CN100440576C - 有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机电致发光(EL)器件，它包括阳极、在阳极上形成的空穴传输层、在空穴传输层上形成的发光层和在发光层上形成的阴极，其中包含式1所表示的金属氧化物的电子注入层在发光层和阴极之间形成：MAxMByOz...1;其中MA指碱金属或碱土金属，MB是第IV或V族金属，x是1到2的数，y是1至2，z是2到3的数。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件，更具体地说是涉及一种具有改善了的从阴极向有机层注入电荷效率的有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件基本上配置成这样：在基板上形成阳极，以及在阳极上依次叠加空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。此处空穴传输层、发光层和电子传输层是由有机化合物形成的有机层。
具有上述结构的有机电致发光器件的驱动方式如下。
当驱动电压施加到阳极和阴极上时，空穴通过空穴传输层从阳极迁移到发光层，同时电子通过电子传输层从阴极迁移到发光层。空穴传输层或电子传输层本身也可以是发光层。电子和空穴在空穴传输层和发光层(或电子传输层)之间的界面复合产生激发性电子空穴对(exciton)。当激发性电子空穴对失活回到基态，发光层的荧光分子发光，从而形成图像。
在有机电致发光器件中，为了降低器件的驱动电压和改进电子和空穴之间的电荷平衡，提高从阴极到有机层例如电子传输层的注入电子效率是非常必要的。美国专利5429884，5059862，5047687，4885211等已经公开的提高电子注入的方法包括使用具有低逸出功的碱金属，例如锂(Li)或镁(Mg)、共蒸发的Al-碱金属，或者使用Al-或Ag-碱金属合金。
但是，因为低逸出功金属的不稳定性和高反应活性，所以从加工可控性和器件稳定性方面考虑，使用具有低逸出功的金属是不利的。共蒸发的应用使得难以控制形成合金材料的比例。而且，使用合金降低再现能力。
美国专利5776622，5776623，5937272和5739635和Appl.Phys Lett.73(1998)1185)已经公开了其它提高电子注入的方法，其包括在阴极和有机层之间形成厚度为5-
的电子注入层，该电子注入层包含无机化合物，如LiF，CsF，SrO或Li2O。
但是，根据上述方法，无机材料在形成电子注入层时必须经过高温处理，而且难以形成厚度为5-
的均匀薄膜。
如上所述，在常规的有机电致发光器件中，人们已经尝试用不同的方法来改进阴极注入电子的效率。然而，常规技术不能提供具有满意的加工可控性、低的驱动电压和高的发光率的有机电致发光器件。
发明内容
本发明提供了一种有机电致发光器件，该器件具有改善的从阴极到有机层的注入电子的效率、降低的驱动电压以及改进的发光率和寿命特性。本发明的一个方面提供了一种有机电致发光(EL)器件，该器件包括阳极、在阳极上形成的空穴传输层、在空穴传输层上形成的发光层和在发光层上形成的阴极，其中包含式1所表示的金属氧化物的电子注入层在发光层和阴极之间形成：
MAxMByOz ...1
其中MA指碱金属或碱土金属，MB是第IV或V族金属，x是1到2的数，y是1至2，z是2到3的数。
有机电致发光器件可以包括位于阳极和空穴传输层之间的空穴注入层。
同时，有机电致发光器件还可以包括位于发光层和电子注入层之间的电子传输层。
附图说明
参考下列附图，通过详细描述本发明的优选实施方案，本发明的上述方面和优点更加显而易见：
图1是本发明实施方案的有机电致发光器件的示意图；
图2是显示实施例1和2以及比较例1的有机电致发光器件中取决于电子注入层厚度的驱动电压和效率关系的图；
图3是显示实施例1和2以及比较例1的有机电致发光器件中发光亮度随着电压变化的图；和
图4是显示实施例1和2以及比较例1的有机电致发光器件中寿命和电压特性变化关系的图。
具体实施方式
在本发明的有机电致发光器件中，使用式1所表示的金属氧化物在阴极和有机层例如发光层或电子传输层之间形成电子注入层，以降低它们之间的能隙：
MAxMByOz ...1
其中MA指碱金属或碱土金属，MB是第IV或V族金属，x是1到2的数，y是1至2，z是2到3的数。
MA的例子包括Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Ba和Sr，MB的例子包括Ti、Zr、Hf、V、Nb和Ta。
式1所表示的金属氧化物优选为LiNbO3、LiTaO3、BaTiO3或KNbO3。
图1是本发明的实施方案的有机电致发光器件的示意图。
参照图1，阳极12在基板11上形成，阳极12在基板11上形成，阳极12之上依次叠加空穴注入层13、空穴传输层14、发光层15、电子传输层16、电子注入层17和阴极18。其中，阴极18与阳极12垂直。
在本发明的另一个实施方案中的有机电致发光器件中，电子注入层17可直接在如图1所示的发光层15之上形成，而不形成电子传输层16。
以下是对本发明中有机电致发光器件制造方法的描述。
首先，在基板11之上形成阳极12，然后选择性地在阳极12上形成空穴注入层13。在此，空穴注入层13降低阳极12和空穴传输层14之间的接触电阻，并且改善阳极12相对于发光层15(或电子传输层16)的空穴传输能力，从而改善整个器件的性能。可用于空穴注入层13的材料包括星形(starbust)基于胺的化合物，例如Idemitz生产的IDE406，并且空穴注入层13的厚度为30-100nm。如果空穴注入层13的厚度超出上述范围，则空穴注入特性呈不想要的劣化。
然后，在空穴注入层13之上形成空穴传输层14。用于形成空穴传输层14的空穴传输材料的例子包括N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(α-NPB)和N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1′-联苯基]-4-4′-二胺(TPD)。空穴传输层的厚度为10-50nm。如果空穴传输层14的厚度超出上述范围，则空穴注入特性呈不想要的劣化。
