CN100490319C - 表面声波器件 - Google Patents

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Abstract

一种表面声波谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件，其具有：并联臂谐振器(P1～P3)的两种或更多种不同的梳状驱动电极节距以及串联臂谐振器(S1～S3)的两种或更多种不同的梳状驱动电极节距；位于梳状驱动电极两侧、具有与上述梳状驱动电极不同的节距的反射电极(12、14)；以及并联臂谐振器的两种或更多种不同的静电电容和串联臂谐振器的两种或更多种不同的静电电容。

Description

表面声波器件
技术领域
本发明涉及表面声波器件，更具体的，涉及表面声波谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件。
背景技术
近年来，移动电话器件之类的无线器件迅速变得更小更复杂。在这些无线器件中的高频电路中使用的滤波器在这个发展中起到重要作用。特别地，表面声波器件被用来构建这样的滤波器。
图1示出了表面声波谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件。图1所示的表面声波器件为四级结构的滤波器，它包括三个设置在串联臂中的表面声波谐振器S1、S2和S3(以下称为串联臂谐振器S1、S2和S3)，以及三个设置在并联臂中的表面声波谐振器P1、P2和P3(以下称为并联臂谐振器P1、P2和P3)。并联臂谐振器P2为第二和第三级共享，串联臂谐振器S3为第三和第四级共享。每个谐振器包括驱动电极10以及位于驱动电极10两侧的两个反射器12和14。为简便起见，在图1中只对串联臂谐振器S3示出了这些元件的标号。反射器12和14的功能为限制从驱动电极10传播出来的表面声波。驱动电极10以及反射电极12和14位于一个平板状压电部件上。这种驱动电极10叫做叉指型换能器(IDT)、梳状电极、梳状驱动电极、或帘状电极。在本说明书中，此后把各个驱动电极称为梳状驱动电极。
在图1所示的表面声波谐振器连接成多级梯型结构的常规表面声波器件中，并联臂谐振器P1到P3的梳状驱动电极的节距(以后称作IDT节距)λP1、λP2、和λP3之间的关系，以及串联臂谐振器S1到S3的IDT节距λS1、λS2、和λS3之间的关系分别表述为λP1＝λP2＝λP3和λS1＝λS2＝λS3。
另外，并联臂谐振器P1到P3的静电电容CP1、CP2、和CP3之间的关系，以及串联臂谐振器S1到S3的静电电容CS1、CS2、和CS3之间的关系分别表述为CP1＝CP2/2＝CP3和CS1＝CS2＝2CS3。在此，各个静电电容C[F]表示为C＝4×10-14×L/100×N，其中，开口长度为L[μm]，驱动电极指对的数目为N[对]。图2示出了常规设计的滤波器特性。在图2中，横轴表示频率(MHz)，纵轴表示绝对衰减(dB)。
在梯型滤波器中，可以容易地将损耗限制为一个较小的量。然而，如图2所示，在常规的设计中，通带低频侧(或者高频侧)的插入损耗(由标号16和18表示)远远大于中心频率附近的插入损耗，而且，通带中还有小的寄生波峰(spurious peak)(由标号20和22表示)。通带边缘插入损耗的增大被认为是由通带内各个谐振器中的体波辐射(在垂直方向上在压电基板中传播的波)导致的寄生波(spurious wave)，或者是由多级连接处理时的阻抗失配引起的。插入损耗的增加阻碍了通带附近插入损耗以及衰减方面的改善。
例如，日本未审专利公开No.2000—341086公开了一项技术，该技术通过略微改变并联臂谐振器节距来减小通带边缘处的插入损耗。然而，这项技术不能有效防止串联臂谐振器的体波辐射导致的寄生波峰和通带外的寄生波峰。日本未审专利公开No.2000—308676公开了一项技术，该技术通过改变梳状驱动电极节距，使之不同于反射器节距来改善通带特性中的波形指标(shape factor)。然而，这项技术也不能有效防止通带边缘处插入损耗的增大。
