CN100476933C - 图像显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种图像显示装置，实现了高精度的图像显示，且在玻璃基板上将以DA变换电路为主的外围电路集成化了。该图像显示装置具有：由多个像素(1)构成的显示区域(100)，从信号线(s1、s2)输入的串行数据及命令通过接口电路(14)及DA变换电路(11)被输入缓冲电路(10)中。缓冲电路的输出被输入水平移位寄存器(13)中，被依次扫描写入信号线(2)中。垂直移位寄存器(8)将通过栅线(3)应写入的像素的像素开关(4)切换成导通状态，显现对应于写入了该像素的图像信号的光学特性。这里，在FPC上设有由单晶Si形成的缓冲电路和缓冲电路用电源生成电路(32)，在玻璃基板(6)上设有由多晶Si形成的其他电路。
Description
技术领域
本发明涉及能将外围电路集成在玻璃基板上的图像显示装置，特别是涉及适合于高精度显示的图像显示装置。
背景技术
以下，用图6～图9说明现有的技术。
图6是表示第一现有例的图像显示装置的结构图。像素201呈矩阵状设置在显示区域200内，信号线202及栅线203分别连接在像素201上。实际上在显示区域200内设置多个像素201，但为了简化附图，图6中只示出了一个像素。像素201由用非晶Si-TFT(薄膜晶体管)形成的像素开关204和液晶元件205构成。这些显示区域200被设置在玻璃基板206上。栅线203的一端连接在靠近该玻璃基板206配置的栅驱动器LSI207内设置的移位寄存电路(S/R)208上。另外，信号线202的一端连接在靠近该玻璃基板206配置的液晶驱动器LSI209内设置的缓冲电路210上。缓冲电路210依次连接在数字/模拟变换电路(以下记载为“DA变换电路”)211、锁存电路212、移位寄存电路213上，移位寄存电路213通过接口电路(I/F)214、信号线s，连接在图中未示出的外部端子上。
其次，说明图6所示的第一现有例的工作。从外部端子通过信号线和接口电路214被输入液晶驱动器LSI209的图像数据，经由移位寄存电路213被写入设置在每一列中的锁存电路212中。锁存电路212将写入的图像数据输入每一行的DA变换电路211。DA变换电路(D/A)211输出的图像信号电压经过缓冲电路210，被写入设置在玻璃基板206上的信号线202。这时设置在栅驱动器LSI207内的移位寄存电路208通过规定的栅线203，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关204切换到导通状态。对这样选择的像素的液晶元件205进行规定的图像信号电压的写入。此后，液晶元件205呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，因此显示区域200显示规定的图像。
这样的现有技术在一般的非晶Si-TFT显示器中是目前最一般的产品中使用的技术，例如，在非专利文献1中公开了这样的技术。
对上述第一现有例来说，近年来研究开发了以下的技术。在第一现有例中，由于将非晶Si-TFT设置在玻璃基板206上，所以为了将像素开关204以外的电路元件集成在同一基板上，必须安装外围LSI锁存器，因此伴随着成本上升。
与此不同，在下面所述的第二现有例中，由于将多晶Si-TFT设置在玻璃基板206上，所以除了像素开关204以外，迄今甚至被集成在栅驱动器LSI207或液晶驱动器LSI209上的外围驱动电路，也能集成在同一玻璃基板206上。
图7是表示第二现有例的图像显示装置的结构图。像素201呈矩阵状地设置在显示区域200内，信号线202及栅线203分别连接在像素201上。实际上在显示区域200内设置多个像素201，但在图7中为了使画面简单，只示出了一个像素。像素201由利用多晶Si-TFT形成的像素开关204P和液晶元件205构成。它们的显示区域200设置在玻璃基板206上。栅线203的一端连接在共同设置在该玻璃基板206上的移位寄存电路208P上。但是，这里移位寄存电路208P也是用Si-TFT形成的。另外，信号线202的一端连接在共同设置在该玻璃基板206上的缓冲电路210P上。缓冲电路210P依次连接在DA变换电路211P、锁存电路212P、移位寄存电路213P上，移位寄存电路213P连接在作为单晶Si-LSI设置在玻璃基板206的外部的接口电路214上、以及通过信号线s连接在图中未示出的外部端子上。另外，这里缓冲电路210P、DA变换电路211P、锁存电路212P、移位寄存电路213P都由多晶Si-TFT形成。
