CN100442469C - 在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法 - Google Patents

在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法 Download PDF

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Abstract

本发明是关于一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，包括在半导体元件表面上显影一光阻以暴露出部分表面，部分蚀刻复数个蚀刻路径以进入该半导体表面，检测并判定该些个蚀刻路径深度。

Description

在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法
技术领域
本发明涉及一种半导体生产方法，且特别是涉及一种用于检视光阻残留的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法。
背景技术
在半导体制造中，蚀刻制程是用来在半导体元件中，从层或层中移除材料，以形成路经，此路径常称为中介窗。这些中介窗可以金属加以填充，藉以将半导体元件中的不同层彼此连接。然而，当在形成中介窗时，若蚀刻被阻碍，以致于所形成的路径不完全，造成电性导体材料仅能填充在此部分形成的中介窗时，此时出现问题。
蚀刻阻碍的发生常是因为蚀刻制程本身出问题或是来自于微影制程的问题。其中蚀刻制程的问题包括微粒出现在或进入蚀刻路径，造成蚀刻停止或延迟，以致于路径蚀刻不完全。而微影制程问题包括，在微影制程中，当在一表面进行光阻显影时，移除光阻来暴露部分表面时，有部分的光阻残留在此暴露的表面上，造成蚀刻停止或延迟，以致于路径蚀刻不完全。
当蚀刻被阻碍时，此情况是很难被检测出来的，且当半导体技术进入次微米阶段，判定蚀刻制程或是微影制程为造成蚀刻阻碍的原因即成为一问题。
藉由判定出造成蚀刻阻碍的原因，并藉此修正问题，来提高生产效率与晶圆良率，即成为业界追求的目标。
因此，根据上述的原因，提供一种不具有上述缺点的检测光阻残留的改良方法即成为追求的目标。
有鉴于上述原因，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，所要解决的技术问题是使其可以判定蚀刻制程或是微影制程为造成蚀刻阻碍的原因，从而更加适于实用。
本发明的另一目的在于，提供一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，所要解决的技术问题是使其能即时检测出蚀刻组要的原因，从而更加适于实用。
本发明的再一目的在于，提供一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，所要解决的技术问题是使其在制造过程中判定造成蚀刻阻碍的原因，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于该方法至少包括下列步骤：
在半导体元件表面上执行一微影制程来图案化一光阻以暴露出部分表面；
部分蚀刻多个蚀刻路径以进入该半导体元件表面；
检测该些个蚀刻路径；以及
判定该些受检测蚀刻路径深度，其中检测该些个蚀刻路径的步骤是在半导体元件制造过程中，以即时进行的方式进行光阻残留检测。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其中所述的表面为一半导体基板层表面。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其中所述的表面为一半导体绝缘层表面。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其中所述的表面为一半导体金属层表面。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其中所述的蚀刻路径为一部分介层窗。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，假若未有光阻残留于表面上，其中所述的部分蚀刻将造成该些蚀刻路径具有第一深度。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，假若有光阻残留于表面上其中所述的部分蚀刻将造成该些蚀刻路径具有一小于该第一深度的第二深度。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于该方法至少包括下列步骤：
提供一具有一表面的基板；
形成一光阻于该表面上；
暴露该光阻层于一光线中；
在基板表面上执行一微影制程来图案化该光阻以暴露出部分表面；
部分蚀刻多个蚀刻路径以进入该基板表面；
检测该些个蚀刻路径；以及
