CN100428543C - 制造电极系的方法、由该方法制造的电极系和包括该电极系的电气设备 - Google Patents

制造电极系的方法、由该方法制造的电极系和包括该电极系的电气设备 Download PDF

Info

Publication number
CN100428543C
CN100428543C CNB2004800008224A CN200480000822A CN100428543C CN 100428543 C CN100428543 C CN 100428543C CN B2004800008224 A CNB2004800008224 A CN B2004800008224A CN 200480000822 A CN200480000822 A CN 200480000822A CN 100428543 C CN100428543 C CN 100428543C
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
poly
electric equipment
electrode system
porous templates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2004800008224A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1701453A (zh
Inventor
金相澔
权元钟
崔贤
朴宣俄
李常福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Corp
Original Assignee
LG Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chemical Co Ltd filed Critical LG Chemical Co Ltd
Publication of CN1701453A publication Critical patent/CN1701453A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100428543C publication Critical patent/CN100428543C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153Constructional details
    • G02F1/155Electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/24Electrodes characterised by structural features of the materials making up or comprised in the electrodes, e.g. form, surface area or porosity; characterised by the structural features of powders or particles used therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/26Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/46Metal oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/48Conductive polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H01G11/86Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2027Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/36Micro- or nanomaterials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

本发明提供了制造电极系的方法、由所述方法制造的电极系和包括所述电极系的电气设备。所述方法包括步骤:在第一电极上形成具有纳米孔的多孔性模板,其中纳米孔的直径为5nm到500nm;在纳米孔内形成与第一电极连接的杆状/管状第二电极。由于大的表面积,本发明的电极系改善了多种电气设备的效率和性能。电致变色器件的色度对比和响应速度可以得到提高,太阳能电池的电子-空穴对数目得到增加。使电子-空穴对的损失最小化,和使超级电容器的电荷存储和充电响应速度提高。

