が大きくても、少ない電圧の補正の回
数で偏差電流を小さくすることができる。

【００６７】なお、カウンタ回路１２３の代わりに、全
加算器とメモリを組み合わせて代用しても良い。

【００６８】また、本実施例では減算回路１２６を用い
たが、測定値と基準値がどのぐらいかけ離れているかを
認識できる回路であれば良く、例えば、減算回路１２６
の代わりに除算回路を用いても良い。除算回路を用いた
場合、除算回路において測定値と基準値の比が算出され
る。そして、その測定値と基準値の比から、比較回路１
２８において補正電圧の値が決定される。

【００６９】上記構成によって、本発明の発光装置は、
有機発光層が劣化してもＯＬＥＤ電流を一定にすること
ができるので、輝度の低下を抑えることができ、その結
果鮮明な画像を表示することができる。また、本発明の
発光装置では、有機発光層の温度が変化しても、ＯＬＥ
Ｄ駆動電圧を補正することでＯＬＥＤ駆動電流を常に一
定に保つことができる。よって、温度変化に左右されず
に一定の輝度を得ることができ、また温度の上昇に伴っ
て消費電力が大きくなるのを防ぐことができる。さらに
本発明の発光装置では、表示する画像毎に測定値と基準
値を得て、ＯＬＥＤ電流を補正することができるので、
表示する画像が変化しても補正により所望の階調数を表
示することができる。

【００７０】なお本実施例で示した補正回路の構成はほ
んの一例であり、本発明はこの構成に限定されない。本
発明で用いられる補正回路は、全てまたは各画素に流れ
るＯＬＥＤ駆動電流の理想とする値（基準値）をビデオ
信号から算出する手段と、測定値と基準値を比較する手
段と、測定値と基準値の間にある程度の差が生じている
場合に、その差を縮めるようにＯＬＥＤ駆動電圧を補正
する手段とを有していれば良い。

【００７１】（実施例２）本実施例では、図５に示した
補正回路１０８の、実施例１とは異なる構成について説
明する。

【００７２】図８に、本実施例の補正回路１０８の構成
をブロック図で示す。本実施例の補正回路１０８は、実
施例１と同様に電流値計算回路１２０、電流値比較回路
１２１、電源制御回路１２２を有している。

【００７３】電流値計算回路１２０は、カウンタ回路１
３０と、基準電流値用レジスタ１３１と、乗算回路１３
２と、Ａ／Ｄ変換回路１３３とを有している。電流計１
０７において得られた測定値のデータは、Ａ／Ｄ変換回
路１３３においてデジタルに変換されて、電流値比較回
路１２１に入力される。なお、電流計１０７において得
られた測定値がアナログではなくデジタルだった場合、
Ａ／Ｄ変換回路１３３を設ける必要はない。

【００７４】また電流値計算回路１２０に入力されたデ
ジタルビデオ信号は、カウンタ回路１３０に入力され
る。カウンタ回路１３０では、入力されたデジタルビデ
オ信号のパルスの出現している期間から、電流値を測定
した時に発光している画素の数を算出する。該画素数は
乗算回路１３２にデータとして送られる。

【００７５】一方、基準電流値用レジスタ１３１には、
各画素の理想とするＯＬＥＤ電流の値（基準値）が記憶
されている。基準値はマスク等の設計により決められた
固定データであっても良いし、ＣＰＵやディップスイッ
チ等による書き換えが可能なデータであっても良い。

【００７６】基準電流値用レジスタ１３１に記憶されて
いる基準値は、データとして乗算回路１３２に入力され
る。乗算回路１３２では、入力された基準値と、発光し
ている画素の数から、全ての画素に流れるＯＬＥＤ駆動
電流の合計の基準値を算出する。

【００７７】乗算回路１３２において算出された合計の
基準値は、データとして電流値比較回路１２１に入力さ
れる。

【００７８】電流値比較回路１２１に入力された測定値
と合計の基準値のデータは、共に減算回路１３４に入力
される。減算回路１３４では、入力された測定値と合計
の基準値のデータの差（以下、偏差電流）を算出する。
算出された偏差電流は、データとして比較回路１３７に
入力される。

【００７９】一方、許容誤差値用レジスタ１３５には、
電源線Ｖ１〜Ｖｘと対向電極の間の、補正によって変化
する分の電圧を補正電圧とすると、電圧の補正を行わな
い偏差電流の範囲が、合計の基準値に対する比率で記憶
されている。電圧の補正は、偏差電流がこの範囲内に収
束するまで、何回も行われる。仮に電圧の補正により偏
差電流が完全に０になるならば、許容誤差値用レジスタ
１３５は設けなくとも良い。しかし実際には、電流計１
０７の測定上のばらつきや、減算回路１３４における計
算の誤差、雑音などにより、偏差電流は微小に変動しつ
づけることが多い。この場合、偏差電流の微小な変動に
したがって無意味に電圧の補正を繰り返してしまうのを
防ぐために、許容誤差値用レジスタ１３５を設けて電圧
の補正を行わない偏差電流の値の範囲を決めることは、
極めて有効である。なお、許容誤差値用レジスタ１３５
に、電圧の補正を行わない偏差電流の値の範囲の他に、
偏差電流の値に対応する補正電圧の値が記憶されていて
も良い。偏差電流と補正電圧は、電流計に実際に流れて
いる電流の値が基準値に近づくような関係であれば良
い。例えば偏差電流と補正電圧とが線形性をもつ関係で
あっても良いし、偏差電流が補正電圧の二乗に比例して
いても良い。

【００８０】許容誤差値用レジスタ１３５に記憶されて
いる偏差電流と補正電圧の関係は、マスク等の設計によ
り決められた固定データであっても良いし、ＣＰＵやデ
ィップスイッチ等による書き換えが可能なデータであっ
ても良い。

【００８１】比較回路１３７では、電圧の補正を行わな
い偏差電流の範囲を、許容誤差値用レジスタ１３５に記
憶されている、合計の基準値に対する比率から算出す
る。そして、減算回路１３４から入力された偏差電流の
データが、該範囲からはずれていた場合、所定の値の補
正電圧を電源制御回路１２２にデータとして入力する。
なお所定の補正電圧の値は比較回路１３７において予め
定めておき、偏差電流が電圧の補正を行わない範囲から
はずれている場合は全て、該所定の補正電圧の値を電源
制御回路１２２に入力するようにする。

【００８２】電源制御回路１２２では、入力された補正
電圧の値をもとに可変電源１０６を制御することで、電
源線Ｖ１〜Ｖｘと対向電極との間の電圧を補正電圧の値
だけ補正する。上記構成によって、各画素１０２が有す
るＯＬＥＤ１０５においてＯＬＥＤ駆動電圧が補正さ
れ、ＯＬＥＤ駆動電流が所望の大きさに近づく。

【００８３】なお、ＯＬＥＤ駆動電圧は、電源線側の電
位が制御されることで補正されていても良いし、対向電
極側の電位が制御されることで補正されていても良い。
また、電源線側の電位と対向電極側の電位とが共に制御
されることで、補正されていても良い。

【００８４】そして、補正回路１０８における電圧の補
正は、偏差電流の値が、許容誤差値用レジスタ１３５に
記憶されている電圧の補正を行わない範囲内に収束する
まで、何回も行われる。

【００８５】なお、偏差電流の値に対応する補正電圧の
値が許容誤差値用レジスタ１３５に記憶されている場
合、比較回路１３７では、減算回路１３４から入力され
た偏差電流のデータと、許容誤差値用レジスタ１３５に
記憶されている偏差電流と補正電圧の関係とを照らし合
わせて、補正電圧の値を決定する。この場合、偏差電流
の値が大きくても、少ない電圧の補正の回数で偏差電流
を小さくすることができる。

【００８６】また、カウンタ回路１３０の代わりに、全
加算器とメモリを組み合わせて代用しても良い。

【００８７】また、本実施例では減算回路１３４を用い
たが、測定値と合計の基準値がどのぐらいかけ離れてい
るかを認識できる回路であれば良く、例えば、減算回路
１３４の代わりに除算回路を用いても良い。除算回路を
用いた場合、除算回路において測定値と合計の基準値の
比が算出される。そして、その測定値と合計の基準値の
比から、比較回路１３７において補正電圧の値が決定さ
れる。

【００８８】上記構成によって、本発明の発光装置は、
有機発光層が劣化してもＯＬＥＤ電流を一定にすること
ができるので、輝度の低下を抑えることができ、その結
果鮮明な画像を表示することができる。また、本発明の
発光装置では、有機発光層の温度が変化しても、ＯＬＥ
Ｄ駆動電圧を補正することでＯＬＥＤ駆動電流を常に一
定に保つことができる。よって、温度変化に左右されず
に一定の輝度を得ることができ、また温度の上昇に伴っ
て消費電力が大きくなるのを防ぐことができる。さらに
本発明の発光装置では、表示する画像毎に測定値と基準
値を得て、ＯＬＥＤ電流を補正することができるので、
表示する画像が変化しても補正により所望の階調数を表
示することができる。

【００８９】なお本実施例で示した補正回路の構成はほ
んの一例であり、本発明はこの構成に限定されない。本
発明で用いられる補正回路は、全てまたは各画素に流れ
るＯＬＥＤ駆動電流の理想とする値（基準値）をビデオ
信号から算出する手段と、測定値と基準値を比較する手
段と、測定値と基準値の間にある程度の差が生じている
場合に、その差を縮めるようにＯＬＥＤ駆動電圧を補正
する手段とを有していれば良い。

【００９０】（実施例３）本実施例では、図４に示した
画素を有する発光装置の、デジタルビデオ信号を用いた
駆動方法と、電圧の補正を行うタイミングについて説明
する。

【００９１】本実施例の駆動方法について、図９を用い
て説明する。なお、図９において横軸は時間を、縦軸は
各ゲート線に接続されている画素の位置を示す。

【００９２】まず、書き込み期間Ｔａが開始されると、
ＯＬＥＤ１０５の対向電極の電位と電源線Ｖ１〜Ｖｘの
電源電位が同じ高さに保たれる。そしてゲート線駆動回
路１０４から出力される選択信号によって、ゲート線Ｇ
１に接続されている全ての画素（１ライン目の画素）の
スイッチング用ＴＦＴ１１０がオンになる。

【００９３】そして、ソース線駆動回路１０３によっ
て、ソース線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力された１ビット目の
デジタルビデオ信号が、スイッチング用ＴＦＴ１１０を
介して駆動用ＴＦＴ１１１のゲート電極に入力される。

【００９４】次に１ライン目の画素のスイッチング用Ｔ
ＦＴ１１０がオフになり、１ライン目の画素と同様に、
選択信号によってゲート線Ｇ２に接続されている２ライ
ン目の画素のスイッチング用ＴＦＴ１１０がオンにな
る。次に、ソース線（Ｓ１〜Ｓｘ）から１ビット目のデ
ジタルビデオ信号が、２ライン目の画素のスイッチング
用ＴＦＴ１１０を介して駆動用ＴＦＴ１１１のゲート電
極に入力される。

【００９５】そして順に、全てのラインの画素に１ビッ
ト目のデジタルビデオ信号が入力される。全てのライン
の画素に１ビット目のデジタルビデオ信号が入力される
までの期間が書き込み期間Ｔａ１である。なお本実施例
において画素にデジタルビデオ信号が入力されるとは、
デジタルビデオ信号がスイッチング用ＴＦＴ１１０を介
して駆動用ＴＦＴ１１１のゲート電極に入力されること
を意味する。

【００９６】書込期間Ｔａ１が終了すると次に表示期間
Ｔｒ１になる。表示期間Ｔｒ１では、対向電極の電位
は、ＯＬＥＤが発光する程度に、電源線の電源電位との
間に電位差を有する高さになる。

【００９７】そして本実施例では、デジタルビデオ信号
が「０」の情報を有していた場合、駆動用ＴＦＴ１１１
はオフの状態となる。よって電源電位は、ＯＬＥＤ１０
５の画素電極に与えられない。その結果、「０」の情報
を有するデジタルビデオ信号が入力された画素が有する
ＯＬＥＤ１０５は発光しない。

【００９８】逆に、「１」の情報を有していた場合、駆
動用ＴＦＴ１１１はオンの状態となっている。よって電
源電位がＯＬＥＤ１０５の画素電極に与えられる。その
結果、「１」の情報を有するデジタルビデオ信号が入力
された画素が有するＯＬＥＤ１０５は発光する。

