CN100485922C - 静电放电防护的传感器与电路 - Google Patents

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Abstract

一种用于静电放电防护的传感器，该传感器包括一分压电路及一耦接至该分压电路的组件。该传感器是耦接至该传感器的输入端，其中，当静电放电脉冲施于传感器的输入端时，一电压会跨降于分压电路上，且会在传感器的输出端产生一高态电压。当静电放电脉冲施于传感器的输入端时，该组件可维持传感器的输出端的高态电压。

Description

静电放电防护的传感器与电路
技术领域
本发明是有关于一种保护半导体集成电路的电路与方法，且特别是有关于一种在半导体集成电路中用于静电放电防护的电路。
背景技术
半导体集成电路的高度整合性使得电路的产品可靠度越来越重要。是否易为静电放电所伤害也就成了集成电路的考量之一。当集成电路的针脚或者输入/输出焊垫被带静电的人体或材质所产生的高电压或大电流充电时，静电放电脉冲便会发生；通常充电所产生的电压会超过100V且持续的时间约为十至数百毫秒。由于电压或电流脉冲相当地急剧且短暂，集成电路的内部组件会无法承受异常的跨压降，并经常因此而毁损。因此，须要设计静电放电防护电路，并将静电放电防护电路和输入/输出焊垫以及内部集成电路相连，以提供额外的电流路径，将电压或电流脉冲予以分流。
图1为现有的静电放电防护电路示意图。一静电放电防护电路连接至输入/输出焊垫100，此静电放电防护电路包括一P-型金氧半晶体管150与堆栈式N-型金氧半晶体管110。堆栈式N-型金氧半晶体管已经被提出，并使用于混合电压的输入/输出电路以承受静电放电脉冲。堆栈式N-型金氧半晶体管110包括第一N-型金氧半晶体管130与第二N-型金氧半晶体管140，第一N-型金氧半晶体管130的栅极耦接至Vcc端，而第二N-型金氧半晶体管140的栅极耦接至一N-型金氧半前驱电路160的输出端，第二N-型金氧半晶体管140的源极耦接至Vss端；P-型金氧半晶体管150有一与P-型金氧半前驱电路120耦接的栅极，以及一与Vcc端耦接的源极。当一正压静电放电脉冲施加于输入/输出焊垫100，第一N-型金氧半晶体管130与第二N-型金氧半晶体管140会导通并产生一额外的电流路径，将电流导流至Vss端。假如一负压静电放电脉冲施加于输入/输出焊垫，P-型金氧半晶体管150会导通并产生一额外的电流路径，并由Vcc端将电流导流。
然而，当Vss端接地，而施以正压的静电放电脉冲电击时，图1所示的静电放电防护电路易为静电放电脉冲所伤害，原因是电流会群聚于第一N-型金氧半晶体管130的通道区，而影响到静电放电防护电路的性能，这种现象称为闸压所致的电流群聚(gate voltage induced current crowding；GVICC)效应。
因此，如能提供静电放电防护的电路或方法，将闸压所致的电流群聚效应予以消除或减低，将会是最好的情形。
发明内容
本发明提供一种用于静电放电防护的传感器，该传感器包括一分压电路及一组件。此传感器耦接至Vcc1端，而在分压电路上产生一压降，并于Vcc1端受到静电放电脉冲时，会在传感器的输出端产生一高态电压。该组件耦接至分压电路，并于Vcc1端受到静电放电脉冲时，该组件会自动调适以维持传感器的输出端的高压。
本发明提供一种用于静电放电防护的电路。该电路包括一静电放电防护电路，此静电放电防护电路中有一具有栅极的金氧半晶体管；一传感器，当传感器感测到静电放电脉冲时，会在传感器的输出端产生一高压；此外，还有一反相器耦接至传感器的输出端及静电放电防护电路。
附图说明
图1为现有的静电放电防护电路示意图。
图2为本发明的一较佳实施例：用于静电放电防护的传感器的示意图。
图3为本发明的一较佳实施例：用于静电放电防护的电路的示意图。
符号说明：
100～输入/输出焊垫；110～堆栈式N-型金氧半晶体管；120～P-型金氧半前驱电路；130～第一N-型金氧半晶体管；140～第二N-型金氧半晶体管；150～P-型金氧半晶体管；160～N-型金氧半前驱电路；250～传感器；251～分压电路；252～输入端；253～输出端；255～组件；256～第一端；257～第二端；258～输出端；260～反相器；310～焊垫；320～静电放电防护电路；323～P-型金氧半晶体管；325～N-型金氧半晶体管；326～N-型金氧半晶体管；340～位准转换电路；350～传感器；351～分压电路；352～输入端；353～输出端；355～组件；356～第一端；357～第二端；358～输出端；360～反相器；361～P-型金氧半晶体管；362～P-型金氧半晶体管；363～P-型金氧半晶体管；364～输出端。
具体实施方式
本发明的上述目的、特征将于以下作更进一步说明。
图2是依据本发明实施例中用于静电放电防护的传感器的示意图，传感器250包括一分压电路251及一组件255。分压电路251耦接至传感器250的输入端252；此外，分压电路251还包括一输出端253。在某些实施例中，传感器250的输入端252耦接至电源供应端(如：Vcc1端)；举例而言，当内部电路正常操作时，Vcc1端的电压约为3.3V；分压电路251的输出端253耦接至组件255的第一端256及传感器250的输出端258。组件255的第二端257耦接至Vss1端；举例而言，当内部电路正常操作时，Vss1端为接地状态。传感器250的输出端258耦接至反相器260。当Vcc1端受到静电放电脉冲并将其耦合至传感器250的输入端252时，分压电路251上会有一压降，并于传感器250的输出端258产生一高态电压。当静电放电脉冲耦合到Vcc1端时，组件255能够维持传感器250的输出端258的高态电压。
