CN100505295C - 平板显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种平板显示器及其制造方法。在一个实施例中，平板显示器包括：基底；多个像素，形成在基底上；光共振层，形成在于像素上。每个像素包括分别发射红光、绿光和蓝光的子像素。光共振层包括两层或两层以上的层，并且光共振层的厚度根据从子像素发射的光的颜色而改变。

Description

平板显示器及其制造方法
本申请要求于2005年7月13日在韩国知识产权局提交的第10-2005-0063272号韩国专利申请的权益，其公开通过引用被完全包含于此。
技术领域
本发明涉及一种平板显示器及其制造方法，更具体地讲，本发明涉及一种在提供提高的亮度和外部光耦合效率(external light coupling efficiency)的同时易于制造的平板显示器及其制造方法。
背景技术
平板显示器的外部光耦合效率ηex可如下面的等式1所示。
ηex＝ηin·ηout           (等式1)
其中，ηin和ηout分别是内部光耦合效率(internal light coupling efficiency)和输出耦合效率(output coupling efficiency)。
内部光耦合效率ηin通过平板显示器各层中的自破坏性光(self-destructivelight)确定，输出耦合效率ηout通过所述各层之间的全反射确定。全反射是当光以高于临界入射角的角度从高折射层向低折射层传播时光被全部反射的现象。
在平板显示器的情况下，从发射层发射的光穿过许多层，直到光被输出到显示器的外部。因此，由于每层的折射率导致可存在不能被输出到外部的光。
在等式1中，当考虑各层之间的全反射时，从发射层向外部发射的光的光透射效率ηout可如下面的等式2表示。
ηout＝(1/2)(Nout/Nin)2       (等式2)
其中，N是各层的折射率。
当光从折射率为大约1.5的层向折射率为大约1.2的层传播时，根据等式2可以计算出光透射效率为32％。即，可以看出，在传播到多层时，损失了入射到两层之间的界面上的光的大约70％。
已经做了很多尝试来防止外部光耦合效率的下降。
上述尝试的示例是增加供给电压，从而提高亮度。然而，这种方法需要大容量的电池，并且因此与重量轻相矛盾。这种方法也缩短了显示器中电池和像素的寿命。因此，随后的现有技术已经建议在降低供给电压的同时提高亮度。
第HEI 4-192290号日本特许公报公开了一种无机电致发光(EL)装置，在该无机电致发光装置中，无机EL器件形成在透明基底上，其尺寸等于或大于无机EL器件的尺寸的多个聚光微透镜形成在透明基底的外表面上。光以大于临界角的角度入射在透明基底和空气之间的界面上，并且其入射角在微透镜中减小到临界角以下，从而减少了全反射。另外，光在给定方向上输出，从而提高了在给定方向上的亮度。然而，由于EL器件是表面光源，所以它不可避免地产生不期望的漫射的EL光而不是聚集的EL光。另外，来自相邻EL器件的图像彼此叠置，从而降低了图像清晰度。
第HEI 7-037688号日本特许公报公开了一种EL器件，该EL器件形成在包括高折射部分的基底上，所述高折射部分由比外围部分的折射率高的折射材料形成。从EL器件发射的光通过高折射部分输出，从而提高外部光耦合效率。已经穿过高折射部分的EL光如该公报的图1中所示被漫射。因此，不能显著地提高前亮度(front brightness)。
第HEI 10-172756号日本特许公报公开了一种有机EL装置，在该有机EL装置中，一个或多个聚光透镜形成在构成有机EL器件的下电极和透明基底的外表面之间，有机EL器件与聚光透镜对应地设置。从有机EL发射并且已经穿过聚光透镜的光以小于临界角的角度入射到透明基底和空气之间的界面上，从而提高了外部光耦合效率。然而，来自相邻EL器件的图像彼此叠置，从而降低了图像清晰度。
发明内容