【００９９】このように、表示期間Ｔｒ１においてＯＬ
ＥＤ１０５が発光、または非発光の状態になり、全ての
画素は表示を行う。画素が表示を行っている期間を表示
期間Ｔｒと呼ぶ。特に１ビット目のデジタルビデオ信号
が画素に入力されたことで開始する表示期間をＴｒ１と
呼ぶ。

【０１００】表示期間Ｔｒ１が終了すると書込期間Ｔａ
２となり、再びＯＬＥＤの対向電極の電位と電源線の電
源電位が同じ高さになる。そして書込期間Ｔａ１の場合
と同様に順に全てのゲート線が選択され、２ビット目の
デジタルビデオ信号が全ての画素に入力される。全ての
ラインの画素に２ビット目のデジタルビデオ信号が入力
し終わるまでの期間を、書き込み期間Ｔａ２と呼ぶ。

【０１０１】書込期間Ｔａ２が終了すると表示期間Ｔｒ
２になり、対向電極の電位は、ＯＬＥＤが発光する程度
に、電源線の電源電位との間に電位差を有する高さにな
る。そして全ての画素が表示を行う。

【０１０２】上述した動作はｎビット目のデジタルビデ
オ信号が画素に入力されるまで繰り返し行われ、書込期
間Ｔａと表示期間Ｔｒとが繰り返し出現する。全ての表
示期間（Ｔｒ１〜Ｔｒｎ）が終了すると１つの画像を表
示することができる。明細書において、１つの画像を表
示する期間を１フレーム期間（Ｆ）と呼ぶ。１フレーム
期間が終了すると次のフレーム期間が開始される。そし
て再び書込期間Ｔａ１が出現し、上述した動作を繰り返
す。

【０１０３】通常の発光装置では１秒間に６０以上のフ
レーム期間を設けることが好ましい。１秒間に表示され
る画像の数が６０より少なくなると、視覚的に画像のち
らつきが目立ち始めることがある。

【０１０４】本実施例では、全ての書き込み期間の長さ
の和が１フレーム期間よりも短く、なおかつ表示期間の
長さ比は、Ｔｒ１：Ｔｒ２：Ｔｒ３：…：Ｔｒ（ｎ−
１）：Ｔｒｎ＝２⁰：２¹：２²：…：２^(n-2)：２^(n-1)
となるようにすることが必要である。この表示期間の組
み合わせで２ⁿ階調のうち所望の階調表示を行うことが
できる。

【０１０５】１フレーム期間中にＯＬＥＤが発光した表
示期間の長さの総和を求めることによって、当該フレー
ム期間におけるその画素の表示した階調がきまる。例え
ば、ｎ＝８のとき、全部の表示期間で画素が発光した場
合の輝度を１００％とすると、Ｔｒ１とＴｒ２において
画素が発光した場合には１％の輝度が表現でき、Ｔｒ３
とＴｒ５とＴｒ８を選択した場合には６０％の輝度が表
現できる。

【０１０６】また表示期間Ｔｒ１〜Ｔｒｎは、どのよう
な順序で出現させても良い。例えば１フレーム期間中に
おいて、Ｔｒ１の次にＴｒ３、Ｔｒ５、Ｔｒ２、…とい
う順序で表示期間を出現させることも可能である。

【０１０７】次に、ＯＬＥＤ駆動電圧を補正するため
の、電流の測定のタイミングと、デジタルビデオ信号か
ら基準値を算出するタイミングについて説明する。

【０１０８】本実施例では、書き込み期間Ｔａ１〜Ｔａ
ｎにおいて、各画素にデジタルビデオ信号が書き込まれ
るのと並行して、電流値計算回路にもデジタルビデオ信
号が入力される。そして、実施例１または実施例２にお
いて示したとおり、デジタルビデオ信号から発光する画
素の数をカウンタ回路等において算出する。

【０１０９】そして、発光している画素の数を用いて、
実施例１では画素測定値を、実施例２では基準値を算出
している。

【０１１０】そして電流を測定するタイミングは、本実
施例では表示期間Ｔｒ１〜Ｔｒｎにおいて行っている。
ただし、各表示期間が開始されるタイミングは、各ライ
ンの画素によって異なっている。そのため、全ての画素
が表示期間が開始された後で、なおかつ全ての画素にお
いて該表示期間が終了していない時に、全ての画素にお
けるＯＬＥＤ電流の合計を一斉に測定することが重要で
ある。

【０１１１】なお、本実施例で示した駆動方法はほんの
一例にすぎず、図１及び図４に示した本発明の発光装置
の駆動方法は、本実施例の駆動方法に限定されない。

【０１１２】また本実施例で示した補正回路の構成はほ
んの一例であり、本発明はこの構成に限定されない。本
発明で用いられる補正回路は、全てまたは各画素に流れ
るＯＬＥＤ駆動電流の理想とする値（基準値）をビデオ
信号から算出する手段と、測定値と基準値を比較する手
段と、測定値と基準値の間にある程度の差が生じている
場合に、その差を縮めるようにＯＬＥＤ駆動電圧を補正
する手段とを有していれば良い。

【０１１３】なお本実施例は、実施例１または２と自由
に組み合わせて実施することが可能である。

【０１１４】（実施例４）本実施例では、本発明の発光
装置の、図４とは異なる画素の構成について説明する。

【０１１５】図１０に本実施例の画素の構成を示す。本
実施例の発光装置の画素部には、画素３００がマトリク
ス状に設けられている。画素３００は、ソース線３０
１、第１ゲート線３０２、第２ゲート線３０３、電源線
３０４、スイッチング用ＴＦＴ３０５、駆動用ＴＦＴ３
０６、消去用ＴＦＴ３０９及びＯＬＥＤ３０７を有して
いる。

【０１１６】そして、スイッチング用ＴＦＴ３０５のゲ
ート電極は第１ゲート線３０２に接続されている。スイ
ッチング用ＴＦＴ３０５のソース領域とドレイン領域
は、一方はソース線３０１に、もう一方は駆動用ＴＦＴ
３０６のゲート電極に接続されている。

【０１１７】消去用ＴＦＴ３０９のゲート電極は第２ゲ
ート線３０３に接続されている。消去用ＴＦＴ３０９の
ソース領域とドレイン領域は、一方は電源線３０４に、
もう一方は駆動用ＴＦＴ３０６のゲート電極に接続され
ている。

【０１１８】駆動用ＴＦＴ３０６のソース領域は電源線
３０４に、ドレイン領域はＯＬＥＤ３０７の画素電極に
接続されている。コンデンサ３０８は駆動用ＴＦＴ３０
６のゲート電極と電源線３０４との間に形成されてい
る。

【０１１９】電源線３０４は電流計３１０を介して可変
電源３１１に接続されている。さらに、ＯＬＥＤ３０７
の対向電極は全て可変電源３１１に接続されている。な
お図１０で可変電源３１１は、電源線側が高い電位（Ｖ
ｄｄ）に、対向電極側が低い電位（Ｖｓｓ）に保たれる
ように接続されている。しかし本発明はこの構成に限定
されず、可変電源３１１はＯＬＥＤ３０７に流れる電流
が順バイアスになるように接続されていれば良い。

【０１２０】電流計３１０を設ける位置は、必ずしも可
変電源３１１と電源線３０４の間である必要はなく、可
変電源３１１と対向電極の間であっても良い。

【０１２１】そして３１２は補正回路であり、電流計３
１０において測定された電流の値（測定値）に基づい
て、可変電源３１１から対向電極及び電源線３０４に供
給される電圧を制御する。

【０１２２】なお、電流計３１０、可変電源３１１、補
正回路３１２は、画素部が形成されている基板とは異な
る基板上に形成され、コネクター等を介して画素部と接
続されていても良いし、作製が可能であれば画素部と同
じ基板上に形成しても良い。

【０１２３】またカラー化表示方式の場合、各色ごとに
可変電源、電流計を設け、各色のＯＬＥＤにおいてＯＬ
ＥＤ駆動電圧を補正するようにしても良い。なおこのと
き、補正回路は色毎に設けても良いし、複数の色のＯＬ
ＥＤに共通の補正回路を設けても良い。

【０１２４】次に、本実施例の発光装置の駆動方法につ
いて説明する。本実施例の駆動方法について、図１１を
用いて説明する。なお、図１１において横軸は時間を、
縦軸は各ゲート線に接続されている画素の位置を示す。

【０１２５】はじめに書き込み期間Ｔａ１が開始される
と、１ライン目の第１ゲート線が選択され、１ライン目
の第１ゲート線に接続されている全ての画素（１ライン
目の画素）のスイッチング用ＴＦＴ３０５がオンの状態
になる。

【０１２６】そして、全てのソース信号線３０２に入力
される１ビット目のデジタルビデオ信号が、スイッチン
グ用ＴＦＴ３０５を介して駆動用ＴＦＴ３０６のゲート
電極に入力される。そして駆動用ＴＦＴ３０６は、デジ
タルビデオ信号が有する「０」または「１」の情報によ
ってそのスイッチングが制御される。駆動用ＴＦＴ３０
６がオフだとＯＬＥＤ３０７は発光しない。逆に、駆動
用ＴＦＴ３０６はオンだとＯＬＥＤ３０７は発光する。

【０１２７】このように、１ライン目の画素にデジタル
ビデオ信号が入力されると同時に、ＯＬＥＤ３０７が発
光、または非発光の状態になり、１ライン目の画素は表
示期間Ｔｒ１になる。なお、各ラインの画素の表示期間
が開始されるタイミングはそれぞれ時間差を有してい
る。

【０１２８】次に、１ライン目の第１ゲート線３０２の
選択が終了する。そして、２ライン目から最後のライン
の第１ゲート線３０２が順に選択され、全ての画素にお
いて１ライン目の画素と同様に、１ビット分のデジタル
ビデオ信号が入力される。そして各ラインの画素におい
て表示期間Ｔｒ１が開始される。なお、各ラインの画素
の表示期間が開始されるタイミングはそれぞれ時間差を
有している。そして、全ての画素に１ビット目のデジタ
ルビデオ信号が入力されるまでの期間が、書き込み期間
Ｔａ１である。

【０１２９】一方、書き込み期間Ｔａ１が終了する前ま
たは終了した後に、画素への１ビット目のデジタルビデ
オ信号の入力と並行して、１ライン目の第２ゲート線３
０３の選択が開始される。そして、１ライン目の第２ゲ
ート線３０３に接続されている全ての画素（１ライン目
の画素）の消去用ＴＦＴ３０９がオンになる。そして電
源供給線３０４の電源電位が消去用ＴＦＴ３０９を介し
て駆動用ＴＦＴ３０６のゲート電極に与えられる。

【０１３０】電源電位が駆動用ＴＦＴ３０６のゲート電
極に与えられると、駆動用ＴＦＴ３０６のゲート電極と
ソース領域の電位が同じになり、ゲート電圧が０Ｖにな
る。よって駆動用ＴＦＴ３０６はオフとなる。よって電
源電位がＯＬＥＤ３０７の画素電極に与えられなくな
り、１ライン目の画素が有するＯＬＥＤ３０７は全て非
発光の状態になる。

【０１３１】画素が表示を行わない期間を非表示期間Ｔ
ｄと呼ぶ。１ライン目の画素において、第２ゲート線３
０３が選択されると同時に表示期間Ｔｒ１が終了し、非
表示期間Ｔｄ１となる。

【０１３２】そして１ライン目の第２ゲート線３０３の
選択が終了すると、２ライン目から最後のラインの第２
ゲート線３０３が順に選択され、全ての画素において非
表示期間Ｔｄ１が開始される。表示期間と同様に、各ラ
インの非表示期間が開始されるタイミングはそれぞれ時
間差を有している。全ての第２ゲート線Ｇｅ１〜Ｇｅｙ
が選択され、全ての画素においてＴｄ１が開始されるま
での期間が消去期間Ｔｅ１である。

【０１３３】一方、消去期間Ｔｅ１が終了する前または
終了した後に、再び書き込み期間が開始される。次に出
現する書き込み期間Ｔａ２は２ビット目のデジタルビデ
オ信号が全ての画素に入力される。各ラインの画素にお
いて２ビット目のデジタルビデオ信号が入力されると、
表示期間Ｔｒ２が開始される。

【０１３４】上述した動作はｎビット目のデジタルビデ
オ信号が画素に入力されるまで繰り返し行われ、表示期
間Ｔｒと非表示期間Ｔｄとが繰り返し出現する。なお表
示期間が書き込み期間よりも長い場合、表示期間の次に
別の表示期間が連続して出現しても良い。

【０１３５】表示期間は、書き込み期間が開始されてか
ら、次に出現する書き込み期間または非表示期間が開始
されるまでの期間である。また、非表示期間は、消去期
間が開始されてから次に出現する書き込み期間が開始さ
れるまでの期間である。