分压电路251能在分压电路251上产生一压降。此外，当Vcc1端受到静电放电脉冲并将其耦合至传感器250的输入端252时，传感器250的输出端258会产生一高态电压；而当Vcc1端处于正常操作情况下，传感器250的输出端258会产生一低态电压；高/低态电压代表可以导通或关闭晶体管的电压。举例而言，分压电路251可以是一串二极管、电阻、晶体管或是其它可以让分压电路251发挥相同实质功能的等效电路。在某些实施例中，若分压电路251为一串二极管，则二极管的数量须视Vcc1端的操作电压而定；假设Vcc1端的电压为3.3V，则串联的二极管约为6个；假设Vcc1端的电压为2.5V，则串联的二极管约为5个；因此，一般通晓此技艺之人会了解分压电路251的最佳数量端视Vcc1的操作电压而定。在某些实施例中，举例而言，串联的二极管约为三至八个。
当静电放电脉冲施加于Vcc1端时，组件255会调适以维持传感器250的输出端258的高态电压；而当Vcc1端处于正常操作状态时，组件255会调适以维持传感器250的输出端258的低态电压。举例而言，Vcc1端的电压在正常操作下为3.3V，传感器250的输入端252的3.3V会透过分压电路251降成传感器250的输出端258的零电压或低态电压，然后，组件255会维持传感器250的输出端258的零电压或低态电压。
组件255可以是一N-型金氧半晶体管、P-型金氧半晶体管、互补型金氧半晶体管、p/n型接面二极管或是其它可以让组件255发挥相同实质功能的等效电路。在使用N-型金氧半晶体管以让组件255发挥功能的实施例中，N-型金氧半晶体管的栅极和漏极可以共接。
图3是依据本发明实施例中用于静电放电防护的电路的示意图。此电路包括焊垫310、静电放电防护电路320、传感器350、反相器360、以及位准转换电路(level-shift circuit)340。图3的传感器350中的细项如与图2的传感器250中的细项相同，则以图2的编号加100予以表示，这些细项的详细说明不再赘述。
焊垫310可以是电源输入/输出焊垫或者信号输入/输出焊垫，且焊垫310系耦接至静电放电防护电路320。静电放电防护电路320可以是堆栈式N-型金氧半晶体管形式、栅极接地的N-型金氧半晶体管形式或是其它静电放电防护电路。在某些使用堆栈式N-型金氧半晶体管的静电放电防护电路以释放静电放电脉冲的实施例中，静电放电防护电路320包括P-型金氧半晶体管323和N-型金氧半晶体管325与326。P-型金氧半晶体管323彼此相互并联，且P-型金氧半晶体管323的每一漏极端皆耦接至焊垫310，每一源极端皆耦接至Vcc1端，而P-型金氧半晶体管323的每一栅极端皆耦接至P-型金氧半前驱电路。
N-型金氧半晶体管325与326为串联相接。在某些实施例中，N-型金氧半晶体管325为串接的N-型金氧半晶体管，而串联的N-型金氧半晶体管325与326称为堆栈式金氧半。N-型金氧半晶体管326的每一源极端皆耦接至Vss1端；N-型金氧半晶体管325每一栅极端皆耦接至反相器360的输出端364，而N-型金氧半晶体管326的每一栅极端皆耦接至位准转换电路340。对某些实施例而言，N-型金氧半晶体管325与326和P-型金氧半晶体管323的数目至少为一。
反相器360可以是N-型金氧半反相器、P-型金氧半反相器、互补型金氧半反相器或诸如此类的反相器。在某些实施例中，若互补型金氧半反相器被选用以执行反相器360的功能，反相器360可包括串联的两个P-型金氧半晶体管361与362以及N-型金氧半晶体管363。P-型金氧半晶体管361的源极耦接至Vcc1端，P-型金氧半晶体管362的漏极连接至反相器360的输出端364以及一N-型金氧半晶体管363的漏极端，N-型金氧半晶体管363的源极端耦接至Vss1端，P-型金氧半晶体管361的栅极端接地，P-型金氧半晶体管362与N-型金氧半晶体管363的栅极连接至位准转换电路340以及传感器350的输出端358。在这些实施例中，反相器360里所使用的P-型金氧半晶体管的数目并无特殊须求，一般通晓此技艺之人会了解P-型金氧半晶体管的数目取决于该种输入/输出电路的性能并据以决定P-型金氧半晶体管的数目。
图3中传感器350的零组件与图2中传感器250的相同，并以图2的编号加100予以表示。分压电路351会调适而产生跨压降。此外，当对Vcc1端施以静电放电脉冲时，传感器350的输出端358会产生一高态电压；然而，当Vcc1端处于正常操作时，传感器350的输出端358会产生一低态电压。当静电放电脉冲施加于Vcc1端时，组件355会调适以维持传感器350的输出端358的高态电压；而当Vcc1端处于正常操作状态时，组件355会调适以维持传感器350的输出端358的低态电压。各细项的详细说明不再赘述。
位准转换电路340是用以将一位准信号转换成一较高的位准信号(如：1.8V转成3.3V)，以便提供不同的操作电压给不同的电路。位准转换电路340可以是一回授的P-型金氧半位准转换电路或是其它可以让位准转换电路340发挥相同实质功能的等效电路。
