CN100466872C - 配线基底和显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置包括放置在具有第一折射率的支持基底(100)上并具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第一绝缘层(111)；放置在第一绝缘层(111)上并具有不同于所述第二折射率的第三折射率的第二绝缘层(120)；以及生成波长不同的光且其折射率与第二折射率大致相等的多种颜色像素(PXR，PXG，PXB)。使得至少一种颜色像素(PXB)经由穿过所述第二绝缘层(120)的开口部分(OP)与所述第一绝缘层(111)接触。

Description

配线基底和显示装置

技术领域

本发明总的涉及显示装置，尤其涉及由多个自发光元件构成的显示装置。

背景技术

近年来，作为平板显示装置的有机电致发光(EL)显示装置吸引了越来越多的注意。因为有机EL显示装置是自发光器件，所以它具有广视角、厚度薄、无需背光、低功耗和高响应速度的特点。

这些特点使得有机EL显示装置成为了将取代液晶显示装置的下一代平板显示装置的有力候选。配置有机EL显示装置以在矩阵中排列多个有机EL元件。每个有机EL器件都具有含有机化合物并具有发光功能的光学活性层夹在阳极和阴极之间的结构。

业已出现此种类型的显示装置，所述装置包括第一反射膜和第二反射膜，排列这些膜以将生成峰值波长为λ的光的有机EL元件夹在中间。可将夹在第一反射膜和第二反射膜之间的有机EL元件的光程长设为λ·m/2(m是大于等于1的整数)。根据该结构，能够抑制由在第一反射膜和第二反射膜之间出现的干涉所引起的选择性波长的光衰减(参见，例如，日本专利申请公开No.2003-151761)。

在实现颜色显示的有机EL显示装置的典型方法中，可以排列发出红(R)、绿(G)、蓝(B)光的颜色像素。但因为红(R)、绿(G)、蓝(B)光的波长不同，所以就需要在各自的颜色像素内设置不同的光程长度，从而优化干涉条件。简言之，需要在各自的颜色像素内设置不同的膜厚度。

然而，组成各颜色像素的大多数薄膜都是共用的，这就使得通过调节每个薄膜的膜厚度而在各颜色像素内获取优化的光程长度变得异常困难。此外，因为在红(R)、绿(G)、蓝(B)各自的颜色像素之间优化光程长度的条件难以实现，所以也很难满足例如给定颜色的光提取效率和另一种颜色的色纯度的条件。于是就存在难以实现在增加亮度的同时增加色纯度的问题。

发明内容

为了解决上述问题而实现了本发明，并且本发明的目的在于提供一种带有良好显示质量的显示装置。

根据本发明的一个方面，提供一种显示装置，其中该器件包括：放置在具有第一折射率的基底上并具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第一绝缘层；放置在第一绝缘层上并具有不同于所述第二折射率的第三折射率的第二绝缘层；以及生成波长不同的光并且其折射率与第二折射率大致相等的多种显示元件，其中放置至少一种显示元件使其经由穿过所述第二绝缘层的开口部分与所述第一绝缘层接触。

本发明能够提供具有良好显示质量的显示装置。

本发明的其他目标和优点将在随后的描述中阐述，并且可部分地从该描述中显见或通过对本发明的实践而习得。通过在此后特别指出的方法及其结合就可以认识并获取本发明的目标和优点。