【０１３６】全ての表示期間が終了すると、１つの画像
を表示することができる。本発明において、１つの画像
が表示される期間を１フレーム期間（Ｆ）と呼ぶ。

【０１３７】そして１フレーム期間終了後は、再び次の
フレーム期間の書き込み期間が開始され、上述した動作
が繰り返される。

【０１３８】本実施例では、全ての書き込み期間の長さ
の和が１フレーム期間よりも短いことが重要である。な
おかつ表示期間の長さをＴｒ１：Ｔｒ２：Ｔｒ３：…：
Ｔｒ（ｎ−１）：Ｔｒｎ＝２⁰：２¹：２²：…：
２^(n-2)：２^(n-1)とすることが必要である。この表示期
間の組み合わせで２ⁿ階調のうち所望の階調表示を行う
ことができる。

【０１３９】１フレーム期間中にＯＬＥＤが発光した表
示期間の長さの総和を求めることによって、当該フレー
ム期間におけるその画素の表示した階調がきまる。例え
ば、ｎ＝８のとき、全部の表示期間で画素が発光した場
合の輝度を１００％とすると、Ｔｒ１とＴｒ２において
画素が発光した場合には１％の輝度が表現でき、Ｔｒ３
とＴｒ５とＴｒ８を選択した場合には６０％の輝度が表
現できる。

【０１４０】また表示期間Ｔｒ１〜Ｔｒｎは、どのよう
な順序で出現させても良い。例えば１フレーム期間中に
おいて、Ｔｒ１の次にＴｒ３、Ｔｒ５、Ｔｒ２、…とい
う順序で表示期間を出現させることも可能である。

【０１４１】次に、本実施例の発光装置における補正回
路の構造と、ＯＬＥＤ駆動電圧を補正するための、電流
の測定のタイミングと、デジタルビデオ信号から基準値
を算出するタイミングについて説明する。

【０１４２】本実施例の補正回路は、発光している画素
の数をデジタルビデオ信号から算出する回路の仕組みに
おいてのみ、実施例１または実施例２の補正回路と構成
が異なる。つまり、実施例１または実施例２では、カウ
ンタ回路だけを用いて発光している画素の数をカウント
していたが、本実施例ではカウンタ回路に加えて、メモ
リリセット回路、パルスカウンタ用メモリ及び加算回路
を用いて発光している画素の数をカウントする。なお本
実施例では、カウンタ回路に加えてメモリリセット回
路、パルスカウンタ用メモリ及び加算回路を含む、発光
している画素の数をカウントするための回路を、便宜上
画素数カウンタ回路と呼ぶ。

【０１４３】図１２に、本実施例の画素数カウンタ回路
３００の構成をブロック図で示す。画素数カウンタ回路
３００は、カウンタ回路３０１、パルスカウンタ用メモ
リ３０３、加算回路３０４を有している。本実施例の補
正回路は、図６または図８に示した補正回路１０８にお
いて、電流値計算回路１２０が有するカウンタ回路１２
３または１３０を、画素数カウンタ回路３００にそのま
ま置き換えたものに相当する。

【０１４４】パルスカウンタ用メモリ３０３には、同じ
ゲート線に接続された各ラインの画素ごとに、対応する
記憶する場所が設けられている。以下本明細書では、メ
モリの記憶する場所をブロックと呼ぶ。ゲート線がｙ本
ある場合、ブロックはｙ個以上設ける必要がある。各ブ
ロックには対応するライン毎に３０３＿１〜３０３＿ｙ
の番号を付す。

【０１４５】本実施例では、書き込み期間Ｔａ１〜Ｔａ
ｎにおいて、各画素にデジタルビデオ信号が書き込まれ
るのと並行して、画素数カウンタ回路３００にもデジタ
ルビデオ信号が入力される。そして各書き込み期間にお
いて、デジタルビデオ信号は各ライン毎に順に画素数カ
ウンタ回路３００に入力される。

【０１４６】例えば、１ライン目の画素にデジタルビデ
オ信号が入力されるのと同時に、１ライン目の画素に入
力されたデジタルビデオ信号と同じ画像情報を有するデ
ジタルビデオ信号が画素数カウンタ回路３００のカウン
タ回路３０１に入力される。ただし、１ライン目の画素
にはパラレル処理方式で信号が入力されるが、カウンタ
回路３０１にはシリアル処理方式で信号が入力される。

【０１４７】カウンタ回路３０１では、入力されたデジ
タルビデオ信号に基づき、１ライン目の発光している画
素の数を算出する。算出された画素数は、パルスカウン
タ用メモリ３０３の１番目のブロック３０３＿１に記憶
される。

【０１４８】以下、２ライン目〜ｙライン目の画素に対
応するデジタルビデオ信号も順にカウンタ回路３０１に
入力される。そして同様に、各ラインの発光している画
素の数が算出され、対応するブロック３０３＿２〜３０
３＿ｙにそれぞれ記憶される。

【０１４９】各ブロックに記憶されている画素数は、常
に加算回路３０４に入力されている。加算回路３０４で
は、入力された各ブロックの画素数の合計値が算出され
る。算出された発光している画素の総数は、後段の回路
にデータとして送られる。具体的には、図６では除算回
路１２４に、図８では乗算回路１３２に入力される。

【０１５０】一方、書き込み期間よりも表示期間が短い
場合、書き込み期間が終了する前に消去期間が開始され
ることになる。この場合、発光する画素の数は常に０に
なるので、消去期間が開始されたラインの画素に対応す
るブロックから順に、メモリリセット回路３０２によっ
て画素数０のデータが記憶される。

【０１５１】この消去期間が開始される時の、パルスカ
ウンタ用メモリ３０３の動作を、図１３を用いて詳しく
説明する。なお図１３において、ｊは３〜ｙの任意の数
である。

【０１５２】図１３（Ａ）は、書き込み期間が開始され
た後で、なおかつ消去期間が開始される前の、パルスカ
ウンタ用メモリ３０３の動作を示している。カウンタ回
路３０１から、書き込み期間が開始されたラインから順
に、発光している画素数のデータが各ブロックに入力さ
れ保持される。

【０１５３】図１３（Ｂ）は、書き込み期間中において
消去期間が開始されたときのパルスカウンタ用メモリ３
０３の動作を示している。カウンタ回路３０１から、書
き込み期間が開始されたラインから順に、発光している
画素数のデータが各ブロックに入力され保持される。そ
してその後を追うように、消去期間が開始されたライン
から順に、各ブロックに保持されている発光している画
素数のデータが、メモリリセット回路３０２からの画素
数０のデータに書き換えられている。

【０１５４】図１３（Ｃ）は、書き込み期間が終了した
後で、なおかつ消去期間が終了する前の、パルスカウン
タ用メモリ３０３の動作を示している。各ブロックに保
持されている発光している画素数のデータが、消去期間
が開始されたラインから順に、メモリリセット回路３０
２からの画素数０のデータに書き換えられている。

【０１５５】そして、各画素のＯＬＥＤ電流の測定のタ
イミングは、いずれかのラインの画素が表示期間中であ
れば良い。

【０１５６】上記構成により、本実施例の補正回路で
は、表示期間が書き込み期間よりも短い場合でも、基準
値と測定値を算出して比較し、補正電圧を調整すること
ができる。

【０１５７】本実施例で示した画素の構成はほんの一例
であり、本発明はこの構成に限定されない。

【０１５８】さらに、本実施例で示した補正回路の構成
はほんの一例であり、本発明はこの構成に限定されな
い。本発明で用いられる補正回路は、全てまたは各画素
に流れるＯＬＥＤ駆動電流の理想とする値（基準値）を
ビデオ信号から算出する手段と、測定値と基準値を比較
する手段と、測定値と基準値の間にある程度の差が生じ
ている場合に、その差を縮めるようにＯＬＥＤ駆動電圧
を補正する手段とを有していれば良い。

【０１５９】なお、本実施例で示した画素を有する発光
装置は、実施例１または実施例２に示した補正回路をそ
のまま用いていても良い。この場合、全ての画素が表示
期間中であるときに、電流を測定し、ビデオ信号を用い
て発光している画素数を算出し、補正を行うようにす
る。

【０１６０】（実施例５）本実施例では、図４に示した
構成の画素を有する発光装置を、アナログのビデオ信号
（以下、アナログビデオ信号）を用いて駆動した場合
の、補正回路の構成について述べる。

【０１６１】図１４、に本実施例の補正回路の構成をブ
ロック図で示す。本実施例の補正回路４０３は、電流値
計算回路４０４、電流値比較回路４０８、電源制御回路
４１２を有している。

【０１６２】電流値計算回路４０４は、電圧値計算回路
４０５と、基準電流電圧比用レジスタ４０６と、乗算回
路４０７と、Ａ／Ｄ変換回路４１３とを有している。電
流計４０１において得られた測定値のデータは、Ａ／Ｄ
変換回路４１３においてデジタルに変換されて、電流値
比較回路４０８に入力される。なお、電流計４０１にお
いて得られた測定値がアナログではなくデジタルだった
場合、Ａ／Ｄ変換回路４１３を設ける必要はない。

【０１６３】また電流値計算回路４０４に入力されたア
ナログビデオ信号は、電圧値計算回路４０５に入力され
る。電圧値計算回路４０５では、各画素に入力されるア
ナログビデオ信号の電圧値の合計が算出される。該電圧
値は乗算回路４０７にデータとして送られる。

【０１６４】一方、基準電流電圧比用レジスタ４０６に
は、各画素のＯＬＥＤ駆動電圧に対するＯＬＥＤ電流の
理想とするの値（電圧電流比）が記憶されている。電圧
電流比はマスク等の設計により決められた固定データで
あっても良いし、ＣＰＵやディップスイッチ等による書
き換えが可能なデータであっても良い。

【０１６５】基準電流電圧比用レジスタ４１０に記憶さ
れている電圧電流比は、データとして乗算回路４０７に
入力される。乗算回路４０７では、入力された電圧電流
比と、各画素に入力されるアナログビデオ信号の電圧値
の合計から、全ての画素に流れるＯＬＥＤ駆動電流の合
計の基準値を算出する。

【０１６６】乗算回路４０７において算出された基準値
は、データとして電流値比較回路４０８に入力される。

【０１６７】電流値比較回路４０８に入力された測定値
と基準値のデータは、共に減算回路４０９に入力され
る。減算回路４０９では、入力された測定値と基準値の
データの差（以下、偏差電流）を算出する。算出された
偏差電流は、データとして比較回路４１１に入力され
る。

【０１６８】一方、許容誤差値用レジスタ４１０には、
電源線Ｖ１〜Ｖｘと対向電極の間の、補正によって変化
する分の電圧を補正電圧とすると、偏差電流の値に対応
する補正電圧の値が記憶されている。偏差電流と補正電
圧は、電流計４０１に実際に流れている電流の値が基準
値に近づくような関係であれば良い。例えば偏差電流と
補正電圧とが線形性をもつ関係であっても良いし、偏差
電流が補正電圧の二乗に比例していても良い。

【０１６９】許容誤差値用レジスタ４１０に記憶されて
いる偏差電流と補正電圧の関係は、マスク等の設計によ
り決められた固定データであっても良いし、ＣＰＵやデ
ィップスイッチ等による書き換えが可能なデータであっ
ても良い。

【０１７０】比較回路４１１では、乗算回路４０７から
入力された偏差電流のデータと、許容誤差値用レジスタ
４１０に記憶されている偏差電流と補正電圧の関係か
ら、補正電圧の値を決定する。そして、電源制御回路４
１２に、補正電圧の値をデータとして入力する。

【０１７１】電源制御回路４１２では、入力された補正
電圧の値をもとに可変電源４０２を制御することで、電
源線Ｖ１〜Ｖｘと対向電極との間の電圧を補正電圧の値
だけ補正する。上記構成によって、各画素１０２が有す
るＯＬＥＤ１０５においてＯＬＥＤ駆動電圧が補正さ
れ、所望の大きさのＯＬＥＤ駆動電流が流れる。

【０１７２】なお、ＯＬＥＤ駆動電圧は、電源線側の電
位が制御されることで補正されていても良いし、対向電
極側の電位が制御されることで補正されていても良い。
また、電源線側の電位と対向電極側の電位とが共に制御
されることで、補正されていても良い。