Description

制造电极系的方法、由该方法制造的电极系和包括该电极系的电气设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2003年10月14日提交到韩国知识产权局(KoreanIntellectual Property Office)的韩国专利申请10-2003-0071465的益处和优先权,所述专利申请被全文并入本文作为参考。
发明背景
(a)发明领域
本发明涉及制造电极系的方法、由所述方法制造的电极系和包括所述电极系的电气设备,更具体地,涉及通过使用多孔性模板(poroustemplate)制造电极系的方法,所述多孔性模板可以增大电气设备中使用的电极系的表面积,通过改善电气设备的响应速度提高电气设备的效率和性能,加快电子-空穴对的传输和增大电荷的存储空间。
(b)背景描述
与常规的扁平(flat)电极系相比,具有大表面积的电极系有利于制造可更有效地使用在电极系表面上发生的反应的电气设备。例如,虽然使用等量的电致变色材料制造具有不同表面积的电极系的电致变色器件,但具有大表面积的电极系的电致变色器件比另一个具有小表面积的电极系的电致变色器件着色更充分。还已知由于在电致变色器件中包含大表面积的电极系使电致变色器件的响应时间显著提高(D.Cummins等人,J.Phys.Chem.B,104,11449(2000))。在太阳能电池的情况中,太阳能电池的效率取决于在电极界面上产生的电子-空穴对的有效分离和被分离的电子-空穴对向电极的阳极和阴极的传输。在本文中,电极的大表面积可以有助于增加在界面上产生的电子-空穴对数目,以及有助于在没有太大损失的情况下传输被分离的电子-空穴对。通常,引入和开发了在高温下使用纳米级金属氧化物粒子制造电极的方法,以扩大电极系的表面积(M.Gratzel,Nature,414,338(2001))。然而,用于制造电极系的上述常规方法有电极材料受限制和加工温度高的问题。
发明概述
为了解决上述问题,本发明的目的是提供制造具有大表面积的电极系的方法。
本发明的另一个目的是提供具有大表面积的电极系,和使用所述电极系以改善电气设备响应速度、加快电子-空穴对的传输和扩大存储电荷的容量的电气设备。
附图简述
并入本说明书并构成说明书一部分的说明书附图说明了本发明的实施方案,并与附图说明一起用于说明本发明的原理。
图1为说明本发明的优选实施方案的具有多孔性模板的电极系的透视图;
图2为沿图1的电极系的线I-I截开得到的截面图;
图3为表示根据本发明的优选实施方案制造的多孔性阳极化(anodized)氧化铝的变化图;
图4为说明本发明的优选实施方案的多孔性阳极化氧化铝的透视图;
图5为说明本发明的优选实施方案的多孔性模板的透视图;
图6为表示通过电镀在孔内形成银即Ag的第二电极的扫描电子显微(SEM)图;
图7为表示具有通过电镀在纳米孔(nanopore)内形成第二电极(Ag)的多孔性模板的SEM图;
图8为表示图7的预定部分的放大的SEM图;
图9为说明通过电聚合法在多孔性模板的纳米孔中形成的PEDOT(聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(poly-3,4-ethylenedoxythiophene))导电聚合物管的SEM图;
图10为表示除去多孔性模板的纳米孔之后的PEDOT导电聚合物管的SEM图;
图11为表示在具有本发明优选实施方案的电极系的太阳能电池中电子和空穴的传输图;
图12为表示比较例1的电致变色器件的响应速度的图;和
图13为表示实验例1的电致变色器件的响应速度的图。
优选实施方案详述
本发明提供制造具有大表面积的电极系的方法,其通过在第一电极上形成多孔性模板并在多孔性模板的纳米孔内形成杆状或管状的第二电极,使得第一电极和第二电极电连接。
图1为说明本发明的优选实施方案的具有多孔性模板的电极系的透视图,图2为沿图1中电极系的线I-I截开得到的截面图。
在下文中,电极系定义为包括第一电极和第二电极并进一步包括多孔性模板的电极。
本发明的制造电气设备用电极系的方法包括步骤:a)在扁平电极的第一电极上形成多孔性模板;和b)在多孔性模板内形成杆状或管状的第二电极。
通过a)使用选自Au、Pt、Ag、Cu、Al、Cr及其合金中的至少一种;b)使用选自TiO2、氧化铟锡(ITO)、ZnO、WO3、RuO2、IrO2、SnO2和NiO中的至少一种金属氧化物;或c)使用选自聚对苯撑(poly-p-phenylene)、聚对苯乙炔(polyphenylenevinylene)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)、聚吡咯、聚苯胺、聚薁(polyazulene)、聚噻吩、聚吡啶、聚吲哚、聚咔唑、polyazine和聚醌中的至少一种导电聚合物制造第一电极
考虑到厚度和纳米孔的密度,优选使用氧化铝作为多孔性模板。形成多孔性模板有两种方法,描述如下。
方法1
不使用衬底,在多孔性氧化铝的一个面上形成第一电极材料。
方法2
通过在衬底上形成的第一电极上淀积铝层形成多孔性氧化铝;或使用铝衬底作为第一电极并将铝衬底氧化形成多孔性氧化铝层。
根据第一电极所用的材料,方法2进一步分为两种方法。
方法2-1
在使用铝作为衬底和第一电极的情况中,通过使金属板或膜与阳极连接、将与阳极连接的金属板或膜放入酸性溶液中并对金属板或膜施加预定的电压进行阳极化。
可以通过制造多孔性氧化铝的工艺形成多孔性模板。将铝衬底放入酸性溶液如硫酸、磷酸或草酸中并对铝衬底施加预定水平的电压,其中优选电压为5V到400V。然后,形成几微米厚的、直径为5nm到1000nm的良好排列的纳米孔。优选纳米孔的直径为5nm到500nm。根据实验时间和条件控制纳米孔的厚度。