附图说明

并入说明书并组成其一部分的附图示出了本发明的实施例，并连同以上的概述和随后的详述来解释本发明的原理。

图1是示出根据本发明实施例的一个有机EL显示装置的像素配置布局实例的俯视图；

图2是示意性地示出根据本发明实施例的像素配置的横截面图；

图3是示出了在每个颜色像素中基本光程长度和正常化发光亮度之间关系的一个实例的曲线图；

图4A是显示在由绿色像素发光的色度图上基本光程长度和坐标值(CIEx和CIEy)之间关系的一个实例的曲线图；

图4B是显示在由蓝色像素发光的色度图上基本光程长度和坐标值(CIEx和CIEy)之间关系的一个实例的曲线图；

图4C是显示在由红色像素发光的色度图上基本光程长度和坐标值(CIEx和CIEy)之间关系的一个实例的曲线图；

图5是解释与所述光程长度相关的发光亮度或色度的干涉条件趋势的曲线图；

图6是示意性地示出根据本发明另一个实施例的像素配置的横截面图；

图7是示意性地示出根据本发明又一个实施例的像素配置的横截面图。

具体实施方式

如下将参考附图描述根据本发明的一个实施例的一种显示装置。在此实施例中，将例如有机EL(电致发光)显示装置的自发光显示装置作为所述显示装置的示例。

如图1所示，在根据该实施例的有机EL显示装置中，单元像素由至少4个晶体管和一个作为自发光显示元件的有机EL(OLED)元件构成。在图1所示的布局中，如下构建像素电路。通过将第一扫描线GL1设置为活动状态，就可导通第二晶体管MSH以短路第一晶体管MDR的栅极和漏极，并使得带有对应于视频信号的值的视频信号电流流过第一晶体管MDR和第三晶体管MWR。随后将第一扫描线GL1设置为非活动状态，并关断第二晶体管MSH和第三晶体管MWR。于是就可将对应于视频信号电流的第一晶体管MDR的栅源电压存储在连接于第一晶体管MDR的栅极和源极之间的电容器CS中。接下来就能将第三扫描线GL3设置在活动状态并使得视频信号电流经由第四晶体管MCH流入OLED元件。

如下将详细描述该像素电路。具体地，第一晶体管MDR的源极经由接触孔CW与阳极电源(电压源)P相连。第一晶体管MDR的栅极与第二晶体管MSH的源极相连。第二晶体管MSH的栅极与第一扫描线GL1相连。第二晶体管MSH的漏极与第一晶体管MDR的漏极、第三晶体管MWR的源极和第四晶体管MCH的源极相连。第三晶体管MWR的漏极和信号线DATA相连。第三晶体管MWR的栅极和第二扫描线GL2相连。第四晶体管MCH的栅极和第三扫描线GL3相连。第四晶体管MCH的漏极经由接触孔PC与作为OLED元件的结构部件的阳极131相连。

所有这些晶体管可以是P-沟道晶体管或N-沟道晶体管，或者可以是不同传导类型的晶体管。在本实施例中，所有的晶体管都是P-沟道晶体管。此外，在此实施例中还可以对这些晶体管应用低温多晶硅薄膜晶体管(TFT)。然而组成上述像素电路的晶体管不限于低温多晶硅薄膜晶体管。硅晶片上的单晶晶体管也是可用的。此外，也可使用在石英基底上形成的高温多晶硅晶体管、连晶硅(CGS)晶体管或非晶硅晶体管。

在本实施例中使用的晶体管是各自具有顶部栅极平面型横截面结构的TFT。可选地，这些晶体管可以是底部栅极型、交错型或反相交错型。此外，这些晶体管可以具有由自对准方法或非自对准方法形成的掺杂区(源、漏)。

此外在本实施例中，像素电路包括4个晶体管，但是晶体管的数目是不限的。所有这些结构都在本发明的范围内。

信号线DATA是提供视频信号电流的引线。第一扫描线GL1、第二扫描线GL2和第三扫描线GL3是提供控制信号从而为每个像素晶体管设置活动/非活动状态的引线。电源线P是为OLED元件提供阳极电压的引线。较佳地，每根引线都应具有较低的电阻。每根引线都可由金属材料的单层或者两层或多层的叠层制成，其中所述金属材料包含铝(Al)、钛(Ti)或氮化钛(TiN)、钽(Ta)、钼(Mo)、铬(Cr)、钨(W)、铜(Cu)、钕(Nd)和锆(Zr)中的至少一种。然而，本发明中，每根引线的材料则不限于这些。