判定该些受检测蚀刻路径深度，其中检测该些个蚀刻路径的步骤是在半导体元件制造过程中，以即时进行的方式进行光阻残留检测。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其中所述的表面为一半导体基板层表面。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其中所述的表面为一半导体绝缘层表面。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其中所述的表面为一半导体金属层表面。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其中所述的蚀刻路径为一部分介层窗。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其中所述的蚀刻路径为一部分接触窗。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，假若未有光阻残留于表面上，其中所述的部分蚀刻将造成该些蚀刻路径具有第一深度。
前述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，假若有光阻残留于表面上，其中所述的部分蚀刻将造成该些蚀刻路径具有一小于该第一深度的第二深度。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于该方法至少包括下列步骤：
形成一光阻于一半导体元件表面上；
暴露该光阻层于一光线中；
在半导体元件表面上执行一微影制程来图案化该光阻以暴露出部分表面；
部分蚀刻多个蚀刻路径以进入该半导体元件表面；
检测该些个蚀刻路径；以及
判定该些受检测蚀刻路径深度，其中若未有光阻残留于表面上，则该些蚀刻路径具有第一深度，而若有光阻残留于表面上，则该些蚀刻路径具有一小于该第一深度的第二深度，其中检测该些个蚀刻路径的步骤是在半导体元件制造过程中，以即时进行的方式进行光阻残留检测。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的在一半导体元件中检视光阻残留的方法，其中所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体基板层表面。
前述的在一半导体元件中检视光阻残留的方法，其中所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体绝缘层表面。
前述的在一半导体元件中检视光阻残留的方法，其中所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体金属层表面。
前述的在一半导体元件中检视光阻残留的方法，其中所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的蚀刻路径为一部分介层窗。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明提出一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，该方法包括下列步骤，首先形成一光阻层于一半导体元件表面上，接着图案化此光阻层，并进行显影以暴露出元件部分表面，接着部分蚀刻出复数个蚀刻路径以进入半导体表面，检测蚀刻路径并判定这些受检测蚀刻路径的深度。
经由上述可知，本发明是关于一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，包括在半导体元件表面上显影一光阻以暴露出部分表面，部分蚀刻复数个蚀刻路径以进入该半导体表面，检测并判定该些个蚀刻路径深度。
借由上述技术方案，本发明在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法至少具有下列优点：可藉由即时判定出造成蚀刻阻碍的原因，而加以修正问题，故可提高晶圆良率。另一方面，并不需等到所有制程完毕后，再加以检测，可在制程中即时检测即时修正，因此可提升生产效率。
综上所述，本发明在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，可以判定蚀刻制程或是微影制程为造成蚀刻阻碍的原因，从而更加适于实用。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类方法中未见有类似的设计公开发表或使用而确属创新，其不论在方法上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是一包括有复数层与一光阻层形成于表面上的半导体元件剖面图。
图2是一半导体元件剖面图，其中展示了一在制造半导体元件过程中的微影制程步骤。
图3是一具有一显影光层的半导体元件剖面图，其中一光阻残留于其表面上。
图4是一包含部分蚀刻路经的半导体元件剖面图。
