CN100454480C - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

半导体装置的制造方法，把晶片搬运容器载置到使晶片搬运容器的盖子自动开闭的装载口的上边，通过装载口把收纳在搬运容器内部的晶片搬运到制造装置内，使控制晶片搬运容器内部环境的控制单元的运行条件变更为与制造装置的处理内容或检查内容相对应的条件，使结束了规定处理或检查的晶片，通过装载口再次收纳于晶片搬运容器内，一直到把上述晶片搬运到另一制造装置为止，根据变更后的运行条件控制搬运容器的内部环境。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及把正在制造中的晶片收纳于具有环境控制单元的晶片搬运容器内之后，在半导体装置的一连串制造工序中使用的各种制造装置之间进行移动的半导体装置的制造方法。
背景技术
目前，具有微细图形的半导体装置的制造，都在已除去了灰尘等的超净间内进行。但是，超净间内的环境，由于从半导体制造工艺来看杂质极其之多，故对于送入到超净间内的外气要用化学过滤器等除去杂质。此外，在超净间内产生的杂质，则用在室内空调机或空气循环系统的一部分上设置化学过滤器的办法加以除去。
超净间内正在制造途中的半成品晶片，为了防止超净间内的灰尘和杂质的附着，要收纳于晶片搬运器内之后再在超净间内搬运/保管。但是，取决于半导体制造工序的种类，有时候工艺的残存物会变成为杂质对晶片搬运器内的晶片造成逆污染。
作为解决这些问题的手段，在特开平7-94577号公报中，公开了借助于含有活性碳吸收层的蒸汽除去器件除去晶片搬运器内的化学蒸汽(杂质)的发明。此外，株式会社荏原制作所的‘晶片搬运超净箱(商品名)’是一种实际上使用来除去杂质的化学过滤器和具有用来使容器内的空气进行循环的风扇电动机的晶片搬运器产品化的商品。
然而，在一连串的半导体制造工序中，存在着非常多的使工艺残存物附着到晶片上的制造工序。因此，在把该工序结束后的晶片收纳于晶片搬运容器内的情况下，就存在着在短时间内使具有晶片搬运容器的化学过滤器被破坏的危险。
此外，现有的晶片搬运容器，在整个半导体制造的全部工序中只能把晶片搬运容器内的环境控制为一种搬运条件。因此，要使晶片搬运容器内的环境分别应对以低湿度搬运/保管晶片时提高品质的制造工序、在已除去了杂质的空间内搬运/保管时提高品质或成品率的制造工序、或希望除去了水分和杂质的空间的制造工序是困难的。
此外，一般的说，用来除去离子性杂质的化学过滤器，具有当环境湿度变成为20％以下时，则性能会急剧劣化的特性。因此，在低湿度的环境中不能除去离子性杂质。
如上所述，由源于各种半导体制造工序的要求和化学过滤器的特性可知，要使对于半导体制造工序的晶片的搬运/保管最佳化，就必须要准备功能不同的多种晶片搬运容器，且对每一个工序都要更换。然而，归因于此，就会产生晶片搬运容器的购买价格增加，增大必须使空的晶片搬运容器相应于特性而分配给以后的工序进行搬运等的搬运负担等的缺点。此外，还会产生需要多种晶片搬运容器的新的保管场所，需要用来交换晶片搬运容器的时间，制造工期加长等的缺点。
此外，在晶片搬运容器中，还需要用来使送风风扇或除水过滤器动作的充电电池。但是，充电电池由于只具有半导体制造工期的1/100那种程度的容量，故将产生需要对充电的劳力和时间、工期的减慢以及充电场所进行新的确认等的缺点。
再者，超净间内的相对湿度，考虑到人的作业性、化学过滤器的性能维持，要保持在30～60％。该超净间内的湿度，将促进晶片上边的自然氧化膜的形成，促进在晶片上边形成的金属布线的腐蚀。
发明内容
本发明的目的就是要提供一种能够克服现有技术中存在的缺点、以低成本制造、高可靠性的半导体装置的制造方法。