其次，说明图7所示的第二现有例的工作。从外部端子经由信号线s输入的图像数据，通过作为单晶Si-LSI设置的接口电路214被输入玻璃基板206中，经由移位寄存电路213P，被写入设置在每一列的锁存电路212P中。锁存电路212P将被写入的图像数据输入每一行的DA变换电路211P中。DA变换电路211P输出的图像信号电压经过缓冲电路210P被写入信号线202中。这时移位寄存电路208P通过规定的栅线203，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关204P切换成导通状态。对由此选择的像素的液晶元件205进行规定的图像信号电压的写入。此后，液晶元件205呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，由此显示区域200显示规定的图像。
该第二现有例与第一现有例相比，具有能减少栅驱动器LSI207和液晶驱动器LSI209这样的外围LSI、同时还能减少玻璃基板206上的输出端子的个数的优点，因此近年来集中精力进行研究开发。作为这样的现有例，例如在专利文献1中有详细的记载。
上述第二现有例由于与液晶显示器在同一个玻璃基板206上用多晶Si-TFT形成液晶显示器的外围LSI的功能，所以可以说是将外围LSI的减少作为目标的例子。
另外，作为该思考方法的延续，最近正在研究以下的第三现有例所示的技术。在上述第二现有例中，将外围驱动LSI集成在多晶Si-TFT上。与此不同，在下述的第三现有例中，甚至将在同一玻璃基板206上用多晶Si-TFT集成外围系统作为目标。
图8是表示第三现有例的图像显示装置的结构图。像素201呈矩阵状地设置在显示区域200内信号线202及栅线203分别连接在像素201上。实际上在显示区域200内设置多个像素201，但为了简化附图，图8中只示出了一个像素。像素201由用多晶Si-TFT形成的像素开关204P和液晶元件205构成。这些显示区域200被设置在玻璃基板206上。栅线203的一端连接在共同设置在该玻璃基板206上的移位寄存电路208P上。但是，这里移位寄存电路208P也用多晶Si-TFT形成。信号线202的一端连接在被设置在玻璃基板206上的驱动电路(DRV)220上。这里驱动电路220中包括第二现有例中的缓冲电路210P、DA变换电路211P、锁存电路212P、移位寄存电路213P，是对应于第一现有例中的液晶驱动器LSI209的电路。驱动电路220再通过时序控制器(T-CTL)221，连接在帧存储器(FMEM)222、CPU223上，除此以外，与驱动电路220、时序控制器221、帧存储器222、CPU223相同，用多晶Si-TFT在玻璃基板206上形成电源电压生成电路224。
其次，说明图8所示的第三现有例的工作。通过CPU223的控制而从帧存储器222读出的图像数据通过时序控制器221被写入驱动电路220中。驱动电路220将该图像数据变换成图像信号电压，按照规定的时序写入信号线202中。这时时序控制器221同时控制移位寄存电路208P。移位寄存电路208P通过规定的栅线203，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关204P切换成导通状态。因此，对被选择的像素201的液晶元件205进行规定的图像信号电压的写入。此后，液晶元件205呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，因此显示区域200显示规定的图像。
该第三现有例这样的技术与第二现有例相比，具有更能减少时序控制器221、帧存储器222、CPU223、电源电压生成电路224、这样的外围安装系统的优点，一般称为系统显示技术。例如，在非专利文献2中公开了这样的现有例。
上述的各现有例是将在玻璃基板上形成多晶Si-TFT的优点用于减少外围LSI和外围安装系统的例子，但在接下来的第四现有例中，说明与它们不同的多晶Si-TFT的利用技术。第四现有例是像素个数比较少的数字照相机等的取景器等中用的技术，是简化第一现有例中的液晶驱动器LSI用的技术。
图9是表示第四现有例的图像显示装置的结构图。像素201呈矩阵状地设置在显示区域200内，信号线202及栅线203分别连接在像素201上。实际上在显示区域200内设置多个像素201，但在图9中为了使画面简单，只示出了一个像素。像素201由利用多晶Si-TFT形成的像素开关204P和液晶元件205构成。它们的显示区域200设置在玻璃基板206上。栅线203的一端连接在共同设置在该玻璃基板206上的移位寄存电路208P上。但是，这里移位寄存电路208P也是用多晶Si-TFT形成的。信号线202的一端连接在也是用多晶Si-TFT在该玻璃基板206上形成的移位寄存电路213P上。移位寄存电路213P通过在玻璃基板206的外部，分别用单晶Si形成的缓冲电路210、DA变换电路211、接口电路214、信号线s，连接在图中未示出的外部端子上。
其次，说明图9所示的第四现有例的工作。从外部端子经过信号线s及接口电路214被输入DA变换电路211的图像数据被变换成图像信号电压，经由缓冲电路210被输入设置在玻璃基板上的移位寄存电路213P。移位寄存电路213P将该图像信号电压写入设置在每一列中的信号线202中。这时移位寄存电路208P通过规定的栅线203，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关204P切换成导通状态。因此，对被选择的像素的液晶元件205进行规定的图像信号电压的写入。此后，液晶元件205呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，因此显示区域200显示规定的图像。