本发明的一方面提供了一种平板显示器及其制造方法，该平板显示器在提供提高的亮度和外部光耦合效率的同时易于制造。
本发明的另一方面提供了一种平板显示器，该平板显示器包括：基底；多个像素，形成在基底上，每个像素包括分别发射红光、绿光和蓝光的三个子像素；光共振层，形成在子像素上，其中，光共振层包括两层或两层以上的层，并且光共振层的厚度根据从子像素发射的光的颜色而改变。
光共振层可包括一层或一层以上的低折射层以及一层或一层以上的与低折射层交替的高折射层。
光共振层可包括第一层和第二层。
第一层可比第二层靠近子像素，并且第一层的折射率可比第二层的折射率低。
第一层的厚度可为(nλ)/2，其中，n是正整数，λ是从子像素发射的光的波长。
第二层的厚度可为(2m+1)λ/4，其中，m是正整数，λ是从子像素发射的光的波长。
子像素可包括有机发光器件。
从子像素发射的光可从子像素向上发射。
本发明的又一方面提供了一种制造平板显示器的方法，所述方法包括的步骤为：制备基底；在基底上形成多个子像素；在子像素上形成包括两层或两层以上的层的光共振层，光共振层的厚度根据子像素而改变。
光共振层的形成步骤可包括：在子像素上形成第一层；蚀刻第一层，以使第一层的厚度根据子像素而改变；形成覆盖第一层的第二层。
可选地，光共振层的形成步骤可包括：在子像素上形成第一层；蚀刻第一层，以使第一层的厚度根据子像素而改变；形成覆盖第一层的第二层；重复两次或两次以上的第一层的形成步骤、第一层的蚀刻步骤以及第二层的形成步骤。
发明的又一方面提供了一种平板显示器，包括：i)基底；ii)多个像素，形成在基底上，其中，每个像素包括多个子像素，每个子像素发射不同颜色的光；iii)亮度控制层，形成在子像素上，其中，亮度控制层包括第一层和第二层，其中，第一层和第二层中的至少一层的厚度根据从各个子像素发射的光的波长而改变，从而控制发射光的亮度。
发明的又一方面提供了一种使用平板显示器的方法，包括：i)设置第一电极和第二电极；ii)在所述电极之间设置多个像素，其中，每个像素包括多个子像素；iii)来自子像素的不同颜色的光向第一电极和第二电极中的至少一个发射；iv)通过使用形成在两个电极中的至少一个上的多层，在与第一电极和第二电极中的至少一个的表面大致垂直的方向上引导大量的发射光，其中，两个相邻的层具有基本不同的折射率。
附图说明
将参照附图来描述本发明的实施例。
图1是根据本发明实施例的平板显示器的示意性剖视图。
图2是根据本发明另一实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
图3是根据本发明修改的实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
图4是根据本发明又一修改的实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
图5是根据本发明又一修改的实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
图6是根据本发明又一实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
图7是根据本发明又一实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
图8是根据本发明又一实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
具体实施方式
现在，将参照附图来更充分地描述本发明的实施例，附图中示出了发明的示例性实施例。在下面的描述中，应该注意，当层被表示为在另一层或基底“上”时，该层可直接位于所述另一层或基底上，或者也可存在中间层。
图1是根据本发明实施例的平板显示器(为了方便起见，示出了有机发光显示器)的示意性剖视图。
参照图1，有机发光显示器包括形成在基底102上的多个像素。各像素包括分别发射红光、绿光和蓝光的R/G/B子像素。子像素可包括EL器件，该EL器件可包括至少一个薄膜晶体管(TFT)。