在图3中,(a)到(e)为说明形成由上述方法制造的多孔性氧化铝层的工艺图。在图3中(a)到(d)表示氧化物层的形状随时间的改变。
在开始阶段,在铝衬底上均匀地形成薄的氧化物层(参见图3(a))。然后,随着氧化物层的体积扩大,氧化物层的表面变得不均匀(参见图3(b))。如果氧化物层的表面为不均匀的,则其电流密度也变得不均匀。也就是说,在均匀的氧化物层上凹的部分电流密度增加,在不均匀的氧化物层上凸的部分电流密度降低。
随后,在其中由于电场的作用和酸性溶液的电解作用而使电流密度高的氧化物层的凹的部分中形成纳米孔。在预定时间之后,纳米孔的尺寸停止增加(参见图3(c))。纳米孔的数目保持不变而纳米孔的厚度迅速增加(参见图3(d))。
可以通过改变所用酸性溶液的种类和/或施用电压的大小控制纳米孔的尺寸。在本发明的优选实施方案中,优选纳米孔的直径为5nm到500nm。在纳米孔直径小于5nm的情况中,难以在纳米孔内形成杆状或管状的第二电极。如果纳米孔的直径超过500nm,很难形成具有大表面积的电极系。
在铝衬底上形成所需直径和深度的纳米孔之后,在多孔性氧化铝层的上表面上形成纳米孔层,并使用化学蚀刻法用酸性溶液或磷酸盐的混合溶液或铬酸除去在多孔性氧化铝底面上形成的氧化膜,以在表面上露出铝电极,如表3E中所示。
图4为说明根据上述方法制造的多孔性氧化铝层的透视图。也就是说,其表示根据上述方法制造的多孔性氧化铝。如图4所示,参考数字‘2’表示具有多个纳米孔的多孔性模板层,参考数字‘3a’表示具有多孔性模板层2的铝电极,参考数字‘5’表示在多孔性模板层上形成的纳米孔。如果如上所述使用铝作为衬底和第一电极,有铝电极不应影响具有多孔性氧化铝的电气设备的运行的限制。然而,也有制造工艺简单的优点。
方法2-2
如果第一电极不是铝的,则在衬底上形成第一电极并在第一电极上淀积铝层。
在本文中,根据常规的电极形成方法形成第一电极并通过使用真空蒸发方法淀积铝层,如溅射法、热淀积法(thermal deposition)、电子束蒸发法或电镀法。
在电镀法的情况中,表面必须抛光。如果根据方法2-1使淀积的铝层阳极化,则在所需衬底上形成铝层多孔性模板。然而,考虑到衬底和电极,必须仔细选择用于除去铝层的氧化物层的酸性溶液。图5为表示根据上述工艺形成的多孔性模板的透视图。如图5所示,参考数字‘2’表示具有多个纳米孔的多孔性模板,参考数字‘3’表示第一电极层,参考数字‘4’表示衬底,参考数字‘5’表示纳米孔。上述方法的优点在于可以根据各自的特征选择使用多种类型的电极和衬底。
通过用电极材料填充在多孔性模板层上形成的纳米孔内,形成具有大表面积的杆状或管状第二电极。使用多种方法用于形成第二电极,如电镀法、化学镀法、溶胶-凝胶涂布法、电聚合法和化学气相淀积法(CVD)。
当形成第二电极时,根据上述各个方法形成第二电极的形状,其为杆状或管状。当通过填充纳米孔内部形成第二电极时,第二电极的形状为杆状。当沿着纳米孔内侧的壁形成第二电极时,第二电极的形状为管状。
也就是说,通过电镀法、电聚合法和CVD法形成的第二电极为杆状的第二电极,而通过化学镀法、溶胶-凝胶涂布法和电聚合法形成的第二电极为管状的第二电极。在杆状的第二电极的情况中,可通过在形成第二电极之后除去多孔性氧化铝层得到大表面积的电极系。在管状第二电极的情况中,可在有或没有多孔性氧化铝层下使用管状的第二电极。
形成第二电极的电镀法可以使用任何类型的电镀用电极。优选地,其使用至少一种选自Au、Pt、Ag、Cr和Cu的金属形成。当使用电镀法形成第二电极时,可以使用电镀的通用条件。图6为表示通过电镀法在纳米孔被形成的银即Ag的第二电极的扫描电子显微(SEM)图,图7为表示具有通过电镀法在纳米孔内形成的第二电极(Ag)的多孔性模板的SEM图。图8为表示图7预定部分的放大的SEM图。
在使用化学镀法形成第二电极的情况中,可以使用任何类型的镀膜材料。优选地,其使用选自Au、Pt、Ag、Cr和Cu中的至少一种金属,和选自TiO2、氧化铟锡(ITO)、ZnO、WO3、RuO2、IrO2、SnO2和NiO中的至少一种金属氧化物。用于形成第二电极的化学镀法为常规的化学镀法。
在使用溶胶-凝胶涂布法形成第二电极的情况中,优选使用选自TiO2、ITO(氧化铟锡)、ZnO、WO3、RuO2、IrO2、SnO2和NiO中的至少一种金属氧化物。将具有第一电极的多孔性模板放入具有金属氧化物前体的溶液中。从溶液取出具有第一电极的多孔性模板并在多孔性模板上进行热处理。通过热处理使溶剂蒸发,从而在多孔性模板的纳米孔内形成第二电极。
在使用电聚合法形成第二电极的情况中,可以使用导电聚合物的前体。优选地,使用至少一种选自聚对苯撑、聚对苯乙炔、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)、聚吡咯、聚苯胺、聚薁、聚噻吩、聚吡啶、聚吲哚、聚咔唑、polyazine和聚醌的导电聚合物前体。当通过将具有多孔性模板的第一电极放入其中溶解了导电聚合物前体的溶液中时,在多孔性模板的纳米孔内形成杆状或管状的电极。图9为说明通过电聚合法在多孔性模板的纳米孔内形成的PEDOT导电聚合物管的SEM图,图10为表示从多孔性模板除去纳米孔之后的PEDOT导电聚合物管的SEM图。
在管状第二电极的情况中,其可以在有或没有多孔性模板的条件下使用。然而,在杆状第二电极的情况中,应除去多孔性模板以露出电极的表面和使用电极的大的表面积。可以通过使用pH高于8的、包括KOH和NaOH的碱性溶液溶解多孔性模板。