为此，本申请提供了一种半导体装置的制造方法，该制造方法把晶片收纳于具有环境控制单元的晶片搬运容器内、在半导体装置的一连串制造工序中使用的制造装置之间进行晶片移动，其特征在于包括下列工序：把上述晶片搬运容器放置到能够自动开闭上述晶片搬运容器的盖子的装载口的上边；通过上述装载口把收纳在上述晶片搬运容器内部的晶片搬运到上述制造装置内；在上述制造装置内对上述晶片进行处理或检查的期间，上述环境控制单元把控制上述晶片搬运容器内部环境的运行条件变更为与上述制造装置的处理内容或检查内容相对应的条件；通过上述装载口把结束了与上述处理内容或检查内容对应的处理或检查的上述晶片再次收纳于上述晶片搬运容器的内部，以及根据变更后的上述运行条件控制上述晶片搬运容器的内部环境，直至把上述晶片搬运到下一个制造工序中使用的制造装置内为止。
附图说明
图1的斜视图示出了晶片搬运容器的构成的一个例子。
图2A和图2B示出了晶片搬运容器和构成一连串制造工序的各个制造装置的配置关系。图2A示出了对于制造装置(干法刻蚀装置)外加SMIF装载口的情况。图2B示出了把SMIF装载口组装到制造装置(光刻胶剥离装置)的一部分上的情况。
图3的框图示出了与图5所示的流程图对应的制造装置和生产系统之间的连接关系。
图4的流程图示出了本发明的实施例的半导体装置的制造方法的主要构成。
图5的流程图示出了一连串的半导体制造工序中的晶片搬运容器的具体运行条件的一个例子(其1)。
图6的流程图示出了一连串的半导体制造工序中的晶片搬运容器的具体运行条件的一个例子(其2)。
具体实施方式
参看附图说明本发明的各个实施例。要注意，对于全部附图的相同或类似的部分赋予同一或类似的标号而省略其说明。
(在半导体装置的制造工序中使用的制造装置和晶片搬运容器)
本发明的实施例的半导体装置的制造方法，是一种把晶片收纳于具有环境控制单元的晶片搬运容器内在半导体装置的一连串制造工序中使用的各种制造装置之间进行晶片移动的半导体装置的制造方法。在对实施例的半导体装置的制造方法进行说明之前，首先对晶片搬运容器和在半导体装置的制造方法中使用的制造装置进行说明。
晶片搬运容器是用来把制造途中的半成品晶片(以后，单叫做‘晶片’)收纳于其内部，进行晶片的运送和保管的容器。此外，晶片搬运容器具有可以根据与由各个制造装置实施的处理或检查的内容对应的各种各样的运行条件使之动作的环境控制单元。采用使环境控制单元正确地动作的办法，晶片搬运容器就可以在适合于各个制造工序的处理/检查内容的环境下进行晶片的搬运和保管。
图1的斜视图示出了晶片搬运容器8的构成的一个例子。晶片搬运容器8具有以SMIF为准绳的SMIF容器13和SMIF容器下盖15和超净单元部分14。SMIF容器13是塑料制造的筐体。采用使SMIF容器13重合到SMIF容器下盖15上的办法，形成用来收纳晶片16的封闭空间(容器)。晶片16被收纳于该容器的内部。在图1中，虽然示出的是使晶片16横向层叠地进行收纳这种类型的容器的例子，但是当然即便是纵向地排列起来进行收纳的类型也没有问题。
容器内部的环境，可以用超净单元部分14所具有的环境控制单元(17～20)控制。环境控制单元具备水分除去器17、微粒除去过滤器18、杂质除去过滤器19和送风风扇20。
水分除去器17除去容器内的湿气。此外，水分除去器17还向晶片搬运容器8填充惰性气体和干燥空气，或者用高分子固体电解膜分解晶片搬运容器8内的水分。用高分子固体电解膜分解晶片搬运容器8内的水分的功能，可以用在特开2000-107550号公报中公开的、具备湿度调整功能和湿度传感器这两方面功能的湿度调整器件具体实现。此外，水分除去器17准备有2台，可以独立地对2台进行控制。就是说，作为水分除去器17的运行方法，可以设定2台连续、1台连续1台间歇、1台连续1台停止、2台停止等的多种运行条件。
微粒除去过滤器18除去晶片搬运容器8内的灰尘等微粒。作为微粒除去过滤器18，可以使用用无纺布过滤器或者聚四氟乙烯或聚乙烯过滤器等的膜系过滤器构成的高效微粒空气(High Efficiency PaticularAir(HEPA))过滤器或者超低渗透空气(Ultra Low PenetrationAir(ULPA))过滤器。
作为杂质除去过滤器19，可以使用化学过滤器或活性碳过滤器。用来除去离子性杂质的化学过滤器，具有当环境湿度变成为20％以下时其性能急剧地劣化的特性。因为在化学过滤器的离子交换反应中用来使杂质进行离子离解的水分是必须的。