在正常操作下(即无静电放电脉冲施加于焊垫310)，Vcc1端会充电至一电压(例如：3.3V)，而Vss1端则接地。当Vcc1端处于正常操作状态时，传感器350的输入端352会耦接至Vcc1端，Vcc1端的电压会透过分压电路351降成零电压或低态电压；藉由组件355的帮助，传感器350的输出端358会产生一输出电压信号(如：零电压或低态电压)，该电压无法导通N-型金氧半晶体管363，却能导通P-型金氧半晶体管362。由于N-型金氧半晶体管363关闭而P-型金氧半晶体管362导通，Vcc1端的电压(3.3V)会传导至反相器360的输出端364以及静电放电防护电路320中N-型金氧半晶体管325的栅极；在相同的操作条件下，N-型金氧半晶体管326的栅极端会因位准转换电路340的操作而被拉至低态电压(如：零电压)。
当静电放电脉冲施于焊垫310时，Vcc1端的电压会被充电至比正常操作下要高的电压，举例而言，Vcc1端的电压可以较8V为高。由于Vcc1端具有较高的电压，分压电路351只能将Vcc1端的高电压予以部份降低，而在第二端353产生一高态电压；藉由组件355的帮助，可以维持第二端353的高态电压，输出端358的电压可以导通N-型金氧半晶体管363，却将P-型金氧半晶体管362予以关闭。由于N-型金氧半晶体管363导通而P-型金氧半晶体管362关闭，Vss1端的电压会传导至反相器360的输出端364以及静电放电防护电路320中的N-型金氧半晶体管325的栅极；因此，N-型金氧半晶体管325的栅极端会在静电放电脉冲施于焊垫310后，而被拉至低态电压；同时，N-型金氧半晶体管326的栅极端会因位准转换电路340的操作而被拉至低态电压(如：零电压)。
当静电放电脉冲施于输入/输出电路时，对于传感器350的输出端358电压并无任何需求，所要注意的只有传感器350的输出端358的输出信号须高到足以导通N-型金氧半晶体管363，并关闭反相器360中的P-型金氧半晶体管362。在使用二极管串联以执行分压电路351功能的实施例中，串联的二极管不能完全降低Vcc1端的静电放电电压；举例而言，当静电放电脉冲施于Vcc1端时，Vcc1端的电压约为8V，6个串联的二极管约可降低4.8V，则传感器350的输出信号约为3.2V，而残留的电压仍足以导通N-型金氧半晶体管363，并关闭反相器360中的P-型金氧半晶体管362。
须留意的是，传感器350并不须要与静电放电防护电路320分离。但是不将传感器350嵌入静电放电防护电路320会是比较有利的，因为传感器350可以被其它的输入/输出电路所共享。一般通晓此技艺之人会了解传感器350是否该内嵌于静电放电防护电路320取决于输入/输出电路的性能、静电放电防护电路320的尺寸或者电路布局的复杂度。
藉由以上所揭露的电路，当感测到静电放电脉冲后，静电放电防护电路320中N-型金氧半晶体管325的栅极电压会被拉下，因此，闸压所致的电流群聚效应可以被有效地避免或消除。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求范围所界定者为准。

Claims (19)

1.一种用于静电放电防护的传感器，包括：
一分压电路，该分压电路耦接至该传感器的输入端；其中，当静电放电脉冲施于传感器的输入端时，一电压会跨降于分压电路上，且会在该传感器的输出端产生一高态电压；以及
一组件，该组件耦接至该分压电路；其中，当静电放电脉冲施于传感器的输入端时，该组件可调适以维持传感器的输出端的高态电压。
2.根据权利要求1所述的用于静电放电防护的传感器，其中，该传感器的该输入端耦接至电压供应端。
3.根据权利要求1所述的用于静电放电防护的传感器，其中，该分压电路包括串联的二极管。
4.根据权利要求1所述的用于静电放电防护的传感器，其中，该组件包括一金氧半晶体管。
5.根据权利要求4所述的用于静电放电防护的传感器，其中，该组件所包括的金氧半晶体管为N-型金氧半晶体管。
6.根据权利要求5所述的用于静电放电防护的传感器，其中，该N-型金氧半晶体管的栅极与漏极共接。
7.根据权利要求1所述的用于静电放电防护的传感器，其中，该传感器的输出端耦接至一反相器。
8.根据权利要求7所述的用于静电放电防护的传感器，其中，该反相器耦接至一静电放电防护电路的金氧半晶体管的栅极。
9.根据权利要求8所述的用于静电放电防护的传感器，其中，静电放电防护电路的金氧半晶体管为一串接的N-型金氧半晶体管。
10.根据权利要求9所述的用于静电放电防护的传感器，其中，当静电放电脉冲施于传感器的输入端时，金氧半晶体管的栅极会被拉下至低态电压。
11.一种用于静电放电防护的电路，包括：
一静电放电防护电路，该静电放电防护电路中有一具有栅极的金氧半晶体管；
一传感器，该传感器用以感测静电放电脉冲，并会依据静电放电脉冲而于传感器的输出端产生一高态电压；
一反相器，该反相器耦接至传感器的输出端以及静电放电防护电路的金氧半晶体管的栅极。
12.根据权利要求11所述的用于静电放电防护的电路，其中，当传感器感测到静电放电脉冲时，静电放电防护电路的金氧半晶体管的栅极会被反相器的输出电压拉下至低态电压。
13.根据权利要求11所述的用于静电放电防护的电路，其中，该传感器包括：
一耦接至传感器的输入端的分压电路，其中，当一静电放电脉冲所产生的电压施于传感器的输入端时，会有一电压跨降于分压电路上，而于传感器的输出端产生一高态电压；
一耦接至分压电路的组件，其中，当静电放电脉冲施于传感器的输入端时，该组件可调适以维持传感器的输出端的高态电压。
14.根据权利要求13所述的用于静电放电防护的电路，其中，该传感器的该输入端耦接至电压供应端。
15.根据权利要求13所述的用于静电放电防护的电路，其中，该分压电路包括串联的二极管。
16.根据权利要求13所述的用于静电放电防护的电路，其中，该组件包括一金氧半晶体管。