除了空穴传输材料之外，可在空穴传输层14中添加在电子-空穴结合中发光的掺杂剂。掺杂剂的例子包括下式所表示的4-(二氰基亚甲基)-2-叔-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基(julolidyl))-9-烯基4氢-吡喃(DCJTB)，香豆素6，红荧烯，DCM，DCJTB，苝，喹吖啶酮等，而且掺杂剂的用量为用于形成空穴传输层材料总重的0.1-5重量％。在形成空穴传输层14过程中加入掺杂剂，能使发光颜色根据所添加的掺杂剂的种类和含量调节，而且改善空穴传输层14的热稳定性，进而改善器件的寿命特性。
然后，在空穴传输层14上形成发光层15。
用于形成发光层15的材料的例子包括以下式所表示的三(8-喹啉醇合)-铝(Alq3)和Almq3。发光层15的厚度优选为从30到100nm。如果发光层15的厚度超出上述范围，效率将会降低，同时驱动电压增大。
任选，可以在发光层15之上形成电子传输层16。用于形成电子传输层16的电子传输材料的例子包括Alq3，并且可以添加在电子-空穴结合(bond)能发光的掺杂剂。并且，掺杂剂的种类和含量基本上和空穴传输层中的一样。
电子传输层16的厚度优选为从30到100nm。如果电子传输层的厚度超出上述范围，效率将会降低，同时驱动电压增大。
然后，式1所表示的金属氧化物沉积在发光层15或电子传输层16上，从而形成电子注入层17。电子注入层17的厚度优选为从5到
如果电子注入层17的厚度小于
形成电子注入层的效果不明显，但是如果电子注入层17的厚度大于
效率的效果提高，但是驱动电压降低不明显。
接着，用于形成阴极的金属沉积在电子注入层17上，从而形成阴极18。其中，沉积的方法不受限制，本发明采用热蒸汽法。作为形成阴极18的金属，使用低逸出功金属，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mg、Mg或Mg合金，而且阴极18通过蒸发低逸出功金属形成。阴极18的厚度优选为从5到30nm。如果阴极18的厚度小于5nm，电子注入不能在低电压条件下进行。如果阴极18的厚度大于30nm，传输系数显著降低。
本发明的有机电致发光器件按照上述顺序制造，也就是说，阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极，或者以相反的顺序，即阴极/电子传输层/发光层/空穴传输层/阳极。
本发明的有机电致发光器件中，可用于常规有机电致发光器件中的基板，优选具有透明度高，表面光滑，易处理和耐水性好的玻璃或透明塑料基板，用作基板11。用于形成阳极12的材料的例子包括透明的、高导电率的ITO、SnO2和ZnO。阳极12的厚度为100到200nm。如果阳极12的厚度超出上述范围，由于薄层电阻所导致的驱动劣化，光学性能改变等是所不希望的。
参考下述实施例，下面将详尽描述本发明，但是本发明不局限于下述实施例：
<实施例1>
在玻璃基板上形成厚度为15nm的ITO电极，在其上真空沉积IDE406(Idemitsu生产)，从而形成厚度为50nm的空穴注入层。随后，在空穴注入层上真空沉积上α-NPB，形成厚度为15nm的空穴传输层。
其后，在空穴传输层上真空沉积上Alq3，从而形成厚度为70nm的发光层。在发光层上真空沉积上LiNbO3，形成厚度为0.5nm
的电子注入层。随后，在电子注入层上真空沉积上铝(Al)，形成厚度为150nm的阴极。
随后，将所得到的产品密封，从而完成有机电致发光器件。
<实施例2>
除了电子注入层的厚度由0.5nm变为1nm
以外，有机电致发光器件以和实施例1相同的方式完成。
<比较例1>
除了电子注入层是用真空沉积LiF代替LiNbO3而形成的以外，有机电致发光器件以和实施例2相同的方法完成。
在实施例1-2和比较例制造的有机电致发光器件中，测试了驱动电压、最大亮度、发光效率和寿命特性，测试结果如图2-4所示。在这些性能中，驱动电压、最大亮度和发光效率的测试电流密度是100mA/cm2，寿命特性的测试电流密度是50mA/cm2。
图2显示实施例1和2和比较例1的有机电致发光器件中取决于电子注入层厚度的驱动电压和发光效率关系的图。
由图2可以看出，与比较例1中的有机电致发光器件相比，实施例1和2中的有机电致发光器件驱动电压降低，效率得到改善。
图3是显示实施例1和2和比较例1中的有机电致发光器件中发光亮度随着电压变化的图。
由图3可以看出，与比较例1中的有机电致发光器件相比，实施例1和2中的有机电致发光器件改善了发光亮度特性。
图4是显示实施例1和2和比较例1中的有机电致发光器件中寿命和电压特性变化关系的图。
由图4可以看出，与比较例1中的有机电致发光器件相比，实施例1和2的有机电致发光器件改善了寿命特性，并且电压增加的速率减小。
根据本发明，通过减小阴极和有机层阴极间的能隙，可以改善从阴极到有机层(例如：发光层或电子传输层)注入电子的效率，从而制造具有低驱动电压和改进的发光效率、亮度以及寿命特性的有机电致发光器件。
尽管本发明参照优选实施方案表明和描述时，但本领域的普通技术人员应当理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式上和细节上的各种改变，如下述权利要求中所定义的。
Claims (5)
1.一种有机电致发光(EL)器件，它包括阳极、在阳极上形成的空穴传输层、在空穴传输层上形成的发光层和在发光层上形成的阴极，其中包含式1所代表的金属氧化物的电子注入层在发光层和阴极之间形成：
MAxMByOz ...1
其中MA指碱金属或碱土金属，MB是第IV或V族金属，x是1到2的数，y是1至2，z是2到3的数。
2.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中所述式1所代表的金属氧化物是LiNbO3、LiTaO3、BaTiO3或KNbO3。
3.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中所述电子注入层的厚度为5-20
4.根据权利要求1的有机电致发光器件，其还包插位于阳极和空穴传输层之间的空穴注入层。
5.根据权利要求1的有机电致发光器件，其还包括位于发光层和电子注入层之间的电子传输层。