因此，本发明的目的是消除现有技术的上述问题，并改善谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件的插入损耗特性和波形指标。
发明内容
为达到上述目的，本发明提供了一种表面声波谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件，其具有：并联臂谐振器的两种或更多种不同的梳状驱动电极节距以及串联臂谐振器的两种或更多种不同的梳状驱动电极节距；位于梳状驱动电极两侧、具有与上述梳状驱动电极不同节距的反射电极；以及并联臂谐振器的两种或更多种不同的静电电容和串联臂谐振器的两种或更多种不同的静电电容。利用这种结构，可以分散体波辐射，并可以分散和减小通带内外的寄生波峰。另外，还可以减小阻抗失配。而且可以减小通带边缘的损耗，改善插入损耗特性和波形指标。
附图说明
图1示出了表面声波器件的一个示例结构；
图2示出了常规设计得到的滤波器特性；
图3示出了谐振器的部分参数；
图4示出了梳状驱动电极的节距与反射电极节距之间的关系；
图5示出了两个串联臂谐振器的通过特性；
图6示出了两个并联臂谐振器的通过特性；
图7示出了根据本发明第一实施例的表面声波器件；
图8示出了对比例和第一实施例的滤波器特性；
图9示出了对比例和本发明第二实施例的滤波器特性；
图10示出了对比例和本发明第三实施例的滤波器特性；
图11示出了对比例和本发明第四实施例的滤波器特性；
图12示出了对比例和本发明第五实施例的滤波器特性；
图13示出了根据本发明的表面声波器件的另一实施例。
具体实施方式
首先描述本说明书中使用的参数。
图3示出了与各个谐振器相关的部分参数。在图3中，IDT节距λP和λS分别对应于从同一侧(也就是从同一母线)伸出来的每两个电极指之间的距离。宽度W为各个电极指的宽度。在本说明书中，宽度W也称为IDT图形宽度。间隙G为每两个相邻电极指之间的距离。在本说明书中，间隙G也称为IDT间隙。由λref表示的各反射电极的节距(也称为反射器节距)表示夹住一个电极指的每两个电极指之间的距离。本说明书中，在不需说明所指谐振器是并联臂谐振器还是串联臂谐振器的地方，也用λidt表示IDT节距λP和λS。
如前所述，本发明提供了一种表面声波谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件。在这种表面声波器件中，并联臂谐振器具有两种或更多种梳状驱动电极节距(IDT节距)，串联臂谐振器具有两种或更多种梳状驱动电极节距(这一条件此后称为第一条件)。另外，位于各个相应梳状驱动电极两侧的各个反射电极的节距不同于相应梳状驱动电极的节距(这一条件此后称为第二条件)。而且，并联臂谐振器具有两种或更多种静电电容，串联臂谐振器具有两种或更多种静电电容(这一条件此后称为第三条件)。
现在参照图1所示的表面声波器件，对这种结构进行详细说明。
图1所示的表面声波器件具有连接成梯型结构的四级表面声波谐振器。当第一条件应用到这种表面声波器件上时，并联臂谐振器P1到P3具有两种或更多种IDT节距λP1、λP2、和λP3，串联臂振器S1到S3具有两种或更多种IDT节距λS1、λS2、和λS3。具有两种或更多种IDT节距意味着存在两个或更多个不同的IDT节距值。并联臂谐振器P1到P3中的第一条件可以采用下面四种模式的任意一种：λP1≠λP2＝λP3，λP1＝λP2≠λP3，λP1＝λP3≠λP2和λP1≠λP2≠λP3。相似的，串联臂谐振器S1到S3中的第一条件可以采用下面四种模式的任意一种：λS1≠λS2＝λS3，λS1＝λS2≠λS3，λS1＝λS3≠λS2和λS1≠λS2≠λS3。