17.根据权利要求16所述的用于静电放电防护的电路，其中，该组件所包括的金氧半晶体管为N-型金氧半晶体管。
18.根据权利要求17所述的用于静电放电防护的电路，其中，该N-型金氧半晶体管的栅极与漏极共接。
19.根据权利要求11所述的用于静电放电防护的电路，其中，静电放电防护电路的金氧半晶体管为一串接的N-型金氧半晶体管。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7583484B2 (en) * 2003-08-20 2009-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Circuit and method for ESD protection
US7140614B2 (en) * 2003-09-09 2006-11-28 Shuffle Master, Inc. Poker game with required dealer discard
US7256975B2 (en) * 2004-06-14 2007-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. ESD protection circuit and method
KR100688531B1 (ko) * 2005-02-14 2007-03-02 삼성전자주식회사 정전기 전압에 대해서도 안정적인 고전압 내성을 갖는 입출력 회로
US7709924B2 (en) 2007-07-16 2010-05-04 International Business Machines Corporation Semiconductor diode structures
CN101599487B (zh) * 2008-06-05 2011-04-13 智原科技股份有限公司 静电放电检测电路与其相关方法
TWI400009B (zh) * 2010-04-12 2013-06-21 Ili Technology Corp Electrostatic discharge protection module
US8817433B2 (en) * 2011-07-28 2014-08-26 Arm Limited Electrostatic discharge protection device having an intermediate voltage supply for limiting voltage stress on components
KR20150089832A (ko) 2014-01-28 2015-08-05 삼성전자주식회사 Esd 인가 시 스캔 데이터를 처리하는 장치 및 방법
US9905560B2 (en) * 2015-05-27 2018-02-27 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Multi-voltage complementary metal oxide semiconductor integrated circuits based on always-on N-well architecture

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5463520A (en) * 1994-05-09 1995-10-31 At&T Ipm Corp. Electrostatic discharge protection with hysteresis trigger circuit
US5550699A (en) * 1994-08-15 1996-08-27 Hewlett-Packard Co. Hot plug tolerant ESD protection for an IC
US5617283A (en) * 1994-07-01 1997-04-01 Digital Equipment Corporation Self-referencing modulation circuit for CMOS integrated circuit electrostatic discharge protection clamps
US5719737A (en) * 1996-03-21 1998-02-17 Intel Corporation Voltage-tolerant electrostatic discharge protection device for integrated circuit power supplies
CN1381885A (zh) * 2001-04-13 2002-11-27 华邦电子股份有限公司 可容许高电压的输出/输入端口及静电放电保护电路
CN2731714Y (zh) * 2003-08-20 2005-10-05 台湾积体电路制造股份有限公司 静电放电防护的传感器与电路

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3947778A (en) * 1974-09-11 1976-03-30 Motorola, Inc. Differential amplifier
US5179297A (en) * 1990-10-22 1993-01-12 Gould Inc. CMOS self-adjusting bias generator for high voltage drivers