这样的现有技术虽然是与如上所述以简化第一现有例中的液晶驱动器LSI为目的的第二现有例不同的技术，但特别是像素个数少的显示器中使用的技术。例如，非专利文献3中公开了这样的现有例。
[专利文献1 ]特开2002-328659号公报
[非专利文献1]松本正一编著，“液晶显示器技术”，产业图书，1996年，p.68-70
[非专利文献2]Digest of Technical Papers，AM-LCD’01，“System on panel for Mobile Displays”，p.5-8
[非专利文献3]三洋电机株式会社，三洋半导体新闻，No.N7635，“ALP249FXX-LCD模块”
如上所述，如第二现有例或第三现有例所示，多晶Si-TFT技术基本上是相对于第一现有例所示的非晶Si-TFT技术，将外围驱动LSI和外围安装系统安装到玻璃基板上，在这样的思考方法下开发出来的。
可是，在这样用多晶Si-TFT置换全部LSI的现有的思考方法中，我们注意到了有重大的问题。
为了用多晶Si-TFT置换全部LSI，必须用多晶Si-TFT技术形成安装在玻璃基板上的全部电路，可是在多晶Si-TFT中在沟道内存在晶粒边界，所以晶体管的特性必然发生离散。这样的晶体管特性离散，虽然在只用数字电路和开关构成的电路中不会发生问题，但在模拟电路中会发生特性的离散。这时这里成问题的是缓冲电路210P的离散。由于缓冲电路210P的离散在显示图像中形成纵条纹状的固定图形噪声，所以在进行高精度的图像显示时，它会成为严重的问题。
如果考虑到这一点，则断定在第二现有例、或第三现有例的技术中，例如实现8位显示的高精度的图像显示是困难的。另外。在第一现有例、或第四现有例的技术的延续中，不能使移位寄存电路以外的要求高速工作的以DA变换电路为首的外围电路在玻璃基板上集成化。
因此，本发明的目的在于提供一种例如实现8位显示的高精度的图像显示、将以DA变换电路为首的外围电路在玻璃基板上集成化的图像显示装置。
发明内容
本发明的图像显示装置的具有代表性的一例如下。即，本发明是一种有由设置在绝缘基板的多个像素构成的显示部、包括将显示信号电压写入像素中用的信号线的显示信号电压写入单元、以及根据数字显示信号数据生成显示信号电压用的信号电压生成单元的图像显示装置，其特征在于：上述信号电压生成单元包括DA变换单元、以及该DA变换单元的输出电压的阻抗变换单元，在上述绝缘基板上形成上述DA变换单元，在半导体基板上形成上述阻抗变换单元。
上述阻抗变换单元最好用将利用单晶硅的MOS晶体管作为构成元件的缓冲电路来构成。另外，该阻抗变换单元也可以包括有负反馈的差动放大电路。
虽然这样在绝缘基板上形成DA变换单元，但在设置上述显示部和外围电路的绝缘基板(例如玻璃基板)以外的半导体基板上形成对特性离散敏感的阻抗变换单元的思考方法，到底是与上述的第二现有例或第三现有例的技术作为目标的到此为止的思考方法是完全转变想法的思考方法。
如果采用本发明，则由于在与像素部为同一绝缘基板上形成DA变换单元，而且在半导体基板基板上形成阻抗变换单元，所以能提供能进行高精度显示而且价格低的图像显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施形态例的携带终端的结构图。
图2是第一实施形态例中的单一的缓冲电路的基本电路结构图。
图3是表示本发明的第二实施形态例的液晶显示面板的结构图。
图4是表示本发明的第三实施形态例的液晶显示面板的结构图。
图5是表示本发明的第四实施形态例的携带终端的结构图。
图6是表示第一现有例的图像显示装置的结构图。
图7是表示第二现有例的图像显示装置的结构图。
图8是表示第三现有例的图像显示装置的结构图。
图9是表示第四现有例的图像显示装置的结构图。
具体实施方式
以下参照附图，详细说明本发明的实施形态。
<第一实施形态>
下面，说明本发明的图像显示装置的第一实施形态的总体结构及其工作情况。图1是表示本发明的第一实施形态例的图，是适用于携带终端的情况下的结构图。像素1呈矩阵状地设置在显示区域100内，信号线2及栅线3分别连接在像素1上。实际上在显示区域100内设有多个像素1，但为了简化附图，图1中只示出了一个像素。
像素1由用多晶Si-TFT形成的像素开关4和液晶元件5构成。它们的显示区域100设置在玻璃基板6上。栅线3的一端连接在设置在该玻璃基板6上的垂直移位寄存电路(V-S/R)8上。但是，这里垂直移位寄存电路8也用多晶Si-TFT形成。另外信号线2的一端连接在设置在该玻璃基板6上的水平移位寄存电路(H-S/R)13上。水平移位寄存电路13的输入端子被分成RGB(红绿蓝)用的3个沟道，分别连接在在与玻璃基板6的外部连接的FPC(Flexible PlasticCable)7上安装的3个缓冲电路10R、10G、10B上。