IDT节距的改变将引起相应谐振器的频率特性的改变。更详细的，如果IDT节距增长了，那么频率特性会向低频侧移动。另一方面，如果IDT节距变短了，那么频率特性会向高频侧移动。在现有技术中，IDT节距的关系表述为λP1＝λP2＝λP3，三个并联臂谐振器P1到P3的频率特性都是相同的。结果，由于体波辐射，出现大的寄生波峰。然而，根据第一条件，使用两种或更多种IDT节距，形成了两种或更多种频率特性。因此，可以分散体波辐射，并可以分散和减小寄生波峰。同时，也可以减小阻抗失配。而且，在后面将提到，组合第一条件和第三条件可以显著改善滤波特性。
接着详细描述第二条件。当第二条件应用到图1所示的表面声波器件中时，位于各个梳状驱动电极10两侧的各个反射电极12和14的节距λref不同于梳状驱动电极10的节距λidt。在此，反射电极12和14具有相同的节距λref。
图4所示为梳状驱动电极10的节距λidt与反射电极12及14的节距λref之间的关系图。图4示出了在λidt＝λref的情况下得到的谐振器频率特性以及在λidt≠λref的情况下得到的谐振器频率特性。在图4中，横轴表示频率(MHz)，纵轴表示绝对衰减(dB)。在λidt≠λref情况下，通带附近的寄生波峰小于λidt＝λrer的情况，并且寄生波峰的位置不同于λidt＝λref的情况。另外，λidt≠λref情况下的波形指标也好于λidt＝λref的情况。
接着详细描述第三条件。当第三条件应用到图1所示的表面声波器件中时，并联臂谐振器P1到P3具有两种或更多种静电电容CP1、CP2、和CP3，串联臂谐振器S1到S3具有两种或更多种静电电容CS1、CS2、和CS3。具有两种或更多种静电电容意味着存在两种或更多种不同的静电电容值。并联臂谐振器P1到P3中的第三条件可以采用下面四种模式的任意一种：CP1≠CP2＝CP3，CP1＝CP2≠CP3，CP1＝CP3≠CP2和CP1≠CP2≠CP3。相似的，串联臂谐振器S1到S3中的第三条件可以采用下面四种模式的任意一种：CS1≠CS2＝CS3，CS1＝CS2≠CS3，CS1＝CS3≠CS2和CS1≠CS2≠CS3。尽管在工作中并联臂谐振器P2和串联臂谐振器S3是共用的，但本发明中的“静电电容”是各个单独谐振器的静电电容，不管是否由另一谐振器共用。
可以由同一并联臂谐振器和串联臂谐振器满足第一和第三条件，或者由不同的并联臂谐振器和串联臂谐振器满足。
图5示出了串联臂谐振器S1和S2的通过特性。在λS1＝λS2及CS1>CS2的情况下，由于静电电容的差异，插入损耗变为最小的频率彼此不同。具有较大静电电容CS1的串联臂谐振器S1的频率特性曲线具有较陡的截止特性。图6示出了并联臂谐振器P1和P2的通过特性。在λP1＝λP2及CP1<CP2的情况下，由于静电电容的差异，插入损耗变为最小的频率彼此不同。具有较小静电电容CP1的并联臂谐振器P1的频率特性曲线具有较陡的截止特性。
而且，带宽和波形指标都可通过组合第一条件和第三条件来加以改善。如前所述，如果使IDT节距变长，则频率特性会向低频侧移动。如果使IDT节距变短，则频率特性会向高频侧移动。例如，在图5所示的情况中，增长串联臂谐振器S1的IDT节距λS1，以使具有较陡截止特性的串联臂谐振器S1的最小插入损耗处的频率(此后称该频率为峰值频率)与串联臂谐振器S2的峰值频率匹配。这样，串联臂谐振器S1的峰值频率移至低频侧，串联臂谐振器S1和S2的组合通过特性在插入损耗和波形指标方面得到了改善。例如，在图6所示的情况中，缩短并联臂谐振器P1的IDT节距λP1，以使具有较陡截止特性的并联臂谐振器P1的峰值频率与并联臂谐振器P2的峰值频率匹配。这样，并联臂谐振器P1的峰值频率移至高频侧，并联臂谐振器P1和P2的组合通过特性在插入损耗和波形指标方面得到了改善。
本发明优选实施例的实例包括下述情况：
在并联臂谐振器P1到P3中，静电电容最大的并联臂谐振器(例如P2)具有最长的梳状驱动电极节距。
在串联臂谐振器S1到S3中，静电电容最小的串联臂谐振器(例如S3)具有最短的梳状驱动电极节距。
在并联臂谐振器P1到P3中，梳状驱动电极节距最短的并联臂谐振器(例如P3)具有最小的静电电容。