US5304867A (en) * 1991-12-12 1994-04-19 At&T Bell Laboratories CMOS input buffer with high speed and low power
US5311391A (en) * 1993-05-04 1994-05-10 Hewlett-Packard Company Electrostatic discharge protection circuit with dynamic triggering
US5381062A (en) * 1993-10-28 1995-01-10 At&T Corp. Multi-voltage compatible bidirectional buffer
US5504450A (en) * 1993-12-08 1996-04-02 At&T Corp. High voltage components for EEPROM system
US5418476A (en) * 1994-07-28 1995-05-23 At&T Corp. Low voltage output buffer with improved speed
JP3755911B2 (ja) * 1994-11-15 2006-03-15 富士通株式会社 半導体回路
US5581209A (en) * 1994-12-20 1996-12-03 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Adjustable current source
US5594373A (en) * 1994-12-20 1997-01-14 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Output driver circuitry with selective limited output high voltage
US5589794A (en) * 1994-12-20 1996-12-31 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Dynamically controlled voltage reference circuit
US5596297A (en) * 1994-12-20 1997-01-21 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Output driver circuitry with limited output high voltage
US5576656A (en) * 1994-12-20 1996-11-19 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Voltage regulator for an output driver with reduced output impedance
US5598122A (en) * 1994-12-20 1997-01-28 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Voltage reference circuit having a threshold voltage shift
US5548241A (en) * 1994-12-20 1996-08-20 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Voltage reference circuit using an offset compensating current source
US5808480A (en) * 1996-02-29 1998-09-15 Lucent Technologies Inc. High voltage swing output buffer in low voltage technology
US5864243A (en) * 1996-09-18 1999-01-26 Vlsi Technology, Inc. Buffer and method for transferring data therein
US5952848A (en) * 1997-03-14 1999-09-14 Lucent Technologies Inc. High-voltage tolerant input buffer in low-voltage technology
TW359887B (en) * 1997-11-28 1999-06-01 Winbond Electronics Corp IC interline protective circuit
US5926056A (en) * 1998-01-12 1999-07-20 Lucent Technologies Inc. Voltage tolerant output buffer
US5973534A (en) * 1998-01-29 1999-10-26 Sun Microsystems, Inc. Dynamic bias circuit for driving low voltage I/O transistors