作为杂质除去过滤器19所可以除去的杂质，包括：氯(Cl)、氟(F)、或氨等的杂质、从HEPA过滤器和ULPA过滤器中释放出来的DOP(酞酸二辛酯)、从作为密封剂使用的硅酮密封胶中释放出来的环状硅氧烷、为使超净间的建筑构件难燃化而使用的磷酸酯类、在光刻工序中使用的有机溶剂等。此外，晶片搬运容器8所具有的塑料部件，一般地说以聚丙烯或聚碳酸酯树脂为原料。这些原料内的单聚物、低聚物等的未反应成分(在聚丙烯的情况下，由脂肪族碳化氢构成)或氧化防止剂、可塑剂、交联剂等的塑料添加剂等也包括在杂质除去过滤器19所能够除去的杂质内。另外，在这些塑料添加剂之内，作为易于吸附到晶片上的有机物，有DBP(di-butyl phthalate，酞酸二丁酯)或BHT等。
送风风扇20使超净间的干净空气在晶片搬运容器8的内部循环，除去来自晶片搬运容器8的内部的工艺气体或晶片的外气等的残余气体。作为送风风扇20的运行方法，除去通常的运行外，还可以设定包括间歇的运行、低速的运行等的节能运行方法在内的多种运行条件。
超净单元部分14，还具有独立地控制环境控制单元(17～20)的运行的超净单元控制装置(CPU)21、供给用来驱动环境控制单元(17～20)的电力的充电电池22、用来显示晶片搬运容器的信息的显示部分(终端，tag)23。超净单元控制装置21，根据从晶片搬运容器8的外部接收到的信号，变更环境控制单元(17～20)的运行条件。借助于此，在晶片搬运容器8的内部，就可以根据各个制造装置的处理或检查内容形成适合于处理后的晶片的环境。此外，超净单元控制装置21，还具有用来暂时存储从晶片搬运容器8的外部接收到的信号的存储装置。
充电电池22供给为驱动水分除去器17、送风风扇20、超净单元控制装置21、显示部分23等所必须的电力。通常，充电电池22不具有恰好在一连串的半导体制造工序中进行连续驱动的充电容量。充电电池22可以在把晶片搬运容器载置到装载口的上边的期间内充电。关于装载口将在后边参照图2A和图2B进行讲述。
显示部分23，显示环境控制单元(17～20)的运行条件、晶片搬运容器8的内部的状态、现在正在进行的制造工序和其次要进行的制造工序等。生产线上的作业者就按照该显示部分23的显示进行晶片搬运容器8的搬运和保管。此外，显示部分23，在晶片搬运容器8的内部发生了异变的情况下还可以对作业者进行警告的显示。再有，采用把晶片搬运容器8的运行方法显示在显示部分23上的办法，作业者就可以判断运行内容，就可以迅速地应对因数据输入错误产生的运行方法的错误或超净单元部分14的故障等的事故。
图2A和图2B，示出了图1所示的晶片搬运容器8和在一连串的制造工序中使用的各个制造装置之间的配置关系。图2A示出的是对于干法刻蚀装置4外加上SMIF装载口6的情况。图2B示出的是把SMIF装载口7组装到光刻胶剥离装置5的一部分内的情况。装载口(6、7)自动开闭晶片搬运容器8的盖子，进行晶片搬运容器8和制造装置(4、5)之间的晶片的装/卸。另外，装载口(6、7)也可以仅仅使晶片搬运容器8的盖子自动开闭而不直接连接到制造装置(4、5)上，或者具有使批转移装置等的晶片搬运容器8的盖子自动开闭的功能。此外，在图2A和图2B中，装置信号控制部分9和信号/充电控制部分10和附属于它们的信号线或接口I/O被组装到制造装置(4、5)或装载口(6、7)内。但是，装置信号控制部分9和信号/充电控制部分10和附属于它们的信号线或接口I/O，除去制造装置(4、5)或装载口(6、7)之外，也可以从后边安装。
再有，装载口(6、7)还具有使晶片搬运容器8的超净单元部分14所具备的充电电池22充电的功能，和对超净单元控制部分(CPU)21发送与环境控制单元(17～20)的运行条件有关的信号的功能。另外，干法刻蚀装置4和光刻胶剥离装置5，都不过是作为在一连串的制造工序中使用的各个制造装置的具体例而示出的。与各个制造装置(4、5)的种类和装载口的类型(外加型或装入型)之间没有什么关连性。
