CN100472777C - 物理量传感器及其制造方法 - Google Patents

物理量传感器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100472777C
CN100472777C CNB2005101084630A CN200510108463A CN100472777C CN 100472777 C CN100472777 C CN 100472777C CN B2005101084630 A CNB2005101084630 A CN B2005101084630A CN 200510108463 A CN200510108463 A CN 200510108463A CN 100472777 C CN100472777 C CN 100472777C
Authority
CN
China
Prior art keywords
physical quantity
platform
lead
magnetic sensor
sensor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005101084630A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1758435A (zh
Inventor
白坂健一
齐藤博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Corp filed Critical Yamaha Corp
Publication of CN1758435A publication Critical patent/CN1758435A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100472777C publication Critical patent/CN100472777C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

本发明提供了一种包括一对物理量传感器芯片的物理量传感器,所述物理量传感器芯片关于外部模封的底部倾斜,且靠近物理量传感器芯片的外端形成,其中所述外部模封的侧表面在厚度方向上倾斜在0°到5°之间的角度。可能不使用模具实现平台的倾斜,其中吸收装置用于吸收与平台关联的指定部分,所述平台绕轴线旋转,从而关于指定基座倾斜。在制造中,将具有多个引线框架的薄金属板放在由夹具限定的基座上;接着,使形成在引线框架之间的中间部分的交点经受压制,以便实现平台的倾斜。

Description

物理量传感器及其制造方法
技术领域
本申请涉及测量关于例如磁力和重力等物理量的方位和方向的物理量传感器。本发明也涉及物理量传感器的制造方法。
本申请要求日本专利申请No.2004-296371、2005-45299、2005-89629、和2005-94388的优先权,其内容结合于此作为参考。
背景技术
近来,已经开发出关于测量三维空间中的方位和方向的传感技术,以提供各种类型的物理量传感器,例如用于检测例如磁力和加速度等物理量的磁性传感器和加速度传感器等。例如,日本未审专利申请出版物No.2004-128473披露了使用专门设计的引线框架的磁性传感器。
已知,每个物理量传感器都装配有关于彼此相互倾斜的物理量传感器芯片(或磁性传感器芯片)。由于成对的物理量传感器芯片的相互倾斜,可能检测存在于三个方向上的磁因子(例如,平面上彼此垂直的X轴和Y轴方向,以及垂直于X轴和Y轴方向的Z轴方向);因此,可能基于作为存在于三维空间中的向量的检测值测量地磁方向。因此,可以减小物理量传感器的总厚度。
除了上述可减小具有相互倾斜的物理量传感器芯片的物理量传感器的总厚度方向的优点外,可能提供以下优点。
例如,日本未审专利申请出版物No.H09-292408讲授了加速度传感器的实例,即,具有单侧光束结构的物理量传感器,其中物理量传感器芯片(即,加速度传感器芯片)预先关于其衬底倾斜。
在上述中,即使在传感器封装安装在衬底表面上时,也可能响应于物理量传感器的倾斜方向保持在指定轴向上的灵敏性;并且可能减少其它轴向上的灵敏性,包括沿衬底表面的方向的灵敏性。结果,可能在运输中保持指定的产品特征。
具体而言,图17示出物理量传感器100的已知结构,所述物理量传感器100具有用于将一对关于彼此倾斜的磁性传感器芯片103固定到底部102上的外部模具部分101。为此,外部模具部分101的侧表面105通常具有分别在厚度方向H上倾斜预定角度的斜面。
上述物理量传感器100可适于便携式终端装置,例如举例来说具有导航功能的便携式电话(或蜂窝电话)等。由于近来便携式终端装置有尺寸减少的趋势,所以可能存在进一步减小物理量传感器100的尺寸的需要。为了实现物理量传感器100的紧凑性,可能必须尽可能减小位于底部102的长度方向W上的尺寸G。
然而,由于具有适于物理量传感器100的侧表面105的制定角度的斜面,位于长度方向W上的底部102的两端通常必须超过物理量传感器芯片103的终端端部104向外凸出。这造成瓶颈,使得难以进一步减小物理量传感器100的尺寸。
近来,例如便携式电话(或蜂窝电话)等便携式终端装置已经配备有GPS(全球定位系统)功能,用于显示用户目前在地球上的位置。此外,除了GPS功能外,可进一步开发便携式终端装置,使其具有用于精确测量地磁和加速度的功能;因此,用户持有的便携式终端装置可能在三维空间中测量其方位和方向以及其移动方向。
为了实现便携式终端装置中的上述功能,有必要整合例如磁性传感器和加速度传感器等物理量传感器。为了测量三维空间中的方位和加速度,方便物理量传感器芯片的平台必须关于指定基座倾斜。
例如,目前在市场上出售的一种已知的磁性传感器这样设计,使得方便物理量传感器芯片的平台不必关于指定基座倾斜。在这种类型的物理量传感器中,提供了对位于外部磁场的两个方向(即,彼此垂直的X轴和Y轴方向)上的磁因子敏感的第一磁性传感器芯片、和对位于另一方向(即,Z轴方向)上的磁因子敏感的第二磁性传感器芯片,其中这两个第一和第二磁性传感器芯片安装在衬底表面上。
上述根据由一对第一和第二磁性传感器芯片检测的磁因子磁性传感器测量作为三维空间中的向量的地磁因子。
然而,上述磁性传感器基本上是这样设计的,使得第二磁性传感器芯片垂直立在衬底表面上;因此,一个缺点是,必须增加其厚度(位于Z轴方向上)。为了使厚度最小,有必要使用其中方便物理量传感器芯片的平台必须关于指定基座倾斜的物理量传感器。实例已经在各种类型的文章中作了披露,例如已经在上面描述的日本未审专利申请出版物No.2004-128473和H09-292408等。此外,日本未审专利申请出版物No.2002-156204披露了尺寸减小的磁性传感器和角度传感器。
如上所述,多个物理量传感器在物理量传感器内部关于彼此相互倾斜,从而可能检测三个方向(即,X轴、Y轴、和Z轴方向)上的磁因子;因此,可能根据检测结果测量作为三维空间中的向量的地磁方向。由于物理量传感器芯片的相互倾斜,所以可能减少在Z轴方向上的高度;换句话说,可能使磁性传感器的厚度最小。
在上述中,要求在方便两个磁性传感器芯片的两个平台之间形成的角度范围在0°到90°之间。优选的是,所述角度大于20°;进一步优选的是,所述角度大于30°。这是因为较大的角度可提高与X轴和Y轴方向隔离很好的Z轴方向上的灵敏性。