在根据上述方法制造的电气设备用电极系中,除去多孔性模板的电极系包括第一电极(其为扁平电极),和与第一电极电连接的杆状或管状的第二电极。同时,没有除去多孔性模板的电极系包括第一电极、第二电极和另外的具有多个直径为5nm到500nm的纳米孔的多孔性模板。在多孔性模板的纳米孔内形成了杆状的第二电极或管状的第二电极。
通过本发明方法制造的电极系的表面积增加,为常规电极系表面积的2Ld/r倍,其中d为孔密度,r为纳米孔的半径,L为杆或管的长度。例如,如果纳米孔的半径为50nm,孔密度为50%,长度为5μm,则电极系的表面积增大100倍。
因此,本发明的电极系可用于多种电气设备如电致变色器件、太阳能电池和超级电容器(super capacitor)。电气设备包括电极系和用于典型电气设备的另外的电极。优选地,可以使用铝、硅或透明的导电玻璃(ITO/玻璃)。
使用包括杆状第二电极或管状第二电极中的一种的、具有大表面积的电极系的电致变色器件的扩散阻碍层(diffusion barrier)比常规的电致变色器件的扩散阻碍层更薄。电致变色器件的扩散速率非常快,因此电致变色器件在响应外部电信号方面更出色。同样,由于第二电极密集地排列,电致变色器件具有优异的着色能力。扩散阻碍层定义为杆状和管状的第二电极的外壁厚度。
具有本发明的电极系的电致变色器件可以克服由通过厚扩散层的慢传播(slow diffusion)引起的慢去色(slow bleaching)问题。常规的电致变色器件有由厚扩散阻碍层引起的电去色问题。同样,其阻止在膜内截留(trap)离子,以在着色和去色过程中提高色度对比。
在包括大表面积电极系的太阳能电池中,在通过自组装法(self-assembly)、溶液涂布法或电聚合法形成的第二电极上形成电子-空穴对。
使用第二电极传输产生的电子。使用钌系有机金属络合物用于自组装形成电子-空穴对层,并使用聚合物材料如聚苯胺或PEDOT用于溶液涂布法。此外,在电聚合法中,可使用聚苯胺、PEDOT及其衍生物、以及衍生物的混合物。通过真空蒸发法、溶胶-凝胶涂布法、溶液涂布法和电解质注入法(electrolyte injection)在电子-空穴对层上形成空穴传输层。为了形成空穴传输层,在真空蒸发法的情况中,可使用芳基胺系材料;在使用溶液涂布法的情况中,可使用聚合物材料如PEDOT/PSS(聚苯乙烯磺酸);在使用电解质注入的情况中,可使用水性溶液或高分子电解质材料。
可通过在空穴传输层上形成电极材料制造具有大表面积电极系的太阳能电池。可在大表面积上产生更多的电子-空穴对,并且在没有太大的损失下将产生的电子-空穴对传输到电极,因为电子-空穴对在电极层产生或电极层与空穴传输层非常接近。因此,与具有扁平电极系的常规太阳能电池比较,传输电子-空穴对的效率以10到100倍的比增加。
超级电容器通过电极/电解质界面的可逆的法拉第(faradaic)氧化/还原而具有与常规的锂系列二次电池相比相当快速的电荷转移、相当大的功率密度和相当快速的充电和放电速度和长使用寿命周期的电容器。
超级电容器在电极/电解质界面存储电荷。因此,当将本发明的大表面积电极系用于超级电容器时,存储电荷的容量随电极系表面积尺寸按比例增加。同样,与常规的超级电容器比较,由于扩散距离短和电解质的自由进入,充电和放电的时间变得更快。
通过将两个大表面积的电极系彼此相对设置、用粘合剂材料将两个大表面积的电极系在二者之间的预定空间内粘合并向其中注入电解质溶液,制造具有增大的电极/电解质界面的超级电容器。
用于超级电容器的电极系可以是相同类型或不同类型的。根据电极的类型和活性电极材料决定超级电容器的电压和容量。在使用管状或杆状金属氧化物电极如TiO2、ZnO、SnO2和NiO的情况中,可以通过将电子活性材料散布(spread)在金属氧化物电极的表面上控制超级电容器的特征如电位、容量、响应速度和充电/放电周期。
能够进行氧化还原的电子活性材料为导电聚合物、氧化还原活性小的有机材料和氧化还原活性的有机金属络合物中的一种。导电聚合物为选自聚对苯撑、聚对苯乙炔、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)、聚吡咯、聚苯胺、聚薁、聚噻吩、聚吡啶、聚吲哚、聚咔唑、polyazine和聚醌中的至少一种。通过旋涂法、浸涂法(deep-coating)和电聚合法中的一种散布导电聚合物。
氧化还原活性小的有机材料为选自以下的至少一种:联吡啶鎓官能团;醌官能团,包括苯醌、萘醌和蒽醌;和azine官能团,包括phenoxiazine、吩噁嗪和吩嗪。
氧化还原活性的有机金属络合物为选自以下的至少一种:茂金属络合物,包括二茂铁、二茂钌和二茂钴;和非茂金属金属络合物,包括三(8-羟基喹啉)-铝(AlQ3)和三(水杨酸)-三氯化铁。
由于具有上述结构的超级电容器具有大表面积的电极,因此其具有大的存储电荷容量、快速的充电响应速度和快速的充电/放电速度。也就是说,上述超级电容器比具有扁平电极的常规超级电容器容量提高了10到100倍,速度快了10到100倍。
在下文中,通过实施例更详细地描述本发明。然而以下实施例只是用于理解本发明,而不限制本发明。
试验例1:电致变色器件的制造
1-1多孔性模板的制造
为了在第一电极上制造多孔性模板,在淀积有ITO的玻璃衬底上通过溅射或电子束淀积方法真空蒸镀铝层,为了形成光滑的铝层表面,蒸发速度低于10
Figure C20048000082200161