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|---|---|---|---|---|
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| US8659008B2 (en) * | 2005-07-08 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material |
| US7635858B2 (en) * | 2005-08-10 | 2009-12-22 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting device with improved layer conductivity distribution |
| CN100444426C (zh) * | 2006-04-29 | 2008-12-17 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| WO2009093873A2 (ko) * | 2008-01-23 | 2009-07-30 | Lg Chem, Ltd. | 유기 발광 소자 및 이의 제작 방법 |
| JP2009246127A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP5509530B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-06-04 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP5515234B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-06-11 | 住友化学株式会社 | 中間層形成塗布液、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8102114B2 (en) * | 2009-02-27 | 2012-01-24 | Global Oled Technology, Llc. | Method of manufacturing an inverted bottom-emitting OLED device |
| WO2011021280A1 (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| GB2475247B (en) * | 2009-11-10 | 2012-06-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic optoelectronic device and method |
| CN103378297B (zh) * | 2012-04-25 | 2017-01-25 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有机发光二极管及包括其的显示装置 |
| JP6496183B2 (ja) * | 2015-05-12 | 2019-04-03 | 日本放送協会 | 有機電界発光素子、表示装置、照明装置および有機電界発光素子の製造方法 |
| KR102614597B1 (ko) | 2016-06-22 | 2023-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102578841B1 (ko) * | 2018-08-31 | 2023-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 적용한 투명 표시 장치 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1261249A (zh) * | 1999-01-21 | 2000-07-26 | Tdk株式会社 | 有机的场致发光器件 |
| CN1261761A (zh) * | 1999-01-21 | 2000-08-02 | Tdk株式会社 | 有机场致发光器件 |
| JP2000243567A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| JP2001085166A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いたパネル |
| US6248458B1 (en) * | 1997-11-17 | 2001-06-19 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent device with improved long-term stability |
| US6284394B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-09-04 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
| JP2001313180A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-11-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電子発光素子 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
| US5059862A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
| US5047687A (en) | 1990-07-26 | 1991-09-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilized cathode |