在串联臂谐振器S1到S3中，梳状驱动电极节距最长的串联臂谐振器(例如S1)具有最大的静电电容。
在并联臂谐振器P1到P3中任意两个并联臂谐振器(P1和P2、P2和P3、或P1和P3、)的静电电容表示为Cpa和Cpb，且相应梳状驱动电极节距表示为λpa和λpb的情况下，如果Cpa大于Cpb，那么λpa大于λpb。
在串联臂谐振器S1到S3中任意两个串联臂谐振器(S1和S2、S2和S3、或S1和S3)的静电电容表示为Csa和Csb，且相应梳状驱动电极节距表示为λsa和λsb的情况下，如果Csa大于Csb，那么λsa大于λsb。
由于各个静电电容是由开口长度L和驱动电极指的对数确定的，所以并联臂谐振器P1到P3中具有不同梳状驱动电极节距的并联臂谐振器至少具有与其它并联臂谐振器不同的开口长度或者不同的驱动电极指对数。当然，这种并联臂谐振器的开口长度和驱动电极指对数可以都不同于其它并联臂谐振器。相似的，串联臂谐振器S1到S3中具有不同梳状驱动电极节距的串联臂谐振器至少具有与其它串联臂谐振器不同的开口长度或者不同的驱动电极指对数。当然，这种串联臂谐振器的开口长度和驱动电极指对数可以都不同于其它串联臂谐振器。
而且，由于各个静电电容取决于各个梳状驱动电极指宽度与每两个相邻梳状驱动电极指的间隙之间的比值，所以并联臂谐振器P1到P3中具有不同梳状驱动电极节距的并联臂谐振器与其它并联臂谐振器相比具有不同的各个梳状驱动电极指宽度与每两个相邻梳状驱动电极指的间隙之比值。相似的，串联臂谐振器S1到S3中具有不同梳状驱动电极节距的串联臂谐振器与其它串联臂谐振器相比具有不同的各个梳状驱动电极指宽度与每两个相邻梳状驱动电极指的间隙之比值。
本发明中表面声波谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件不局限于图1所示的表面声波器件，本发明还提供了其它各种不同形式的梯型表面声波器件。例如，图1中的串联臂谐振器S3为第三和第四级共用，但也可以象第一和第二级那样分别提供。另一方面，也可以采用由第一和第二级中的串联臂谐振器S1和S2构成的组合串联臂谐振器。而且，每一级中可以使用单个串联臂谐振器。并联臂谐振器P2也可以由两个并联臂谐振器组成。尽管在图1中，第二级并联臂谐振器P2位于第二级串联臂谐振器S2之后的一级，但它也可以位于第二级串联臂谐振器S2之前的一级。在这种情况中，各个并联臂谐振器并不在两级或多级之间共用。而且，可以对第一级进行改进，将并联臂谐振器P1设置在串联臂谐振器S1之后的一级中。级数也不限于四级，本发明包括两级或更多级的梯型表面声波器件。
下面是本发明实施例的详细描述。
(第一实施例)
本发明的第一实施例如下。如图7所示，谐振器按照P1-S1-S2-P2-S3-S4-P3顺序连接的梯型滤波器是由42°Y-X LiTaO3压电基板上的铝合金构成的，以与PCS接收滤波器(其通带为1930到1990MHz，衰减(传输)带为1850到1910MHz)相对。并联臂谐振器P1具有2.024μm的IDT节距λP1、2.044μm的反射器节距λrefP1、54.6μm的开口长度LP1以及20对(NP1)驱动电极指。并联臂谐振器P2具有2.043μm的IDT节距λP2、2.063μm的反射器节距λrefP2、83.8μm的开口长度LP2以及72对(NP2)驱动电极指。并联臂谐振器P3具有2.018μm的IDT节距λP3、2.038μm的反射器节距λrefP3、54.5μm的开口长度LP3以及20对(NP3)驱动电极指。串联臂谐振器S1和S4各具有1.941μm的IDT节距(λS1＝λS4)、1.931μm的反射器节距(λrefS1＝λrefS4)、25.2μm的开口长度(LS1＝LS4)以及121对(NS1＝NS4)驱动电极指。串联臂谐振器S2和S3各具有1.969μm的IDT节距(λS2＝λS3)、1.964μm的反射器节距(λrefS2＝λrefS3)、25.6μm的开口长度(LS2＝LS3)以及123对(NS2＝NS3)驱动电极指。各个谐振器设计成IDT图形宽度W与IDT间隙G之比值W/G为1.5。