【０１７３】次に、本実施例の電圧値計算回路４０５の
詳しい構成について説明する。図１５に、電圧値計算回
路４０５の構成をブロック図で示す。

【０１７４】電圧値計算回路４０５は、Ａ／Ｄ変換回路
４１４、カウンタ回路４１５、電圧値保持用メモリ４１
６、加算回路４１７を有している。

【０１７５】電圧値保持用メモリ４１６には、同じゲー
ト線に接続された各ラインの画素ごとに、対応する記憶
する場所（ブロック）が設けられている。ゲート線がｙ
本ある場合、ブロックはｙ個以上設ける必要がある。各
ブロックには対応するライン毎に４１６＿１〜４１６＿
ｙの番号を付す。

【０１７６】本実施例では、各画素にアナログビデオ信
号が書き込まれるのと並行して、Ａ／Ｄ変換回路４１４
にもアナログビデオ信号が入力される。そして各書き込
み期間において、アナログビデオ信号は各ライン毎に順
にＡ／Ｄ変換回路４１４に入力される。

【０１７７】例えば、１ライン目の各画素にアナログビ
デオ信号が順に入力されるのと並行して、１ライン目の
各画素に入力されたアナログビデオ信号と同じ画像情報
を有するアナログビデオ信号がＡ／Ｄ変換回路４１４に
入力される。ただし、１ライン目の画素にはパラレル処
理方式で信号が入力されるが、Ａ／Ｄ変換回路４１４に
はシリアル処理方式で信号が入力される。

【０１７８】Ａ／Ｄ変換回路４１４に入力されたアナロ
グビデオ信号は、デジタルに変換され、カウンタ回路４
１５に入力される。ここでアナログビデオ信号は、デジ
タルに変換する理由は、メモリ４１６はデジタル量で保
存するほうが容易だからである。よって、メモリ４１６
がＣＣＤやＳＨ容量のようにアナログ量で保存できる場
合は、デジタルに変換する必要はない。

【０１７９】カウンタ回路４１５では、入力されたデジ
タルのビデオ信号に基づき、１ライン目の画素のＯＬＥ
Ｄ駆動電圧の合計を算出する。算出された１ライン目の
画素のＯＬＥＤ駆動電圧の合計は、電圧値保持用メモリ
４１６の１番目のブロック４１６＿１に記憶される。

【０１８０】以下、２ライン目〜ｙライン目の画素に対
応するアナログビデオ信号も、順にＡ／Ｄ変換回路４１
４においてデジタルに変換され、カウンタ回路４１５に
入力される。そして同様に、各ライン毎にＯＬＥＤ駆動
電圧の合計が算出され、対応するブロック４１６＿２〜
４１６＿ｙにそれぞれ記憶される。

【０１８１】各ブロックに記憶されているＯＬＥＤ駆動
電圧の合計は、常に加算回路４１７に入力されている。
加算回路４１７では、入力された各ブロックのＯＬＥＤ
駆動電圧の合計を全て加算して、合計値を算出する。算
出された全画素のＯＬＥＤ駆動電圧の合計は、乗算回路
４０７にデータとして送られる。

【０１８２】１フレーム期間が終了して次のフレーム期
間のアナログビデオ信号が入力されると、１番目のブロ
ックから順に、前のフレーム期間のＯＬＥＤ駆動電圧の
合計のデータが消去され、次のフレーム期間のＯＬＥＤ
駆動電圧の合計のデータが記憶される。

【０１８３】そして、各画素のＯＬＥＤ電流の測定のタ
イミングは、いずれかのラインの画素が表示期間中であ
れば良い。

【０１８４】上記構成によって、本発明の発光装置は、
有機発光層が劣化してもＯＬＥＤ電流を一定にすること
ができるので、輝度の低下を抑えることができ、その結
果鮮明な画像を表示することができる。また、本発明の
発光装置では、有機発光層の温度が変化しても、ＯＬＥ
Ｄ駆動電圧を補正することでＯＬＥＤ駆動電流を常に一
定に保つことができる。よって、温度変化に左右されず
に一定の輝度を得ることができ、また温度の上昇に伴っ
て消費電力が大きくなるのを防ぐことができる。さらに
本発明の発光装置では、表示する画像毎に測定値と基準
値を得て、ＯＬＥＤ電流を補正することができるので、
表示する画像が変化しても補正により所望の階調数を表
示することができる。

【０１８５】本実施例で示した補正回路の構成はほんの
一例であり、本発明はこの構成に限定されない。本発明
で用いられる補正回路は、全てまたは各画素に流れるＯ
ＬＥＤ駆動電流の理想とする値（基準値）をビデオ信号
から算出する手段と、測定値と基準値を比較する手段
と、測定値と基準値の間にある程度の差が生じている場
合に、その差を縮めるようにＯＬＥＤ駆動電圧を補正す
る手段とを有していれば良い。

【０１８６】なお本実施例において電流値計算回路４０
４に入力されるアナログビデオ信号は、ガンマ補正する
前の信号である。ガンマ補正した後のアナログビデオ信
号を電流値計算回路４０４に入力する場合、アナログビ
デオ信号をガンマ補正する前の電位に戻してから、電圧
値計算回路４０５に入力する。

【０１８７】また本実施例では、ゲート電圧とドレイン
電流がほぼ比例関係にある領域において駆動用ＴＦＴが
動作するように、アナログビデオ信号の電位を調整す
る。

【０１８８】（実施例６）本実施例では、本発明の発光
装置の画素部を駆動させるために用いる、ソース線駆動
回路、ゲート線駆動回路の詳しい構成について説明す
る。

【０１８９】図１６に、本実施例の発光装置の駆動回路
をブロック図で示す。図１６（Ａ）はソース線駆動回路
６０１であり、シフトレジスタ６０２、ラッチ（Ａ）６
０３、ラッチ（Ｂ）６０４を有している。

【０１９０】ソース線駆動回路６０１において、シフト
レジスタ６０２にクロック信号（ＣＬＫ）およびスター
トパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ６０２
は、これらのクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパ
ルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、
バッファ等（図示せず）を通して後段の回路へタイミン
グ信号を順次入力する。

【０１９１】シフトレジスタ６０２からのタイミング信
号は、バッファ等によって緩衝増幅される。タイミング
信号が入力される配線には、多くの回路あるいは素子が
接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。
この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立
ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐために、こ
のバッファが設けられる。なおバッファは必ずしも設け
る必要はない。

【０１９２】バッファによって緩衝増幅されたタイミン
グ信号は、ラッチ（Ａ）６０３に入力される。ラッチ
（Ａ）６０３は、デジタルビデオ信号を処理する複数の
ステージのラッチを有している。ラッチ（Ａ）６０３
は、前記タイミング信号が入力されると、ソース線駆動
回路６０１の外部から入力されるデジタルビデオ信号が
順次書き込まれ、保持する。

【０１９３】なお、ラッチ（Ａ）６０３にデジタルビデ
オ信号が書き込まれる際に、ラッチ（Ａ）６０３が有す
る複数のステージのラッチに、順にデジタルビデオ信号
が書き込まれても良い。しかし本発明はこの構成に限定
されない。ラッチ（Ａ）６０３が有する複数のステージ
のラッチをいくつかのグループに分け、各グループごと
に並行して同時にデジタルビデオ信号が書き込まれる、
いわゆる分割駆動を行っても良い。なお、このときのグ
ループの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージごと
にラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動す
ると言う。

【０１９４】ラッチ（Ａ）６０３の全てのステージのラ
ッチにデジタルビデオ信号の書き込みが一通り終了する
までの時間を、ライン期間と呼ぶ。実際には、上記ライ
ン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に
含むことがある。

【０１９５】１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）
６０４にラッチシグナル（Latch Signal）が入力され
る。この瞬間、ラッチ（Ａ）６０３に書き込まれ保持さ
れているデジタルビデオ信号は、ラッチ（Ｂ）６０４に
一斉に送出され、ラッチ（Ｂ）６０４の全ステージのラ
ッチに書き込まれ、保持される。

【０１９６】デジタルビデオ信号をラッチ（Ｂ）６０４
に送出し終えたラッチ（Ａ）６０３には、シフトレジス
タ６０２からのタイミング信号に基づき、デジタルビデ
オ信号の書き込みが順次行われる。

【０１９７】この２順目の１ライン期間中には、ラッチ
（Ｂ）６０４に書き込まれ、保持されているデジタルビ
デオ信号がソース線に入力される。

【０１９８】図１６（Ｂ）はゲート線駆動回路の構成を
示すブロック図である。

【０１９９】ゲート線駆動回路６０５は、それぞれシフ
トレジスタ６０６、バッファ６０７を有している。また
場合によってはレベルシフトを有していても良い。

【０２００】ゲート線駆動回路６０５において、シフト
レジスタ６０６からのタイミング信号がバッファ６０７
に入力され、対応するゲート線に入力される。ゲート線
には、１ライン分の画素が有するＴＦＴのゲート電極が
接続されている。そして、１ライン分の画素のＴＦＴを
一斉にＯＮにしなくてはならないので、バッファは大き
な電流を流すことが可能なものが用いられる。

【０２０１】なお、本実施例で示した駆動回路はほんの
一例にすぎない。本実施例は実施例１〜４と自由に組み
合わせて実施することが可能である。

【０２０２】（実施例７）本実施例では、本発明の発光
装置の外観について、図１７を用いて説明する。

【０２０３】図１７（Ａ）は、発光装置の上面図であ
り、図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）のＡ−Ａ’における
断面図、図１７（Ｃ）は図１７（Ａ）のＢ−Ｂ’におけ
る断面図である。

【０２０４】基板４００１上に設けられた画素部４００
２と、ソース線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲ
ート線駆動回路４００４ａ、ｂとを囲むようにして、シ
ール材４００９が設けられている。また画素部４００２
と、ソース線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲー
ト線駆動回路４００４ａ、ｂとの上にシーリング材４０
０８が設けられている。よって画素部４００２と、ソー
ス線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート線駆動
回路４００４ａ、ｂとは、基板４００１とシール材４０
０９とシーリング材４００８とによって、充填材４２１
０と共に密封されている。

【０２０５】また基板４００１上に設けられた画素部４
００２と、ソース線駆動回路４００３と、第１及び第２
のゲート線駆動回路４００４ａ、ｂとは、複数のＴＦＴ
を有している。図１７（Ｂ）では代表的に、下地膜４０
１０上に形成された、ソース線駆動回路４００３に含ま
れる駆動回路用ＴＦＴ（但し、ここではｎチャネル型Ｔ
ＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示する）４２０１及び画
素部４００２に含まれる駆動用ＴＦＴ（ＯＬＥＤへの電
流を制御するＴＦＴ）４２０２を図示した。

【０２０６】本実施例では、駆動回路用ＴＦＴ４２０１
には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたは
ｎチャネル型ＴＦＴが用いられ、駆動用ＴＦＴ４２０２
には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用い
られる。また、画素部４００２には駆動用ＴＦＴ４２０
２のゲート電極に接続された保持容量（図示せず）が設
けられる。

【０２０７】駆動回路用ＴＦＴ４２０１及び駆動用ＴＦ
Ｔ４２０２上には層間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形
成され、その上に駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電
気的に接続する画素電極（陽極）４２０３が形成され
る。画素電極４２０３としては仕事関数の大きい透明導
電膜が用いられる。透明導電膜としては、酸化インジウ
ムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛と
の化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを
用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウム
を添加したものを用いても良い。

【０２０８】そして、画素電極４２０３の上には絶縁膜
４３０２が形成され、絶縁膜４３０２は画素電極４２０
３の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４２０３の上には有機発光層４２０４が形
成される。有機発光層４２０４は公知の有機発光材料ま
たは無機発光材料を用いることができる。また、有機発
光材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポ
リマー系）材料があるがどちらを用いても良い。

【０２０９】有機発光層４２０４の形成方法は公知の蒸
着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、有機
発光層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子
輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造
または単層構造とすれば良い。

【０２１０】有機発光層４２０４の上には遮光性を有す
る導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主
成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層
膜）からなる陰極４２０５が形成される。また、陰極４
２０５と有機発光層４２０４の界面に存在する水分や酸
素は極力排除しておくことが望ましい。従って、有機発
光層４２０４を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素
や水分に触れさせないまま陰極４２０５を形成するとい
った工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー
方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いること
で上述のような成膜を可能とする。そして陰極４２０５
は所定の電圧が与えられている。

【０２１１】以上のようにして、画素電極（陽極）４２
０３、有機発光層４２０４及び陰極４２０５からなるＯ
ＬＥＤ４３０３が形成される。そしてＯＬＥＤ４３０３
を覆うように、絶縁膜４３０２上に保護膜４２０９が形
成されている。保護膜４２０９は、ＯＬＥＤ４３０３に
酸素や水分等が入り込むのを防ぐのに効果的である。

