CN100424927C - 内置交叉耦合介质滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种稳定可靠、不会因温度的改变而影响性能、矩形度和幅频特性较佳的内置交叉耦合介质滤波器,包括:至少三个依次焊接的同轴介质谐振器,在相邻的同轴介质谐振器的两个相邻的侧面上分别刻制有相互耦合的电容或相互耦合的电感,并且相互耦合的电容和相互耦合的电感成交替设置;所述的内置交叉耦合介质滤波器的输入、输出端分别设置在首、尾两个同轴介质谐振器上。本发明尤其适用于微波等高频领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种微波器件,尤其涉及到一种耦合介质滤波器。
背景技术
目前公知的分列式介质滤波器是由同轴介质谐振器,采用低通原型,通过计算归一化频率变量和导纳变换制成。在氧化铝陶瓷基片上制作电容,在同轴介质谐振器孔内安装引脚,与此电容相连,形成带通介质滤波器。上述的分列式介质滤波器的结构决定了其四大缺点:第一,由于分列式介质滤波器采取的是介质体外耦合,因此其可靠性比较差,在用户安装时极易将电容与同轴介质谐振子引出端脱落;第二,如果级数增多,陶瓷基片电容就要加长,在用户运输、安装、跌落时极易断裂,导致接触不良;第三,由于陶瓷基片本身的温度特性,在高低温时,很容易由于作为电容基片的陶瓷基片的温飘而引起滤波器的性能恶化;第四,高频时(如3G以上频率),外部耦合各级之间的电磁场相互影响非常大,很难兼顾各级耦合,难以做出高品质滤波器。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种稳定可靠、不会因温度的改变而影响性能、矩形度和幅频特性较佳的滤波器。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:内置交叉耦合介质滤波器,包括:至少三个依次焊接的同轴介质谐振器,在相邻的同轴介质谐振器的两个相对的侧面上分别刻制有相互耦合的具有相同图案且相互配合的电容或相互耦合的具有相同图案且相互配合的电感,并且相互耦合的电容和相互耦合的电感成交替设置;所述的内置交叉耦合介质滤波器的输入、输出端分别设置在首、尾两个同轴介质谐振器上。
上述的相互耦合的电容由以下方式构成:在相邻的同轴介质谐振器的两个相对的侧面上刻制有相互配合的开环状凹槽;所述的相互耦合的电感由以下方式构成:在相邻的同轴介质谐振器的两个相对的侧面上刻制有相互配合的直线状凹槽。
上述的开环状凹槽为上端开口的矩形凹槽。
上述的输入、输出端用聚四氟乙烯材料包覆。
本发明的有益效果为:由于采用了内置电容与电感交叉耦合的方式来实现同轴介质谐振器之间的耦合,从而有效地解决了可靠性和在高低温状况下的稳定性,大幅度地提高了滤波器的矩形度及幅频特性。
附图说明
图1是本发明的结构原理示意图;
图2是本发明的外形主视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的描述,但本发明不应仅限于此实施例。
如图1所示,本实施例中所述的内置交叉耦合介质滤波器,包括:六个依次焊接的同轴介质谐振器1、同轴介质谐振器2、同轴介质谐振器3、同轴介质谐振器4、同轴介质谐振器5和同轴介质谐振器6,同轴介质谐振器1与同轴介质谐振器2的相对侧面上分别刻制有相互耦合的上端开口的矩形凹槽12和21,同轴介质谐振器2与同轴介质谐振器3的相对侧面上分别刻制有相互耦合的直线状凹槽22和31,同轴介质谐振器3与同轴介质谐振器4的相对侧面上分别刻制有相互耦合的上端开口的矩形凹槽32和41,同轴介质谐振器4与同轴介质谐振器5的相对侧面上分别刻制有相互耦合的直线状凹槽42和51,同轴介质谐振器5与同轴介质谐振器6的相对侧面上分别刻制有相互耦合的上端开口的矩形凹槽52和61,上述相邻两个相互配合的上端开口的矩形凹槽合在一起构成了耦合电容,其电容量的大小由上端开口的矩形凹槽围成的面积大小所决定,上述相邻两个相互配合的直线状凹槽合在一起构成了耦合电感,其电感量的大小由直线状凹槽的横截面积的大小所决定;同轴介质谐振器1上设置有所述的内置交叉耦合介质滤波器的输入端11,同轴介质谐振器6上设置有所述的内置交叉耦合介质滤波器的输出端62;输入端11和输出端62均用聚四氟乙烯材料包覆。在实际制作时,可根据实际电容量的需要来调整刻制的上端开口的矩形凹槽所围成的面积的大小,根据实际电感量的需要来调整刻制直线状凹槽的横截面面积的大小。如图2所示,在实际制作时,同轴介质谐振器的数量可根据实际情况来确定,并且本发明所述的内置交叉耦合介质滤波器用镀银铜板7进行外壳封装。另外,所述开环状凹槽除了所述的上端开口的矩形凹槽外,还可为U形等其他形状的凹槽。
Claims (4)
1. 内置交叉耦合介质滤波器,其特征在于:所述的内置交叉耦合介质滤波器中包括至少三个依次焊接的同轴介质谐振器,在相邻的同轴介质谐振器的两个相对的侧面上分别刻制有相互耦合的具有相同图案且相互配合的电容或相互耦合的具有相同图案且相互配合的电感,并且相互耦合的电容和相互耦合的电感成交替设置;所述的内置交叉耦合介质滤波器的输入、输出端分别设置在首、尾两个同轴介质谐振器上。
2. 如权利要求1所述的内置交叉耦合介质滤波器,其特征在于:所述的相互耦合的电容由以下方式构成:在相邻的同轴介质谐振器的两个相对的侧面上刻制有相互配合的开环状凹槽;所述的相互耦合的电感由以下方式构成:在相邻的同轴介质谐振器的两个相对的侧面上刻制有相互配合的直线状凹槽。
3. 如权利要求2所述的内置交叉耦合介质滤波器,其特征在于:所述的开环状凹槽为上端开口的矩形凹槽。
4. 如权利要求1、2或3所述的内置交叉耦合介质滤波器,其特征在于:所述的输入、输出端用聚四氟乙烯材料包覆。
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Assignee: Zhangjiagang Bonded Area Canqin Technology Co., Ltd. Assignor: Zhangjiagang Canqin Electron Element Co., Ltd. Contract record no.: 2011320000040 Denomination of invention: Built-in cross coupling dielectric filter Granted publication date: 20081008 License type: Exclusive License Open date: 20070124 Record date: 20110217 |