如上所述,其中物理量传感器芯片关于彼此相互倾斜的物理量传感器的优点在于,可使其厚度最小,以便使得电子器件的尺寸减小,其中由于物理向传感器芯片的相互倾斜,所以它们有很多优点,从而将对将来的主流技术有帮助。
将参看图18描述其中物理量传感器芯片关于彼此相互倾斜的物理量传感器。物理量传感器安装在封装在树脂模封(mold package)中的引线框架的平台上,其中它们通过凸起以相互倾斜的状态被支撑,所述凸起从平台向着树脂模封的底部向下凸出。
在制造中,使薄金属板经受压力加工,以便形成具有平台的引线框架;接着,形成凸起,以从平台的下表面(或背面)的相对端凸出。引线框架保持和固定在之间具有指定形状的空腔的一对金属模具中,其中凸起的尖端受下部金属模具内壁的压制(pressing),使得平台绕互连至平台基座的互连部的轴线旋转,从而适当弯曲;因此,如图18中所示处理包括平台和凸起的引线框架。此后,将树脂导入金属模具的空腔内。这样,平台的相对端分别指向树脂模封的上表面,由此平台通过凸起以相互倾斜的状态被支撑。
在上述制造方法中,使用一对金属模具使凸起经受压制,从而这对金属模具可能损坏。此外,可能需要通过压制使平台精确倾斜的麻烦工作。
由于借助于从平台凸出的凸起使用上部和下部模具使引线框架的平台经受倾斜,所以物理量传感器具有这样的缺陷:封装引线框架和物理量传感器芯片的封装的总尺寸由于凸起的设置而增大。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种物理量传感器及其制造方法,其中以较小尺寸设计具有简单结构的物理量传感器。
本发明的另一目的是提供一种不使用金属模具制造物理量传感器的方法,其中所述金属模具用于在其间保持引线框架。即使在制造中使用金属框架,本发明也使得提高金属框架的耐用性成为可能。此外,本发明使得可能快速而容易地制造物理量传感器。
本发明的又一目的是提供一种物理量传感器制造方法,使得所述物理量传感器的尺寸减小,并且以降低的成本顺利产生所述物理量传感器。
在本发明的第一方面中,使用封装在使用树脂模制的外部模封中的一对物理量传感器芯片构造物理量传感器,其中所述物理量传感器芯片关于所述外部模封的底部倾斜,且其中外部模封的侧表面在厚度方向上向内倾斜一个在0°到5°之间的角度,且靠近彼此相对设置的物理量传感器芯片的外端形成。
通过增大向外加宽的外部模封的侧表面的角度,可能减小外部模封的长度,从而可能减小外部模封的底部的总面积。这实现了物理量传感器的尺寸减小。
在上述中,形成多条引线,这些引线电连接至物理量传感器芯片,使得引线与物理量传感器芯片在厚度方向上部分重叠。这有助于进一步减小外部模封的底部的长度;因此,可能实现物理量传感器的尺寸减小。
此外,所述引线具有倾斜部,所述倾斜部关于外部模封的底部倾斜,且在所述倾斜部上设置物理量传感器芯片。这使得物理量传感器芯片不与引线接触就被倾斜变得容易。
在物理量传感器制造方法中,其中在所述物理量传感器中,一对物理量传感器芯片整合在使用树脂模制的外部模封中,且每个物理量传感器芯片都关于外部模封的底部倾斜,所述制造方法包括以下步骤:执行焊接步骤,使得物理量传感器芯片焊接到引线框架平台上,其中通过处理薄金属板形成所述引线框架;执行连接步骤,以便建立引线框架和物理量传感器芯片之间的电连接;执行固定步骤,以便将装配有物理量传感器芯片的引线框架固定在金属模具的空腔中;以及执行模制步骤,以将树脂注入保持引线框架和物理量传感器芯片的金属模具的空腔中,从而形成外部模封,其中外部模封的每个侧表面都在厚度方向上倾斜一个在0°到5°之间的角度,且靠近物理量传感器芯片的外端形成。
在上述中,可能插入切割步骤,其中通过将所述角度设定为零,使引线框架和外部模封经受切割,从而靠近物理量传感器芯片的外端形成外部模封的侧表面。这使得不再需要在外部模封的侧表面中安排提取斜面(extraction slope);因此,可能以简单结构实现物理量传感器的尺寸减小。
在本发明的第二方面中,提供了一种使用具有多个平台的引线框架、具有多根形成为围绕平台的引线的框架部、和用于使平台的指定端互连至框架部的多个互连部制造物理量传感器的方法,其中执行焊接步骤,以便将多个物理量传感器芯片焊接到引线框架的平台上;执行连接步骤,以便使引线电连接至物理量传感器芯片;执行安装步骤,以便将所述引线框架放到基座平面上;以及执行倾斜步骤,使得与引线框架的平台关联的指定部分吸收到基座上,其中由于吸收,造成在互连部弯曲期间平台绕轴线相互旋转,从而平台关于所述框架部倾斜。这去除了用于保持引线框架的金属模具,其中可易于使平台倾斜。
在上述中,在单片薄金属板中形成多个引线框架。这里,执行安装步骤,以便借助于垂直立在基座平面上的夹具固定具有围绕多个引线框架的框架部的薄金属板的周缘;执行模制步骤,以便将树脂注入保持所述薄金属板的空间,以便同时模制分别封装引线框架的外部模封,其中所述空间由平面和夹具限定;以及切割步骤,使得框架部经受切割,以便隔开外部封装的各个单元。这使得不再需要使用外部模封的侧表面中的提取斜面;因此,可能减小外部模封的底部面积;从而,可能实现物理量传感器的尺寸减小。
此外,形成多个凸起,以便从平台向下凸出,使得由于匹配靠近平台的框架部的下表面的指定部分的吸收,造成凸起经受压制,从而向上压制平台的指定端。这使得平台绕穿过互连部的轴线旋转变得容易,从而提升平台的指定端;因此,使平台关于框架部倾斜。
可选地,从框架部向上提升平台指定的偏移值,使得由于指定部分的吸收,造成平台的指定端向下降低。
可选地,多个倾斜部中的每个都以倾斜方式从平台向上延伸,使得倾斜部经受吸收并且降低,以便提升平台的指定端。
如上所述,可能不使用金属模具来保持引线框架,就使得平台关于框架部倾斜,从而可能在短时间内制造磁性传感器。即使在上部和下部金属模具用于保持引线框架时,它们也不必压制引线框架的指定部分;因此,可能防止金属模具损坏;从而,可能提高金属模具的耐用性。
在本发明的第三方面中,提供了一种使用引线框架的物理量传感器制造方法,所述引线框架包括多个用于在上面安装物理量传感器芯片的平台、具有多个围绕平台的引线的框架部、和多个用于使平台的指定端互连至框架部的互连部,其中执行框架形成步骤,以便在薄金属板中形成多个引线框架;执行焊接步骤,以便将物理量传感器芯片焊接到每个引线框架的平台上;执行连接步骤,以便使引线电连接至物理量传感器芯片;执行安装固定步骤,以便将薄金属板放在基座平面上,其中使用垂直立在基座平面上的夹具将薄金属板的周缘夹在所述基座平面上;执行倾斜步骤,使得靠近平台形成的薄金属板的指定部分经受在垂直于平面的方向上的压制,以便使平台关于框架部倾斜,同时使互连部绕轴线弯曲;执行模制步骤,使得将树脂导入由夹具和基座平面限定的空间,以便模制封装引线框架的模封,其中在所述引线框架中,所述平台关于彼此相互倾斜;以及执行切割步骤,以便使所述框架部和所述封装经受切割。这使得不使用从平台凸出的凸起就倾斜平台得以实现。
在上述中,压钉(pressing pin)用于在垂直于平面的方向上压制靠近平台形成的指定部分,以便使平台关于框架部倾斜。这使得可能以简单结构可靠地倾斜平台。
此外,使靠近平台形成的指定部分在向着平面的方向上经受吸收,其中由于吸收造成从平台凸出的凸起经受平面的压制,以使平台的相对端反向移动到平面,从而使平台关于彼此倾斜。当凸起通过平台被压制时,平台绕互连部的轴线旋转;因此,平台的相对端反向移动到平面,从而实现平台的倾斜。
可选地,使靠近平台形成的指定部分在向着平面的方向上经受吸收,其中平台最初离基座平面指定的偏移值,以便由于吸收造成平台的相对端向着平面移动,从而使平台关于彼此倾斜。