有机发光显示器根据每个像素中发射的控制方式的类型可分为无源矩阵(PM)有机发光显示器和有源矩阵(AM)有机发光显示器。为了方便起见，将基于AM有机发光显示器来进行描述。
EL器件包括：第一电极131，形成在基底102上方；第二电极134，形成在第一电极131上方，并面对第一电极131；中间层133，形成在第一电极131和第二电极134之间。中间层133包括发射层。在一个实施例中，第一电极131设置有至少一个TFT，并且如果必要，还可设置有电容器。
基底102可由透明玻璃或塑料材料例如亚克力(acryl)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酯和聚酯薄膜形成。由SiO2形成的缓冲层(未示出)可形成在基底102上，以保持基底102的表面平滑，并防止杂质渗透。
第一电极131和第二电极132可分别起到阳极和阴极的作用。可选地，第一电极131和第二电极134可分别起到阴极和阳极的作用。
在一个实施例中，有机发光显示器是向第二电极134发射光的前发射式有机发光显示器。因此，第一电极131和第二电极134分别是反射电极和透射电极。因此，第一电极131可被构造为包括：反射层，采用从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其组合组成的组中选择的一种形成；采用ITO、IZO、ZnO或In2O3在反射层上形成的层。第一电极131可与子像素对应设置。第二电极134可被构造为包括：i)采用下面的Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al和Mg中的至少一种在中间层133上沉积的层；ii)辅助电极(或汇流电极线)，采用透明电极材料例如ITO、IZO、ZnO或In2O3在沉积层上形成。第二电极134可与所有像素对应设置。
与第一电极131连接的TFT包括：半导体层122；栅极绝缘层123，形成在半导体层122上；栅电极124，形成在栅极绝缘层123上。栅电极124与用于供给TFT导通/截止信号的栅极线(未示出)连接。形成栅电极124的区域与半导体层122的沟道区对应。明显的是，TFT不限于上述结构，而是可以为各种TFT，例如有机TFT。
中间绝缘层125形成在栅电极124上，源电极126和漏电极127形成为分别通过接触孔与半导体层122的源区和漏区接触。
采用SiO2在源电极126和漏电极127上形成平坦化层或钝化层128，采用绝缘材料例如亚克力或者聚酰亚胺在平坦化层128上形成像素限定层129。
尽管在图1中未示出，但是至少一个电容器可与TFT连接。明显的是，包括上述TFT的电路不限于图1中示出的电路，而是可以以各种形式修改。
漏电极127与EL器件连接。用作EL器件的阳极的第一电极131形成在平坦化层128上，像素限定层129形成在所得结构上，包括发射层的中间层133形成在对像素限定层129设置的开口中。在图1中，为了方便描述每个子像素的结构，示出了仅与子像素对应地被图案化的中间层133。然而，很明显，中间层133可以与相邻子像素的中间层形成为一体。
中间层133可由有机材料或者无机材料形成。形成中间层133的有机材料可为低分子有机材料或者高分子有机材料。当中间层133由低分子有机材料形成时，中间层133可形成为单层结构或者包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的多层结构。低分子有机材料可为铜酞菁(CuPc)、N，N′-二(1-萘基)-N，N′-联苯-联苯胺(NPB)(N，N′-Di(naphthalene-1-yl)-N，N′-diphenyl-benzidine)或者三-8-羟基喹啉铝(AlQ3)。这些低分子量有机材料可通过真空沉积形成。