这3个缓冲电路10R、10G、10B的输入端子再次进入玻璃基板6上，分别经由DA变换电路11R、11G、11B，连接在串并联(串联/并联)变换电路(S/P)15上，还连接在接口电路14上。另外，这里3个缓冲电路10R、10G、10B分别是用在单晶Si基板上形成的MOS晶体管构成的IC电路。另一方面，DA变换电路11R、11G、11B、串并联变换电路15、以及接口电路14分别在玻璃基板6上用多晶Si-TFT形成。
数据(data)及命令(command)从设置在玻璃基板6的外部的图形控制器(GRP-CTL)20，通过FPC7内的数据信号线s1及命令信号线s2，串行地输入接口电路14中，图形控制器20通过系统总线28，连接在帧存储器22、CPU23、由开关及触摸面板构成的输入单元(INPT)25、无线信号处理电路(RF)26上。另外，在携带终端30内还安装着包括二次电池的电源电路24，将规定的电源供给各电路。利用由在单晶Si基板上形成的MOS晶体管构成的IC电路，能实现图形控制器20、帧存储器22、CPU23、输入单元25、无线信号处理电路26、电源电路24。
其次，说明图1所示的第一实施形态例的工作。
规定的命令一旦从输入单元25输入到CPU23中，CPU23根据该命令操作无线信号处理电路26、帧存储器22、电源电路24，同时将必要的命令及显示数据传输给图形控制器20。图形控制器20这时将规定的命令及显示数据输入给设置在玻璃基板6上的接口电路14。接口电路14将这些信号变换成朝向多晶Si-TFT电路的规定的电压，同时将时序时钟传输给设置在玻璃基板6上的各电路，而且将显示数据传输给串并联变换电路15。串并联变换电路15将被传输的显示数据分解成RGB(红绿蓝)3个并列信号后，将这些显示数据依次输入DA变换电路11R、11G、11B中。
其次，DA变换电路11R、11G、11B将被输入的数字显示数据依次变换成模拟图像信号电压，将该图像信号电压分别输入连接在玻璃基板6的外部的FPC7上安装的3个缓冲电路10R、10G、10B中。
缓冲电路10R、10G、10B对被输入的图像信号电压进行了阻抗变换后，再将图像信号电压依次输入玻璃基板6上的水平移位寄存电路13中，水平移位寄存电路13将图像信号电压依次扫描写入信号线2中。这时，垂直移位寄存电路8通过规定的栅线3，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关4切换成导通状态。对由此选择的像素的液晶元件5，进行规定的图像信号电压的写入。此后，液晶元件5呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，因此显示区域100显示规定的图像。
虽然说明过，3个缓冲电路10R、10G、10B是由分别在单晶Si基板上形成的MOS晶体管构成的IC电路，但这里在图2中示出了各缓冲电路的结构。
图2是单一的缓冲电路10的基本电路结构，能作为对具有一对差动输入对的运算放大器31施加负反馈的电压输出电路来实现。另外，运算放大器31的电路结构是众所周知的一般的结构，所以这里详细内容从略。
在本实施形态中，如上所述，将缓冲电路10与3个10R、10G、10B独立地设置，所以有由RGB进行的色平衡的调整容易的优点。另外，由于将缓冲电路设置在FPC7上，所以具有携带终端30的内部元件安装简便的优点。
以上说明的实施形态例在无损于本发明的主旨的范围内能进行各种变更。例如，在本实施形态例中，虽然使用玻璃基板作为TFT基板，但也能将它变更为石英基板或透明塑料基板等其他透明绝缘基板，另外如果液晶元件5采用反射型的结构，则也能使用不透明基板。
在本实施形态例中，将3个缓冲电路10R、10G、10B全部安装在连接在玻璃基板6的外部的FPC7上。可是3个缓冲电路10R、10G、10B的安装形态不限于此，例如也可以直接在玻璃基板6上进行COG(芯片在玻璃上)安装，或者安装在一般的电路基板上、或其他IC芯片上或组件内，这是明确的。
另外，在本实施形态例的说明中，不必谈及像素个数和面板尺寸等。这是因为本发明不特别限制于它们的说明书乃至规格。另外，在本实施形态例中，虽然使显示信号为256灰度(8位)，但也可以是更大的灰度，反之容易降低灰度精度，谋求提高图像信号电压的精度，这正是本发明所擅长的。
以上的各种变更等不限于本实施形态例，在以下的其他实施形态例中，也基本上同样适用。
<第二实施形态>
下面，说明本发明的图像显示装置的第二实施形态。图3是表示本发明的第二实施形态例的图，是适用于液晶显示面板情况的结构图。像素1呈矩阵状地设置在显示区域100内，信号线2及栅线3分别连接在像素1上。实际上在显示区域100内设有多个像素1，但为了简化附图，图3中只示出了一个像素。
像素1由用多晶Si-TFT形成的像素开关4和液晶元件5构成。它们的显示区域100设置在玻璃基板6上。栅线3的一端连接在设置在该玻璃基板6上的垂直移位寄存电路8上。但是，这里垂直移位寄存电路8也用多晶Si-TFT形成。