可选地,使靠近平台形成的指定部分在向着平面的方向上经受吸收,其中由于吸收造成从平台延伸的倾斜部倾斜,从而使平台关于彼此倾斜。
如上所述,不使用凸起,也可易于使平台关于彼此倾斜。这使得可能减小物理量传感器的尺寸;因此,可能以降低的成本快速制造物理量传感器。
附图说明
将参看附图更详细地描述本发明的实施例,其中在附图中:
图1是示出磁性传感器的整体结构的平面图,所述磁性传感器是根据本发明的第一实施例的物理量传感器;
图2是示出磁性传感器的主要部分的截面图;
图3是示出封装在外部模封中的磁性传感器芯片的倾斜的放大的截面图;
图4是示出用在图1中所示的磁性传感器中的引线框架的平面图;
图5是所述引线框架的主要部分的侧视图;
图6是示出保持在金属模具之间的引线框架的截面图;
图7是示出在金属模具之间的空腔中经受压制的引线框架的截面图;
图8是示出根据本发明的第一修改的物理量传感器的结构的平面图;
图9是示出在根据第一修改的物理量传感器中倾斜的平台和相关部分的透视图;
图10是示出根据第一实施例的第二修改进行修改的凸起的尖端的放大的侧视图;
图11是用于说明R形部分在图10中所示的凸起的尖端形成的截面图;
图12是示出根据第一实施例的第三修改使用与倾斜平台的凸起的尖端延伸的侧视图;
图13是用于说明从图12中所示的凸起的尖端延伸的延伸部的形成的截面图;
图14是与图12中所示的凸起的其它部分相比厚度减小的延伸部的侧视图;
图15是示出根据第一实施例的第四修改的实现多个磁性传感器的引线框架的透视图;
图16是示出根据第一实施例的第五修改的实现多个磁性传感器的引线框架的透视图;
图17是现有技术中已知的磁性传感器的典型结构的截面图,所述磁性传感器具有关于彼此倾斜的两个芯片。
图18是示出现有技术中已知的物理量传感器的结构的横截面图;
图19是根据本发明的第二实施例产生的磁性传感器的主要部分的截面图;
图20是示出在图19中所示的磁性传感器中使用的具有平台的引线框架的平面图,其中在所述平台上安装磁性传感器芯片;
图21是示出薄金属板的平面图,其中在所述薄金属板上形成图20中所示的多个引线框架;
图22是示出图21的薄金属板放置在基座上的截面图;
图23是示出图21的薄金属板夹在基座上的截面图;
图24是示出图23中所示的薄金属板的选择部分经受吸收以便在基座上倾斜平台的截面图;
图25是示出树脂导入保持图24中所示的薄金属板的空间中的截面图;
图26是示出其中凸起用狭缝代替的图20的引线框架的修改的平面图;
图27是示出图26中所示的引线框架的主要部分的截面图,所述引线框架放在上部和下部模具之前,以便使平台倾斜;
图28是示出根据第二实施例的第一修改包含在薄金属板中的引线框架的主要部分的侧视图;
图29是示出由于吸收装置引起的吸收造成图28中所示的引线框架的平台关于基座倾斜的侧视图;
图30是示出根据第二实施例的第二修改的引线框架的主要部分的侧视图;
图31是示出由于吸收装置引起的吸收造成图30中所示的引线框架的平台关于基座倾斜的侧视图;
图32是示出根据第二实施例的第三修改具有倾斜部的引线框架的平面图;
图33是示出引线框架的倾斜部通过吸收装置经由基座上的吸收孔经受吸收的侧视图;
图34是示出由于倾斜部的吸收造成图33中所示的引线框架的平台被提升从而关于基座倾斜的侧视图;
图35是示出用在磁性传感器中的引线框架的主要部分的侧视图,其中所述磁性传感器是根据本发明的第三实施例制造的。
图36是示出磁性传感器的主要部分的截面图,所述磁性传感器放在与具有压钉的支撑框架关联的基座上;以及
图37是示出磁性传感器的主要部分的截面图,所述磁性传感器夹在基座上,并且与支撑框架组装在一起。
具体实施方式
将参看附图借助于实例更详细地描述本发明。
1.第一实施例
图1和2示出根据本发明的第一实施例的磁性传感器1。
磁性传感器1设计为测量外部磁场的量值(magnitude)和方向,其中它包括:外部封装13,使用树脂模制;以及第一磁性传感器芯片2和第二磁性传感器芯片3,它们都整合在外部模封13中。
磁性传感器芯片2和3中的每个都在平面图中具有矩形板状形状,其中它们分别安装在第一平台10和第二平台11上,所述第一和第二平台在磁性传感器1的长度方向W上彼此连接。磁性传感器芯片2和3分别关于外部封装13的底部13a倾斜。具体而言,平台10和11分别借助于凸起17关于底部13a倾斜;因此,彼此直接面对的磁性传感器芯片2和3的内端2a和3a分别向着外部封装13的顶部13b倾斜,而与内端2a和3a相对的磁性传感器芯片2和3的外端2b和3b分别向着外部封装13的底部13a倾斜。
第一磁性传感器芯片2对位于外部磁场的两个方向上的磁因子敏感。即,它具有对应于方向A和B的两个检测方向,这两个方向沿第一磁性传感器芯片2的表面2c以直角相交。
第二磁性传感器芯片3对位于外部磁场的两个方向上的磁因子敏感。即,它具有对应于方向C和D的两个检测方向,这两个方向沿第二磁性传感器芯片3的表面3c以直角相交。
在上述中,方向A和C垂直于长度方向W,且彼此相反。此外,方向B和D沿着长度方向W,且彼此相反。
此外,一个平面(称之为A-B平面)由沿第一磁性传感器芯片2的表面2c的方向A和B限定;一个平面(称之为C-D平面)由沿第二磁性传感器芯片3的表面3c的方向C和D限定。这里,A-B平面和C-D平面相交,以便在之间形成锐角;即,在A-B平面和C-D平面之间的角度θ1大于0°但小于90°。理论上,只要角度θ1大于0°,磁性传感器1就可测量三维空间中的地磁的方位。实际上,优选的是,角度θ1大于20°;且进一步优选的是,角度θ1大于30°。
多根引线6与平台10和11一体形成,且靠近磁性传感器芯片2和3的外端2b和3b设置在磁性传感器1的长度方向W上的两端。引线6与磁性传感器芯片2和3的外端2b和3b接触;这样,它们电连接至磁性传感器芯片2和3。此外,多根连接引线7在位于垂直于长度方向W的方向上的指定位置处形成。连接引线7经由引线4电连接至磁性传感器芯片2和3的焊盘5。在本实施例中,并不是所有连接引线7都与平台10和11一体形成。更确切地说,一些连接引线7相对于长度方向W靠近拐角设置,并且没有连接至磁性传感器芯片2和3的焊盘5。它们与磁性传感器芯片2和3的外端2b和3b接触。
全部引线6和连接引线7的每个都由例如铜等金属材料组成,其中它们形成为条形形状(或梳形形状)。引线6的基座6a的后侧6b暴露于外部模封13的底部13a。连接引线7的基座7a的后侧7b也暴露于外部模封13的底部13a。
引线6在长度方向上的中部20经受弯曲,使得尖端6c指向外部模封13的顶部13b,从而可能实现倾斜部15,所述倾斜部15范围从引线6的中部20到尖端6c,且关于外部模封13的底部13a倾斜。倾斜部15的表面15a设置在与平台10和11的表面10a和11a相同的平面上。磁性传感器芯片2和3分别安装在由倾斜部15的表面15a支撑的平台10和11的表面10a和11a上。更确切地说,磁性传感器芯片2和3在磁性传感器1的厚度方向H上部分彼此重叠。
在外部封装13的长度方向W上的两个侧端处形成的侧表面13c分别倾斜角度θ2,所述角度是向内倾斜的角度,且关于厚度方向H设定为5°。在磁性传感器芯片2和3整合在外部封装3内部的情况下,侧表面13c分别靠近磁性传感器芯片2和3的外端19形成;即,缩短了侧表面13c和磁性传感器芯片2和3的外端之间的距离。这里,随着角度θ2的减小,侧表面13c向外加宽。为了减少侧表面13c和磁性传感器芯片2和3的外端之间的空间,靠近外部封装3的两端加宽侧表面13c。