/秒,其中铝的厚度小于1μm,ITO的厚度小于150nm。将具有真空蒸镀铝层的衬底表面放入丙酮溶液中并进行超声处理5分钟,以清洁衬底表面。将清洁的衬底放入0.3M草酸阳极化浴中,并连接电源的阳极。将作为参比电极的铂(Pt)板放入阳极化浴中,并连接电源的阴极。对阳极和阴极施加40V电压并进行阳极化处理几分钟。在阳极化处理之后,用去离子(DI)水漂洗衬底。通过将漂洗的衬底放入5重量%的磷酸中30秒除去在纳米孔内形成的氧化铝阳极层,从而在ITO透明电极表面上形成作为多孔性模板的氧化铝层。
1-2杆状/管状第二电极的制造
将制造的多孔性模板放入具有聚合溶液的反应浴中并连接阳极。同样,将Ag/AgCl电极和Pt电极放入反应浴中作为对电极并连接到恒电位仪/恒流器(EG & G Princeton Applied Research,M273型)。聚合溶液为具有10mM的2,3-二氢噻吩并[3,4]-1,4-二氧芑(dioxin)的0.1MLiClO4/乙腈溶液。通过使用恒电位仪/恒流器在60mA的恒流条件下进行电聚合10分钟。从而在多孔性模板的纳米孔内产生聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT),并且多孔性模板的颜色从白色变为暗紫色。图9为通过以上方法制造的电极系的SEM图。如图9所示,电极系多孔性模板的一个面的表面的孔密度为70%,纳米孔直径为50nm,产生了长度为1μm的管或杆。因此,根据方程式2Ld/r,电极系的表面积比扁平电极的表面积增大了30倍。
1-3电致变色器件的制造
通过在淀积ITO的玻璃衬底上设置电极、在电极的相对面上设置另一个淀积ITO的玻璃衬底成为不对称结构,使用环氧树脂密封设置的淀积ITO的玻璃衬底,留下一面未密封。通过未密封的面注入0.1M LiClO4/乙腈电解质溶液,然后用密封剂密封用于注入的未密封面。
试验例2:太阳能电池的制造
2-1多孔性模板的制造
除了使用淀积铝层的衬底之外,以与试验例1相同的方法制造用于太阳能电池的多孔性模板。在试验例2中,通过切割尺寸为1cm x 2cm的铝箔得到厚度为0.25mm铝箔。如图4所示,试验例2的多孔性模板包括位于多孔性模板下面的铝电极,并包括作为多孔性模板的氧化铝阳极层(Al2O3)。
2-2管状第二电极的制造
使用溶胶-凝胶涂布法法在多孔性模板的纳米孔内制造TiO2管式第二电极,操作如下。将多孔性模板分别放入异过氧化钛(titaniumisoperoxide)和蒸馏水中,并干燥。在干燥多孔性模板之后在100℃下进行退火一小时,并在400℃再次进行退火六小时。
2-3太阳能电池的制造
在2-2制造的电极系上通过溶液涂布法用聚苯胺涂布电子-空穴对生成层。也就是说,将电极系放入1重量%的聚苯胺翠绿亚胺(emeraldine)碱/NMP溶液中30分钟。通过溶液涂布,聚苯胺根据TiO2管状第二电极的形状形成管。在溶液涂布之后,通过旋涂在电极系上涂布PEDOT/PSS(Baytron P),并形成ITO作为上电极。
图11为表示在具有本发明的优选实施方案的电极系的太阳能电池中电子和空穴的传输图。如图所示,电子和空穴可在电极系周围容易地传输。也就是说,其表明太阳能电池的效率得到提高。
试验例3:超级电容器的制造
3-1电极A的制造
为了制造用于超级电容器的电极,根据实验例2的方法在扁平铝衬底上形成管状TiO2第二电极。将管状TiO2第二电极放入0.010M的[β-(10-吩噻嗪基(phenothiazyl))丙氧基]-膦酸和0.10M的Li[CF3SO2)2N]的50ml水溶液中60分钟。随后将管状TiO2第二电极从水溶液中取出,用95%乙醇洗涤三次并干燥,得到在管状TiO2第二电极上涂布的氧化还原活性材料。
3-2电极B的制造
为了制造用于超级电容器的另一个电极,根据试验例1中的方法制造电极系。电极系包括多孔性氧化铝和在多孔性氧化铝中电聚合PEDOT聚合物制造的第二电极。
3-3超级电容器的制造
通过使电极A和电极B面对面并密封除了预定部分之外的部分,通过预定部分向其中注入0.1M的Li[(CF3SO2)2N]/乙腈电解质,并密封预定部分制造超级电容器。
比较例1:常规电致变色器件
将淀积ITO的玻璃衬底放入具有聚合溶液的反应浴中并连接阳极。同样,将作为参比电极的Ag/AgCl电极和作为对电极的Pt电极放入反应浴中并与恒电位仪连接。聚合溶液为包含10mM的2,3-二氢噻吩并[3,4-b]-1,4-二氧芑的0.1M的LiClO4/乙腈溶液。使用恒电位仪以60mA的恒定电流进行电聚合10分钟。通过电聚合法,在淀积ITO的玻璃衬底上形成PEDOT。观察到透明衬底的颜色变为深紫色。在制造的衬底上设置另一个淀积ITO的玻璃衬底并用环氧树脂将其密封。在密封过程中,留下一个面未密封以注入0.1M的LiClO4/乙腈电解质溶液。注入之后,将未密封的面密封。
测试例1
通过测量在打开/关闭灯时反射光强度随时间的变化分析试验例1的电致变色器件和比较例1的电致变色器件的响应速度,使用氦氖激光器作为光源和光电二级管检测器在常温下在实验室环境中进行。结果如图12和图13所示。如图12所示,比较例1的电致变色器件的颜色改变与使用多孔性氧化铝的器件的颜色改变类似,但其响应速度为约300秒。相比之下,如图13所示,具有试验例1的大表面积的电极系的电致变色器件响应速度为0.1秒,比比较例1的快3000倍。
由于电极系的表面积大,本发明的电极系可以改善多种电气设备的效率和性能。特别是可以提高电致变色器件的色度对比和响应速度,可以增加太阳能电池的电子-空穴对的数目,和使电子-空穴对的损失最小化。同样,可以提高超级电容器的电荷储存容量和充电响应速度。
虽然已经参考优选实施方案详细描述了本发明,本领域技术人员知道可以在不脱离附加的权利要求书所示的本发明的精神实质和范围的基础上对其进行多种修改和替换。