当中间层133由高分子量有机材料形成时，中间层133可包括HTL和EML。此时，HTL可由聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT)形成，EML可由聚对苯乙炔(PPV)或者聚芴基高分子量有机材料形成。
明显的是，中间层133的上述结构和材料可以以各种形式改进，并且可同等地应用到下面实施例中的至少一个上。
形成在基底102上的EL器件通过相对构件(未示出)密封。与基底102相同，所述相对构件可由玻璃或者塑料材料形成。可选地，相对构件可由金属冒形成。
光共振层可形成在子像素上。在一个每个子像素包括EL器件的实施例中，光共振层121形成在第二电极134上，如图1中所示。明显的是，还可在第二电极134上形成附加层。在这种情况下，明显的是，光共振层121可形成在附加层之间的任何位置。这种结构可等同地应用到下面实施例中的至少一个上。
光共振层121可包括两个或两个以上的层1211和1212，层1211和1212的厚度可根据从发射层发射的光的波长而改变。光共振层121可包括高折射层和与高折射层交替的低折射层。这里，高折射率或低折射率表示包含在光共振层121中的层的相对折射率。这种结构可等同地应用到剩余实施例中的至少一个上。在一个实施例中，光共振层121包括第一层(即，层1211)和第二层(即，层1212)。
在上述的结构中，比第二层1212更靠近子像素(具体地为第二电极134)的第一层1211的折射率比第二层1212的折射率低。在这种情况下，当从发射层发射的光向上传播时，所述光顺序地穿过低折射层(第一层1211)和高折射层(第二层1212)。结果，水平漫射的光可被聚集在显示器的中间(即，有机发光显示器的前面)，从而提高亮度。
现在，将详细描述从发射层发射的光的路径。在发射的光中，一些光(第一光束)穿过第一层1211和第二层1212而没有反射。相反，其它光(第二光束)在第一层1211(低折射层)和第二层1212(高折射层)之间的界面处被反射，在第一层1211和第一层1211下面的层之间的界面处被再次反射，接着穿过第一层1211和第二层1212。该光程差是第一层1211的厚度的两倍。因此，当第一层1211的厚度为t1时，光程差为2t1。第二光束具有与原始相位相同的相位。当光程差是波长的整数倍时，发生相长干涉。因此，当第一层1211的厚度t1满足下面的等式3时，发生相长干涉以提高亮度和外部光耦合效率。
t1＝(nλ)/2      (等式3)
其中，n是正整数，λ是从子像素发射的光的波长。
由于从各个子像素发射的光的波长彼此不同，所以通过根据发射光的波长将厚度t1调节为满足等式3可提高亮度和外部光耦合效率。
同时，在从发射层发射的光中，一些光(第三光束)穿过第一层1211和第二层1212而没有反射。相反，其它光(第四光束)在第二层1212的上表面上被反射，在第一层1211的下表面再次反射，接着穿过第一层1211和第二层1212。在这种情况下，当第一层1211和第二层1212的厚度分别是t1和t2时，光程差为2(t1+t2)。当第四光束在第二层1212的上表面被反射时，第四光束的相位改变180°。当光程差是半波长的奇倍数时，发生相长干涉。因此，当光程差满足下面的等式4时，发生相长干涉以提高亮度和外部光耦合效率。
2(t1+t2)＝(2k+1)λ/2      (等式4)
其中，k是正整数，λ是从子像素发射的光的波长。
可通过用等式3中的t1值代替等式4中的t1得到下面的等式5。
t2＝(2m+1)λ/4      (等式5)
其中，m是(k-n)，即正整数。
可通过将厚度t2调节为满足等式5来提高亮度和外部光耦合效率。此时，由于从各个子像素发射的光的波长彼此不同，所以第二层1212的厚度t2可根据发射光的波长被调节为满足等式5。