具体而言,如图3中所示,本实施例这样设计,使得磁性传感器芯片2和3的每个具有厚度0.2mm;将磁性传感器芯片2和3的下表面和外部模封13的底部13a之间的倾角设定为15°。此外,将A-B平面和C-D平面之间的角度θ1设定为30°。
接着,将描述磁性传感器1的制造方法。
首先,使薄金属板经受压力加工和/或蚀刻,以便形成如图4和5中所示的具有围绕平台10和11的矩形框架23的引线框架22。多条引线6和连接引线7形成为从矩形框架23的所有侧和拐角向内凸出。
引线6的尖端6c分别互连至平台10和11。范围从中部20到尖端6c且与平台10的相对端10b和11b部分重叠的引线的指定区域在相同平面上形成。此外,从中部20延伸到达平台10和11的相对端10b和11b的引线6的选择的区域经受光学蚀刻,且与其它区域相比厚度减小。例如,引线16的所选择的区域的厚度减少到引线6的基板6a的厚度的一半。在薄金属板上执行压力加工之前执行光学蚀刻,以防止引线6和连接引线7以及平台10和11的后侧10c和11c暴露在外部模封13的下表面中。
凸起17以倾斜方式从平台10和11的相对端10b和11b的后侧10c和11c向下凸出。凸起17分别形成为细杆形,其中连接至第一平台10的凸起17与连接至第二平台11的凸起17相对形成。
图17用于避免用于形成外部模封13的树脂材料的供应错误。优选的是,凸起17之间的距离增大,以便以稳定的方式精确倾斜平台10和11。
在具有上述结构的引线框架22的制备后,在焊接步骤中分别将磁性传感器芯片2和3焊接到平台10和11上。磁性传感器芯片2和3设置在从中部20延伸到引线6的尖端6c以到达平台10和11的相对端10b和11b的指定区域中,其中引线6的尖端6c在厚度方向上部分重叠磁性传感器芯片2和3。
在连接步骤中,引线6经由引线4电连接至在磁性传感器芯片2和3的表面2c和3c上形成的焊盘5。
优选的是,引线4由具有弯曲能力和柔性的材料构成,因为在布线后,当分别倾斜平台10和11时,对于磁性传感器芯片2和3与引线4之间的焊接区以及引线6和引线4之间的焊接区,可能发生相互改变。
接着,如图6和7中所示,在固定步骤中将引线框架22夹在和固定在金属模具E和F之间。金属模具E和F用于形成用于封装磁性传感器芯片2和3的外部模封13。下部金属模具E的每个侧壁E2都倾斜角度θ2,所述角度是向内倾斜的角度,且关于厚度方向H设定为5°。
当将引线框架22保持在之间的金属模具E和F经受压制时,凸起17通过上部金属模具F的内壁F1被压低,使得引线6的中部20向着下部金属模具E的内壁E1弯曲。即,引线6的尖端6c与和上部模具F相连的平台10和11一起绕中部20弯曲。这形成关于引线6的倾斜部15。因此,磁性传感器芯片2和3分别关于上部模具F的内壁F1倾斜。
在上述中,靠近下部金属模具E的内壁E2设置磁性传感器芯片2和3的外端19。
在上述状态下,在模制步骤中,将熔化的树脂注入形成在金属模具E和F之间的空腔,以便形成封装磁性传感器芯片2和3的外部模封13。即,磁性传感器芯片2和3固定在外部模封13内部,同时它们关于外部模封13的底部13a倾斜。
最终,从模具E和F抽取引线框架22;接着,与矩形框架23一起切出在外部模封13外部凸出的引线6和连接引线7的指定部分。这样,可能完整产生图中所示的磁性传感器1。
顺便提及,本实施例没有执行切割步骤,因为外部模封13的侧表面13c分别倾斜一个小角度5°,所述角度进一步减小为零。
接着,将对具有上述结构的物理量传感器(即,磁性传感器1)的操作进行描述。
磁性传感器1安装在便携式终端装置中,且举例来说安装在衬底(未示出)上。由于磁性传感器芯片2和3的协作,检测位于方向A、B、C、和D方向上的地磁因子,以便产生检测信号,所述检测信号被供给经由引线6和连接引线7连接到衬底上的计算单元(未示出)。
由于便携式终端装置尺寸已经减小,所以强烈要求物理量传感器尺寸减小。与传统磁性传感器相比,本实施例可易于减小磁性传感器1的总尺寸。
更确切地说,本实施例的磁性传感器1的特征在于,如图3中所示,外部封装13的侧表面13c分别倾斜设定为5°的角度θ2,且靠近磁性传感器芯片2和3的外端19形成。这里,底部13a的下端从磁性传感器芯片2和3在长度方向W上的外端19向外凸出以下尺寸d,所述尺寸d可以为约0.0166mm。
Figure C200510108463D00161
如上所述,可能使底部13a的下端向外凸出的尺寸d最小。结果,可能减小外部模封13的底部13a的总面积。
简言之,本实施例的磁性传感器1这样设计,使得外部模封13的侧表面13c分别倾斜设定为5°的角度θ2,且靠近磁性传感器芯片2和3的外端19形成;因此,可能减小底部13a的总面积;这样,可能易于使具有简单结构的磁性传感器1的尺寸减小。
此外,引线6设置为与磁性传感器芯片2和3在厚度方向H上部分重叠;因此,可能进一步减少底部13a的下端向外凸出的尺寸d;这样,可能进一步减小磁性传感器1的尺寸。
并且,由于磁性传感器芯片2和3通过其设置在表面15a上的引线6的倾斜部15的设置,可能容易关于外部模封13的底部13a倾斜磁性传感器芯片2和3。
由于侧表面13c向外加宽,所以可能提高磁性传感器芯片2和3的倾角,同时确保底部13a的总面积的减小;因此,可能增大A-B平面和C-D平面之间的角度θ1;从而,可能提高用于检测地磁的磁性传感器1的敏感性。
在本实施例中,将用于倾斜侧表面13c的角度θ2设定为5°,但是不是限制。更确切地说,要求角度θ2范围在0°到5°之间。此外,可适当改变磁性传感器1的尺寸。
可以各种方式修改本实施例,这将在下面进行描述。
(1)第一修改
图8和9示出本实施例的第一修改,其中与图1至7中所示的部分相同的部分用相同附图标记表示;因此,将省略对其的详细描述。
第一修改基本上与本实施例相似,因此下面将就它们之间的区别进行描述。
在第一修改中,如图8中所示,从平台10和11的下表面凸出的凸起17分别在垂直于长度方向W的方向上是细长的,从而它们形成为板状,其厚度大体匹配平台10和11的宽度。
此外,多个互连部30另外形成,以建立连接引线7与平台10和11之间的互连。互连部30在平台10和11的基板的两端彼此相对设置。切口在互连部30的侧区域上形成,以便形成厚度与连接引线7的其它部分相比减小的扭转部31。与凸起17相比,扭转部31更易变形。因此,凸起17通过金属模具经受压制,从而使得扭转部31变形;因此,如图9中所示,可能建立关于平台10和11的倾斜状态。
由于凸起17形成为细长板形,所以可能确保其的满意刚度。此外,可能以稳定方式可靠地确保平台10和11的倾斜状态。
顺便提及,这样设计第一修改,使得引线6不与平台10和11一体形成,其中沿长度方向W的两端的引线6电连接至磁性传感器芯片2和3的焊盘5,而不管引线6如何,其它引线,即连接引线7,设置为围绕平台10和11。
(2)第二修改
图10和11示出本实施例的第二修改,其中第二修改基本上与本实施例相似,从而下面将就它们之间的区别进行描述。
在第二修改中,如图10中所示,具有光滑的圆形形状的R形部分32在凸起17的后侧17a的尖端17b处形成。R形部分32如下形成:
当在其中凸起17通过冲模(die)(参看图11)固定到适当位置的冲压步骤中形成上述引线框架22时,使用冲压机34在从后侧17a到表面17c的方向上对凸起17执行冲压,其中凸起17的尖端17b的边缘变形,从而形成R形部分32。