信号线2的一端连接在设置在该玻璃基板6上的水平移位寄存电路13上。水平移位寄存电路13的输入端子连接在被安装在玻璃基板6的外部连接的FPC7上的缓冲电路10上。另外，缓冲电路10的输入端子再次进入玻璃基板6上，经由DA变换电路11连接在接口电路14上。这里缓冲电路10是由在单晶Si基板上形成的MOS晶体管构成的IC电路，另外缓冲电路电源生成电路32设置在同一FPC安装IC34上。
DA变换电路11和接口电路14分别在玻璃基板6上由多晶Si-TFT形成。数据及命令从玻璃基板6的外部通过FPC上的数据信号线s1及命令信号线s2被输入接口电路14中。另外，在玻璃基板6上还设有由多晶Si-TFT形成的负电压及高电压电源生成电路33。
其次，说明图3所示的第二实施形态例的工作。
规定的命令及显示数据一旦通过FPC7内的信号线s1、s2被输入设置在玻璃基板6上的接口电路14中，接口电路14将这些信号变换成朝向多晶Si-TFT电路的规定的电压，同时将时序时钟传输给设置在玻璃基板6上的各电路，将显示数据传输给串并联变换电路15。串并联变换电路15将被传输的显示数据分解成RGB(红绿蓝)3个并列信号后，将这些显示数据依次输入DA变换电路11中。
其次，DA变换电路11将被输入的数字显示数据依次变换成模拟图像信号电压，将该图像信号电压输入连接在玻璃基板6的外部的FPC7上安装的FPC安装IC34上的缓冲电路10中。缓冲电路10对被输入的图像信号电压进行了阻抗变换后，再将图像信号电压依次输入玻璃基板6上的水平移位寄存电路13中。水平移位寄存电路13将图像信号电压依次扫描写入信号线2中。这时，垂直移位寄存电路8通过规定的栅线3，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关4切换成导通状态。对由此选择的像素的液晶元件5，进行规定的图像信号电压的写入。此后液晶元件5呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，由此显示区域100显示规定的图像。
在本实施形态例中，缓冲电路10利用设置在FPC安装IC34上的缓冲电路电源生成电路32的输出电源进行工作。另一方面，水平移位寄存电路13及垂直移位寄存电路8利用设置在玻璃基板6上的负电压及高电压电源生成电路33进行工作。因此在本实施形态例中，能减轻安装在液晶显示面板的外部的电源电路24的负担。
这里，使用单晶Si-MOS晶体管的缓冲电路电源生成电路32设置在FPC7上的安装IC34上，使用多晶Si-TFT的负电压及高电压电源生成电路33设置在玻璃基板6上，其理由如下。缓冲电路10有必要将规定的图像信号电压精度良好地写入液晶元件5中，所以精度高而且具有大电流供给能力的电源是必要的。因此，最好用单晶Si-MOS晶体管设置缓冲电路电源生成电路32。另外，水平移位寄存电路13及垂直移位寄存电路8中使图像信号电压导通截止用的较大的电压振幅和负电压是必要的。因此，最好用耐压大、基板绝缘的多晶Si-TFT，设置负电压及高电压电源生成电路33。
<第三实施形态>
下面，说明本发明的图像显示装置的第三实施形态。图4是表示本发明的第三实施形态例的液晶显示面板的结构图。本实施形态例的静止画用帧存储器(ST-FMEM)41是在玻璃基板6上用多晶Si-TFT形成的，这一点与上述的第二实施形态例不同。这里，静止画用帧存储器41采用一般众所周知的SRAM结构，所以关于其结构的说明从略，以下只详细说明该部分的工作。
规定的命令及显示数据一旦通过FPC7内的信号线s1、s2被输入设置在玻璃基板6上的接口电路14中，接口电路14将这些信号变换成朝向多晶Si-TFT电路的规定的电压，同时将时序时钟传输给设置在玻璃基板6上的各电路，将显示数据依次输入DA变换电路11。但是，这时在输入了欲存储显示数据的命令的情况下，接口电路14将显示数据不是输入DA变换电路11中而是输入静止画用帧存储器41中，静止画用帧存储器41将该显示数据作为静止图像存储在内部。
这里存储在静止画用帧存储器41中的显示数据不能直接用于显示。可是以后，外部装置为了节省能量，进入睡眠状态时，按照以下的顺序用于显示。
为了节省能量，在外部装置进入了睡眠状态的情况下，规定的命令及显示数据基本上不从外部输入液晶显示面板中。代之以在此之前，使用静止画用帧存储器41的静止画显示的命令从外部输入接口电路14中。静止画用帧存储器41接收该命令，开始将显示数据反复输入DA变换电路11中。关于此后的图像显示，与不用静止画用帧存储器41的情况相同。
即，DA变换电路11将输入的数字显示数据依次变换成模拟图像信号电压，将该图像信号电压输入连接在玻璃基板6的外部的FPC7上安装的FPC安装IC34的缓冲电路10中。缓冲电路10对被输入的图像信号电压进行了阻抗变换后，再将图像信号电压依次输入玻璃基板6上的水平移位寄存电路13中。水平移位寄存电路13将图像信号电压依次扫描写入信号线2中。这时垂直移位寄存电路8通过规定的栅线3，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关4切换成导通状态。对由此选择的像素的液晶元件5，进行规定的图像信号电压的写入。此后液晶元件5呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，因此显示区域100显示规定的图像。