由于EL器件的各层通常具有大约为1.5的折射率，所以第一层1211(即，光共振层121的低折射层)可由折射率小于1.5的材料形成。在一个实施例中，因为第一层1211是介电层，并且因为折射率小于大约1.0的材料是金属，所以第一层1211由折射率大于大约1.0的材料形成。用于第一层1211的这种低折射材料可为下面物质中的至少一种，所述物质为：硅酸盐基复合材料(silicate matrix)、甲基硅氧烷聚合物、硅氧烷、Ti-O-Si、丙烯酸聚合物、环氧聚合物、氧化物(例如，SiO2、HfOX和AL2O3)和氟化物(例如MgF和CaF)。由于EL器件的各层通常具有大约1.5的折射率，所以第二层1212(即，光共振层121的高折射层)可由折射率大于大约1.5的材料形成。另外，可在这种情况下使用的具有最高折射率的介电材料是折射率为大约3.0的材料。因此，第二层1212可由折射率小于大约3.0的材料形成。用于第二层1212的这种高折射材料可为高折射颗粒(例如，SiNX、TiO2、Nb2O5或Ta2OX)分布在其中的溶胶凝胶材料。
此时，光共振层121的各个层1211和1212可与每个子像素或每个像素对应地形成，或者可与所有的像素形成为一体。在一个实施例中，如上所述，第一层1211和第二层1212的厚度可根据从各个子像素发射的光的波长而改变。
如图1中所示，光共振层121的第一层1211和第二层1212形成在基底102的整个表面的上方。清楚的是，例如，第一层和第二层可以以各种结构进行修改，如图2至图4中所示。参照图2，第一层1211和第二层1212与每个子像素对应地被图案化。参照图3，第一层1211与每个子像素对应地被图案化，而第二层1212形成在基底102的整个表面的上方。参照图4，第一层1211形成在基底102的整个表面的上方，而第二层1212与每个子像素对应地被图案化。在这些情况下，各个层的厚度也可被调节为满足等式3和等式5。
图5是根据本发明又一实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
参照图5，有机发光显示器包括形成在基底202上的多个像素。各像素包括分别发射红光、绿光和蓝光的R/G/B子像素。子像素可包括EL器件，该EL器件可包括至少一个TFT。
光共振层可形成在子像素上。在一个每个子像素包括EL器件的实施例中，光共振层221形成在EL器件的第二电极234上，如图5所示。在一个实施例中，光共振层221的厚度根据从子像素发射的光的波长而改变。即，光共振层221的厚度可被调节为使从每个子像素发射的光的外部光耦合效率最大化。
与图1中示出的实施例不同，光共振层221包括三个或三个以上的层2211、2212和2213，而不是两个或两个以上的层。此时，光共振层221可包括高折射层和与高折射层交替的低折射层。当光共振层221包括三个层2211、2212和2213时，最低层2211和最高层2213的折射率可低于位于这两层之间的层2212的折射率。
与图1中示出的实施例不同，低折射层2211和高折射层2212的作用是将水平漫射光聚集到有机发光显示器的前面。另外，低折射层2213位于高折射层2212上，从而在高折射层2212上发生光共振，因此提高外部亮度。在一个实施例中，低折射层和高折射层之间的折射率之差增大，从而有利于光共振。因此，当这种材料难于使用时，可通过设置具有包括三层或三层以上的层的多层结构的共振层来得到相同的效果。
图6是根据本发明又一实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
参照图6，有机发光显示器包括形成在基底302上的多个像素。各像素分别包括发射红光、绿光和蓝光的R/G/B子像素。子像素可包括无源矩阵EL器件。
光共振层可形成在子像素上。在一个每个子像素包括无源矩阵EL器件的实施例中，光共振层321形成在无源矩阵EL器件的第二电极334上，如图6所示。在一个实施例中，光共振层321的厚度可根据从子像素发射的光的波长而改变，以使从每个子像素发射的光的外部光耦合效率最大化。
与图1中示出的实施例不同，有机发光显示器是无源矩阵有机发光显示器。即，图1中的有机发光显示器包括对每个EL器件设置的至少一个TFT并且利用TFT来调节每个子像素的发光，而无源矩阵有机发光显示器利用以预定图案例如以带状图案形成的第二电极334和第一电极331来调节每个子像素的发光。