在图7所示的滤波器中，静电电容之间的关系表示为CP1≠CP2≠CP3≠CS1＝CS4≠CS2＝CS3，IDT节距之间的关系表示为λP1≠λP2≠λP3≠λS1＝λS4≠λS2＝λS3。IDT节距不等于反射器节距。在图7中，各个谐振器的反射器不接到地GND，但是可以具有GND电位。
图8示出了一个对比例(滤波器A)的特性以及本实施例(滤波器B)的特性。从图8可以发现，本实施例在插入损耗和波形指标方面有极大提高。与此相同的效果也可以在改变静电电容和IDT节距以满足上述条件的情况下获得，即当静电电容Cpa大于静电电容Cpb时，IDT节距λpa大于IDT节距λpb，和/或当静电电容Csa大于静电电容Csb时，IDT节距λsa大于IDT节距λsb。
(第二实施例)
本实施例为具有与图1所示相同结构的滤波器。在这个滤波器中，并联臂谐振器P1到P3中静电电容最大的并联臂谐振器P2具有最长的IDT节距。并联臂谐振器P1具有2.032μm的IDT节距λP1、2.052μm的反射器节距λrefP1、54.9μm的开口长度LP1以及42对(NP1)驱动电极指。并联臂谐振器P2具有2.040μm的IDT节距λP2、2.060μm的反射器节距λrefP2、84.3μm的开口长度LP2以及84对(NP2)驱动电极指。并联臂谐振器P3具有2.032μm的IDT节距λP3、2.052μm的反射器节距λrefP3、54.9μm的开口长度LP3以及40对(NP3)驱动电极指。串联臂谐振器S1和S2各具有1.952μm的IDT节距(λS1＝λS2)、1.947μm的反射器节距(λrefS1＝λrefS2)、25.0μm的开口长度(LS1＝LS2)以及132对(NS1＝NS2)驱动电极指。串联臂谐振器S3具有1.952μm的IDT节距λS3、1.947μm的反射器节距λrefS3、25.0μm的开口长度LS3以及66对(NS3)驱动电极指。各个谐振器设计成比值W/G为1.5。
图9示出了一个对比例(滤波器A)和本实施例(滤波器B)之间通过特性的比较。通过给予静电电容最大的并联臂谐振器P2最长的IDT节距，大大减小了通带低频侧的插入损耗。由于改变λP2之后获得的低频侧插入损耗的频率变化X与通带衰减的频率变化Y之间的差X-Y大于0，波形指标也得到了提高。在此，IDT节距λP1(λP3)与IDT节距λP2之差以及各个静电电容可以根据所需滤波器特性进行任意改变。另外，IDT节距λP1和λP3也可以彼此不相等。
(第三实施例)
本实施例为具有与图1所示相同结构的滤波器。在这个滤波器中，并联臂谐振器P1到P3中IDT节距最小的并联臂谐振器P3具有最小的静电电容。并联臂谐振器P1具有2.032μm的IDT节距λP1、2.052μm的反射器节距λrefP1、54.9μm的开口长度LP1以及42对(NP1)驱动电极指。并联臂谐振器P2具有2.032μm的IDT节距λP2、2.052μm的反射器节距λrefP2、84.0μm的开口长度LP2以及84对(NP2)驱动电极指。并联臂谐振器P3具有2.022μm的IDT节距λP3、2.042μm的反射器节距λrefP3、54.6μm的开口长度LP3以及40对(NP3)驱动电极指。串联臂谐振器S1和S2各具有1.952μm的IDT节距(λS1＝λS2)、1.947μm的反射器节距(λrefS1＝λrefS2)、25.0μm的开口长度(LS1＝LS2)以及132对(NS1＝NS2)驱动电极指。串联臂谐振器S3具有1.952μm的IDT节距λS3、1.947μm的反射器节距λrefS3、25.0μm的开口长度LS3以及66对(NS3)驱动电极指。各个谐振器设计成比值W/G为1.5。
图10示出了一个对比例(滤波器A)和本实施例(滤波器B)之间通过特性的比较。通过给予静电电容最小的并联臂谐振器P3最短的IDT节距，改善了通带低频侧的插入损耗和波形指标。其中，IDT节距λP2(λP3)与IDT节距λP1之差以及各个静电电容可以根据所需滤波器特性进行任意改变。IDT节距λP1和λP2也可以彼此不相等。而且，与上述相同的效果也可以在IDT节距间的关系表示为λP2>λP1>λP3的情况下获得。