在本实施形态例中，由于使用静止画用帧存储器41，所以有为了节省能量，在外部装置进入了睡眠状态的情况下，也能进行静止图像显示的优点。这时液晶显示面板构成得能只利用设置在FPC安装IC34上的缓冲电路电源生成电路32的输出电源、以及设置在玻璃基板6上的负电压及高电压电源生成电路33的输出电源，就能进行工作。但是，这时从节省能量的观点看，液晶元件5最好进行反射模式的显示。
<第四实施形态>
下面，说明本发明的图像显示装置的第四实施形态。图5是表示本发明的第四实施形态例的携带终端的结构图。本实施形态例的总体结构及其工作，除了没有将缓冲电路10分割成RGB3个沟道用的串并联变换电路15以外，基本上与已经说明的第一实施形态例的携带终端的总体结构及工作大致相同，所以这里从略。
本实施形态例和第一实施形态例的不同点在于其像素结构及其工作，以下特别说明这一点。
像素1E呈矩阵状地设置在显示区域100内，信号线2及栅线3分别连接在像素1E上。实际上在显示区域100内设有多个像素1E，但为了简化附图，图5中只示出了一个像素。像素1E由用多晶Si-TFT形成的像素开关4、有机发光元件52、以及驱动有机发光元件52用的驱动TFT51构成。它们的显示区域100设置在玻璃基板6上。
其次，说明图5所示的本实施形态例的工作。
垂直移位寄存电路8通过规定的栅线3，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关4切换成导通状态。对由此选择的像素1E的驱动TFT51的栅电容，进行规定的图像信号电压的写入。此后，驱动TFT51将对应于被写入的图像信号电压的驱动电流输入有机发光元件52中，在写入下一个图像信号电压之前的期间，以规定的亮度将有机发光元件52点亮，因此显示区域100显示规定的图像。
在本实施形态例中，代替液晶元件有有机发光元件52，所以特别是关于动画图像，能实现具有高品质的显示能力的携带终端。有机发光元件的响应速度比液晶元件快得多。因此，能提供数字地面波广播中接收显示动画时具有良好的显示品质的携带终端。
Claims (14)
1、一种图像显示装置，具有：
设置在绝缘基板上的由多个像素构成的显示部；
包含将显示信号电压写入上述像素中用的信号线的显示信号电压写入单元；以及
根据数字显示信号数据生成上述显示信号电压用的信号电压生成单元，
该图像显示装置的特征在于：
上述信号电压生成单元包括DA变换单元、以及针对上述DA变换单元的输出电压的阻抗变换单元，
在上述绝缘基板上形成上述DA变换单元，在半导体基板上形成上述阻抗变换单元。
2、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述DA变换单元由以使用多晶Si的TFT作为构成元件的电路构成。
3、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述阻抗变换单元由以使用单晶Si的MOS晶体管作为构成元件的电路构成。
4、根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于：
上述阻抗变换单元包括有负反馈的差动放大电路。
5、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述像素通过对应于显示信号电压调制液晶元件的光学特性，来显示图像。
6、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述像素通过对应于显示信号电压调制发光元件的发光特性，来显示图像。
7、根据权利要求6所述的图像显示装置，其特征在于：
上述发光元件是设置在上述像素内的有机发光二极管。
8、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述显示信号电压写入单元包括水平方向像素列的扫描选择单元、以及垂直方向像素行的扫描选择单元。
9、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述显示信号电压写入单元包括接收来自CPU或图形控制器的命令信号的接口单元，在上述绝缘基板上有上述接口单元。
10、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述显示信号电压写入单元至少包括一个规定的电源电压生成单元，在上述绝缘基板上有上述电源电压生成单元。
11、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述显示信号电压写入单元至少包括一个规定的电源电压生成单元，在上述半导体基板上有上述电源电压生成单元。