【０２１２】４００５ａは電源線に接続された引き回し
配線であり、駆動用ＴＦＴ４２０２のソース領域に電気
的に接続されている。引き回し配線４００５ａはシール
材４００９と基板４００１との間を通り、異方導電性フ
ィルム４３００を介してＦＰＣ４００６が有するＦＰＣ
用配線４３０１に電気的に接続される。

【０２１３】シーリング材４００８としては、ガラス
材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス
材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を
用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ
（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌ
ａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）
フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムま
たはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。ま
た、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフ
ィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。

【０２１４】但し、ＯＬＥＤからの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリ
エステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明
物質を用いる。

【０２１５】また、充填材４２１０としては窒素やアル
ゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または
熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルク
ロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥ
ＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができ
る。本実施例では充填材として窒素を用いた。

【０２１６】また充填材４２１０を吸湿性物質（好まし
くは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる物質にさ
らしておくために、シーリング材４００８の基板４００
１側の面に凹部４００７を設けて吸湿性物質または酸素
を吸着しうる物質４２０７を配置する。そして、吸湿性
物質または酸素を吸着しうる物質４２０７が飛び散らな
いように、凹部カバー材４２０８によって吸湿性物質ま
たは酸素を吸着しうる物質４２０７は凹部４００７に保
持されている。なお凹部カバー材４２０８は目の細かい
メッシュ状になっており、空気や水分は通し、吸湿性物
質または酸素を吸着しうる物質４２０７は通さない構成
になっている。吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質
４２０７を設けることで、ＯＬＥＤ４３０３の劣化を抑
制できる。

【０２１７】図１７（Ｃ）に示すように、画素電極４２
０３が形成されると同時に、引き回し配線４００５ａ上
に接するように導電性膜４２０３ａが形成される。

【０２１８】また、異方導電性フィルム４３００は導電
性フィラー４３００ａを有している。基板４００１とＦ
ＰＣ４００６とを熱圧着することで、基板４００１上の
導電性膜４２０３ａとＦＰＣ４００６上のＦＰＣ用配線
４３０１とが、導電性フィラー４３００ａによって電気
的に接続される。

【０２１９】本発明の発光装置が有する電流計と、可変
電源と、補正回路は、基板４００１とは異なる基板（図
示せず）上に形成され、ＦＰＣ４００６を介して、基板
４００１上に形成された電源線及び陰極４２０５に電気
的に接続されている。

【０２２０】なお本実施例は、実施例１〜６と自由に組
み合わせて実施することが可能である。

【０２２１】（実施例８）本実施例では、本発明の発光
装置が有する電流計と、可変電源と、補正回路を、画素
部が形成されている基板とは異なる基板上に形成し、ワ
イヤボンディング法、ＣＯＧ（チップ・オン・グラス）
法等の手段によって画素部が形成されている基板上の配
線と接続する例について説明する。

【０２２２】図１８に本実施例の発光装置の外観図を示
す。基板５００１上に設けられた画素部５００２と、ソ
ース線駆動回路５００３と、第１及び第２のゲート線駆
動回路５００４ａ、ｂとを囲むようにして、シール材５
００９が設けられている。また画素部５００２と、ソー
ス線駆動回路５００３と、第１及び第２のゲート線駆動
回路５００４ａ、ｂとの上にシーリング材５００８が設
けられている。よって画素部５００２と、ソース線駆動
回路５００３と、第１及び第２のゲート線駆動回路５０
０４ａ、ｂとは、基板５００１とシール材５００９とシ
ーリング材５００８とによって、充填材（図示せず）と
共に密封されている。

【０２２３】シーリング材５００８の基板５００１側の
面に凹部５００７を設けて吸湿性物質または酸素を吸着
しうる物質を配置する。

【０２２４】基板５００１上に引き回されている配線
（引き回し配線）は、シール材５００９と基板５００１
との間を通り、ＦＰＣ５００６を介して発光装置の外部
の回路または素子に接続されている。

【０２２５】本発明の発光装置が有する電流計と、可変
電源と、補正回路は、基板５００１とは異なる基板（以
下、チップと呼ぶ）５０２０に形成され、ＣＯＧ（チッ
プ・オン・グラス）法等の手段によって基板５００１上
に取り付けられ、基板５００１上に形成された電源線及
び陰極（図示せず）に電気的に接続されている。

【０２２６】本実施例では、電流計と、可変電源と、補
正回路が形成されたチップ５０２０を、ワイヤボンディ
ング法、ＣＯＧ法等により基板５００１上に取り付ける
ことで、発光装置が１枚の基板で構成することができ、
装置自体がコンパクトになり、機械的強度も上がる。

【０２２７】なお、基板上にチップを接続する方法に関
しては、公知の方法を用いて行うことが可能である。ま
た、電流計と、可変電源と、補正回路以外の回路及び素
子を、基板５００１上に取りつけても良い。

【０２２８】本実施例は、実施例１〜７と自由に組み合
わせて実施することが可能である。

【０２２９】（実施例９）本発明において、三重項励起
子からの燐光を発光に利用できる有機発光材料を用いる
ことで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることが
できる。これにより、ＯＬＥＤの低消費電力化、長寿命
化、および軽量化が可能になる。

【０２３０】ここで、三重項励起子を利用し、外部発光
量子効率を向上させた報告を示す。(T.Tsutsui, C.Adac
hi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized
Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub.,
Tokyo,1991) p.437.)

【０２３１】上記の論文により報告された有機発光材料
（クマリン色素）の分子式を以下に示す。

【０２３２】

【化１】

【０２３３】(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shou
stikov, S.Sibley, M.E.Thompson,S.R.Forrest, Nature
395 (1998) p.151.)

【０２３４】上記の論文により報告された有機発光材料
（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。

【０２３５】

【化２】

【０２３６】(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows,
M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamu
ra,T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Ma
yaguchi, Jpn.Appl.Phys.,38 (12B) (1999) L1502.)

【０２３７】上記の論文により報告された有機発光材料
（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。

【０２３８】

【化３】

【０２３９】以上のように三重項励起子からの燐光発光
を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光
を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実
現が可能となる。

【０２４０】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例８のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。

【０２４１】（実施例１０）本発明の発光装置の作製方
法の一例について、図２０〜図２３を用いて説明する。
ここでは、画素部のスイッチング用ＴＦＴおよび駆動用
ＴＦＴと、画素部の周辺に設けられる駆動部のＴＦＴを
同時に作製する方法について、工程に従って詳細に説明
する。

【０２４２】まず、本実施例ではコーニング社の＃７０
５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウ
ムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラス
などのガラスからなる基板９００を用いる。なお、基板
９００としては、透光性を有する基板であれば限定され
ず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温
度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いて
もよい。

【０２４３】次いで、図２０（Ａ）に示すように、基板
９００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素
膜などの絶縁膜から成る下地膜９０１を形成する。本実
施例では下地膜９０１として２層構造を用いるが、前記
絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いて
も良い。下地膜９０１の一層目としては、プラズマＣＶ
Ｄ法を用い、ＳｉＨ₄、ＮＨ₃、及びＮ₂Ｏを反応ガスと
して成膜される酸化窒化珪素膜９０１ａを１０〜２００
ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成する。本実施
例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜９０１ａ（組成
比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７
％）を形成した。次いで、下地膜９０１のニ層目として
は、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ₄、及びＮ₂Ｏを反
応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜９０１ｂを５０
〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さ
に積層形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化
窒化珪素膜９０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９
％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。

【０２４４】次いで、下地膜９０１上に半導体層９０２
〜９０５を形成する。半導体層９０２〜９０５は、非晶
質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、Ｌ
ＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜し
た後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化
法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）
を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパター
ニングして形成する。この半導体層９０２〜９０５の厚
さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚
さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、
好ましくは珪素（シリコン）またはシリコンゲルマニウ
ム（Ｓｉ_XＧｅ_1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合
金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマＣＶ
Ｄ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜した後、ニ
ッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させた。この
非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った
後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、さらに結晶
化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行って結晶
質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素膜をフォ
トリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって、
半導体層９０２〜９０５を形成した。

【０２４５】また、半導体層９０２〜９０５を形成した
後、ＴＦＴのしきい値を制御するために、半導体層９０
２〜９０５に微量な不純物元素（ボロンまたはリン）を
ドーピングしてもよい。

【０２４６】また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜
を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザー
を用いることができる。これらのレーザーを用いる場合
には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学
系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良
い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものである
が、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数
３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４
００ｍＪ／ｃｍ²(代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ
²)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその
第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００ｋＨｚ
とし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／
ｃｍ²(代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ²)とすると
良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μ
ｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射
し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバー
ラップ率）を５０〜９０％として行えばよい。

【０２４７】次いで、半導体層９０２〜９０５を覆うゲ
ート絶縁膜９０６を形成する。ゲート絶縁膜９０６はプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜
１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施
例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸
化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝
７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸
化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む
絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。

【０２４８】また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラ
ズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosiliｃat
e）とＯ₂とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３０
０〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密
度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ²で放電させて形成すること
ができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、そ
の後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜
として良好な特性を得ることができる。

【０２４９】そして、ゲート絶縁膜９０６上にゲート電
極を形成するための耐熱性導電層９０７を２００〜４０
０ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）の厚さで形成
する。耐熱性導電層９０７は単層で形成しても良いし、
必要に応じて二層あるいは三層といった複数の層から成
る積層構造としても良い。耐熱性導電層にはＴａ、Ｔ
ｉ、Ｗから選ばれた元素、または前記元素を成分とする
合金か、前記元素を組み合わせた合金膜が含まれる。こ
れらの耐熱性導電層はスパッタ法やＣＶＤ法で形成され
るものであり、低抵抗化を図るために含有する不純物濃
度を低減させることが好ましく、特に酸素濃度に関して
は３０ｐｐｍ以下とすると良い。本実施例ではＷ膜を３
００ｎｍの厚さで形成する。Ｗ膜はＷをターゲットとし
てスパッタ法で形成しても良いし、６フッ化タングステ
ン（ＷＦ₆）を用いて熱ＣＶＤ法で形成することもでき
る。いずれにしてもゲート電極として使用するためには
低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃ
ｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくす
ることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素
などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵
抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度
９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さらに成膜時
に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮して
Ｗ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを
実現することができる。

【０２５０】一方、耐熱性導電層９０７にＴａ膜を用い
る場合には、同様にスパッタ法で形成することが可能で
ある。Ｔａ膜はスパッタガスにＡｒを用いる。また、ス
パッタ時のガス中に適量のＸｅやＫｒを加えておくと、
形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止するこ
とができる。α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ程度
でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴ
ａ膜の抵抗率は１８０μΩｃｍ程度でありゲート電極と
するには不向きであった。ＴａＮ膜はα相に近い結晶構
造を持つので、Ｔａ膜の下地にＴａＮ膜を形成すればα
相のＴａ膜が容易に得られる。また、図示しないが、耐
熱性導電層９０７の下に２〜２０ｎｍ程度の厚さでリン
（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有
効である。これにより、その上に形成される導電膜の密
着性向上と酸化防止を図ると同時に、耐熱性導電層９０
７が微量に含有するアルカリ金属元素が第１の形状のゲ
ート絶縁膜９０６に拡散するのを防ぐことができる。い
ずれにしても、耐熱性導電層９０７は抵抗率を１０〜５
０μΩｃｍの範囲ですることが好ましい。

【０２５１】次に、フォトリソグラフィーの技術を使用
してレジストによるマスク９０８を形成する。そして、
第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰエッ
チング装置を用い、エッチング用ガスにＣｌ₂とＣＦ₄を
用い、１Ｐａの圧力で３．２Ｗ／ｃｍ²のＲＦ（１３.５
６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを形成して行う。基
板側（試料ステージ）にも２２４ｍＷ／ｃｍ²のＲＦ
（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入し、これにより実質的
に負の自己バイアス電圧が印加される。この条件でＷ膜
のエッチング速度は約１００ｎｍ／ｍｉｎである。第１
のエッチング処理はこのエッチング速度を基にＷ膜がち
ょうどエッチングされる時間を推定し、それよりもエッ
チング時間を２０％増加させた時間をエッチング時間と
した。

【０２５２】第１のエッチング処理により第１のテーパ
ー形状を有する導電層９０９〜９１２が形成される。導
電層９０９〜９１２のテーパー部の角度は１５〜３０°
となるように形成される。残渣を残すことなくエッチン
グするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング
時間を増加させるオーバーエッチングを施すものとす
る。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜９
０６）の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、
オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が
露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。
（図２０（Ｂ））