当然,不必通过冲压形成尖端17b。更确切地说,可能引入任何措施来实现圆形形状在凸起17的尖端17b处的形成。
第二修改可展示与第一修改类似的效果。此外,由于R形部分32与压制凸起17的金属模具的内壁接触,所以可能防止金属模具损坏;因此,可能提高金属模具的耐用性。一般而言,将指定片状物设置在金属模具的内壁上,以容易实现产品与金属模具的分离。第二修改的优点是,由于R形部分32与片状物接触,所以可能可靠地防止凸起17的尖端17b损坏片状物,其中所述尖端17b传统上可切入片状物。
(3)第三修改
图12和13示出本实施例的第三修改,其中第三修改基本上与本实施例相同;因此,将就它们之间的区别给出以下描述。
在第三修改中,如图12中所示,凸起17的尖端17b在长度方向W上跨过其整个长度延伸,以便形成延伸部35,所述延伸部35与凸起17的尖端17b一体形成。
通过弯曲凸起17的尖端17b形成延伸部35。优选的是,如图13中所示,使用金属模具执行弯曲与倾斜平台10和11同时进行。
第三修改可展示类似于第二修改的效果。此外,由于施加给金属模具中的凸起17的压低由延伸部35接收,所以可能容易地倾斜平台10和11;因此,可能以稳定的形式可靠地确保平台10和11的倾斜状态。
在使凸起17弯曲中,可能另外在延伸部35的表面和后侧上执行压力加工或光学蚀刻,从而使得与图14中所示的其它部分相比,厚度减小。这使延伸部35的容易弯曲得以实现。
(4)第四修改
图15示出本实施例的第四修改,其中与图1至7中所示的部分相同的部分用相同附图标记表示;因此,将省略对其的详细描述。
第四修改基本上与本实施例相似,从而下面将就它们之间的区别进行描述。
简言之,根据第四修改的磁性传感器1的特征在于,外部模封13的侧表面13c不是倾斜的;即,角度θ2设定为零。
与本实施例类似,第四修改的制造方法包括焊接步骤、连接步骤、固定步骤、和模制步骤。此外,第四修改另外引入切割步骤,其中,引线框架22和外部模封13经受切割,以便迫使外部模封13的侧表面13c的倾角在厚度方向H上为零,因此,靠近磁性传感器芯片2和3的外端19形成侧表面13c。
这种制造方法是所谓的MAP法,其中类似于本实施例,执行一系列步骤(包括上述焊接步骤和模制步骤);接着,使用刀片25使大体封装在外部模封13中的引线框架22经受切割,从而将侧表面13c形成为垂直于底部13a。
必须立刻使单对磁性传感器芯片2和3经受模制步骤。在第四修改中,提供了一片包括多对磁性传感器芯片的大引线框架,所述多对磁性传感器芯片同时经受模制,以便将刀片25用于分离磁性传感器的各个单元。
由于外部模封13的侧表面13c不是倾斜的,以便将其倾角设定为零,所以可能进一步减小外部模封13的底部13a;从而,可能进一步减小磁性传感器1的尺寸。
(5)第五修改
图16示出本实施例的第五修改,其中与图15中所示的部分相同的部分用相同附图标记表示;因此,将省略对其的详细描述。
第五修改与第四修改基本相似,因此下面将就它们之间的区别进行描述。
第五修改不是使用前述切割步骤,而是根据through-gate方法在引线框架22上执行切割。
在through-gate方法中,金属模具提供了空腔,所述空腔用于形成多个芯片,并经由横浇口(runner gate)27连接。靠近外壳(pod)的空腔用树脂顺序填充,从而将导入一个空腔的树脂经由横浇口27供给下一空腔。在完成模制步骤后,将切割金属模具用于将引线框架22切成磁性传感器的各个单元,接着提取引线框架22。因此,可能同时产生多个磁性传感器1。
第五修改可展示与第四修改类似的指定效果。
本实施例及其修改都与磁性传感器有关,但是这并不是限制。因此,它们可应用于各种类型的物理量传感器,例如加速度传感器等。
此外,可能在本发明的范围内就第一实施例创建进一步的修改。例如,当进一步减小芯片尺寸时,可能提高上述倾角,所述倾角最初范围从0°到5°,但是范围也可从10°到20°。即使在使用较小尺寸的芯片增大倾角时,也可能展示与结合第一实施例及其修改描述的效果相同的效果。
2.第二实施例
本发明的第二实施例涉及物理量传感器即用于测量地磁的三维磁性传感器的制造方法,这将在下面描述。
首先,将参看图19至23描述利用第二实施例的制造方法产生的磁性传感器的总结构。
即,图19中所示的磁性传感器201包括:两个平台202,相互倾斜;两个磁性传感器芯片203,安装在平台202的表面202a上,以便测量外部磁场的量值和方向;多根引线205,经由引线204电连接至磁性传感器芯片203;以及外部模封(或树脂模封)207。外部模封207的侧壁207a垂直立在底部207b上。
使用包括图20中所示的平台202和引线205的引线框架210产生磁性传感器201。
接着,将描述引线框架210的细节。通过在例如图21中所示的铜板等薄金属板上进行压力加工和/或蚀刻,形成引线框架210。在本实施例中,从一片薄金属板214提取多个引线框架210。当然,可能适当改变薄金属板214中的引线框架的数量和引线框架的形成位置。
如图20中所示,引线框架210包括:连个平台202,每个都在平面图中为矩形形状;框架部211,具有多根围绕平台202的引线205;以及多个互连部212,使指定引线205和平台202互连,且在彼此相对设置的平台202的基座202b的两端形成。
如图21中所示,框架部211整体对应于在平面图中具有矩形形状的薄金属板214,以便围绕其中的多个引线框架210。具体而言,框架部211包括:中间部分211a,分别靠近平台202形成在引线框架210之间;以及外围部211b,对应于薄金属板214的外周缘。
与框架部211一体形成的引线205内的一些引线205充当如图20中所示的用于将平台202固定至框架部211的悬挂引线,且分别经由互连部212连接至平台202。
在单个引线框架210内,两个平台202设置在框架部211的纵向上,使得其尖端(即,平台202的相对端202c)彼此相对设置。每个平台202都具有一对凸起215,所述凸起在纵向F上从尖端202c的两端向着其它平台202向内伸长。两个凸起215与平台202的每个一体形成。通过使凸起215的基座弯曲,使凸起215分别从平台202的下表面(或后侧)202d凸出,从而关于平台202倾斜。
磁性传感器芯片203分别安装在平台202的上表面202a上,且每个磁性传感器芯片都对位于外部磁场的两个方向上的两个磁因子敏感。在图20中所示的单个引线框架210内,一个磁性传感器芯片203对在其表面上以直角相交的两个方向(即,方向A和B)敏感;且其它磁性传感器芯片203对在其表面上以直角相交的另两个方向(即,方向C和D)敏感。顺便提及,方向A和C关于纵向F的垂直方向彼此相反;且方向B和D与纵向F平行但彼此方向相反。
当然,可能修改本实施例,使得其它磁性传感器芯片203仅在方向D上具有敏感性。可选地,可以水平方向安装其它磁性传感器芯片203。
互连部212具有扭转部220,由于切口在互连部212的两侧中形成,所以与引线205的其它部分相比,所述扭转部220厚度减小。与凸起相比,扭转部220容易变形。因此,当在从平台202的下表面202d到上表面202a的方向上向上压制凸起215时,扭转部220扭转,从而平台202绕经过扭转部220的轴线L旋转。
接着,将详细描述使用上述引线框架210制造磁性传感器201的方法。
如图21中所示,在框架形成步骤中,使单片薄金属板214经受压力加工和/或蚀刻,以便形成多个引线框架210。