如图2A所示，晶片搬运容器8被载置到外加型装载口6的上边。外加型装载口6设置在干法刻蚀装置4的运出运入口上。装载口6移动晶片搬运容器8的SMIF口部分13或SMIF口下盖15。然后，装载口6取出容器内的半导体晶片16，搬运至干法刻蚀装置4内。在刻蚀结束后，装载口6就从干法刻蚀装置4内搬运出晶片16，把半导体晶片16再次收纳于容器内。
此外，装载口6具有晶片搬运容器用信号线11和充电用布线12。采用把晶片搬运容器8装载到装载口6上的办法，就可以把晶片搬运容器用信号线11和充电用布线12连接到晶片搬运容器8上。通过晶片搬运容器用信号线11对晶片搬运容器8发送接收与环境控制单元(17～20)的运行条件有关的信号。通过充电用布线12使晶片搬运容器8内的充电电池22充电。晶片搬运容器用信号线11和充电用布线12，连接到装载口6内的信号/充电控制部分10上。此外，晶片搬运容器用信号线11，通过信号/充电控制部分10连接到于法刻蚀装置4内的装置信号控制部分9上。装置信号控制部分9连接到装置用信号线3上。另外，在这里示出的是通过各个信号线(11、13)发送接收信号的情况。但是，通过可以从信号/充电控制部分10或装置信号控制部分9等发送的无线发送接收信号而不是要这样的有线发送接收也没有关系。例如，也可以利用ASYST公司生产的smarttag(商品名)等的SMIF容器专用的显示部分对晶片搬运容器8指示运行条件。
如图2B所示，在装入式SMIF装载口7的情况下，对于配置在装载口7上边的晶片搬运容器8，把晶片搬运容器用信号线11和充电用布线12连接到信号/充电控制部分10上。晶片搬运容器用信号线11，还通过装置信号控制部分9连接到装置用信号线3上。
如图3所示，装置用信号线3连接到生产线的主信号线2上，主信号线2则连接到作为超净间全体的产生系统的工作站1上。此外，在一连串的制造工序中使用的制造装置内，还含有步进重复装置、离子注入装置等对晶片施行规定处理的晶片处理装置或测试仪、外观观察装置等对晶片内实施规定检查的晶片检查装置，而不仅仅限于干法刻蚀装置4和光刻胶剥离装置5。
(半导体装置的制造方法)
图4的流程图示出了本发明的实施例的半导体装置的制造方法。制造途中的半成品晶片经过S01～S07的阶段后，在晶片搬运容器8内进行搬运/保管。
(a)首先，在阶段S01中，把晶片搬运容器8载置到图2A和图2B所示的外加到制造装置4上的或作为各个制造装置5的一部分的装载口(6、7)的上边。
(b)其次，在阶段S02中，通过装载口(6、7)把已收纳于晶片搬运容器8的内部的晶片16搬运到制造装置(4、5)内。具体地说，装载口(6、7)移动晶片搬运容器8的SMIF容器的下盖15，从晶片搬运容器8的内部取出晶片16。然后，通过装载口(6、7)把所取出来的晶片16装入到制造装置(4、5)内。
(c)其次，在阶段S03中，在已把晶片搬运容器8载置到装载口(6、7)上边的期间内，通过装载口(6、7)的充电用布线12，使在超净单元部分14内具备的充电电池22充电。这时，装载口(6、7)检测充电电池22的充电剩余容量，只要在充电率不足80％的情况下就开始充电。不需要对充电的劳力和时间、工期的减慢以及需要充电场所进行新的确保。另外，阶段S03可以在阶段S01结束后开始，即便是与阶段S01同时或在其之前实施也不要紧。
(d)其次，在阶段S04中，对于晶片16在制造装置(4、5)内正在进行规定的处理/检查的期间内，使送风风扇20动作，使干净空气在晶片搬运容器8内循环。可以除去容器内部的剩余气体。就是说，在把晶片16搬运至制造装置(4、5)内之后，采用除去附着在晶片搬运容器8的内壁等上的剩余气体的办法，防止再次收纳规定的处理/检查后的晶片16时产生的晶片的逆污染。然后，在再次把处理/检查后的晶片收纳于晶片搬运容器8内之前，通过晶片搬运容器用信号线11向晶片搬运容器8发送使送风风扇20的运行停止的信号。根据该信号，送风风扇20的运行就被停止。另外，送风风扇20的启动停止信号是通过装置用信号线3和主信号线2从生产系统1发送过来的信号。