存储第一晶体管MDR的栅-源电压的电容器CS基本在相邻像素间的非显示区上形成。在颜色显示型的显示面板是由使用低分子量材料的OLED元件组成的情况下，OLED元件的光学活性层就通过使用金属掩膜的掩膜蒸发沉积形成。这样，相邻像素间的非显示区的宽度就变为约10至20μm。该区域不用于发光。于是，在其中光从其上形成晶体管的支承基底(例如，玻璃基底)的侧面提取光的背表面发光系统的情况下，在上述区域内形成电容器CS就成为提升孔径比的一种有效方法。

接下来将描述OLED元件的结构。

图2示出了根据该实施例的有机EL显示装置的一个结构实例。在此实施例中采用了背表面发光系统。更具体地，使用例如玻璃基底的带有相对较低折射率(第一折射率；n＝1.4～1.6)的绝缘件作为支承基底100。将具有期望形状的晶体管阵列110放置在支承基底100上。晶体管阵列110包括在支承基底100上的由氮化硅(SiN)和氧化硅(SiO)构成的底层膜、多晶硅膜、栅电极、栅绝缘膜、源电极、漏电极、用于绝缘这些电极的间层绝缘膜以及用于保护这些组件的保护膜。类似于底层膜，栅绝缘膜、间层绝缘膜以及保护膜也是由带有相对较高折射率(第二折射率；n＝1.8～2.2)的无机材料构成，例如氮化硅(SiN)和氧化硅(SiO)。

平面化膜120放置在晶体管阵列110上。在平面化膜120内提供用于电气连接OLED元件的阳极和晶体管阵列110中的晶体管的接触孔。平面化膜120可使用折射率相对较低(第三折射率；n＝1.3～1.7)的绝缘材料构成，诸如光刻胶、聚酰亚胺或丙烯酸树脂的树脂基涂层膜。优选地，应该将能够实现高厚度和高度平面性的有机膜应用于平面化膜120。

OLED元件130放置在平面化膜120上。在本实施例中，OLED元件130包括具有透光性的第一电极(例如，用作阳极的空穴注入电极)131、至少一种光学活性层133以及第二电极(例如，用作阴极的电子注入电极)132。第一电极131在每个像素中按隔离形状形成。第二电极132与第一电极131相对设置。将光学活性层133保持在第一电极131与第二电极132之间。

光学活性层133包括至少一个空穴迁移层和发光层133A。例如，光学活性层133包括空穴注入层、空穴迁移层、发光层133A、电子迁移层以及电子注入层，并且它们以上述名称的顺序堆叠。本发明中OLED元件130的光学活性层133可以具有各种结构。例如，电子注入层和电子迁移层可以被省略，或者可结合发光层形成，或者可以组合空穴注入/迁移层与发光层。在光学活性层133中，除了发光层133A之外的其他层都是公共层。在图2所示的实例中，放置在第一电极131侧的空穴侧公共层133H包括空穴注入层和空穴迁移层。放置在第二电极132侧的电子侧公共层133E包括电子迁移层和电子注入层。发光层133A则放置在空穴侧公共层133H和电子侧公共层133E之间。

在采用背表面发光系统的结构中，第一电极131由透光的导电材料组成，诸如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、SnO₂(氧化锡)或In₂O₃(氧化铟)。特别是，优选形成ITO或IZO的第一电极131。第一电极131应该具有足以用于空穴注入的预定厚度或更厚。虽然可通过蒸发沉积形成第一电极131，但是优选通过溅射形成。溅射气体的种类不受限制。例如，诸如氩(Ar)、氦(He)、氖(Ne)、氪(Kr)或氙(Xe)或它们的混合气体都是可用的。由此形成的第一电极131具有相对较高的折射率(n＝1.8～2.2)。

