CN204119182U - 一种高频介质分立式带阻滤波器 - Google Patents
一种高频介质分立式带阻滤波器 Download PDFInfo
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Abstract
一种高频介质分立式带阻滤波器，至少包含一组滤波电路，在该滤波电路中，电感L1的一端连接输入端，电感L1的另一端连接电容C1的一端和L2的一端，电容C1另一端连接介质TEM谐振器DR1，电感L2的另一端连接电容C2的一端和电感L3的一端，电容C2另一端连接介质TEM谐振器DR2，电感L3的另一端连接输出端。电容C1或C2为氧化铝块。电感L1或L2的两个引脚穿过氧化铝块分别与下表面银层连接。介质TEM谐振器DR1或DR2的引脚与氧化铝块上表面的银层连接。通过氧化铝块可实现比较小的电容值，升高了滤波器的频率，电感和介质TEM谐振器，分别连接氧化铝块表面的银层，设计紧凑，实现了高频带阻滤波器的功能。
Description
技术领域
本实用新型带阻滤波器的领域，尤其涉及一种高频介质分立式带阻滤波器。
背景技术
由微波理论可知，若要升高滤波器的频率，就得减小其谐振电容值和电感值，即升高谐振频率。目前市场上低功率带阻滤波器均有LC集中参数实现，由于市场上的电容值一般最小为0.3pF，再加上寄生电容和其它材料的损耗，频率高于1500M后，用LC集中参数很难实现带阻滤波器。
实用新型内容
为克服上述现有技术的不足，本实用新型提供一种介质分立式，电容小的高频介质分立式带阻滤波器。
实现本实用新型目的的技术方案是：一种高频介质分立式带阻滤波器，至少包含一组滤波电路，在该滤波电路中，电感L1的一端连接输入端，电感L1的另一端连接电容C1的一端和L2的一端，电容C1另一端连接介质TEM谐振器DR1，电感L2的另一端连接电容C2的一端和电感L3的一端，电容C2另一端连接介质TEM谐振器DR2，电感L3的另一端连接输出端。
作为本实用新型的优化方案，电容C1或C2为氧化铝块。
作为本实用新型的优化方案，氧化铝块上有通孔，电感L1或L2的两个引脚穿过通孔，在氧化铝块上下表面电感L1或L2的两个引脚旁涂覆有银层，电感L1或L2的两个引脚穿过氧化铝块分别与氧化铝块下表面银层连接。
作为本实用新型的优化方案，介质TEM谐振器DR1或DR2的引脚与氧化铝块上表面的银层连接。
本实用新型具有积极的效果：通过氧化铝块可实现比较小的电容值，升高了滤波器的频率，电感和介质TEM谐振器，分别连接氧化铝块表面的银层，设计紧凑，实现了高频带阻滤波器的功能。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明：
图1是本实用新型电路原理图；
图2是电路板的上表面结构图；
图3是电路板的侧面结构图；
图4是测量的波形图。
具体实施方式
如图1所示是一种高频介质分立式带阻滤波器，高频介质分立式带阻滤波器至少包含一组滤波电路，在该滤波电路中，电感L1的一端连接输入端，电感L1的另一端连接电容C1的一端和L2的一端，电容C1另一端连接介质TEM谐振器DR1，电感L2的另一端连接电容C2的一端和电感L3的一端，电容C2另一端连接介质TEM谐振器DR2，电感L3的另一端连接输出端。
如图2所示的电路板的上表面结构图，其中电容C1或C2为氧化铝块。根据电容公式C＝Q/U＝Q/Ed＝Er*S/4πkd可知，氧化铝可实现比较小的电容值，由氧化铝的厚度d，材质Er，银层面积S的大小决定。电感L1或L2的两个引脚穿过通孔，在氧化铝块上下表面电感L1或L2的两个引脚旁涂覆有银层，电感L1或L2的两个引脚穿过氧化铝块分别与下表面银层连接。
如图3所示是电路板的侧面结构图，电感可采用普通螺线电感，或者带引线的高Q电感。DR1、DR2、DR3、DR4、DR5、DR6为介质TEM谐振器，电感装在通孔中，电感的两个引脚分别从氧化铝块的两个通孔从上往下穿出，引脚分别与下表面银层连接，介质TEM谐振器DR1或DR2的引脚与氧化铝块上表面的银层连接。
如图4是测量的波形图，其中S22、S33是反射线，S32是传输线，第3点、第4点之间是需要的通带，第1点、第2点是抑制。
以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种高频介质分立式带阻滤波器，其特征在于：所述高频介质分立式带阻滤波器至少包含一组滤波电路，在所述的滤波电路中，电感L1的一端连接输入端，电感L1的另一端连接电容C1的一端和L2的一端，电容C1另一端连接介质TEM谐振器DR1，电感L2的另一端连接电容C2的一端和电感L3的一端，电容C2另一端连接介质TEM谐振器DR2，电感L3的另一端连接输出端。
2.根据权利要求1所述的一种高频介质分立式带阻滤波器，其特征在于：所述电容C1或C2为氧化铝块。
3.根据权利要求2所述的一种高频介质分立式带阻滤波器，其特征在于：所述的氧化铝块上有通孔，电感L1或L2的两个引脚穿过通孔，氧化铝块上下表面电感L1或L2的两个引脚旁涂覆有银层，电感L1或L2的两个引脚穿过氧化铝块分别与氧化铝块下表面银层连接。
4.根据权利要求3所述的一种高频介质分立式带阻滤波器，其特征在于：所述介质TEM谐振器DR1或DR2的引脚与氧化铝块上表面的银层连接。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN109936336A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-25 | 福建科立讯通信有限公司 | 一种用于零中频数字对讲机的新型压控振荡器 |
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Cited By (2)
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| CN109936336A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-25 | 福建科立讯通信有限公司 | 一种用于零中频数字对讲机的新型压控振荡器 |
| CN109936336B (zh) * | 2019-03-19 | 2022-10-25 | 福建科立讯通信有限公司 | 一种用于零中频数字对讲机的压控振荡器 |
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