Claims (25)

1.制造电气设备用电极系的方法,其包括步骤:
a)在第一电极上形成具有纳米孔的多孔性模板,其中纳米孔的直径为5nm到500nm并且第一电极为扁平电极;和
b)在多孔性模板的纳米孔内形成与第一电极连接的杆状或管状第二电极。
2.权利要求1的方法,其进一步包括步骤c)除去多孔性模板。
3.权利要求1的方法,其中第一电极通过使用选自Au、Pt、Ag、Cu、Al、Cr及其合金中的至少一种物质形成。
4.权利要求1的方法,其中第一电极通过使用选自TiO2、氧化铟锡、ZnO、WO3、RuO2、IrO2、SnO2和NiO中的至少一种金属氧化物形成。
5.权利要求1的方法,其中第一电极通过使用选自聚对苯撑、聚对苯乙炔、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)、聚吡咯、聚苯胺、聚薁、聚噻吩、聚吡啶、聚吲哚、聚咔唑、polyazine和聚醌中的至少一种导电聚合物形成。
6.权利要求1的方法,其中多孔性模板是通过对铝板或膜进行阳极化处理形成的阳极化氧化铝。
7.权利要求1的方法,其中多孔性模板是通过在第一电极上淀积铝和对淀积的铝进行阳极化处理形成的阳极化氧化铝。
8.权利要求1的方法,其中第二电极通过使用以下方法中的至少一种方法形成:电镀法、化学镀法、溶胶-凝胶涂布法和电聚合法。
9.权利要求8的方法,其中电镀法使用选自Au、Pt、Ag、Cu和Cr中的至少一种。
10.权利要求8的方法,其中化学镀法使用选自Au、Pt、Ag、Cr或Cu中的至少一种金属,和选自TiO2、氧化铟锡、ZnO、WO3、RuO2、IrO2、SnO2和NiO中的至少一种金属氧化物。
11.权利要求8的方法,其中溶胶-凝胶涂布法使用选自TiO2、ITO、ZnO、WO3、RuO2、IrO2、SnO2和NiO中的至少一种金属氧化物。
12.权利要求8的方法,其中电聚合法使用选自聚对苯撑、聚对苯乙炔、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)、聚吡咯、聚苯胺、聚薁、聚噻吩、聚吡啶、聚吲哚、聚咔唑、polyazine和聚醌中的至少一种导电聚合物前体。
13.电气设备用电极系,其包括:
第一电极,其为扁平电极;和
第二电极,其为杆状电极和管状电极中的一种,具有5到500nm的直径,并电连接到第一电极,其中电极系的表面积是扁平电极的表面积的10到1000倍。
14.权利要求13的电气设备用电极系,其进一步包括具有直径为5 nm到500nm的纳米孔的多孔性模板,其中多孔性模板设置在第一电极上,多孔性模板包括在纳米孔内的用于与第一电极电连接的第二电极,并且电极系的表面积是扁平电极的表面积的10到1000倍。
15.权利要求13的电气设备用电极系,其中第一电极通过使用选自Au、Pt、Ag、Cu、Al、Cr及其合金中的至少一种物质形成。
16.权利要求13的电气设备用电极系,其中第一电极通过使用选自TiO2、氧化铟锡、ZnO、WO3、RuO2、IrO2、SnO2和NiO中的至少一种金属氧化物形成。
17.权利要求13的电气设备用电极系,其中第一电极通过使用选自聚对苯撑、聚对苯乙炔、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)、聚吡咯、聚苯胺、聚薁、聚噻吩、聚吡啶、聚吲哚、聚咔唑、polyazine和聚醌中的至少一种导电聚合物形成。
18.权利要求14的电气设备用电极系,其中多孔性模板为阳极化氧化铝。
19.权利要求13的电气设备用电极系,其中第二电极通过使用选自Au、Pt、Ag、Cu、Al、Cr及其合金中的至少一种金属形成。
20.权利要求13的电气设备用电极系,其中第二电极通过使用选自TiO2、氧化铟锡、ZnO、WO3、RuO2、IrO2、SnO2和NiO中的至少一种金属氧化物形成。
21.权利要求13的电气设备用电极系,其中第二电极通过使用选自聚对苯撑、聚对苯乙炔、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)、聚吡咯、聚苯胺、聚薁、聚噻吩、聚吡啶、聚吲哚、聚咔唑、polyazine和聚醌中的至少一种导电聚合物形成。
22.电气设备,其包括:
电气设备用电极系,其包括第一电极和第二电极,第一电极为扁平电极,第二电极为杆状电极和管状电极中的一种,具有5到500nm的直径,并电连接到第一电极,其中电极系的表面积是扁平电极的表面积的10到1000倍;和
衬底。
23.权利要求22的电气设备,其中衬底为铝、硅或透明的导电玻璃。
24.权利要求23的电气设备,其中所述透明的导电玻璃为ITO/玻璃。
25.权利要求22的电气设备,其中电气设备为电致变色器件、太阳能电池或超级电容器。
CNB2004800008224A 2003-10-14 2004-10-13 制造电极系的方法、由该方法制造的电极系和包括该电极系的电气设备 Expired - Fee Related CN100428543C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030071465 2003-10-14
KR10-2003-0071465 2003-10-14
KR1020030071465A KR100601090B1 (ko) 2003-10-14 2003-10-14 다공성 템플레이트를 이용하여 제조된 고표면적 전극시스템 및 이를 이용한 전기 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1701453A CN1701453A (zh) 2005-11-23
CN100428543C true CN100428543C (zh) 2008-10-22