图5是根据本发明一具体实施例方法的流程图。
100：元件             102至112：层
114：光阻             116、118：孔洞
122：光               124、126：区块
128、130：凹陷        132：光阻残留
134、136：蚀刻路径    200至210：方块
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法其具体实施方式、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
在一具体实施例中，半导体元件100的生产中包括一微影制程，图1中的元件100具有复数层102，104、106、108、110和112，其中这些层102至112包括有半导体基板层，绝缘层和金属层。形成半导体基板层112的材料有多种，包括但不限制于硅(Si)、硅化锗(SiGe)、碳化硅(SiC)和砷化钾(AsGa)。形成绝缘层的材料有多种，包括但不限制于二氧化硅(SiO2)、四氧化三硅(Si3O4)和氮氧化硅(SiON)。形成金属层的材料有多种，包括但不限制于铝(Al)、铝合金(Al alloys)、铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)和钽(Ta)。光阻层114被形成于元件100相邻于层102的表面上，此为微影制程中图案化光阻步骤的一部分。
接续此图案化光阻步骤，在图2中，一光罩116放置于光阻层114之上，光122，例如一高强度的UV光，被照射于光罩116，光122会通过孔洞118和120，并在光阻114上形成区块124和126。区块124和126的物理特性会因为暴露于光122之下而造成变化，然后显影光阻114，来从元件100上层102的表面移除区块124和126。在此微影步骤中可使用另一种光阻的形式，来使得显影后，从元件100上的层102的表面所移除的部分，为未暴露于光122的部分。
图案化光阻包括下列的制程步骤，例如光阻涂怖步骤、软烤(softbaking)步骤、光罩对准步骤、图案化的曝光步骤、显影光阻步骤和硬烤(hard baking)步骤，上述的步骤可使用传统微影制程技艺中的合适方法来达成。
在一完美的光阻114显影后，在图3中，元件100具有一光阻114，一凹陷128形成于此光阻114中，暴露出层102的表面。然而，若光阻102的显影不完美，会造成光阻残留132于层102表面上的凹陷130中。当半导体技术进入次微米阶段，传统的技术并不能检测出此光阻残留于凹陷130中的相对深度。
为了检测光阻残留132的出现，一部分蚀刻被执行，在图4中，因为此次蚀刻并不意味着要将元件100中的多个层进行连接，而仅是为了检测的目的而在元件中形成一预先设定的深度，因此称作部分蚀刻。此部分蚀刻会从元件100移除材料，经由层102形成一部分蚀刻路径134和136。现在检测部分蚀刻路径134和136，可以使用各种物理失败分析仪器来进行检测，包括但不限定为光学显微镜、电子扫描显微镜、穿透式电子显微镜、聚焦离子线(focus ion beam)、螺旋扫描显微镜(scanning augermicroscope)、二次离子光谱仪扩展阻值探针、扫描试探针显微镜、自动开封系统(auto decapsulation system)，或是如KLA-Tencor AIT XP的检测装置。假如在部分蚀刻前，在层102的表面上未有光阻残留132出现，其结论为此部分蚀刻路径134，在一具体实施例中，在元件10中已蚀刻至一足够深度，来暴露出层104的表面。然而，假如在部分蚀刻前，在层102的表面上有光阻残留132出现，其结论为此部分蚀刻路径134，在一具体实施例中，在元件10中并未蚀刻至一足够深度来完全延伸出层102以暴露出层104的表面。因此，藉由检视层102中的部分蚀刻路径134和136，可判定出在经过微影制程后是否有光阻残留132出现。在另一实施例中，可藉由比较部分蚀刻路径的相对深度，可判定是否有任何一个部分蚀刻路经，因为在经过微影制程后有光阻残留出现，而未达到所意欲的蚀刻深度。根据半导体元件的生产可决定出所意欲的蚀刻路径深度，在蚀刻深度从未完成的蚀刻路径至蚀刻深度仅一点小于意欲蚀刻深度的范围内的蚀刻路径，均属非意欲的蚀刻路径。如此的检测可执行于半导体生产制程中，藉以即时监测出因此而来的缺陷。
请参阅图5所示，其是依照本发明一较佳实施例的一流程图，此方法包括下列步骤，提供一基板200，接着进席微影制程202和部分蚀刻204，然后在判定方块206中执行一验证步骤，用已判定蚀刻路径是否以达到一意欲深度。假如蚀刻路径以达到一意欲深度，然后继续执行方块208的步骤，在此判定未有光阻残留。反之，若在判定方块206中判定蚀刻路径未达到一意欲深度，则继续执行方块210的步骤，在此判定出有光阻残留。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (20)