由金属、金属化合物或合金构成第二电极132，它具有较低的功函数并通过蒸发沉积、溅射等(优选地通过蒸发沉积)形成。在采用背表面发光系统的结构中，第二电极132由透光的导电材料构成。较佳地，第二电极132应该由金属元素物质构成，诸如由铂(K)、锂(Li)、钠(Na)、镁(Mg)、镧(La)、铈(Ce)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、铝(Al)、银(Ag)、铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)或锆(Zr)，或者应由包括这些金属的两组分或三组分合金系统组成以改善稳定性。较佳地，合金材料包括：Ag·Mg(Ag：1～20原子百分比)、Al·Li(Li：0.3～14原子百分比)、In·Mg(Mg：50～80原子百分比)以及Al·Ca(Ca：5～20原子百分比)。第二电极132应该具有足以用于电子注入的预定厚度或更厚。

在空穴侧公共层133H中，空穴注入层具有方便空穴从第一电极131注入的功能，而空穴迁移层则具有迁移空穴的功能和阻碍电子的功能。

在电子侧公共层133E中，在用于发光层133A的化合物的电子注入功能和电子迁移功能不够高时，提供电子注入层和电子迁移层。电子注入层和电子迁移层具有方便电子从第二电极132注入的功能、迁移电子的功能以及阻碍空穴的功能。空穴注入层、空穴迁移层、电子注入层和电子迁移层增加并限制了注入发光层133A的空穴和电子，优化了复合区，并且改善了发光效率。电子侧公共层133E可以分隔地包括具有电子注入功能的层以及具有电子迁移功能的层，或者可以是一功能整合的层。

在本发明中，OLED元件130的发光层133A包括作为具有发光功能的化合物的荧光物质。荧光物质的实例包括金属络合染料，诸如在日本专利申请公开No.63-264692中公开的三(8-喹啉醇(8-quinolinolato))铝(Alq3)；日本专利申请公开No.6-110569(苯蒽衍生物)；日本专利申请公开No.6-114456(四芳基乙烷衍生物)；以及在日本专利申请公开No.6-100857和日本专利申请公开No.2-247278中公开的蓝/绿发光材料。由此形成的发光层133A就具有相对较高的折射率(n＝1.8～2.2)。

组成空穴侧公共层133H的空穴注入层和空穴迁移层可由各种有机化合物形成，这些化合物在日本专利申请公开No.63-295696、2-191694、3-792、5-234681、5-239455、5-299174、7-126225、7-126226和8-100172，以及EP0650955A1中有所公开。由此形成的空穴侧公共层133H就具有相对较高的折射率(n＝1.8～2.2)。类似地，电子侧公共层133E也具有相对较高的折射率(n＝1.8～2.2)。如上所述，OLED元件130的每个薄膜都是由折射率高于第一折射率和第三折射率的材料组成，并且这些薄膜中的每一个的折射率都与第二折射率大致相等。

因为通过真空蒸发法可以形成均匀的薄膜，所以就优选地使用该方法形成空穴注入层、空穴迁移层、发光层、电子注入层和电子迁移层。

使用密封材料40密封有机EL显示装置以防止湿气进入光学活性层133。在本实施例中，配置密封材料40，使得玻璃板由密封件粘附并使用干燥剂除去玻璃板之间空隙内的湿气。在其他可用的方法中，可由金属薄膜和有机薄膜的堆叠结构实现密封，或由金属罩实现密封。所有这些技术都在本发明的范围内。

在推荐用于着色的方法中，例如发白光的OLED元件可以结合红、绿、蓝滤色镜，或者发蓝光的OLED元件可结合波长转换层。在本实施例中，单独涂覆在不同波长(例如，蓝光波长、绿光波长和红光波长)处具有发光峰值的多种发光材料。

更具体地，根据本实施例的有机EL显示装置包括多种显示元件。在红光像素PXR中放置主要发出红色波长光的红光OLED元件130R。类似的，在绿光像素PXG中放置主要发出绿色波长光的绿光OLED元件130G。在蓝光像素PXB中放置主要发出蓝色波长光的蓝光OLED元件130B。这些颜色像素PX(R，G，B)由格形或条形隔墙50分隔。