(e)其次，在阶段S05中，在制造装置(4、5)内对晶片16进行规定的处理/检查的期间内，使环境控制单元(17～20)的运行条件变更为与制造装置的处理内容对应的条件。具体地说，通过装载口(6、7)的晶片搬运容器用信号线11把与水分除去器17、微粒除去过滤器18、杂质除去过滤器19的运行条件有关的信号发送给晶片搬运容器8。超净单元控制装置21就根据该运行条件变更各个环境控制单元(17～20)的运行条件。另外，与运行条件有关的信号，是通过装置用信号线3和主信号线2从生产系统1发送出来的信号。
另外，也可以在已把晶片搬运容器8载置到装载口(6、7)上边的期间内，或者，已通过装载口(6、7)把收纳于搬运容器8内部的晶片16搬运到制造装置(4、5)内的期间内，变更环境控制单元(17～20)的运行条件。
(f)其次，在阶段S06中，通过装载口(6、7)把由制造装置(4、5)进行的规定的处理/检查结束后的晶片16再次收纳于晶片搬运容器8的口内部。
(g)其次，在阶段S07中，把晶片搬运容器8移动至在其次的工序中使用的制造装置内，在把晶片16搬运到该制造装置内之前的期间，根据在阶段S05中变更的运行条件，使环境控制单元(17～20)动作以控制晶片搬运容器8的内部环境。
图5和图6的流程图示出了一连串制造工序中的晶片搬运容器8的具体运行条件的一个例子。在图5和图6中，左边的一列示出了制造工序，中间一列示出了用来实施该制造工序的制造装置。此外，右边的一列示出了可以在正在该制造装置内进行规定处理/检查的期间内变更的晶片搬运容器8的运行条件。就是说，右边的一列示出的是用来形成对结束了由制造装置进行规定的处理/检查的晶片合适的环境的送风风扇20的运行条件、微粒除去过滤器18的运行条件、杂质除去过滤器19的运行条件、水分除去器17的运行条件。
(1)首先，在图5的阶段S11中，生产系统1对于批量投入之后的晶片搬运容器8发送使所有的环境控制单元(17～20)动作的信号。其次，在阶段S12中，在正在进行晶片清洗的期间内，发送使水分除去器17停止的信号，停止晶片搬运容器8的水分除去器17的运行。这是因为晶片清洗后的水分除去在提高工艺性能方面未显示出效果，要节约充电电池22的功耗以提高效率的缘故。其次，在阶段S13中，用LPCVD装置，淀积氮化硅(Si3N4)膜。接着，在阶段S14中，用光刻胶涂敷显影装置/步进重复装置，进行用来形成LOCOS氧化膜的光刻。由于S13和S14中的运行条件与阶段S12的清洗工序是相同的，故可以发送同一信号，不变更运行条件。
(2)其次，在阶段S15，再次进行清洗处理。结束了该清洗处理的晶片，由于在形成其次的栅极氧化膜的工序之前的期间内必须抑制自然氧化膜的生长，故必须保持在低湿度的环境内。因此，在正在实施清洗工序的期间内，可以对晶片搬运容器8发送使水分除去器17动作的信号。根据该信号，水分除去器17开始运行。另外，虽然归因于湿度的降低杂质除去过滤器19的性能遗憾地降低，但是在这里比起杂质除去来自然氧化膜生长的抑制是优先考虑的。其次，在阶段S16中，用扩散炉装置形成栅极氧化膜。在实施栅极氧化膜形成工序的期间内，对晶片搬运容器8发送使水分除去器17运行停止的信号，停止水分除去器17的运行。借助于此，就可以确保杂质除去过滤器10的动作所必须的湿度。
(3)其次，在阶段S17的离子注入工序、阶段S18的清洗工序、阶段S19的多晶硅淀积工序和阶段S20的栅极电极的光刻工序中，不变更环境控制单元(17～20)的运行条件。另外，在阶段S18的多晶硅淀积工序之前的清洗之后，存在着因有机物向晶片的吸附而使淀积膜的品质劣化的可能。为了抑制该劣化，停止水分除去器17以最大限度地发挥杂质除去过滤器19的性能是重要的。
(4)其次，在图6的阶段S21中，用RIE刻蚀工序对多晶硅膜进行刻蚀形成栅极电极图形。该刻蚀工序结束后的晶片，在残留有RIE的刻蚀气体的状态下被收纳于晶片搬运容器8内。在这时，当使杂质除去过滤器19动作后，杂质除去过滤器19就会被刻蚀气体破坏。因此，必须停止送风风扇20的运行。于是，在实施RIE刻蚀工序的期间内，要对晶片搬运容器8发送使送风风扇20停止的信号。根据该信号使送风风扇20的运行停止。此外，同时还要向晶片搬运容器8发送使微粒除去过滤器18和杂质除去过滤器19的运行停止，使水分除去器17的运行开始的信号。根据这些信号就可以变更环境控制单元的运行条件。