在焊接步骤中,分别将磁性传感器芯片203焊接到平台202的上表面202a上。在此步骤中,控制磁性传感器203,使得其检测方向如图20中所示对准。
接着,在连接步骤中使引线205经由引线204连接至磁性传感器芯片203的焊盘209。这样,可能将磁性传感器芯片203和引线205电连接在一起。当使平台202倾斜时,对于磁性传感器芯片203和引线204之间的焊接区以及引线205和引线4之间的焊接区,可能发生改变。因此,优选的是,引线204由具有弯曲能力和柔性的材料构成。
接着,如图23中所示,在安装步骤中,将在连接步骤中完成的薄金属板214安装在设备中,并放在基座217上的指定位置。基座217具有平面218,在所述平台218上放置薄金属板214。此外,基座217具有多个与框架部211的中间部分211a一致设置的吸收孔222。每个吸收孔222的一端在平面218上开口,且其另一端与吸收装置223连接。
如上所述,薄金属板214安装在基座217的平面218上的指定位置。接着,使用夹具225压制框架部211的外周部211b,并将其紧密连接至基座217的平面218,所述夹具具有尺寸大体匹配由框架部211的外周部211b限定的矩形区域。当使用夹具225使框架部211的外周部211b经受压制时,通过平面218向上压制靠近外周部211b设置的平台202的凸起215。这样,在扭转部220扭转的同时提升平台202的相对端202c,其中平台202绕轴线L相互旋转。平台202关于框架部211倾斜。与此相反,设置在薄金属板214的中心区中的平台202由凸起215支撑,使得它们漂浮在平台218上,因为这样设置的中间部分211a没有经受压制,从而是自由的。这使得可能将薄金属板214固定在适当位置,从而将中间部分211a放在吸收孔222正上方。顺便提及,夹具225的内壁关于平面218垂直延伸。
在完成安装步骤后,驱动吸收装置223,使得中间部分211a的下表面227(对应于框架部211的下表面)通过吸收孔222经受吸收。这在吸收孔222中产生压差,从而位于吸收孔222正上方的中间部分211a由吸收装置223吸收。为此,迫使中间部分211a向下移动,且紧密连接到平面218上。因此,使薄金属板214的整个区域与平面218接触。在此情形下,通过平面218向上压制凸起215,使得在扭转部220扭转的同时提升最初在平面218上漂浮的平台202的相对端202c;因此,平台202绕轴线L相互旋转。结果,在倾斜步骤中,所有平台202关于框架211倾斜。
在所谓的MAP方法中实现倾斜步骤之后的其它步骤。即,将树脂导入由夹具225的内壁和平面218限定的模具空间;接着,将其保持指定的时间间隔;这样,如图25中所示,在模制步骤中可能形成密封平台202、磁性传感器203、和引线205的外部模封207,其中磁性传感器203相互倾斜,且固定在外部模封207内部。优选的是,为了防止平台202和磁性传感器203的倾角意外改变,树脂由具有高柔性的材料制成。在完成外部模封207的形成后,去除夹具225;这样,如图16中所示,外部模封207的侧壁207a从底部207b垂直延伸。
在去除夹具225后,在切割步骤中,使用刀片使外部模封207和框架部211经受切割,以便分离引线框架210的各个单元。这样,可能产生具有引线框架210的磁性传感器201,其中外部模封207的侧壁207a从底部207b垂直延伸。
在上述制造方法中,在中间部分211a的下表面227经受吸收时,不必使用金属模具将引线框架210夹在之间,其中可能容易倾斜平台202。这减少了制造所需要的空间;并且可能在短时间内容易地产生磁性传感器201。
现有技术中已知的技术可能使用一对上下金属模具来垂直保持引线框架,以便倾斜平台,其中可能难以采用上述MAP方法。上下金属模具可能需要使得外部模封从其提取的提取斜面。这对减少外部模封207的底部207b的总面积形成限制。与此相反,由于本实施例可不使用上下金属模具容易地倾斜模具202,所以可能采用MAP方法,这使得不必形成提取斜面。因此,可能减少外部模封207的底部207b的总面积;并且可能易于实现磁性传感器201的尺寸减小。
通过使用磁性传感器芯片203检测地磁因子,可能计算表示三维空间中的地磁方向的向量;因此,可在整合磁性传感器201的便携式终端装置(未示出)的显示面板上显示地磁方位。这使得可能另外使便携式终端装置具有使用地磁的导航功能。
在本实施例中,一对凸起215在平台202的相对端202c的两端形成,但这不是限制。当然,可能适当改变凸起数量和凸起关于平台的形成位置。
磁性传感器203安装在平台202的上表面202a上,但这不是限制。即,磁性传感器203可连接至平台202的后侧202d的下表面。这使得易于将引线205电连接至磁性传感器芯片203,而不会造成凸起215和引线204之间的干扰。
本实施例使用吸收孔222和吸收装置223,但这不是限制。更确切地说,可能使用其它具有适当机构的吸收装置。例如,可能使用通过连接至基座217的磁体实现的磁力(或磁引力)。这里,可能使用永久磁体或电磁体。电磁体可能是有利的,因为可能易于调节吸收定时和吸收力;此外,它们使得易于通过断电从基座217去除引线框架210和磁性传感器201。
在倾斜步骤中,中间部分211a紧密连接至平面218,但这不是限制。更确切地说,中间部分211a可保持在平面218上方的漂浮状态。
可能适当改变引线框架210的设计和形状。例如,可如图26中所示修改引线框架210,在此图中没有上述凸起215,但是设置了平台互连部240,以便使平台202一体互连。此外,可用狭缝241代替厚度与平台互连部240的其它部分相比减小的变薄的部分。并且,向上倾斜的引线倾斜部242在经受互连部212连接至平台的指定引线205中形成,其中平台202分别以指定偏移值向上设置。
将上述引线框架210放在如图27中所示的下部模具246的指定位置,其中所述引线框架夹在下部模具46和上部模具45之间;接着,驱动吸收装置223,以便吸收靠近平台202形成的平台互连部240。更确切地说,降低平台202的相对端202c,以使平台202相应倾斜。由于吸收作用在平台互连部240上,所以平台202的相对端202c绕穿过狭缝241的轴线可旋转地弯曲,从而在引线倾斜部240和扭转部220的基座弯曲期间使平台202逐渐倾斜;因此,平台互连部240紧密连接到平面218上。此后,通过将树脂导入上部模具45和下部模具46之间的空腔执行模具,其中所述上部模具45和下部模具46将引线框架210保持在之间,以使平台互连部240紧密连接到平面218上。
如上所述,即使使用上部模具45和下部模具46,也不必在平台202的倾斜步骤期间压制引线框架210的所选择的位置。即,可能可靠地防止上部模具45和下部模具46损坏;因此,可能提高上部模具45和下部模具46的耐用性。
当然,借助于上述MAP方法,而不使用上部模具45和下部模具46,能可靠地产生磁性传感器201。
可以各种方式进一步修改本实施例,这将在下面描述。
(1)第一修改
图28和29示出根据本实施例的第一修改实现引线框架210的薄金属板214的主要部分,其中与图19至25中所示的部分相同的部分用相同附图标记表示;因此,将省略对其的详细描述。
就制造步骤而言,第一修改基本上与本实施例相似,因此下面将就它们之间的区别进行描述。
即,平台202的基座202b互连至垂直立在基座217上的支撑壁229的上端,由此将引线框架210的位置提升指定的偏移值。在框架形成步骤中,这样的引线框架210在薄金属板214中形成。