TW444385B (en) 1998-04-28 2001-07-01 Taiwan Semiconductor Mfg Stacked low voltage triggering silicon control rectifier and the application in the electrostatic discharge protection for integrated circuit
US6137317A (en) * 1998-07-01 2000-10-24 Intel Corporation CMOS driver
US6069782A (en) * 1998-08-26 2000-05-30 Integrated Device Technology, Inc. ESD damage protection using a clamp circuit
US6459553B1 (en) * 1999-03-19 2002-10-01 Ati International Srl Single gate oxide electrostatic discharge protection circuit
US6268993B1 (en) * 1999-07-07 2001-07-31 Compaq Computer Corporation Electrostatic discharge protection clamp for high-voltage power supply or I/O with nominal-voltage reference
US6306695B1 (en) * 1999-09-27 2001-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Modified source side inserted anti-type diffusion ESD protection device
TW464058U (en) 1999-10-05 2001-11-11 Winbond Electronics Corp Electrostatic protective circuit for integrated circuit
JP2001110184A (ja) * 1999-10-14 2001-04-20 Hitachi Ltd 半導体装置
US6775112B1 (en) * 2000-05-12 2004-08-10 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for improving ESD and transient immunity in shunt regulators
US6614262B2 (en) * 2000-11-15 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Failsafe interface circuit with extended drain devices
US6552372B2 (en) * 2001-04-05 2003-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Integrated circuit having improved ESD protection
US6970336B2 (en) * 2003-10-10 2005-11-29 Freescale Semiconductor, Inc. Electrostatic discharge protection circuit and method of operation

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5463520A (en) * 1994-05-09 1995-10-31 At&T Ipm Corp. Electrostatic discharge protection with hysteresis trigger circuit
US5617283A (en) * 1994-07-01 1997-04-01 Digital Equipment Corporation Self-referencing modulation circuit for CMOS integrated circuit electrostatic discharge protection clamps
US5550699A (en) * 1994-08-15 1996-08-27 Hewlett-Packard Co. Hot plug tolerant ESD protection for an IC
US5719737A (en) * 1996-03-21 1998-02-17 Intel Corporation Voltage-tolerant electrostatic discharge protection device for integrated circuit power supplies
CN1381885A (zh) * 2001-04-13 2002-11-27 华邦电子股份有限公司 可容许高电压的输出/输入端口及静电放电保护电路
CN2731714Y (zh) * 2003-08-20 2005-10-05 台湾积体电路制造股份有限公司 静电放电防护的传感器与电路

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