(5)其次，在阶段S22中，用砷(As)的离子注入工序用离子注入装置，以栅极电极为掩模形成源极/漏极区等的扩散区。在阶段S21中残留在晶片上边的刻蚀气体会附着在晶片搬运容器8的内壁上。当在该状态下再次收纳扩散区的形成结束后的晶片时，存在着归因于附着于内壁上的气体的晶片的逆污染的可能性。因此，在正在实施离子注入工序的期间内，要对晶片搬运容器8发送使送风风扇20的运行开始，使水分除去器17的运行停止的信号。根据该信号就可以使送风风扇20的运行开始，使水分除去器17的运行停止。借助于此，使晶片搬运容器8内的湿度上升以提高杂质除去过滤器19的性能。借助于送风风扇20和杂质除去过滤器19，就可以除去附着在晶片搬运容器8的内壁上的刻蚀气体，可以防止晶片的逆污染。
(6)其次，在阶段S23中，用磷硅酸盐玻璃(PSG)膜淀积工序用扩散炉装置，向晶片上边淀积掺磷(P)的氧化硅膜。由于会从淀积上PSG后的晶片发生磷(P)的脱气，故必须充分地除去之。于是，要对晶片搬运容器8指示出使水分除去器17的运行停止，提高杂质除去过滤器19附着效率的运行条件。其次，在阶段S24中，实施PSG膜的熔融工序。在实施该熔融工序期间内，为了节约充电电池22，可以发送使水分除去器17的运行停止的信号。根据该信号就可以停止水分除去器17的运行。
(7)其次，在阶段S25中，用RIE装置实施在PSG膜上形成接触孔以使半导体衬底露出来的接触孔形成工序。存在着在形成了接触孔之后，在从接触孔露出来的衬底的上边形成自然氧化膜，因而会使接触电阻上升的可能性。为了避免该可能性，接触孔形成工序后的晶片，必须保持在低湿度状态的环境内。于是，在正在实施接触孔形成工序的期间内，要对晶片搬运容器8发送开始水分除去器17运行的信号。另外，虽然归因于湿度的降低杂质除去过滤器19的性能会遗憾地降低，但是在这里比起杂质除去来自然氧化膜生长的抑制是优先考虑的。
(8)其次，在阶段S26～S27中，依次实施溅射构成布线层的Al膜的工序、使Al膜图形化的工序、向Al布线层上边淀积PSG膜的工序。该期间的晶片搬运容器8的运行条件，是同时使送风风扇20、微粒除去过滤器18、杂质除去过滤器19动作，使水分除去器17的运行停止。这是因为要采用适度地保持晶片搬运容器8内部的湿度的办法以充分地提高杂质除去过滤器19性能的缘故。
图3示出了与图5所示的制造工序的流程图对应的制造装置和生产系统1之间的连接关系。生产系统1，可以通过主信号线2和装置用信号线3向各个制造装置发送与晶片搬运容器8有关的信号。生产系统1中，还预先存储有在一连串的制造工序中使用的各个制造装置和晶片搬运容器8的各个运行条件1∶1地对应的运行条件的信息流数据。环境控制单元的运行条件，在各个制造装置中可以通过装载口由生产系统1指示。因此，就无须作业者在各个制造工序中指示运行条件或靠作业者指示运行条件，因而可以防止运行方法的误动作，可以制造可靠性高的半导体装置。另外图3还示出了经由把生产系统1和制造装置连接起来的信号线通过与制造装置变成为一对的装载口向晶片搬运容器8提供信号的情况。但是，既可以从作为用信号线将装载口连接起来的LAN的工作站向晶片搬运容器8提供信号，也可以直接把生产系统1和装载口LAN连接起来而不通过制造装置。
如上所述，在本发明的实施例中，通过各个制造装置的装载口(6、7)向晶片搬运容器8发送与晶片搬运容器8的运行条件有关的信号。然后，使晶片搬运容器8的环境控制单元(17～20)的运行条件变更为与制造装置的处理内容或检查内容对应的条件。
具体地说，个别地控制水分除去器17、杂质除去过滤器19、微粒除去过滤器18、送风风扇20的运行条件。个别地进行环境保管箱内的湿度的管理，氯(Cl)、氟(F)或氨等的杂质的除去，灰尘等的粒子的除去、工艺气体、从晶片的脱气等的容器内的残余气体的除去。
借助于此，就可以制造出对于各个制造装置的处理内容就是说对于半成品晶片最为合适的环境。因此，就可以1种晶片搬运容器8进行在各个制造工序中进行的晶片的移动和保管。从结果上看，可以制造廉价且高可靠性的半导体装置。就是说，采用在对于该处理状态最为合适的环境中搬运或保管制造途中的晶片的办法，就可以提供廉价且高成品率而且高可靠性的半导体装置的制造方法。