现在，将参照图6来简要描述根据一个实施例的无源矩阵EL器件的结构。
参照图6，第一电极331以预定图案(例如，带状图案)形成在基底302上。包括发射层的中间层333和第二电极334可顺序形成在第一电极331上。绝缘层332还可设置在第一电极331的行之间，第二电极334可以以与第一电极331的图案垂直的图案形成。尽管在图6中未示出，但是为了第二电极334的图案，可另外地以与第一电极331的图案垂直的图案来形成单独的绝缘层。在一个实施例中，第一电极331、第二电极334和中间层333具有如上所述的相同的结构和材料。
光共振层321包括两个或两个以上的层3211和3212，光共振层321的厚度根据从子像素(即，发射层)发射的光的波长而改变。光共振层321可包括高折射层和与高折射层交替的低折射层。在一个实施例中，光共振层321包括两个层，即，第一层(即，层3211)和第二层(即，层3212)。
在上面的结构中，如图1的实施例中所描述的，比第二层3212更靠近子像素(具体地为第二电极334)的第一层3211的折射率比第二层3212的折射率低。因此，当第一层3211的厚度t1和第二层3212的厚度t2被调节为满足等式3和等式5时，可提高从发射层发射的光的亮度和外部光耦合效率。
图7是根据本发明又一实施例的有机发光显示器的示意性剖视图。
与图6中示出的实施例不同，光共振层421包括三层或三层以上的层4211、4212和4213，而不是两层或两层以上的层。此时，光共振层421可包括高折射层和与高折射层交替的低折射层。当光共振层421包括三层4211、4212和4213时，最低层4211和最高层4213的折射率比位于这两层之间的层4212的折射率低。明显的是，光共振层421可包括更多的层，其效果与图5的实施例的效果相同。
当一个低折射层和一个高折射层被设置为光共振层时，它们的厚度被调节为满足等式3和等式5。在这种情况下，为了减少制造工艺和制造成本并改进制造有机发光显示器，光共振层可以如图8中所示的结构形成。
参照图8，第一层5211形成在子像素591、592和593上，以覆盖基底502的整个表面。以下，例如，执行干蚀刻工艺以在第一层5211中形成台阶差，从而第一层5211具有适于从子像素591、592和593发射的光的波长的厚度t11、t12和t13。以下，第二层5212被涂覆在第一层5211的所得上表面上，以将第一层5211的上表面平面化，从而制造根据从各个像素发射的光的波长而优选的光共振层。在这种情况下，第二层5212相对于各个子像素的厚度t21、t22和t23也可被不同地调节。此时，光共振层521中的层5211和层5212的厚度根据等式3和等式5确定。由于等式3和等式5中的正整数n和m是任意正整数，所以它们可被调节为使层5211和层5212的厚度最优化。尽管在图8中未示出，但是第二层5212的上表面可通过各种方法例如干蚀刻来蚀刻，以更精确地调节第二层5212的厚度。
另外，形成第一层和第二层的工艺可重复两次或两次以上，来制造具有三层或三层以上的层的光共振层的平板显示器。
尽管在上面的实施例中采用EL器件来实现每个子像素，但是本发明不限于这种结构。即，本发明可被应用到任何发光平板显示器。
如上所述，根据本发明实施例的平板显示器及其制造方法具有下面的优点。
首先，在从各个子像素发射的光的传播路径上形成了具有多层的光共振层，光共振层中的层的厚度根据从各个像素发射的光的波长调节。因此，可能提高亮度和外部光耦合效率。
另外，可易于制造具有低折射层和高折射层交替的结构的光共振层。
此外，通过采用形成层并且将层蚀刻为具有适合的台阶差以及在蚀刻层上形成另一层的方法，可简化具有多层的光共振层的制造工艺。