Family

ID=36406336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800008224A Expired - Fee Related CN100428543C (zh) 2003-10-14 2004-10-13 制造电极系的方法、由该方法制造的电极系和包括该电极系的电气设备

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8030832B2 (zh)
EP (1) EP1673827A1 (zh)
JP (1) JP2006518471A (zh)
KR (1) KR100601090B1 (zh)
CN (1) CN100428543C (zh)
TW (1) TWI266345B (zh)
WO (1) WO2005036681A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109901340A (zh) * 2019-02-28 2019-06-18 中国科学技术大学 一种自供能电致变色薄膜及其制备方法和应用

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US7507903B2 (en) 1999-03-30 2009-03-24 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20090111206A1 (en) 1999-03-30 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US8222513B2 (en) 2006-04-13 2012-07-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US8138413B2 (en) 2006-04-13 2012-03-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8198696B2 (en) 2000-02-04 2012-06-12 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7060587B2 (en) * 2004-02-02 2006-06-13 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for forming macropores in a layer and products obtained thereof
US7732229B2 (en) * 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7838868B2 (en) * 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US20060081557A1 (en) 2004-10-18 2006-04-20 Molecular Imprints, Inc. Low-k dielectric functional imprinting materials
US8927315B1 (en) 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
US20060163540A1 (en) * 2005-01-27 2006-07-27 Chien-Hsin Yang Solid status electro-chromic device process using conductive polymer nano material
CN1841587A (zh) * 2005-04-02 2006-10-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 电极结构及其制备方法
KR100714275B1 (ko) * 2005-08-12 2007-05-04 한국과학기술연구원 내장형 캐패시터
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
JP2007286561A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Toshiba Corp 表示装置
KR100830834B1 (ko) * 2006-10-25 2008-05-20 금오공과대학교 산학협력단 양극 산화 알루미늄 템플레이트
KR100747074B1 (ko) * 2006-10-25 2007-08-07 금오공과대학교 산학협력단 양극 산화 알루미늄 템플레이트(AAOTemplate)를 이용한 나노 로드의 제조 방법 및이를 이용하여 얻어진 나노 로드
JP5135775B2 (ja) * 2006-11-22 2013-02-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 表示素子
TW200826319A (en) * 2006-12-14 2008-06-16 Univ Nat Central LED with micron and nano structure
JP4362635B2 (ja) 2007-02-02 2009-11-11 ローム株式会社 ZnO系半導体素子
EP2212742B1 (en) * 2007-11-21 2014-07-02 Molecular Imprints, Inc. Porous template and imprinting stack for nano-imprint lithography
WO2009123666A2 (en) * 2007-12-19 2009-10-08 University Of Maryland College Park High-powered electrochemical energy storage devices and methods for their fabrication
TWI401340B (zh) * 2007-12-31 2013-07-11 Fih Hong Kong Ltd 金屬表面陽極處理方法
WO2009137241A2 (en) 2008-04-14 2009-11-12 Bandgap Engineering, Inc. Process for fabricating nanowire arrays
US20100012175A1 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Emcore Solar Power, Inc. Ohmic n-contact formed at low temperature in inverted metamorphic multijunction solar cells
US9287438B1 (en) * 2008-07-16 2016-03-15 Solaero Technologies Corp. Method for forming ohmic N-contacts at low temperature in inverted metamorphic multijunction solar cells with contaminant isolation
US8023250B2 (en) * 2008-09-12 2011-09-20 Avx Corporation Substrate for use in wet capacitors
CN101359702B (zh) * 2008-09-19 2012-11-07 中国科学院电工研究所 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法
US8470188B2 (en) 2008-10-02 2013-06-25 Molecular Imprints, Inc. Nano-imprint lithography templates
KR101031019B1 (ko) * 2009-03-10 2011-04-25 삼성전기주식회사 전이금속산화물 코팅층을 가지는 금속 전극의 제조 방법 및그에 의해 제조된 금속 전극
EP2237346B1 (en) * 2009-04-01 2017-08-09 The Swatch Group Research and Development Ltd. Electrically conductive nanocomposite material comprising sacrificial nanoparticles and open porous nanocomposites produced thereof
WO2010124301A2 (en) * 2009-04-24 2010-10-28 Wolf Oetting Methods and devices for an electrically non-resistive layer formed from an electrically insulating material
US8247243B2 (en) * 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
KR101134184B1 (ko) * 2009-07-17 2012-04-09 포항공과대학교 산학협력단 수직 배열된 나노튜브의 제조방법, 센서구조의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서소자
KR100990110B1 (ko) 2009-08-18 2010-10-29 엘지전자 주식회사 태양 전지
JP5606226B2 (ja) * 2009-11-30 2014-10-15 キヤノン株式会社 X線モノクロメータ及びx線分光装置
WO2011094317A2 (en) 2010-01-26 2011-08-04 Molecular Imprints, Inc. Micro-conformal templates for nanoimprint lithography
KR101861212B1 (ko) * 2010-09-09 2018-06-29 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 전기화학적 에너지 저장 시스템 및 방법
KR101319427B1 (ko) * 2011-09-01 2013-10-17 광주과학기술원 금속 나노컵 또는 나노링을 포함하는 전극 및 그 제조방법
US8852981B2 (en) 2011-09-19 2014-10-07 Bandgap Engineering, Inc. Electrical contacts to nanostructured areas
US9190656B2 (en) 2011-10-20 2015-11-17 Hyundai Motor Company Cathode current collector for electrical energy storage device and method for manufacturing the same
CN102759835B (zh) * 2012-07-18 2014-10-22 西安科技大学 一种纤维状柔性电致变色器件及其制备方法
JP6064761B2 (ja) * 2012-11-02 2017-01-25 株式会社リコー エレクトロクロミック装置及びその製造方法
CN104487890B (zh) * 2012-07-23 2018-04-27 株式会社理光 电致变色装置和用于制造电致变色装置的方法
WO2014076939A1 (ja) * 2012-11-13 2014-05-22 株式会社クラレ エレクトロルミネセンス素子とその製造方法
KR101358561B1 (ko) * 2012-11-29 2014-02-07 희성전자 주식회사 태양전지 및 태양전지 제조방법
CN103869571A (zh) * 2012-12-12 2014-06-18 京东方科技集团股份有限公司 电致变色工作电极的制备方法及电致变色器件
CN103014752B (zh) * 2013-01-14 2016-04-13 重庆大学 一种TiO2纳米管阵列负载含钌涂层催化剂的制备方法
CN103361696B (zh) * 2013-07-10 2015-10-21 四川农业大学 TiO2纳米管阵列管与管空间填充聚乙撑二氧噻吩的复合材料及其制备方法和应用
KR101520571B1 (ko) * 2014-01-08 2015-05-18 연세대학교 산학협력단 투명하고 유연한 슈퍼 커패시터용 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 슈퍼 커패시터
KR101583701B1 (ko) 2014-04-25 2016-01-08 국민대학교산학협력단 수퍼캐패시터용 투명전극, 그 제조방법 및 상기 투명전극을 포함한 수퍼캐패시터
KR101896266B1 (ko) * 2015-06-12 2018-09-07 주식회사 넥스트이앤엠 경사가 있는 나노기공을 포함하는 이온 다이오드막 및 그 제조 방법
CN105112913B (zh) * 2015-09-28 2017-10-10 西南大学 一种可转移的Fe2O3/Au纳米孔阵列薄膜及其制备方法
US10340528B2 (en) 2015-12-02 2019-07-02 California Institute Of Technology Three-dimensional ion transport networks and current collectors for electrochemical cells
KR101744200B1 (ko) 2016-03-04 2017-06-21 한양대학교 에리카산학협력단 투명전극 및 그 제조방법과 이를 이용한 전기변색소자
US9969030B2 (en) * 2016-05-12 2018-05-15 Pacesetter, Inc. Laser drilling of metal foils for assembly in an electrolytic capacitor
CN106683881B (zh) * 2016-08-05 2018-06-12 南京理工大学 一种纳米结构电介质电容器及其制备方法
US10650982B2 (en) * 2016-12-08 2020-05-12 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Nanowire supercapacitors and method of manufacture
CN108630931A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 深圳先进技术研究院 一种负极和隔膜一体化结构及其制备方法和电池
WO2018170926A1 (zh) * 2017-03-24 2018-09-27 深圳先进技术研究院 一种负极和隔膜一体化结构及其制备方法和电池
CN107328825B (zh) * 2017-07-25 2019-08-06 中国计量大学 一种n-p异质型介孔球状气敏材料的制备方法
CN108091579A (zh) * 2017-12-22 2018-05-29 哈尔滨工业大学 一种电沉积制备高密度电子封装用垂直互连基板的方法
CN108155564B (zh) * 2018-02-09 2019-01-11 广东科源电气有限公司 带有太阳能发电功能的户外配电箱
US11658304B2 (en) * 2020-02-27 2023-05-23 GM Global Technology Operations LLC Composite reference electrode substrate and methods relating thereto
CN114326243B (zh) * 2021-11-30 2023-04-07 惠州市广麟材耀科技有限公司 一种电致变色铝塑膜

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000002949A1 (en) * 1998-07-09 2000-01-20 Forskarpatent I Linköping Ab Polymer gel electrode
US20030108785A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-12 Wu L. W. Meso-porous carbon and hybrid electrodes and method for producing the same