因此，可以解决不再需要多种晶片搬运容器的、避免化学过滤器的破坏、降低造价等，只能在现有的1种运行条件下才可以动作的晶片搬运容器所具有的那些问题。
(其它的实施例)
如上所述，本发明虽然用一个实施例进行讲述，但是，不应当把构成本公开的一部分的论述和附图理解为是对本发明进行限定。对那些熟练的本专业的技术人员来说，还可以实现其它的优点和变形。因此，本发明在其更为宽阔的范围内不会受限于在本说明中所提供和讲解的那些特定细节和典型的实施例。因此，在不偏离由所附权利要求及其等效要求所限定的总的发明概念的精神和范围内还可以有种种的变形。
在实施例中，预先把一连串的制造工序和晶片搬运容器8的运行条件1∶1地对应的运行条件的信息流数据存储在生产系统1内。此外，环境控制单元的运行条件，在各个制造装置中通过装载口由生产系统1指示。但是，本发明并不受限于此。也可以预先把运行条件的信息流数据存储在超净单元控制装置21内，从超净单元控制装置21直接向环境控制单元(17～20)指示运行条件。在各个制造工序中，不再需要进行与运行条件有关的信号的发送接收。此外，由于也不需要作业者每次都判断运行条件，或者向晶片搬运容器8输入数据，故可以防止运行方法的误运行，可以制造高可靠性的半导体装置。
此外，生产系统1，也可以不仅要测定充电电池22的充电剩余容量，还要根据该充电剩余容量和生产状况向晶片搬运容器8指示送风风扇20和水分除去器17的详细的运行方法。就是说，也要考虑生产系统1作为数据库所具有的制造工序间的平均滞留时间等，向晶片搬运容器8指示送风风扇20的间歇运行或低速运行，水分除去器17的间歇运行或部分运行等的节能运行方法。借助于此，使得难于发生晶片搬运容器8的充电电池22的充电用光，减少完全不能进行环境控制的现象。
再有，超净单元控制装置21，理想的是具有连续或定期地对充电电池22的剩余容量进行自我判断，自己随时更改环境控制单元的运行条件的功能。可以吸收生产状况等的生产上的统计误差，更为确实地防止充电电池22的充电用光。
再有，理想的是把湿度传感器组装到晶片搬运容器8内，在已把晶片搬运容器8装载到装载口(6、7)上边的期间内，把晶片搬运容器8内的控制湿度变成为信号向装载口(6、7)输出。由于晶片搬运容器8的SMIF容器部分113和SMIF容器下盖15用塑料材料制造，故具有向材料内部保存水分的保水特性，具有根据状况向晶片搬运容器8内部放出水分的性质。为此，取决于晶片搬运容器8的事前的运行状态，来自SMIF容器部分13和SMIF容器下盖15的水分放出特性会完全不同。如果使间歇运行或部分运行等的水分除去器17的各种运行条件固定起来，则就不可能使容器内的湿度每次都变成为相同的值。采用把湿度传感器组装到容器内连续或定期地测定湿度的办法，就可以用超净单元控制装置21使得每次都变更水分除去器17的运行方法。结果就总是可以得到所希望的湿度环境。
再有，作为对象的晶片的大小，对于200mm、300mm或除此之外的大小的晶片，理所当然地也可以应用本发明。此外，本发明对于液晶基板的制造工序或光掩模的制造工序等，具有微细图形、在超净间等的干净气氛中制造的电子装置都可以应用而不限于LSI等的半导体装置。
再有，考虑到要制造的半导体装置的种类和特性、检查工序中的检查结果(成品率、故障特性等)、最终工序后的成品率或者可靠性评价结果等，也可以随时变更各个制造工序中的环境控制单元(17～20)指示运行条件。采用考虑到检查结果或成品率更改对于此后的生产批量的晶片搬运容器的运行方法的办法，对于工艺的微妙的变化也可以应对，使得总是可以进行高成品率和高可靠性的半导体装置的制造。

Claims (14)

1.一种半导体装置的制造方法，该制造方法把晶片收纳于具有环境控制单元的晶片搬运容器内、在半导体装置的一连串制造工序中使用的制造装置之间进行晶片移动，其特征在于包括下列工序：
把上述晶片搬运容器放置到能够自动开闭上述晶片搬运容器的盖子的装载口的上边；