此外,吸收装置213与具有开口的吸收孔222连接,所述开口装配有盖235。盖235铰接至吸收孔222的开口,并由铰链可旋转地支撑,以便打开和关闭吸收孔222的开口。具体而言,盖235的自由端在其打开吸收孔222的开口的关闭位置和其缩回到吸收孔222内的打开位置之间移动,以便实现吸收孔222的打开。通常通过弹性件(未示出)的压制将每个盖235放在关闭位置处。上述吸收孔222的位置设置为匹配平台202的相对端202c。当将薄金属板214放在基座217的指定位置处时,分别与平台202的相对端202c相对设置吸收孔222。
在完成在上述实施例中描述的安装步骤后,驱动吸收装置223,以便产生吸收力,借此,不管弹性件对其的操作如何,都迫使每个盖235移动到打开位置,从而打开吸收孔222,以便吸引平台222的下表面202d。
在上述中,如图29中所示,由于出现在吸收孔222中的压差,借助于吸收装置223使平台202的相对端202c经由吸收孔222经受吸收,其中平台202绕轴线L相互旋转,从而在扭转部220扭转的同时使相对端202c逐渐降低。结果,包含在薄金属板214中的所有平台202关于框架部211倾斜,从而完成倾斜步骤。
此后,类似于上述实施例,执行模制步骤和切割步骤,从而产生本实施例的第一修改的具有引线框架210的磁性传感器201。
如上所述,可能以简单结构可靠地倾斜平台202。
(2)第二修改
图30和31示出根据本实施例的第二修改的引线框架210的主要部分,其中与图19至25中所示的部分相同的部分用相同附图标记表示;因此,将省略对其的详细描述。
在第二修改中,引线205分别弯曲成L形,且部分从框架部211向上凸出。引线205的上端分别经由互连部212连接至平台202的基座202b,其中每个互连部212都在纵向F上为细长的。因此,在每个平台202上方以指定的偏移值提升平台202。
上述引线框架210在框架形成步骤中形成;接着,执行上述步骤,以便产生第二修改的具有引线框架210的磁性传感器201。
第二修改可展示与上述实施例类似的指定效果。此外,第二修改的优点在于,磁性传感器芯片203的上表面的高度与引线205的表面的高度大体相同。这使得易于将引线205电连接至磁性传感器芯片203。并且,第二修改可减少引线204的长度,并且也可在磁性传感器芯片203的倾斜期间减少引线204的改变。因此,可能提高生产磁性传感器201的可靠性。
(3)第三修改
图32至34示出根据本实施例的第三修改的引线框架210的主要部分,其中与图19至25中所示的部分相同的部分用相同附图标记表示;因此,将省略对其的详细描述。
在第三修改中,如图32和33中所示,倾斜部233在平台202的基座202b处形成,且以倾斜的方式朝着平台202的上表面202a向外延伸。具有倾斜部233的引线框架210在框架形成步骤中形成。
在上述中,基座217的吸收孔222在位置上与倾斜部233匹配。当将实现图32中所示的引线框架210的薄金属板214放在基座217的指定位置时,将引线框架210的倾斜部233设置为与基座217的吸收孔222相对。
与上述实施例相似,在完成安装步骤后,当驱动吸收装置223时,使倾斜部233的下表面233a经由吸收孔222经受吸收。更确切地说,如图34中所示,当倾斜部233通过吸收孔222被吸收时,平台202相互旋转,使得在扭转部202进行扭转的同时相对端202c逐渐倾斜。当将倾斜部233紧密连接到平台218上时,它们大体设置在与框架部211相同的平面上。这样,当相对端202c提升时,包含在薄金属板214中的所有平台关于框架部211倾斜,从而实现倾斜步骤。
此后,执行上述模制步骤和切割步骤,以便产生具有图32中所示的引线框架210的磁性传感器201。
因此,可能以简单结构可靠地倾斜平台202。
顺便提及,第二实施例及其修改是全部就MAP方法来描述的,但这不是限制。更确切地说,可使用上部和下部模具使引线框架210经受模制。
此外,第二实施例及其修改是全部结合磁性传感器210进行描述的,但这不是限制。更确切地说,可易于使它们适于例如加速度传感器等其它类型的物理量传感器。
3.第三实施例
接着,将描述根据本发明的第三实施例的物理量传感器的制造方法。第三实施例与结合图19至图34进行描述的第二实施例基本类似;因此,将省略对其的详细描述。
制造根据第三实施例的磁性传感器201,而不使用金属模具,其中在连接步骤的完成后,将薄金属板214固定在基座217上的指定位置,从而如图35(其基本上相应于图27)中所示,在安装固定步骤中,与吸收孔222相对设置平台互连部240。接着,驱动吸收装置223,以便吸收靠近平台202形成的平台互连部240,这样,所述平台202随着相对端202c的降低逐渐倾斜,从而实现倾斜步骤。具体而言,当平台互连部240经受吸收时,平台202的相对端202c分别绕穿过狭缝241的轴线弯曲,其中随着倾斜部242和扭转部220的基座的弯曲,平台202倾斜,从而使平台互连部240与平面218紧密接触。在这种紧密接触状态下,在模制步骤中导入树脂,以便模制外部模封。这样,类似于第二实施例,可能根据第三实施例产生磁性传感器201,这是有利的,因为平台202能可靠而快速地倾斜。
图36和37示出磁性传感器201的修改,其中与用在第二实施例中的部分相同的部分用相同附图标记表示;因此,将省略对其的详细描述。
在安装固定步骤中,将薄金属板214固定到基座217上;接着,利用多个压钉246使其在垂直于平台218的方向上经受压制。
每个压钉246以柱形方式伸长。压钉246由具有矩形晶格形状的支撑框架245支撑。当将压钉246从其向下凸出的支撑框架245放在基座217上方时,与在薄金属板214上形成矩阵形式的中间部分211a之间的交点相对设置压钉246。
具体而言,在安装固定步骤中将薄金属板214固定到基座217上时,支撑框架245在薄金属板214上方移动,使得压钉246精确位于中间部分211a之间的交点上方;接着,支撑框架245向着基座217向下移动。在指定定时,使压钉246的尖端与中间部分211a之间的交点接触,从而向下压制中间部分211a。通过使支撑框架245进一步向下移动,向着平面218降低中间部分211a的位置。这样,如图37中所示,在扭转部220扭转的同时,随着平台202的相对端202c的稍微提升,平台202绕轴线L相互旋转。当将支撑框架245固定在与夹具225连接的指定位置时,使中间部分211a与平面218紧密接触,以使平台202相对于框架部211倾斜,从而实现倾斜步骤。
在这种倾斜状态下,在模制步骤中,将树脂导入由基座217、夹具225、和支撑框架245限定的空间,以便模制外部封装。此后,去除支撑框架245。这样,与第二实施例类似,执行切割步骤,以便根据第三实施例产生磁性传感器21。
在上述中,使用用于制造的简单结构,能使平台202可靠而快速地倾斜。
顺便提及,不必将支撑框架245形成为矩形形状。例如,可将它形成为平板形。更确切地说,可适当改变支撑框架245的形状和尺寸。
第三实施例使用压钉246来压制中间部分211a之间的交点,但这不是限制。更确切地说,可能使用适当设计的压制装置;并且可能改变薄金属板214的压制位置。例如,在沿中间部分211a的整个长度且与之距离指定距离设置的指定位置执行压制。
当然,第三实施例不必局限于磁性传感器201;因此,可将第三实施例应用于例如加速度传感器等其它类型的物理量传感器。