尽管上面的描述已经指出了如应用到各种实施例中的发明的新颖性特征，但是技术人员应该理解，在不脱离发明的范围的情况下，可对示出的器件或工艺作在形式和细节上作出各种省略、替换和改变。因此，发明的范围由权利要求限定，而不是由前面的描述限定。落入权利要求等同物的意思和范围内的所有变型都包含在它们的范围内。

Claims (20)

1、一种平板显示器，包括：
基底；
多个像素，形成在所述基底上，其中，每个像素包括分别发射红光、绿光和蓝光的三个子像素；
光共振层，形成在所述子像素上，
其中，所述光共振层包括两层或两层以上的层，并且所述光共振层的厚度根据从所述子像素发射的光的颜色而改变。
2、如权利要求1所述的平板显示器，其中，所述光共振层包括一层或一层以上的低折射层以及一层或一层以上的与所述低折射层交替的高折射层，其中，所述低折射层具有小于预定折射率的折射率，所述高折射层具有大于所述预定折射率的折射率。
3、如权利要求1所述的平板显示器，其中，所述光共振层包括第一层和第二层。
4、如权利要求3所述的平板显示器，其中，所述第一层比所述第二层靠近所述子像素，并且所述第一层具有比所述第二层的折射率小的折射率。
5、如权利要求4所述的平板显示器，其中，所述第一层的所述折射率在大约1.0至大约1.5的范围内。
6、如权利要求5所述的平板显示器，其中，所述第一层由下面物质中的至少一种形成，所述物质为：硅酸盐基聚合材料、甲基硅氧烷聚合物、硅氧烷、Ti-O-Si、丙烯酸聚合物、环氧聚合物、氧化物和氟化物。
7、如权利要求4所述的平板显示器，其中，所述第二层的所述折射率在大约1.5至大约3.0的范围内。
8、如权利要求7所述的平板显示器，其中，所述第二层由高折射颗粒分布在其中的溶胶凝胶形成，其中，所述高折射颗粒具有比预定折射率大的折射率。
9、如权利要求8所述的平板显示器，其中，所述高折射颗粒由SiNX、TiO2、Nb2O5和Ta2OX中的至少一种形成。
10、如权利要求4所述的平板显示器，其中，所述第一层的厚度是(nλ)/2，其中，n是正整数，λ是从所述子像素发射的光的波长。
11、如权利要求4所述的平板显示器，其中，所述第二层的厚度是(2m+1)λ/4，其中，m是正整数，λ是从所述子像素发射的光的波长。
12、如权利要求1所述的平板显示器，其中，所述子像素包括有机发光器件。
13、如权利要求1所述的平板显示器，其中，从所述子像素发射的光从所述子像素向上发射。
14、一种制造平板显示器的方法，所述方法包括的步骤为：
制备基底；
在所述基底上形成多个子像素；
在所述子像素上形成包括两层或两层以上的层的光共振层，其中，所述光共振层的厚度取决于所述子像素。
15、如权利要求14所述的方法，其中，所述形成光共振层的步骤包括：
在所述子像素上形成第一层；
蚀刻所述第一层，以使所述第一层的厚度根据所述子像素而改变；
形成覆盖所述第一层的第二层。
16、如权利要求14所述的方法，其中，所述形成光共振层的步骤包括：
在所述子像素上形成第一层；
蚀刻所述第一层，以使所述第一层的厚度根据所述子像素而改变；
形成覆盖所述第一层的第二层；
重复两次或两次以上所述第一层的形成步骤、所述第一层的蚀刻步骤以及所述第二层的形成步骤。
17、一种平板显示器，包括：
基底；
多个像素，形成在所述基底上，其中，每个像素包括多个子像素，每个子像素发射不同颜色的光；
亮度控制层，形成在所述子像素上，其中，所述亮度控制层包括第一层和第二层，其中，所述第一层和所述第二层中的至少一层的厚度根据从所述各个子像素发射的光的波长而改变，从而控制所述发射的光的亮度。
18、如权利要求17所述的平板显示器，其中，所述第一层具有小于预定折射率的折射率，所述第二层具有大于所述预定折射率的折射率。
19、如权利要求17所述的平板显示器，其中，所述亮度控制层包括顺序形成的两层以上的层，其中，两个相邻层具有不同的折射率。
20、如权利要求17所述的平板显示器，其中，所述多个子像素包括分别发射红光、绿光和蓝光的三个子像素。
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