如上所述，将平面化膜120放置在晶体管阵列110和各OLED元件130之间(确切地说，在晶体管阵列110和第一电极131之间)以防止由于晶体管阵列110不均匀所引起的OLED元件130的短路。

平面化膜120的折射率n约为1.3～1.7并且是较低的，而组成由ITO形成的第一电极131和光学活性层133的每个薄膜的折射率n则约为1.8～2.2并且是较高的。结果是，由光学活性层133生成的一部分光由第一电极131和平面化膜120之间的界面反射，并且所述光在该界面和作为反射电极的第二电极132之间的光程内发生干涉。此干涉效应严重影响了光提取效率和色纯度。

图3示出了基本光程长度和每个颜色像素PX(R，G，B)内标准化发光亮度之间关系的一个实例。如图3中所示的实例，在发光亮度获得最大值时的光程长度不必在颜色像素PX(R，G，B)之间相等(或大致相等)。在图3的实例中，在发光亮度获得最大值时的光程长度相对于红光像素PXR约为230nm，相对于蓝光像素PXB约为200nm，而相对于绿光像素PXG约为220nm。简言之，为了优化每个像素内的干涉条件并获取最大的发光亮度，就有必要逐颜色像素设置最佳光程长度。

另一方面，关于色纯度，图4A示出了在由绿色像素PXG发光的色度图上基本光程长度和坐标值(CIEx和CIEy)之间关系的一个实例，图4B则示出了在由蓝色像素PXB发光的色度图上基本光程长度和坐标值(CIEx和CIEy)之间关系的一个实例而图4C示出了在由红色像素PXR发光的色度图上基本光程长度和坐标值(CIEx和CIEy)之间关系的一个实例。

对于绿光，色纯度越高(即，越密)则色度图上CIEy的值基本上就越大。对于蓝光，色纯度越高(即，越密)则色度图上CIEy的值基本上就越小。对于红光，色纯度越高(即，越密)则色度图上CIEx的值基本上就越大。

如图4A至4C中的实例所示，在色纯度获得最大值时的光程长度不必在颜色像素PX(R，G，B)之间相等(或大致相等)。在蓝色像素PXB的情况下，色纯度相对于光程长度大大变化。而在红色像素PXR的情况下，色纯度相对于光程长度不大大变化。例如，关于图4B中说死的蓝色像素PXB，在色纯度获得最大值时的光程长度约为270nm。简言之，为了通过优化每个颜色像素内的干涉条件获取优化色度，有必要逐颜色像素地设置最优光程长度。

在OLED元件130放置在平面化膜120上的情况下，图3和图4A至4C中的光程长度基本上对应于第一电极13和光学活性层133的厚度。为了优化每个颜色像素内的干涉条件，就希望在各自的像素内设置不同的膜厚度。

然而，如上所述，除了发光层133A的各层都是公共层，并由于发光层133A的膜厚度会影响载波平衡，所以很难大幅变化该厚度。例如，可假设对于红光像素PXR，通过选择发光亮度具有最大值的条件来将膜厚度设置为约230nm；对于蓝光像素PXB，通过选择具有色度获得最优值的条件来将膜厚度设置为约270nm；而对于绿光像素PXG，通过选择发光亮度获得最大值的条件来将膜厚度设置为约220nm。然而，在此情况下，膜厚度最大值之间存在50nm的差。仅仅通过调整发光层133A的厚度很难获取这么大的膜厚度差。于是就很难同时满足为给颜色像素所选择的条件(用于最佳发光亮度或色度)。

关于绿光，如图3实例所示的光程长度和发光亮度之间的关系大致符合图4A实例中所示的光程长度和色度(CIEy)之间的关系。于是，通过优化干涉效应(即，通过选择最佳条件下的光程长度)，就可同时改善发光亮度和色度。简言之，绿光对白光亮度的贡献很高。因此，如果选择了满足改善发光亮度条件的光程长度，就可获得色度的改善。