【０２５３】そして、第１のドーピング処理を行い一導
電型の不純物元素を半導体層に添加する。ここでは、ｎ
型を付与する不純物元素添加の工程を行う。第１の形状
の導電層を形成したマスク９０８をそのまま残し、第１
のテーパー形状を有する導電層９０９〜９１２をマスク
として自己整合的にｎ型を付与する不純物元素をイオン
ドープ法で添加する。ｎ型を付与する不純物元素をゲー
ト電極の端部におけるテーパー部とゲート絶縁膜９０６
とを通して、その下に位置する半導体層に達するように
添加するためにドーズ量を１×１０¹³〜５×１０¹⁴ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ²とし、加速電圧を８０〜１６０ｋｅＶと
して行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属
する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を
用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いた。このようなイ
オンドープ法により第１の不純物領域９１４〜９１７に
は１×１０²⁰〜１×１０²¹atoｍiｃ／ｃｍ³の濃度範囲
でｎ型を付与する不純物元素が添加される。（図２０
（Ｃ））

【０２５４】この工程において、ドーピングの条件によ
っては、不純物が第１の形状の導電層９０９〜９１２の
下に回りこみ、第１の不純物領域９１４〜９１７が第１
の形状の導電層９０９〜９１２と重なることも起こりう
る。

【０２５５】次に、図２０（Ｄ）に示すように第２のエ
ッチング処理を行う。エッチング処理も同様にＩＣＰエ
ッチング装置により行い、エッチングガスにＣＦ₄とＣ
ｌ₂の混合ガスを用い、ＲＦ電力３．２Ｗ／ｃｍ²(１３.
５６ＭＨｚ)、バイアス電力４５ｍＷ／ｃｍ²(１３.５６
ＭＨｚ)、圧力１．０Ｐａでエッチングを行う。この条
件で形成される第２の形状を有する導電層９１８〜９２
１が形成される。その端部にはテーパー部が形成され、
該端部から内側にむかって徐々に厚さが増加するテーパ
ー形状となる。第１のエッチング処理と比較して基板側
に印加するバイアス電力を低くした分等方性エッチング
の割合が多くなり、テーパー部の角度は３０〜６０°と
なる。マスク９０８はエッチングされて端部が削れ、マ
スク９２２となる。また、図２０（Ｄ）の工程におい
て、ゲート絶縁膜９０６の表面が４０ｎｍ程度エッチン
グされる。

【０２５６】そして、第１のドーピング処理よりもドー
ズ量を下げ高加速電圧の条件でｎ型を付与する不純物元
素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０
ｋｅＶとし、１×１０¹³／ｃｍ²のドーズ量で行い、不
純物濃度が大きくなった第１の不純物領域９２４〜９２
７と、前記第１の不純物領域９２４〜９２７に接する第
２の不純物領域９２８〜９３１とを形成する。この工程
において、ドーピングの条件によっては、不純物が第２
の形状の導電層９１８〜９２１の下に回りこみ、第２の
不純物領域９２８〜９３１が第２の形状の導電層９１８
〜９２１と重なることも起こりうる。第２の不純物領域
における不純物濃度は、１×１０¹⁶〜１×１０¹⁸ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ³となるようにする。（図２１（Ａ））

【０２５７】そして、（図２１（Ｂ））に示すように、
ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層９０２、９０５
に一導電型とは逆の導電型の不純物領域９３３（９３３
ａ、９３３ｂ）及び９３４（９３４ａ、９３４ｂ）を形
成する。この場合も第２の形状の導電層９１８、９２１
をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素を添加し、自
己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネ
ル型ＴＦＴを形成する半導体層９０３、９０４は、レジ
ストのマスク９３２を形成し全面を被覆しておく。ここ
で形成される不純物領域９３３、９３４はジボラン（Ｂ
₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法で形成する。不純物領域
９３３、９３４のｐ型を付与する不純物元素の濃度は、
２×１０²⁰〜２×１０²¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³となるよう
にする。

【０２５８】しかしながら、この不純物領域９３３、９
３４は詳細にはｎ型を付与する不純物元素を含有する２
つの領域に分けて見ることができる。第３の不純物領域
９３３ａ、９３４ａは１×１０²⁰〜１×１０²¹ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ³の濃度でｎ型を付与する不純物元素を含み、
第４の不純物領域９３３ｂ、９３４ｂは１×１０¹⁷〜１
×１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度でｎ型を付与する不
純物元素を含んでいる。しかし、これらの不純物領域９
３３ｂ、９３４ｂのｐ型を付与する不純物元素の濃度を
１×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上となるようにし、第
３の不純物領域９３３ａ、９３４ａにおいては、ｐ型を
付与する不純物元素の濃度をｎ型を付与する不純物元素
の濃度の１．５から３倍となるようにすることにより、
第３の不純物領域でｐチャネル型ＴＦＴのソース領域お
よびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じ
ない。

【０２５９】その後、図２１（Ｃ）に示すように、第２
の形状を有する導電層９１８〜９２１およびゲート絶縁
膜９０６上に第１の層間絶縁膜９３７を形成する。第１
の層間絶縁膜９３７は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコ
ン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積
層膜で形成すれば良い。いずれにしても第１の層間絶縁
膜９３７は無機絶縁物材料から形成する。第１の層間絶
縁膜９３７の膜厚は１００〜２００nmとする。第１の層
間絶縁膜９３７として酸化シリコン膜を用いる場合に
は、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳとＯ₂とを混合し、反
応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周
波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm²で放
電させて形成することができる。また、第１の層間絶縁
膜９３７として酸化窒化シリコン膜を用いる場合には、
プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、ＮＨ₃から作製さ
れる酸化窒化シリコン膜、またはＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作
製される酸化窒化シリコン膜で形成すれば良い。この場
合の作製条件は反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板温度３
００〜４００℃とし、高周波（６０MHz）電力密度０．
１〜１．０W/cm²で形成することができる。また、第１
の層間絶縁膜９３７としてＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、Ｈ₂から作
製される酸化窒化水素化シリコン膜を適用しても良い。
窒化シリコン膜も同様にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、
ＮＨ₃から作製することが可能である。

【０２６０】そして、それぞれの濃度で添加されたｎ型
またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行
う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニー
ル法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラ
ピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用すること
ができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、
好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜
７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであ
り、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。
また、基板５０１に耐熱温度が低いプラスチック基板を
用いる場合にはレーザーアニール法を適用することが好
ましい。

【０２６１】活性化の工程に続いて、雰囲気ガスを変化
させ、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜
４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水
素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素
により半導体層にある１０¹⁶〜１０¹⁸/cm³のダングリン
グボンドを終端する工程である。水素化の他の手段とし
て、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を
用いる）を行っても良い。いずれにしても、半導体層９
０２〜９０５中の欠陥密度を１０¹⁶/cm³以下とすること
が望ましく、そのために水素を０．０１〜０．１atomic
％程度付与すれば良い。

【０２６２】そして、有機絶縁物材料からなる第２の層
間絶縁膜９３９を１．０〜２．０μｍの平均膜厚で形成
する。有機樹脂材料としては、ポリイミド、アクリル、
ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロ
ブテン）等を使用することができる。例えば、基板に塗
布後、熱重合するタイプのポリイミドを用いる場合に
は、クリーンオーブンで３００℃で焼成して形成する。
また、アクリルを用いる場合には、２液性のものを用
い、主材と硬化剤を混合した後、スピナーを用いて基板
全面に塗布した後、ホットプレートで８０℃で６０秒の
予備加熱を行い、さらにクリーンオーブンで２５０℃で
６０分焼成して形成することができる。

【０２６３】このように、第２の層間絶縁膜９３９を有
機絶縁物材料で形成することにより、表面を良好に平坦
化させることができる。また、有機樹脂材料は一般に誘
電率が低いので、寄生容量を低減できる。しかし、吸湿
性があり保護膜としては適さないので、本実施例のよう
に、第１の層間絶縁膜９３７として形成した酸化シリコ
ン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などと組み
合わせて用いると良い。

【０２６４】その後、所定のパターンのレジストマスク
を形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域ま
たはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクト
ホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチン
グ法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ₄、
Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹脂材料から成る第２
の層間絶縁膜９３９をまずエッチングし、その後、続い
てエッチングガスをＣＦ ₄、Ｏ₂として第１の層間絶縁膜
９３７をエッチングする。さらに、半導体層との選択比
を高めるために、エッチングガスをＣＨＦ₃に切り替え
て第３の形状のゲート絶縁膜５７０をエッチングするこ
とによりコンタクトホールを形成することができる。

【０２６５】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、ソース配線９４０〜９４３とドレ
イン配線９４４〜９４６を形成する。図示していない
が、本実施例ではこの配線を、そして、膜厚５０ｎｍの
Ｔｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合
金膜）との積層膜で形成した。

【０２６６】次いで、その上に透明導電膜を８０〜１２
０nmの厚さで形成し、パターニングすることによって画
素電極９４７を形成する（図２２（Ａ））。なお、本実
施例では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。

【０２６７】また、画素電極９４７は、ドレイン配線９
４６と接して重ねて形成することによって駆動用ＴＦＴ
のドレイン領域と電気的な接続が形成される。

【０２６８】次に、図２２（Ｂ）に示すように、画素電
極９４７に対応する位置に開口部を有する第３の層間絶
縁膜９４９を形成する。第３の層間絶縁膜９４９は絶縁
性を有していて、バンクとして機能し、隣接する画素の
有機発光層を分離する役割を有している。本実施例では
レジストを用いて第３の層間絶縁膜９４９を形成する。

【０２６９】本実施例では、第３の層間絶縁膜９４９の
厚さを１μｍ程度とし、開口部は画素電極９４７に近く
なればなるほど広くなる、所謂逆テーパー状になるよう
に形成する。これはレジストを成膜した後、開口部を形
成しようとする部分以外をマスクで覆い、ＵＶ光を照射
して露光し、露光された部分を現像液で除去することに
よって形成される。

【０２７０】本実施例のように、第３の層間絶縁膜９４
９を逆テーパー状にすることで、後の工程において有機
発光層を成膜した時に、隣り合う画素同士で有機発光層
が分断されるため、有機発光層と、第３の層間絶縁膜９
４９の熱膨張係数が異なっていても、有機発光層がひび
割れたり、剥離したりするのを抑えることができる。

【０２７１】なお、本実施例においては、第３の層間絶
縁膜としてレジストでなる膜を用いているが、場合によ
っては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ
（ベンゾシクロブテン）、酸化珪素膜等を用いることも
できる。第３の層間絶縁膜９４９は絶縁性を有する物質
であれば、有機物と無機物のどちらでも良い。

【０２７２】次に、有機発光層９５０を蒸着法により形
成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）９５１お
よび保護電極９５２を形成する。このとき有機発光層９
５０及び陰極９５１を形成するに先立って画素電極９４
７に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくこ
とが望ましい。なお、本実施例ではＯＬＥＤの陰極とし
てＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他の材料であっても
良い。

【０２７３】なお、有機発光層９５０としては、公知の
材料を用いることができる。本実施例では正孔輸送層
（Hole transporting layer）及び発光層（Emitting la
yer）でなる２層構造を有機発光層とするが、正孔注入
層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける
場合もある。このように組み合わせは既に様々な例が報
告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。

【０２７４】本実施例では正孔輸送層としてポリフェニ
レンビニレンを蒸着法により形成する。また、発光層と
しては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−オキサ
ジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分散させ
たものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてク
マリン６を約１％添加している。

【０２７５】また、保護電極９５２でも有機発光層９５
０を水分や酸素から保護することは可能であるが、さら
に好ましくは保護膜９５３を設けると良い。本実施例で
は保護膜９５３として３００ｎｍ厚の窒化珪素膜を設け
る。この保護膜も保護電極９５２の後に大気解放しない
で連続的に形成しても構わない。

【０２７６】また、保護電極９５２は陰極９５１の劣化
を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金
属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、
有機発光層９５０、陰極９５１は非常に水分に弱いの
で、保護電極９５２までを大気解放しないで連続的に形
成し、外気から有機発光層を保護することが望ましい。

【０２７７】なお、有機発光層９５０の膜厚は１０〜４
００[nm]（典型的には６０〜１５０[nm]）、陰極９５１
の厚さは８０〜２００[nm]（典型的には１００〜１５０
[nm]）とすれば良い。

【０２７８】こうして図２２（Ｂ）に示すような構造の
発光装置が完成する。なお、画素電極９４７、有機発光
層９５０、陰極９５１の重なっている部分９５４がＯＬ
ＥＤに相当する。