12、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述信号电压生成单元包括显示信号数据存储单元，在上述绝缘基板上有上述显示信号数据存储单元。
13、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
上述半导体基板安装在FPC上。
14、一种图像显示装置，具有：
设置在绝缘基板上的由多个像素构成的显示部、
包含将显示信号电压写入上述像素中用的信号线的显示信号电压写入单元、以及
根据数字显示信号数据生成上述显示信号电压用的信号电压生成单元，
该图像显示装置的特征在于：
上述信号电压生成单元包括DA变换单元、以及针对上述DA变换单元的输出电压的阻抗变换单元，
上述DA变换单元和上述显示部由以TFT作为构成元件的电路形成，
上述阻抗变换单元由以使用单晶Si的MOS晶体管作为构成元件的电路形成。
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Chiba County, Japan Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc. Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd. Address before: Chiba County, Japan Patentee before: Japan Display East Inc. Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd. Address after: Chiba County, Japan Patentee after: Japan Display East Inc. Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd. Address before: Chiba County, Japan Patentee before: Hitachi Displays, Ltd. Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd. |
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| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc. Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd. Address before: Chiba County, Japan Patentee before: JAPAN DISPLAY Inc. Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd. |
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| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20050406 Assignee: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Assignor: JAPAN DISPLAY Inc.|Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd. Contract record no.: 2013990000688 Denomination of invention: Projection lens for image display equipment Granted publication date: 20090408 License type: Common License Record date: 20131016 |
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| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231018 Address after: Tokyo Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc. Patentee after: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY CORPORATION OF AMERICA Address before: Tokyo Patentee before: JAPAN DISPLAY Inc. Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd. |