最后,本发明不必局限于上述实施例;因此,可能在由所附权利要求书限定的本发明的范围内实现各种设计改变和修改。

Claims (6)

1.一种物理量传感器,其中一对物理量传感器芯片整合在使用树脂模制的外部模封中,且每个物理量传感器芯片都关于所述外部模封的底部倾斜,其中物理量传感器芯片所在的平面形成的面对外部模封底部的角的补角范围为大于0°且小于90°,其中外部模封的每个侧表面都在厚度方向上向内倾斜一个在0°到5°之间的角度,且靠近彼此相对设置的物理量传感器芯片的外端形成,并且以使得引线与物理量传感器芯片在厚度方向上部分重叠的方式将多根引线电连接至物理量传感器芯片,其中引线的中部(20)经受弯曲从而末端(6c)指向外部模封(13)的顶部(13b)。
2.根据权利要求1所述的物理量传感器,其中多根引线中的每根都具有倾斜部,所述倾斜部关于外部模封的底部倾斜,其中所述倾斜部所在的平面所形成的面对外部模封底部的角的补角范围为大于0°且小于90°,且在所述倾斜部上设置物理量传感器芯片。
3.根据权利要求1所述的物理量传感器,其中从引线的中部(20)延伸到平台(10,11)的相对端(10b,11b)的引线的选择区域的厚度比引线的其它部分薄。
4.根据权利要求1所述的物理量传感器,其中引线(6)的基座(6a)的后侧暴露于外部模封(13)的底部。
5.一种物理量传感器的制造方法,其中一对物理量传感器芯片整合在使用树脂模制的外部模封中,且每个物理量传感器芯片都关于所述外部模封的底部倾斜,所述制造方法包括以下步骤:
将物理量传感器芯片焊接到引线框架平台上,其中所述引线框架通过处理薄金属板而形成;
建立引线框架的多根引线和物理量传感器芯片之间的电连接;
将装配有物理量传感器芯片的引线框架固定在金属模具的空腔中;
在金属模具的空腔中围绕引线的中部(20)弯曲多根引线(6);以及
将树脂注入保持引线框架和物理量传感器芯片的金属模具的空腔中,从而形成外部模封,其中外部模封的每个侧表面都在厚度方向上倾斜一个在0°到5°之间的角度,且靠近物理量传感器芯片的外端形成。
6.根据权利要求5所述的物理量传感器的制造方法,其中将所述角度设定为零,以使引线框架和外部模封经受切割,从而靠近物理量传感器芯片的外端形成外部模封的侧表面。
CNB2005101084630A 2004-10-08 2005-10-08 物理量传感器及其制造方法 Expired - Fee Related CN100472777C (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004296371 2004-10-08
JP2004296371 2004-10-08
JP2005045299 2005-02-22
JP2005089629 2005-03-25
JP2005094388 2005-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1758435A CN1758435A (zh) 2006-04-12
CN100472777C true CN100472777C (zh) 2009-03-25

Family

ID=36703712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101084630A Expired - Fee Related CN100472777C (zh) 2004-10-08 2005-10-08 物理量传感器及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100472777C (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5622347B2 (ja) * 2006-08-09 2014-11-12 セイコーエプソン株式会社 慣性センサ装置
JP2019145683A (ja) * 2018-02-21 2019-08-29 セイコーエプソン株式会社 電子回路基板、加速度センサー、傾斜計、慣性航法装置、構造物監視装置及び移動体

Also Published As

Publication number Publication date
CN1758435A (zh) 2006-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7727793B2 (en) Physical quantity sensor and manufacturing method therefor
US7290448B2 (en) Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor
CN100533722C (zh) 半导体器件
CN102156195B (zh) 惯性传感器装置的制造方法
US7829982B2 (en) Lead frame, sensor including lead frame and method of forming sensor including lead frame
JP5164015B2 (ja) 多軸ジャイロセンサ
CN101750056B (zh) 传感器器件
CN100472777C (zh) 物理量传感器及其制造方法
CN101241920A (zh) 光学器件及其制造方法
US7791180B2 (en) Physical quantity sensor and lead frame used for same
US6750522B1 (en) Sensor accommodated in a housing
WO2006040987A1 (ja) 物理量センサの製造方法
JP2006226888A (ja) 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム
US20060076654A1 (en) Lead frame and physical amount sensor
JP2006250648A (ja) 物理量センサの製造方法及びボンディング装置
KR100740358B1 (ko) 센서 및 센서 형성 방법
WO2006038564A1 (ja) 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム
JP4579003B2 (ja) 物理量センサの製造方法
EP1760429A2 (en) Angular velocity sensor
JP5695292B2 (ja) センサデバイス
JP4487696B2 (ja) 物理量センサ及び物理量センサの製造方法
JP2006108359A (ja) リードフレーム及び物理量センサ
JP4314580B2 (ja) 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム
CN100472833C (zh) 磁性传感器及传感器器件
JP4244903B2 (ja) 物理量センサ、およびこれに使用するリードフレーム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090325

Termination date: 20141008

EXPY Termination of patent right or utility model