(第四实施例)
本实施例为具有与图1所示相同结构的滤波器。在这个滤波器中，串联臂谐振器S1到S3中静电电容最小的串联臂谐振器S3具有最短的IDT节距。并联臂谐振器P1具有2.030μm的IDT节距λP1、2.050μm的反射器节距λrefP1、52.0μm的开口长度LP1以及23对(NP1)驱动电极指。并联臂谐振器P2具有2.060μm的IDT节距λP2、2.080μm的反射器节距λrefP2、83.3μm的开口长度LP2以及76对(NP2)驱动电极指。并联臂谐振器P3具有2.020μm的IDT节距λP3、2.040μm的反射器节距λrefP3、52.0μm的开口长度LP3以及20对(NP3)驱动电极指。串联臂谐振器S1具有1.972μm的IDT节距λS1、1.967μm的反射器节距λrefS1、30.0μm的开口长度LS1以及190对(NS1)驱动电极指。串联臂谐振器S2具有1.972μm的IDT节距λS2、1.967μm的反射器节距λrefS2、31.0μm的开口长度LS2以及123对(NS2)驱动电极指。串联臂谐振器S3具有1.962μm的IDT节距λS3、1.952μm的反射器节距λrefS3、30.0μm的开口长度LS3以及76对(NS3)驱动电极指。各个谐振器设计成比值W/G为1.5。
图11示出了一个对比例(滤波器A)和本实施例(滤波器B)之间通过特性的比较。通过给予静电电容最小的串联臂谐振器S3最小的IDT节距，大大减小了通带高频侧的插入损耗。由于改变λS3之后获得的高频侧插入损耗的频率变化X与通带高频侧衰减的频率变化Y之间的差X-Y大于0，波形指标也得到了提高。其中，IDT节距λS3与IDT节距λS1(λS2)之差以及各个静电电容可以根据所需滤波器特性进行任意改变。IDT节距λS1和λS2也可以彼此不相等。
(第五实施例)
本实施例为具有与图1所示相同结构的滤波器。在这个滤波器中，串联臂谐振器S1到S3中IDT节距最长的串联臂谐振器S1具有最大的静电电容。并联臂谐振器P1具有2.030μm的IDT节距λP1、2.050μm的反射器节距λrefP1、52.0μm的开口长度LP1以及23对(NP1)驱动电极指。并联臂谐振器P2具有2.060μm的IDT节距λP2、2.080μm的反射器节距λrefP2、83.3μm的开口长度LP2以及76对(NP2)驱动电极指。并联臂谐振器P3具有2.020μm的IDT节距λP3、2.040μm的反射器节距λrefP3、52.0μm的开口长度LP3以及20对(NP3)驱动电极指。串联臂谐振器S1具有2.012μm的IDT节距λS1、2.007μm的反射器节距λrefS1、30.4μm的开口长度LS1以及190对(NS1)驱动电极指。串联臂谐振器S2具有1.972μm的IDT节距λS2、1.962μm的反射器节距λrefS2、31.0μm的开口长度LS2以及123对(NS2)驱动电极指。串联臂谐振器S3具有1.972μm的IDT节距λS3、1.962μm的反射器节距λrefS3、30.0μm的开口长度LS3以及76对(NS3)驱动电极指。各个谐振器设计成比值W/G为1.5。
图12示出了一个对比例(滤波器A)和本实施例(滤波器B)之间通过特性的比较。通过给予静电电容最大的串联臂谐振器S1最长的IDT节距，改善了通带高频侧的插入损耗和波形指标。其中，IDT节距λS1与IDT节距λS2(λS3)之差以及各个静电电容可以根据所需滤波器特性进行任意改变。IDT节距λS2和λS3也可以彼此不相等。而且，与上述相同的效果也可以在IDT节距间的关系表示为λS3<λS2<λS1的情况下获得。
在上述各个实施例中，各个谐振器的静电电容是通过改变开口长度L和电极指对数N来调节的。然而，静电电容也可以通过改变IDT图形宽度W与IDT间隙G的比值W/G来调节(可以通过降低W/G比值而减小静电电容)。另外，可以改变开口长度L和电极指对数N、以及IDT图形宽度W与IDT间隙G之比值W/G来调节静电电容。