【０２７９】ｐチャネル型ＴＦＴ９６０及びｎチャネル
型ＴＦＴ９６１は駆動回路が有するＴＦＴであり、ＣＭ
ＯＳを形成している。スイッチング用ＴＦＴ９６２及び
駆動用ＴＦＴ９６３は画素部が有するＴＦＴであり、駆
動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成
することができる。

【０２８０】なお、ＯＬＥＤを用いた発光装置の場合、
駆動回路の電源の電圧が５〜６Ｖ程度、最大でも１０Ｖ
程度で十分なので、ＴＦＴにおいてホットエレクトロン
による劣化があまり問題にならない。また駆動回路を高
速で動作させる必要があるので、ＴＦＴのゲート容量は
小さいほうが好ましい。よって、本実施例のように、Ｏ
ＬＥＤを用いた発光装置の駆動回路では、ＴＦＴの半導
体層が有する第２の不純物領域９２９と、第４の不純物
領域９３３ｂとが、それぞれゲート電極９１８、９１９
と重ならない構成にするのが好ましい。

【０２８１】本発明の発光装置の作製方法は、本実施例
において説明した作製方法に限定されない。本発明の発
光装置は公知の方法を用いて作製することが可能であ
る。

【０２８２】なお本実施例は、実施例１〜９と自由に組
み合わせて実施することが可能である。

【０２８３】（実施例１１）本実施例では、実施例１０
とは異なる発光装置の作製方法について説明する。

【０２８４】第２の層間絶縁膜９３９を形成するまでの
工程は、実施例５と同じである。図２３（Ａ）に示すよ
うに、第２の層間絶縁膜９３９を形成した後、第２の層
間絶縁膜９３９に接するように、パッシベーション膜９
３９を形成する。

【０２８５】パッシベーション膜９３９は、第２の層間
絶縁膜９３９に含まれる水分が、画素電極９４７や、第
３の層間絶縁膜９８２を介して、有機発光層９５０に入
るのを防ぐのに効果的である。第２の層間絶縁膜９３９
が有機樹脂材料を有している場合、有機樹脂材料は水分
を多く含むため、パッシベーション膜９３９を設けるこ
とは特に有効である。

【０２８６】本実施例では、パッシベーション膜９３９
として、窒化珪素膜を用いた。

【０２８７】その後、所定のパターンのレジストマスク
を形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域ま
たはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクト
ホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチン
グ法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ₄、
Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹脂材料から成る第２
の層間絶縁膜９３９をまずエッチングし、その後、続い
てエッチングガスをＣＦ ₄、Ｏ₂として第１の層間絶縁膜
９３７をエッチングする。さらに、半導体層との選択比
を高めるために、エッチングガスをＣＨＦ₃に切り替え
て第３の形状のゲート絶縁膜５７０をエッチングするこ
とによりコンタクトホールを形成することができる。

【０２８８】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、ソース配線９４０〜９４３とドレ
イン配線９４４〜９４６を形成する。図示していない
が、本実施例ではこの配線を、そして、膜厚５０ｎｍの
Ｔｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合
金膜）との積層膜で形成した。

【０２８９】次いで、その上に透明導電膜を８０〜１２
０nmの厚さで形成し、パターニングすることによって画
素電極９４７を形成する（図２３（Ａ））。なお、本実
施例では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。

【０２９０】また、画素電極９４７は、ドレイン配線９
４６と接して重ねて形成することによって駆動用ＴＦＴ
のドレイン領域と電気的な接続が形成される。

【０２９１】次に、図２３（Ｂ）に示すように、画素電
極９４７に対応する位置に開口部を有する第３の層間絶
縁膜９８２を形成する。本実施例では、開口部を形成す
る際、ウエットエッチング法を用いることでテーパー形
状の側壁とした。実施例５に示した場合と異なり、第３
の層間絶縁膜９８２上に形成される有機発光層は分断さ
れないため、開口部の側壁が十分になだらかでないと段
差に起因する有機発光層の劣化が顕著な問題となってし
まうため、注意が必要である。

【０２９２】なお、本実施例においては、第３の層間絶
縁膜９８２として酸化珪素でなる膜を用いているが、場
合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、Ｂ
ＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機樹脂膜を用い
ることもできる。

【０２９３】そして、第３の層間絶縁膜９８２上に有機
発光層９５０を形成する前に、第３の層間絶縁膜９８２
の表面にアルゴンを用いたプラズマ処理を施し、第３の
層間絶縁膜９８２の表面を緻密化しておくのが好まし
い。上記構成によって、第３の層間絶縁膜９８２から有
機発光層９５０に水分が入るのを防ぐことができる。

【０２９４】次に、有機発光層９５０を蒸着法により形
成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）９５１お
よび保護電極９５２を形成する。このとき有機発光層９
５０及び陰極９５１を形成するに先立って画素電極９４
７に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくこ
とが望ましい。なお、本実施例ではＯＬＥＤの陰極とし
てＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他の材料であっても
良い。

【０２９５】なお、有機発光層９５０としては、公知の
材料を用いることができる。本実施例では正孔輸送層
（Hole transporting layer）及び発光層（Emitting la
yer）でなる２層構造を有機発光層とするが、正孔注入
層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける
場合もある。このように組み合わせは既に様々な例が報
告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。

【０２９６】本実施例では正孔輸送層としてポリフェニ
レンビニレンを蒸着法により形成する。また、発光層と
しては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−オキサ
ジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分散させ
たものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてク
マリン６を約１％添加している。

【０２９７】また、保護電極９５２でも有機発光層９５
０を水分や酸素から保護することは可能であるが、さら
に好ましくは保護膜９５３を設けると良い。本実施例で
は保護膜９５３として３００ｎｍ厚の窒化珪素膜を設け
る。この保護膜も保護電極９５２の後に大気解放しない
で連続的に形成しても構わない。

【０２９８】また、保護電極９５２は陰極９５１の劣化
を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金
属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、
有機発光層９５０、陰極９５１は非常に水分に弱いの
で、保護電極９５２までを大気解放しないで連続的に形
成し、外気から有機発光層を保護することが望ましい。

【０２９９】なお、有機発光層９５０の膜厚は１０〜４
００[nm]（典型的には６０〜１５０[nm]）、陰極９５１
の厚さは８０〜２００[nm]（典型的には１００〜１５０
[nm]）とすれば良い。

【０３００】こうして図２３（Ｂ）に示すような構造の
発光装置が完成する。なお、画素電極９４７、有機発光
層９５０、陰極９５１の重なっている部分９５４がＯＬ
ＥＤに相当する。

【０３０１】ｐチャネル型ＴＦＴ９６０及びｎチャネル
型ＴＦＴ９６１は駆動回路が有するＴＦＴであり、ＣＭ
ＯＳを形成している。スイッチング用ＴＦＴ９６２及び
駆動用ＴＦＴ９６３は画素部が有するＴＦＴであり、駆
動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成
することができる。

【０３０２】本発明の発光装置の作製方法は、本実施例
において説明した作製方法に限定されない。本発明の発
光装置は公知の方法を用いて作製することが可能であ
る。

【０３０３】なお本実施例は、実施例１〜９と自由に組
み合わせて実施することが可能である。

【０３０４】（実施例１２）本発明の電子機器に用いら
れる発光装置は自発光型であるため、液晶ディスプレイ
に比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。
従って、様々な電子機器の表示部に用いることができ
る。

【０３０５】本発明の電子機器として、ビデオカメラ、
デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウ
ントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再
生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノー
ト型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端
末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機
または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置
（具体的にはＤＶＤ：Digital Versatile Disc）等の記
録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを
備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画
面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重
要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。そ
れら電子機器の具体例を図２４に示す。

【０３０６】図２４（Ａ）は本発明の有機発光表示装置
であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００
３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等
を含む。本発明の発光装置は表示部２００３に用いるこ
とができる。発光装置は自発光型であるためバックライ
トが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とす
ることができる。なお、有機発光表示装置は、パソコン
用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示
用表示装置が含まれる。

【０３０７】図２４（Ｂ）は本発明のデジタルスチルカ
メラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２
１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、
シャッター２１０６等を含む。本発明の発光装置は表示
部２１０２に用いることができる。

【０３０８】図２４（Ｃ）は本発明のノート型パーソナ
ルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、
表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート
２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本
発明の発光装置は表示部２２０３に用いることができ
る。

【０３０９】図２４（Ｄ）は本発明のモバイルコンピュ
ータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ
２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等
を含む。本発明の発光装置は表示部２３０２に用いるこ
とができる。

【０３１０】図２４（Ｅ）は記録媒体を備えた本発明の
携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０
３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み
部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７
等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示
し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示する
が、本発明の発光装置はこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、
２４０４に用いることができる。なお、記録媒体を備え
た画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。

【０３１１】図２４（Ｆ）は本発明のゴーグル型ディス
プレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２
５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本
発明の発光装置は表示部２５０２に用いることができ
る。

【０３１２】図２４（Ｇ）は本発明のビデオカメラであ
り、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外
部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像
部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０
８、操作キー２６０９等を含む。本発明の発光装置は表
示部２６０２に用いることができる。

【０３１３】ここで図２４（Ｈ）は本発明の携帯電話で
あり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、
音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２
７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等
を含む。本発明の発光装置は表示部２７０３に用いるこ
とができる。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色
の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えるこ
とができる。

【０３１４】なお、将来的に有機発光材料の発光輝度が
高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡
大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクター
に用いることも可能となる。

【０３１５】また、上記電子機器はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機発光材料の応
答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好まし
い。

【０３１６】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。

【０３１７】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電子機器は実施例１〜１１に示し
たいずれの構成の発光装置を用いても良い。

【０３１８】

【発明の効果】本発明は上記構成によって、有機発光層
が劣化してもＯＬＥＤの輝度の低下を抑えることがで
き、その結果鮮明な画像を表示することができる。ま
た、各色毎に対応したＯＬＥＤを用いたカラー表示の発
光装置の場合、ＯＬＥＤの有機発光層が、対応する色に
ごとに異なる速度で劣化しても、各色の輝度のバランス
が崩れるのを防いで所望の色を表示することができる。

【０３１９】また、有機発光層の温度は、外気温やＯＬ
ＥＤパネル自身が発する熱等に左右されても、ＯＬＥＤ
の輝度が変化するのを抑えることができ、また温度の上
昇に伴って消費電力が大きくなるのを防ぐことができ
る。また、カラー表示の発光装置の場合、温度変化に左
右されずに各色のＯＬＥＤの輝度の変化を抑えることが
できるので、各色の輝度のバランスが崩れるのを防ぐこ
とができ、所望の色を表示することができる。

【０３２０】なお本明細書で示した補正回路は、補正回
路が有する各々の回路において、デジタル量とアナログ
量のどちらを用いて処理を行っていても良い。そして、
Ａ／Ｄ変換回路やＤ／Ａ変換回路をどの回路の後段に設
けるかは、設計者が任意に決めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の発光装置のブロック図。

【図２】定電流駆動または定電圧駆動時における、劣
化による輝度の変化。

【図３】有機発光層の温度による電流の変化。

【図４】本発明の発光装置の画素回路図。

【図５】補正回路のブロック図。

【図６】補正回路のブロック図。

【図７】偏差電流と補正電圧の関係図。

【図８】補正回路のブロック図。

【図９】本発明の発光装置の駆動方法を示す図。

【図１０】本発明の発光装置の画素回路図。

【図１１】本発明の発光装置の駆動方法を示す図。

【図１２】画素数カウンタ回路のブロック図。

【図１３】パルスカウンタ用メモリの動作を示す図。

【図１４】補正回路のブロック図。

【図１５】電圧値計算回路のブロック図。

【図１６】駆動回路のブロック図。

【図１７】本発明の発光装置の外観図。

【図１８】本発明の発光装置の外観図。

【図１９】補正による電圧の変化。

【図２０】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図２１】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図２２】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図２３】本発明の発光装置の作製方法を示す図。