相比之下对于蓝光，如图3实例所示的光程长度和发光亮度之间的关系与图4B实例中所示的光程长度和色度(CIEy)之间的关系相矛盾。换句话说，存在优化改善发光亮度的条件以及改善色度的条件之间的平衡。对于蓝光，由于干涉效应引起的发光亮度和色度缺乏变化对于干涉效应的优化是可取的。

在本实施例中，如图1和图2所示，蓝光像素PXB经由穿过平面化膜120的开口部分OP与晶体管阵列110接触。更具体地，可由氮化硅(SiN)形成晶体管阵列110的保护膜、间层绝缘膜、栅绝缘膜和底层膜。这些膜的折射率(1.8～2.2)大致等于OLED元件130的第一电极131的ITO以及光学活性层133的有机材料的折射率，而且其总膜厚度是较厚的500nm至1500nm。

因为提供平面化膜120的目的是防止由于晶体管阵列110不均匀所引起的OLED元件130的短路，于是就在晶体管阵列110的相对平坦部分内形成穿过平面化膜120的开口部分OP，并且该部分不与多晶硅膜、各电极以及各配线重叠。更具体地，由开口部分OP所暴露的那部分晶体管阵列110对应于第一绝缘层或基底的表面层111，在其上堆叠了带有大致相等折射率的发光绝缘膜，诸如底层膜110A、栅绝缘层110B、间层绝缘层110C和保护膜110D。

蓝光像素PXB与第一绝缘层111直接接触。更具体地，用于蓝像素PXB的OLED元件130的第一电极131对应于显示元件的基底侧层。第一电极131接触第一绝缘层111，其折射率具有与第一电极131折射率大致相等。红像素PXR和绿像素PXG放置在堆叠在第一绝缘层111上的平面化膜120上。平面化膜120对应于一绝缘层或第二绝缘层。

现假设基底表面层(例如，第一绝缘层111)的折射率为n1，绝缘层(例如，平面化膜120)的折射率为n2而显示元件的基底侧层(例如，第一电极131)的折射率为n3。因为n1和n3大致相等，则其间的差值较小，且n2小于n1和n3。于是就可建立如下关系：

|n1-n3|<|n2-n3|

因此，对于蓝色像素PXB，在第一电极131和第一绝缘层111之间的界面处不会出现反射。干涉条件的光程长度是600nm至1800nm，并大大长于在经由平面化膜120提供红像素PXR和绿像素PXG情况下的100nm至400nm。由此，就降低了波长最短的蓝光对干涉效应的敏感度，并且很难受到由于OLED元件130的膜厚度(大致光程长度)引起的发光亮度或色度变化的影响。

更具体地，在本发明中，对在光程长度变化增大时由于干涉效应引起的发光亮度或色度变化减小的事实给予了关注。在如图3和图4A至4C所示的低阶干涉条件中，相对于光程长度的发光亮度和色度的变化非常大。相反，如图5所示在高阶干涉条件下，相对于光程长度的发光亮度和色度的变化则减小(该现象不仅展现了关于蓝光还关于其它颜色的光的类似趋势)。于是在本实施例中，对于在对改善发光亮度优化条件和改善色度优化条件之间存在平衡的蓝光来说，可以利用高阶干涉条件，并且选择发光亮度和色度大致无变化的条件(在光程长度足够大的条件，即膜厚度足够大的条件)。通过选择该结构，可以同时获得相对于蓝像素PXB的充足的发光亮度和色度。

另一方面，应该仅相对于两个像素(即绿光像素PXG和红光像素PXR)来优化OLED元件130的空穴侧公共层133H和电子侧公共层133E的干涉条件。在任一情况下，都能够通过选择在220至230nm附近的光程长度(膜厚度)来满足该优化条件。仅通过发光层133A的膜厚度就足以调整膜厚度内的这一微小差异。于是在该实施例中，将除第二电极132之外的OLED元件130的厚度(即，光学活性层133的厚度和第一电极131的厚度之和)在绿像素PXG内设为220nm而在红像素PXR内设为230nm。由此就可获得关于绿像素PXG和红像素PXR的最大发光亮度，并可以获得关于绿像素PXG的最佳色度。