图13为根据本发明的表面声波器件的示例结构的平面图。在42°Y截止X传播LiTaO3(42°Y-cut X-propagation LiTaO3)的压电基板20上形成铝合金电极。当然，使用其它压电基板或者其它电极材料也可以获得相同的效果。图13仅仅示出了串联臂谐振器S1到S3的电极以及并联臂谐振器P1到P3的电极位于一块压电基板20上的表面声波器件，并没有具体地示出符合上述条件的电极图案。
以上参照附图以示例的方式，对本发明进行了描述。然而，本发明不局限于上述实施例和示例，而是可以在不脱离本发明的范围的情况下进行各种变化和改进。
如上所述，本发明提供了一种谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件，其具有改良的插入损耗以及改良的波形指标。

Claims (10)

1.一种表面声波谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件，其具有：并联臂谐振器的两种或更多种不同的梳状驱动电极节距以及串联臂谐振器的两种或更多种不同的梳状驱动电极节距；位于梳状驱动电极两侧、具有与所述梳状驱动电极不同的节距的反射电极；以及并联臂谐振器的两种或更多种不同的静电电容和串联臂谐振器的两种或更多种不同的静电电容；
其中，在所述并联臂谐振器中，具有与其它并联臂谐振器不同的梳状驱动电极节距的并联臂谐振器也在各个梳状驱动电极指宽度与每两个相邻电极指的间隙之比值方面与其它并联臂谐振器不同。
2.一种表面声波谐振器连接成多级梯型结构的表面声波器件，其具有：并联臂谐振器的两种或更多种不同的梳状驱动电极节距以及串联臂谐振器的两种或更多种不同的梳状驱动电极节距；位于梳状驱动电极两侧、具有与所述梳状驱动电极不同的节距的反射电极；以及并联臂谐振器的两种或更多种不同的静电电容和串联臂谐振器的两种或更多种不同的静电电容；
其中，在所述串联臂谐振器中，具有与其它串联臂谐振器不同的梳状驱动电极节距的串联臂谐振器也在各个梳状驱动电极指宽度与每两个相邻电极指的间隙之比值方面与其它串联臂谐振器不同。
3.根据权利要求1或2所述的表面声波器件，其中，在所述串联臂谐振器中，静电电容最小的串联臂谐振器具有最短的梳状驱动电极节距。
4.根据权利要求1或2所述的表面声波器件，其中，在所述并联臂谐振器中，梳状驱动电极节距最短的并联臂谐振器具有最小的静电电容。
5.根据权利要求1或2所述的表面声波器件，其中，在所述串联臂谐振器中，梳状驱动电极节距最长的串联臂谐振器具有最大的静电电容。
6.根据权利要求1或2所述的表面声波器件，其中：
两个并联臂谐振器具有静电电容Cpa和Cpb以及梳状驱动电极节距λpa和λpb；并且
如果静电电容Cpa大于静电电容Cpb，那么节距λpa大于节距λpb。
7.根据权利要求1或2所述的表面声波器件，其中：
两个串联臂谐振器具有静电电容Csa和Csb以及梳状驱动电极节距λsa和λsb；并且
如果静电电容Csa大于静电电容Csb，那么节距λsa大于节距λsb。
8.根据权利要求1或2所述的表面声波器件，其中，在所述并联臂谐振器中，具有与其它并联臂谐振器不同的梳状驱动电极节距的并联臂谐振器也在梳状驱动电极开口长度和梳状驱动电极指对数中的至少一个方面与其它并联臂谐振器不同。
9.根据权利要求1或2所述的表面声波器件，其中，在所述串联臂谐振器中，具有与其它串联臂谐振器不同的梳状驱动电极节距的串联臂谐振器也在梳状驱动电极开口长度和梳状驱动电极指对数中的至少一个方面与其它串联臂谐振器不同。
10.根据权利要求1或2所述的表面声波器件，进一步包括：
压电基板，
其中，所述并联臂谐振器和所述串联臂谐振器各自的梳状驱动电极和各自的反射电极形成在所述压电基板上。
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