| JP3529543B2 (ja) * | 1995-04-27 | 2004-05-24 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| DE19625993A1 (de) * | 1996-06-28 | 1998-01-02 | Philips Patentverwaltung | Organisches elektrolumineszentes Bauteil mit Ladungstransportschicht |
| US5776622A (en) | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device |
| US5776623A (en) | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Transparent electron-injecting electrode for use in an electroluminescent device |
| US5937272A (en) | 1997-06-06 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate |
| US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
| US6069442A (en) * | 1997-09-18 | 2000-05-30 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with inorganic electron transporting layer |
| JP4514841B2 (ja) * | 1998-02-17 | 2010-07-28 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JPH11307261A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP3776600B2 (ja) * | 1998-08-13 | 2006-05-17 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| EP1083776A4 (en) * | 1999-02-15 | 2003-10-15 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| KR100317284B1 (ko) * | 1999-04-30 | 2001-12-22 | 구자홍 | 유기 이엘(ｅｌ) 소자 |
| KR100348622B1 (ko) * | 2000-04-01 | 2002-08-13 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 표시소자의 제조방법 |
| US6589674B2 (en) * | 2001-01-17 | 2003-07-08 | Ifire Technology Inc. | Insertion layer for thick film electroluminescent displays |
| US6602731B2 (en) * | 2001-02-07 | 2003-08-05 | Agfa Gevaert | Manufacturing of a thin inorganic light emitting diode |
-
2002
- 2002-10-28 KR KR10-2002-0065836A patent/KR100515827B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-10-24 US US10/691,627 patent/US6902834B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-28 EP EP03256814A patent/EP1416549A3/en not_active Withdrawn
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- 2003-10-28 CN CNB2003101198505A patent/CN100440576C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6248458B1 (en) * | 1997-11-17 | 2001-06-19 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent device with improved long-term stability |
| CN1261249A (zh) * | 1999-01-21 | 2000-07-26 | Tdk株式会社 | 有机的场致发光器件 |
| CN1261761A (zh) * | 1999-01-21 | 2000-08-02 | Tdk株式会社 | 有机场致发光器件 |
| US6284394B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-09-04 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
| JP2000243567A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| JP2001085166A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いたパネル |
| JP2001313180A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-11-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電子発光素子 |
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