本实施例中，对于蓝像素PXB，OLED元件130经由在平面化膜120内形成的开口部分OP与其折射率同OLED元件130的薄膜折射率大致相等的第一绝缘层111直接接触(确切地说，OLED元件130与大部分放置在OLED元件130侧上的晶体管阵列110的保护膜110D接触)。由此，蓝像素PXB受干涉效应的影响较小，并能够在获取必要特性(例如，最大亮度)的条件下为绿像素PXG和红像素PXR设置光程长度(膜厚度)。结果，获得了具有高亮度和高颜色再现性的高显示质量的有机EL显示装置。此外，还可消除由于蓝像素PXB的干涉效应引起的色度视角依赖(即，可抑制由于视角不同引起的光程长度不同所导致的色度差异的出现)。关于平面化膜120的材料的特性，存在对特定波长的光吸收率较高的情况。在应用于本实施例的平面化膜120中，蓝光波长的吸收率特别高。因此，对于蓝光像素PXB来说，OLED元素130经由在平面化膜120内形成的开口部分OP与第一绝缘层111直接接触。由此，来自OLED元件130的蓝发射光不会被平面化膜120吸收，从而就能改善提取到外界的蓝光提取效率。

上述平面化膜120是由例如正性树脂材料组成的。具体地，在第一绝缘层111上形成树脂材料。随后使用具有对应于蓝光像素PXB的开口图案的光掩膜，曝光并随后显影该树脂材料。这样就形成了具有对应于蓝光像素PXB的开口部分的平面化膜120。此后，可顺序地形成第一电极131、光学活性层133和第二电极132。这样就形成了平面化膜120上的与第一绝缘层111相接触的蓝光OLED元件以及红光OLED元件和绿光OLED元件130。

在使用负性树脂材料形成平面化膜120的情况下，经由具有对应于蓝光像素PXB的阻光图案的光掩模曝光该树脂材料，并在随后显影该树脂材料。由此就能形成具有类似开口部分OP的平面化膜120。

接下来将讨论本发明的其它实施例。在上述实施例中，将包括在有机EL显示装置内的一种OLED元件130B与作为基底表面层的第一绝缘层111相接触，而不插入平面化膜120。放置两种OLED元件130R和130G与平面化膜120相接触。

在本发明的另一个实施例中，如图6所示，类似于蓝光像素PXB，红光像素PXR经由穿过平面化膜120的开口部分OP与晶体管阵列110接触。具体地，使包括在有机EL显示装置内的两种OLED元件130R和130B与作为基底表面层的第一绝缘层111相接触，而不插入平面化膜120。放置一种OLED元件G与平面化膜120相接触。

由此，仅通过对白光亮度有着较高贡献的绿光像素PXG优化OLED元件130的最佳膜厚度。因此，无需进行与红光像素的干涉条件的匹配，并且不仅能够选择200nm附近的膜厚度，还能选择350nm附近的膜厚度。这就增加了总的膜厚度，并能抑制由于异物进入OLED元件130所导致的短路缺陷(黑点)的出现。

在本发明的又一个实施例中，如图7所示，类似于蓝光像素PXB，红光像素PXR和绿光像素PXG经由穿过平面化膜120的开口部分OP与晶体管阵列110接触。具体地，使包括在有机EL显示装置内的所有种类的OLED元件130(R，G，B)与作为基底表面层的第一绝缘层111相接触，而不插入平面化膜120。

由此，相对于全部颜色像素的干涉条件匹配是不必要的。此外，与图6所示的实施例相类似，能增加总的膜厚度，并能抑制由异物进入OLED元件130所导致的短路缺陷(黑点)的出现。此外，每个颜色像素的OLED元件130基本不会受到平面化膜120内剩余的湿气的影响，从而能够抑制使用寿命的劣化。此外，即使出现平面化膜120厚度不均匀的情况也能抑制特性的变化。