1、一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于该方法至少包括下列步骤：
在半导体元件表面上执行一微影制程来图案化一光阻以暴露出部分表面；
部分蚀刻多个蚀刻路径以进入该半导体元件表面；
检测该些个蚀刻路径；以及
判定该些受检测蚀刻路径深度，其中检测该些个蚀刻路径的步骤是在半导体元件制造过程中，以即时进行的方式进行光阻残留检测。
2、根据权利要求1所述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体基板层表面。
3、根据权利要求1所述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体绝缘层表面。
4、根据权利要求1所述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体金属层表面。
5、根据权利要求1所述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的蚀刻路径为一部分介层窗。
6、根据权利要求1所述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于假若未有光阻残留于表面上，其中所述的部分蚀刻将造成该些蚀刻路径具有第一深度。
7、根据权利要求6所述的在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于假若有光阻残留于表面上，其中所述的部分蚀刻将造成该些蚀刻路径具有一小于该第一深度的第二深度。
8、一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于该方法至少包括下列步骤：
提供一具有一表面的基板；
形成一光阻于该表面上；
暴露该光阻层于一光线中；
在该基板表面上执行一微影制程来图案化该光阻以暴露出部分表面；
部分蚀刻多个蚀刻路径以进入该基板表面；
检测该些个蚀刻路径；以及
判定该些受检测蚀刻路径深度，其中检测该些个蚀刻路径的步骤是在半导体元件制造过程中，以即时进行的方式进行光阻残留检测。
9、根据权利要求8所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体基板层表面。
10、根据权利要求8所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体绝缘层表面。
11、根据权利要求8所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体金属层表面。
12、根据权利要求8所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的蚀刻路径为一部分介层窗。
13、根据权利要求8所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的蚀刻路径为一部分接触窗。
14、根据权利要求8所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于假若未有光阻残留于表面上，其中所述的部分蚀刻将造成该些蚀刻路径具有第一深度。
15、根据权利要求14所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于假若有光阻残留于表面上，其中所述的部分蚀刻将造成该些蚀刻路径具有一小于该第一深度的第二深度。
16、一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于该方法至少包括下列步骤：
形成一光阻于一半导体元件表面上；
暴露该光阻层于一光线中；
在半导体元件表面上执行一微影制程来图案化该光阻以暴露出部分表面；
部分蚀刻多个蚀刻路径以进入该半导体元件表面；
检测该些个蚀刻路径；以及
判定该些受检测蚀刻路径深度，其中若未有光阻残留于表面上，则该些蚀刻路径具有第一深度，而若有光阻残留于表面上，则该些蚀刻路径具有一小于该第一深度的第二深度，其中检测该些个蚀刻路径的步骤是在半导体元件制造过程中，以即时进行的方式进行光阻残留检测。
17、根据权利要求16所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体基板层表面。
18、根据权利要求16所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体绝缘层表面。
19、根据权利要求16所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的表面为一半导体金属层表面。
20、根据权利要求16所述的在半导体元件制造中检测光阻残留的方法，其特征在于其中所述的蚀刻路径为一部分介层窗。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI461687B (zh) * 2010-03-26 2014-11-21 Zhen Ding Technology Co Ltd 電路板檢測裝置及電路板檢測方法
CN102539448A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 显影残留检测方法
US9048268B2 (en) 2013-03-05 2015-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and equipment for removing photoresist residue after dry etch

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5214283A (en) * 1991-07-23 1993-05-25 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method of determining the cause of open-via failures in an integrated circuit
CN2322127Y (zh) * 1998-01-21 1999-06-02 华东冶金学院 一种蚀刻深度传感器
US20040021076A1 (en) * 2002-07-30 2004-02-05 Applied Materials Israel Ltd Contact opening metrology

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641382A (en) * 1996-02-02 1997-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method to remove residue of metal etch
US6317514B1 (en) * 1998-09-09 2001-11-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for inspection of patterned semiconductor wafers
US6228277B1 (en) * 1998-10-14 2001-05-08 Lucent Technologies Inc. Etch endpoint detection
TW447021B (en) * 2000-06-19 2001-07-21 United Microelectronics Corp Method for preventing photoresist residue in a dual damascene process
US6686129B2 (en) * 2001-10-11 2004-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Partial photoresist etching

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5214283A (en) * 1991-07-23 1993-05-25 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method of determining the cause of open-via failures in an integrated circuit
CN2322127Y (zh) * 1998-01-21 1999-06-02 华东冶金学院 一种蚀刻深度传感器
US20040021076A1 (en) * 2002-07-30 2004-02-05 Applied Materials Israel Ltd Contact opening metrology

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