【図２４】本発明の発光装置を用いた電子機器の図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｐ６４２６４２Ｃ６４２Ｐ６７０６７０ＪＨ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光素子を有する発光装置であって、前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる電
流を測定する手段と、ビデオ信号を用いて、前記発光素子の第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流の、基準となる値を算出する手
段と、前記測定により得られる電流値が、前記基準となる電流
値に近づくように、前記発光素子が有する第１の電極と
第２の電極の間の電圧を補正する手段とを有することを
特徴とする発光装置。
【請求項２】発光素子を有する発光装置であって、前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる電
流を測定する手段と、ビデオ信号を用いて、前記発光素子の第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流の、基準となる値を算出する手
段と、前記測定した電流値と、前記基準となる電流値の偏差を
算出する手段と、前記偏差から、前記発光素子が有する第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流が前記基準となる電流値に近づ
くような、前記発光素子が有する第１の電極と第２の電
極の間の電圧値を算出する手段と、前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の間の電
圧を、前記算出された電圧値に近づくように補正する手
段とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】発光素子を有する発光装置であって、前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる電
流を測定する手段と、ビデオ信号を用いて、前記発光素子の第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流の、基準となる値を算出する手
段と、前記測定により得られる電流値が、前記基準となる電流
値に近づくように、前記発光素子が有する第１の電極と
第２の電極の間の電圧を補正する手段とを有し、前記測定により得られる電流値と前記基準となる電流値
の偏差が一定の幅で変化するごとに、前記測定により得
られる電流値が一定の幅で変化することを特徴とする発
光装置。
【請求項４】発光素子を有する発光装置であって、前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる電
流を測定する手段と、ビデオ信号を用いて、前記発光素子の第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流の、基準となる値を算出する手
段と、前記測定した電流値と、前記基準となる電流値の偏差を
算出する手段と、前記偏差から、前記発光素子が有する第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流が前記基準となる電流値に近づ
くような、前記発光素子が有する第１の電極と第２の電
極の間の電圧値を算出する手段と、前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の間の電
圧を、前記算出された電圧値に近づくように補正する手
段とを有し、前記偏差が一定の幅で変化するごとに、前記算出された
電圧値が一定の大きさで変化することを特徴とする発光
装置。
【請求項５】発光素子を有する画素が複数設けられた発
光装置であって、全ての前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流
れる電流の合計を測定する手段と、ビデオ信号を用いて、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計の、基準となる値
を算出する手段と、前記測定により得られる合計の電流値が、前記基準とな
る合計の電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を補正する手
段とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】発光素子を有する画素が複数設けられた発
光装置であって、全ての前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流
れる電流の合計を測定する手段と、ビデオ信号を用いて、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計の、基準となる値
を算出する手段と、前記測定した合計の電流値と、前記基準となる合計の電
流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、全ての前記発光素子の第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流の合計が、前記基準となる合計
の電流値に近づくような、全ての前記発光素子が有する
第１の電極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段
と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように補正
する手段とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】発光素子を有する画素が複数設けられた発
光装置であって、全ての前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流
れる電流の合計を測定する手段と、ビデオ信号を用いて、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計の、基準となる値
を算出する手段と、前記測定により得られる合計の電流値が、前記基準とな
る合計の電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を補正する手
段とを有し、前記測定により得られる合計の電流値と前記基準となる
合計の電流値の偏差が一定の幅で変化するごとに、前記
測定により得られる合計の電流値が一定の幅で変化する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項８】発光素子を有する画素が複数設けられた発
光装置であって、全ての前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流
れる電流の合計を測定する手段と、ビデオ信号を用いて、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計の、基準となる値
を算出する手段と、前記測定した合計の電流値と、前記基準となる合計の電
流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、全ての前記発光素子の第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流の合計が、前記基準となる合計
の電流値に近づくような、全ての前記発光素子が有する
第１の電極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段
と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように補正
する手段とを有し、前記偏差が一定の幅で変化するごとに、前記算出された
電圧値が一定の大きさで変化することを特徴とする発光
装置。
【請求項９】発光素子を有する画素が複数設けられた発
光装置であって、全ての前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流
れる電流の合計を測定する手段と、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値が、前記発光す
る各発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる基
準となる電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を補正する手
段とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】発光素子を有する画素が複数設けられた
発光装置であって、全ての前記発光素子の、第１の電極と第２の電極の間に
流れる電流の合計を測定する手段と、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値と、前記発光す
る各発光素子の、第１の電極と第２の電極の間に流れる
基準となる電流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、前記発光する各発光素子の第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流が、前記基準となる電流値
に近づくような、全ての前記発光素子が有する第１の電
極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように補正
する手段とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】発光素子を有する画素が複数設けられた
発光装置であって、全ての前記発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流
れる電流の合計を測定する手段と、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値が、前記発光す
る各発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる基
準となる電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を補正する手
段とを有し、前記発光する各発光素子の電流の測定値と前記基準とな
る電流値の偏差が一定の幅で変化するごとに、前記発光
する各発光素子の電流の測定値が一定の幅で変化するこ
とを特徴とする発光装置。
【請求項１２】発光素子を有する画素が複数設けられた
発光装置であって、全ての前記発光素子の、第１の電極と第２の電極の間に
流れる電流の合計を測定する手段と、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値と、前記発光す
る各発光素子の、第１の電極と第２の電極の間に流れる
基準となる電流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、前記発光する各発光素子の第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流が、前記基準となる電流値
に近づくような、全ての前記発光素子が有する第１の電
極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように補正
する手段とを有し、前記偏差が一定の幅で変化するごとに、前記算出された
電圧値が一定の大きさで変化することを特徴とする発光
装置。
【請求項１３】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、ビデオ信号を用いて、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計の、基準となる値
を算出する手段と、前記測定により得られる合計の電流値が、前記基準とな
る合計の電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を前記可変電
源によって補正する手段とを有することを特徴とする発
光装置。
【請求項１４】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、ビデオ信号を用いて、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計の、基準となる値
を算出する手段と、前記測定した合計の電流値と、前記基準となる合計の電
流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、全ての前記発光素子の第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流の合計が、前記基準となる合計
の電流値に近づくような、全ての前記発光素子が有する
第１の電極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段
と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように前記
可変電源によって補正する手段とを有することを特徴と
する発光装置。
【請求項１５】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、ビデオ信号を用いて、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計の、基準となる値
を算出する手段と、前記測定により得られる合計の電流値が、前記基準とな
る合計の電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を前記可変電
源によって補正する手段とを有し、前記測定により得られる合計の電流値と前記基準となる
合計の電流値の偏差が一定の幅で変化するごとに、前記
測定により得られる合計の電流値が一定の幅で変化する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１６】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、ビデオ信号を用いて、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計の、基準となる値
を算出する手段と、前記測定した合計の電流値と、前記基準となる合計の電
流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、全ての前記発光素子の第１の電極と第２
の電極の間に流れる電流の合計が、前記基準となる合計
の電流値に近づくような、全ての前記発光素子が有する
第１の電極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段
と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように前記
可変電源によって補正する手段とを有し、前記偏差が一定の幅で変化するごとに、前記算出された
電圧値が一定の大きさで変化することを特徴とする発光
装置。
【請求項１７】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値が、前記発光す
る各発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる基
準となる電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を前記可変電
源によって補正する手段とを有することを特徴とする発
光装置。
【請求項１８】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値と、前記発光す
る各発光素子の、第１の電極と第２の電極の間に流れる
基準となる電流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、前記発光する各発光素子の第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流が、前記基準となる電流値
に近づくような、全ての前記発光素子が有する第１の電
極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように前記
可変電源によって補正する手段とを有することを特徴と
する発光装置。
【請求項１９】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値が、前記発光す
る各発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる基
準となる電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を前記可変電
源によって補正する手段とを有し、前記発光する各発光素子の電流の測定値と前記基準とな
るの電流値の偏差が一定の幅で変化するごとに、前記発
光する各発光素子の電流の測定値が一定の幅で変化する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２０】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値と、前記発光す
る各発光素子の、第１の電極と第２の電極の間に流れる
基準となる電流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、前記発光する各発光素子の第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流が、前記基準となる電流値
に近づくような、全ての前記発光素子が有する第１の電
極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように前記
可変電源によって補正する手段とを有し、前記偏差が一定の幅で変化するごとに、前記算出された
電圧値が一定の大きさで変化することを特徴とする発光
装置。
【請求項２１】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部には、発光素子及び少なくとも１つのＴＦＴ
を有する画素が複数設けられ、前記ＴＦＴによって前記発光素子の発光が制御され、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値が、前記発光す
る各発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる基
準となる電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を前記可変電
源によって補正する手段とを有することを特徴とする発
光装置。
【請求項２２】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部には、発光素子及び少なくとも１つのＴＦＴ
を有する画素が複数設けられ、前記ＴＦＴによって前記発光素子の発光が制御され、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値と、前記発光す
る各発光素子の、第１の電極と第２の電極の間に流れる
基準となる電流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、前記発光する各発光素子の第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流が、前記基準となる電流値
に近づくような、全ての前記発光素子が有する第１の電
極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように前記
可変電源によって補正する手段とを有することを特徴と
する発光装置。
【請求項２３】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部には、発光素子及び少なくとも１つのＴＦＴ
を有する画素が複数設けられ、前記ＴＦＴによって前記発光素子の発光が制御され、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値が、前記発光す
る各発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる基
準となる電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を前記可変電
源によって補正する手段とを有し、前記発光する各発光素子の電流の測定値と前記基準とな
るの電流値の偏差が一定の幅で変化するごとに、前記発
光する各発光素子の電流の測定値が一定の幅で変化する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２４】画素部、補正回路、可変電源及び電流計
を有する発光装置であって、前記画素部には、発光素子及び少なくとも１つのＴＦＴ
を有する画素が複数設けられ、前記ＴＦＴによって前記発光素子の発光が制御され、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を算出し、前記発光する発光素子の数と、前記測定し
た合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の
測定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値と、前記発光す
る各発光素子の、第１の電極と第２の電極の間に流れる
基準となる電流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、前記発光する各発光素子の第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流が、前記基準となる電流値
に近づくような、全ての前記発光素子が有する第１の電
極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように前記
可変電源によって補正する手段とを有し、前記偏差が一定の幅で変化するごとに、前記算出された
電圧値が一定の大きさで変化することを特徴とする発光
装置。
【請求項２５】画素部、メモリを有する補正回路、可変
電源及び電流計を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を各ライン毎に算出し、それぞれ前記メモリに保持す
る手段と、前記メモリに保持されている各ライン毎の前記発光素子
の数から、発光する前記発光素子の数の合計を算出する
手段と、前記発光する前記発光素子の数の合計と、前記測定した
合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の測
定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値が、前記発光す
る各発光素子の第１の電極と第２の電極の間に流れる基
準となる電流値に近づくように、全ての前記発光素子が
有する第１の電極と第２の電極の間の電圧を前記可変電
源によって補正する手段とを有することを特徴とする発
光装置。
【請求項２６】画素部、メモリを有する補正回路、可変
電源及び電流計を有する発光装置であって、前記画素部に発光素子を有する画素が複数設けられてお
り、前記電流計によって、全ての前記発光素子の第１の電極
と第２の電極の間に流れる電流の合計が測定され、前記補正回路は、デジタルビデオ信号を用いて、発光する前記発光素子の
数を各ライン毎に算出し、それぞれ前記メモリに保持す
る手段と、前記メモリに保持されている各ライン毎の前記発光素子
の数から、発光する前記発光素子の数の合計を算出する
手段と、前記発光する前記発光素子の数の合計と、前記測定した
合計の電流値から、前記発光する各発光素子の電流の測
定値を算出する手段と、前記発光する各発光素子の電流の測定値と、前記発光す
る各発光素子の、第１の電極と第２の電極の間に流れる
基準となる電流値の偏差を算出する手段と、前記偏差から、前記発光する各発光素子の第１の電極と
第２の電極の間に流れる電流が、前記基準となる電流値
に近づくような、全ての前記発光素子が有する第１の電
極と第２の電極の間の電圧値を算出する手段と、全ての前記発光素子が有する第１の電極と第２の電極の
間の電圧を、前記算出された電圧値に近づくように前記
可変電源によって補正する手段とを有することを特徴と
する発光装置。
【請求項２７】請求項１３乃至請求項２６のいずれか１
項において、前記可変電源、前記電流計及び前記補正回
路が、前記発光素子の対応する色ごとに設けられている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２８】請求項１３乃至請求項２７のいずれか１
項において、前記発光素子が形成されている第１の基板
上に、前記補正回路または電流計が形成されている第２
の基板が取り付けられていることを特徴とする発光装
置。
【請求項２９】請求項１３乃至請求項２７のいずれか１
項において、前記発光素子が形成されている第１の基板
上に、前記補正回路または電流計が形成されている第２
の基板がＣＯＧ法により取り付けられていることを特徴
とする発光装置。
【請求項３０】請求項１３乃至請求項２７のいずれか１
項において、前記発光素子が形成されている第１の基板
上に、前記補正回路または電流計が形成されている第２
の基板がワイヤボンディング法により取り付けられてい
ることを特徴とする発光装置。
【請求項３１】請求項１乃至請求項３０のいずれか１項
において、前記発光装置を用いることを特徴とする電子
機器。