如上所述，考虑到用于颜色显示的多个颜色像素的发光波长，发光亮度和色度变为最优的基本光程长度不必在各颜色像素间相等。因此，有必要在用于为每个颜色像素获得必要特性的条件下设定光程长度，即膜厚度。于是，将受光程长度影响较小的高阶干涉条件应用于至少一种OLED元件，即其最优条件的光程长度与其他颜色最优条件的光程长度显著不同的颜色像素，或将其应用于在其中为改善两个或更多必要特性(例如，发光亮度和色度)的优化条件之间进行折衷的颜色像素。为了使用高阶干涉条件，就应该满足增加光程长度的条件。为此，OLED元件就接触其折射率与该OLED元件折射率大致相等的绝缘层，并增加基本光程长度。因而对于其光程长度增加的颜色像素，没有光程长度影响下就能够获取必要的特性。在上述实施例中，使得用于蓝光像素的OLED元件接触其折射率与该OLED元件折射率大致相等的绝缘层。然而本发明不限于该实例。也可将相同的结构应用于另一个颜色像素，或者可将其用于两个或更多种类的颜色像素。

本发明不限于上述实施例。实践中可以修改所述的结构元件而不背离本发明的范围。通过适当组合在实施例中公开的结构元件就能做出各种发明。例如，能够从公开的实施例的所有结构元件中省略某些结构元件。此外，也可以适当组合不同实施例中的结构元件。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

放置在具有第一折射率的基底上并具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第一绝缘层；

放置在第一绝缘层上并具有不同于所述第二折射率的第三折射率的第二绝缘层；

多种显示元件，它们生成不同波长的光，该显示元件的每一个薄膜的折射率和第一绝缘层具有的第二折射率都在1.8—2.2的范围内，

其中使至少一种显示元件经由穿过所述第二绝缘层的开口部分与所述第一绝缘层接触；以及

用于分隔显示元件的隔墙。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，与所述第一绝缘层相接触的所述显示元件生成蓝光波长的光。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二折射率大于所述第一折射率和第三折射率。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层是由包括氮化硅膜的多层组成。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示元件包括按隔离形状形成并具有透光性的第一电极、与所述第一电极相对放置的第二电极以及保持于所述第一电极和第二电极之间的光学活性层。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括在所述基底上形成的多个薄膜晶体管。

7.一种显示装置，包括：

具有表面层的基底；

放置成与所述基底的表面层相接触的绝缘层；

放置在所述基底上并生成不同波长的光的多种显示元件，

其中建立如下关系：

|n1-n3|<|n2-n3|

其中n1是所述基底的表面层的折射率，n2是所述绝缘层的折射率，而n3是位于基底侧上的所述显示元件的一层的折射率，并且

放置至少一种显示元件与所述基底的表面层相接触；以及

用于分隔显示元件的隔墙。

8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，放置生成第一波长的光的第一显示元件与所述绝缘层接触，并且

放置生成具有与第一波长不同的第二波长的光的第二显示元件与所述基底的表面层相接触，而不插入绝缘层。

9.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，放置生成第一波长的光的第一显示元件以及生成具有与第一波长不同的第二波长的光的第二显示元件与所述基底的表面层相接触，而不插入绝缘层。

10.一种显示装置，包括：

具有表面层的基底；

放置与所述基底的表面层相接触的绝缘层；

放置在所述基底上并生成光的显示元件，

其中建立如下关系：

|n1-n3|<|n2-n3|

其中n1是所述基底的表面层的折射率，n2是所述绝缘层的折射率，而n3是位于基底侧上的所述显示元件的一层的折射率，并且

放置所述显示元件与所述基底的表面层相接触而不插入绝缘层；以及

用于分隔显示元件的隔墙。

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