通过上述装载口把收纳在上述晶片搬运容器内部的晶片搬运到上述制造装置内；
在上述制造装置内对上述晶片进行处理或检查的期间，上述环境控制单元把控制上述晶片搬运容器内部环境的运行条件变更为与上述制造装置的处理内容或检查内容相对应的条件；
通过上述装载口把结束了与上述处理内容或检查内容对应的处理或检查的上述晶片再次收纳于上述晶片搬运容器的内部，以及
根据变更后的上述运行条件控制上述晶片搬运容器的内部环境，直至把上述晶片搬运到下一个制造工序中使用的制造装置内为止。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述环境控制单元具备水分除去器和杂质除去过滤器中的至少一个，以及微粒除去过滤器和送风风扇。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在上述制造装置内对上述晶片进行规定处理和检查的期间内，使干净空气在上述晶片搬运容器内部循环，以除去上述晶片搬运容器内部的残留气体。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在把上述晶片搬运容器放置到上述装载口上边的期间内，对供给用于驱动上述环境控制单元的电力的充电电池充电。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：检测上述充电电池的充电剩余容量，只要在充电率不足80％的情况下就对该充电电池充电。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：预先把与一连串的制造工序中的各制造工序对应的上述晶片搬运容器的上述运行条件的信息流数据存储在生产系统内，并从生产系统指示上述环境控制单元的运行条件。
7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：预先把与一连串的制造工序中的各制造工序对应的上述晶片搬运容器的上述运行条件的信息流数据存储在用于控制上述环境控制单元的运行的超净单元控制装置内的存储装置中，并从上述超净单元控制装置指示上述环境控制单元的运行条件。
8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在上述晶片搬运容器所具有的显示部分上，显示上述环境控制单元的运行条件、上述晶片搬运容器的内部状态、现在正在进行的制造工序和接着要进行的制造工序。
9.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述微粒除去过滤器，是由无纺布过滤器、聚四氟乙烯或聚乙烯过滤器中至少一个构成的高效微粒空气过滤器或者超低渗透空气过滤器。
10.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述杂质除去过滤器是化学过滤器或活性碳过滤器。
11.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：用上述水分除去器向上述晶片搬运容器内填充惰性气体或干燥空气。
12.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：用具备上述水分除去器的高分子固体电解膜分解上述晶片搬运容器内的水分。
13.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在离子注入装置内对上述晶片进行离子注入处理的期间内，开始上述送风风扇的运行，停止上述水分除去器的运行，开始上述杂质除去过滤器的运行。
14.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在扩散炉装置内对上述晶片进行已掺杂的氧化硅膜的淀积处理的期间内，停止上述水分除去器的运行，开始上述杂质除去过滤器的运行。
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