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE7402348L (zh) * 1974-02-22 1975-08-25 Tudor Ab
US5867363A (en) * 1992-09-18 1999-02-02 Pinnacle Research Institute, Inc. Energy storage device
KR100282671B1 (ko) 1992-09-18 2001-03-02 빈센트 짜이 에너지 저장장치 및 그의 제조방법(energy storage device and methods of manufacture)
JP3387724B2 (ja) * 1995-03-17 2003-03-17 キヤノン株式会社 二次電池用電極、その製造方法及び該電極を有する二次電池
US5965295A (en) * 1996-06-14 1999-10-12 Toshiba Battery Co., Ltd. Alkaline secondary battery, paste type positive electrode for alkaline secondary battery, method for manufacturing alkaline secondary battery
JP3008852B2 (ja) * 1996-06-21 2000-02-14 日本電気株式会社 電子放出素子およびその製造方法
JP3631015B2 (ja) * 1997-11-14 2005-03-23 キヤノン株式会社 電子放出素子及びその製造方法
US7375366B2 (en) * 2000-02-25 2008-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Carbon nanotube and method for producing the same, electron source and method for producing the same, and display
JP4672832B2 (ja) * 2000-06-16 2011-04-20 キヤノン株式会社 光電変換装置
CN1266535C (zh) * 2001-03-19 2006-07-26 阿维艾索有限公司 电致变色显示装置和用于制造该装置的组合物
US6811916B2 (en) * 2001-05-15 2004-11-02 Neah Power Systems, Inc. Fuel cell electrode pair assemblies and related methods
US6753036B2 (en) * 2001-07-16 2004-06-22 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of electrodes
DE10150948C1 (de) * 2001-10-11 2003-05-28 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung gesinterter poröser Körper
KR100449142B1 (ko) * 2001-11-27 2004-09-18 일진나노텍 주식회사 탄소 나노튜브를 이용하는 마이크로 수퍼 커패시터 및이를 제조하는 방법
CA2472232A1 (en) * 2002-01-03 2003-07-17 Neah Power Systems, Inc. Porous fuel cell electrode structures having conformal electrically conductive layers thereon
JP2003282089A (ja) 2002-03-20 2003-10-03 Tohoku Techno Arch Co Ltd マイクロ燃料電池
EP1495360B1 (en) * 2002-04-15 2008-10-01 LG Chem, Ltd. Electropolymerization method for preparing nano-tube type conducting polymer using porous template and method for preparing electrochromic device
US6939383B2 (en) 2002-05-03 2005-09-06 3M Innovative Properties Company Method for making electrode
US7179988B2 (en) * 2002-12-11 2007-02-20 General Electric Company Dye sensitized solar cells having foil electrodes
US7145071B2 (en) * 2002-12-11 2006-12-05 General Electric Company Dye sensitized solar cell having finger electrodes
US7078613B2 (en) * 2002-12-11 2006-07-18 General Electric Company Structured micro-channel semiconductor electrode for photovoltaic cells
US7341806B2 (en) * 2002-12-23 2008-03-11 Caterpillar Inc. Battery having carbon foam current collector
US7090938B2 (en) * 2003-01-15 2006-08-15 Curators Of The University Of Missouri Method of preparing a solid oxide fuel cell
JP2005072367A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Nippon Oil Corp 光電変換素子
US7254895B1 (en) 2005-09-29 2007-08-14 O'donnell James Target holder

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000002949A1 (en) * 1998-07-09 2000-01-20 Forskarpatent I Linköping Ab Polymer gel electrode
US20030108785A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-12 Wu L. W. Meso-porous carbon and hybrid electrodes and method for producing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109901340A (zh) * 2019-02-28 2019-06-18 中国科学技术大学 一种自供能电致变色薄膜及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006518471A (ja) 2006-08-10
CN1701453A (zh) 2005-11-23
WO2005036681A1 (en) 2005-04-21
US8030832B2 (en) 2011-10-04
TW200525573A (en) 2005-08-01
EP1673827A1 (en) 2006-06-28
KR100601090B1 (ko) 2006-07-14
US20050117194A1 (en) 2005-06-02
TWI266345B (en) 2006-11-11
KR20050035734A (ko) 2005-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100428543C (zh) 制造电极系的方法、由该方法制造的电极系和包括该电极系的电气设备
De Jongh et al. Cu2O: electrodeposition and characterization
EP1696053B1 (en) Nano-array electrode manufacturing method and photoelectric converter using same
US7179988B2 (en) Dye sensitized solar cells having foil electrodes
US6024807A (en) Process for manufacturing an electrode for an electrochemical device
US20130237006A1 (en) Dye-sensitized solar cell and method of fabricating the same
Yamamoto et al. A 4% efficient dye‐sensitized solar cell fabricated from cathodically electrosynthesized composite titania films
CN104932168A (zh) 一种柔性电致变色器件及其制备方法
KR20110129373A (ko) 색소 증감 태양전지 및 그 제조 방법
JP4966525B2 (ja) 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法
JP2004311355A (ja) 電極用基材の製造方法
KR20080054971A (ko) 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법
KR100908243B1 (ko) 전자 재결합 차단층을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그제조 방법
EP1596462A1 (en) Photoelectrode substrate of dye sensitizing solar battery, and method for producing same
Kim et al. Excellent optical and interfacial performance of a PEDOT-b-PEG block copolymer counter electrode for polymer electrolyte-based solid-state dye-sensitized solar cells
Nonomura et al. Dependence of the photoelectrochemical performance of sensitised ZnO on the crystalline orientation in electrodeposited ZnO thin films
Dao et al. Au‐coated honeycomb structure as an efficient TCO‐free counter‐electrode for quantum‐dot‐sensitized solar cells
US20120160307A1 (en) Dye-sensitized solar cell and method for manufacturing the same
US20130340825A1 (en) Dye-Sensitized Solar Cell with Ordered Tin Oxide Composite Nanostructure Electrodes
Chigane et al. Preparation of thick titanium dioxide films by repeated electrolysis-calcination for dye-sensitized solar cells
EP2359406B1 (en) Photovoltaic devices
EP2843674A1 (en) Dye-sensitized solar cell, tandem dye-sensitized solar cell, and composite nanostructure
KR20090059342A (ko) 염료감응 태양전지용 대향전극 및 이를 포함한 태양전지
KR20090128893A (ko) 복수개의 나노막대 또는 브리지 나노막대형 금속산화물이일 방향으로 정렬된 광흡수층을 구비하는 염료감응태양전지 및 그의 제조방법
Behrouznejada et al. Dye sensitized solar cell with chromium substrate for photoanode: enhanced efficiency by amorphous TiO2 sol treatment

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081022

Termination date: 20111013