CN204834805U - 一种宽带宽分体式介质滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种宽带宽分体式介质滤波器，包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上表面的多个导电材料块、与多个导电材料块对应连接的多个谐振器以及设置在陶瓷基板下表面的两个导电材料块，两个导电材料块分别与PCB板的输入接口和输出接口相连接；陶瓷基板上表面的多个导电材料块之间形成间隙并在间隙中填充介电陶瓷材料使多个导电材料块之间形成多个耦合电容；多个谐振器与多个耦合电容构成滤波电路。采用本实用新型的技术方案，能够通过调节陶瓷基板的介电常数以及导电材料块之间的间隙来改变耦合电容的大小，实现对滤波器通带宽度的增加，使通带宽度可以在产品中心频率的60％以上，真正解决了其通带宽度局限在产品中心频率的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种宽带宽分体式介质滤波器。
背景技术
现有技术中，分体式介质滤波器的设计通常有三种方法，一种是使用贴片电感电容直接组装在PCB焊盘上面，第二种是使用陶瓷基板来实现，第三种是贴片电容和陶瓷基板混合使用来实现。
但是，这三种方式都存在缺陷，具体为：
第一种方法所使用的器件电容电感值大小固定，不能调试，其通带宽度局限在产品中心频率的25％左右；
第二种方法所使用的陶瓷基板能通过调节基板上面的导电材料的分布大小来控制电容的大小，但陶瓷基板所形成的电容值相对比较小，其通带宽度局限在产品中心频率的10％左右；
第三种方法所使用贴片电容和陶瓷基板混合使用，这样某种程度上可以解决前面俩种方式的缺陷，但是这种方法增加了材料的使用成本、组装的复杂程度，其通带宽度局限在产品中心频率的30％左右。
上述三种方法均无法解决了其通带宽度局限在产品中心频率的问题，无法增加滤波器的通带带宽。
故，针对目前现有技术中存在的上述缺陷，实有必要进行研究，以提供一种方案，解决现有技术中存在的缺陷。
实用新型内容
为了克服现有技术存在的缺陷，确有必要提供一种宽带宽分体式介质滤波器，通过调节陶瓷基板的介电常数以及导电材料块之间的间隙来改变耦合电容的大小，实现对滤波器通带宽度的增加，使通带宽度可以在产品中心频率的60％以上，真正解决了其通带宽度局限在产品中心频率的问题。
为了解决现有技术的问题，本实用新型的技术方案为：
一种宽带宽分体式介质滤波器，包括由介电陶瓷材料构成的陶瓷基板、设置在所述陶瓷基板上表面的多个导电材料块、与所述多个导电材料块对应连接的多个谐振器以及设置在所述陶瓷基板下表面的两个导电材料块，所述两个导电材料块分别与与PCB板的输入接口和输出接口相连接；
所述陶瓷基板上表面的多个导电材料块之间形成间隙并在所述间隙中填充介电陶瓷材料使所述多个导电材料块之间形成多个耦合电容；
所述多个谐振器与所述多个耦合电容构成滤波电路。
优选地，所述陶瓷基板上表面设置的导电材料块数量为4块，分别为第一导电材料块、第二导电材料块、第三导电材料块和第四导电材料块；
所述第一导电材料块与所述第二导电材料块之间形成第一耦合电容；所述第二导电材料块之间与所述第三导电材料块之间形成第二耦合电容；所述第三导电材料块和第四导电材料块之间分别形成第三耦合电容。
优选地，所述陶瓷基板下表面的两个导电材料块分别为第五导电材料块和第六导电材料块；
所述第五导电材料块设置在所述第一导电材料块的正下方且其之间形成第四耦合电容，所述第六导电材料块设置在所述第四导电材料块的正下方且其之间形成第五耦合电容。
优选地，所述第一导电材料块、所述第二导电材料块、所述第三导电材料块和所述第四导电材料块与其相对应的谐振器通过金属片相连接。
优选地，所述第五导电材料块和所述第六导电材料块以焊接的方式与PCB板的输入接口和输出接口相连接。
优选地，所述导电材料块采用金属银材料。
优选地，所述陶瓷基板采用高介电常数陶瓷材料。
优选地，所述谐振器设置在PCB板上。
优选地，所述谐振器设置在陶瓷基板上。
优选地，所述导电材料块以喷涂或者溅射的方式设置在所述陶瓷基板上。
与现有技术相比较，本实用新型通过多个导电材料块之间耦合形成电容，从而无需在陶瓷基板上焊接贴片电容，大大简化了组装的复杂度，并降低了成本，有利于批量生产；同时通过调节陶瓷基板的介电常数和导电材料块之间的间隙就能改变耦合电容的大小，电容具有较大的变化范围大，从而能够实现对滤波器通带宽度的增加，使通带宽度可以在产品中心频率的60％以上，真正解决了其通带宽度局限在产品中心频率的问题。
附图说明
图1为本实用新型宽带宽分体式介质滤波器的连接示意图。
图2为本实用新型宽带宽分体式介质滤波器中陶瓷基板的正反面示意图。
图3为本实用新型宽带宽分体式介质滤波器的效果仿真图。
如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本实用新型。
具体实施方式
以下将结合附图对本实用新型提供的技术方案作进一步说明。
参见图1，所示为本实用新型宽带宽分体式介质滤波器的连接示意图，本实用新型的宽带宽分体式介质滤波器，包括由介电陶瓷材料构成的陶瓷基板1，通常采用高介电常数陶瓷材料以提高耦合电容的电容值；在陶瓷基板1上表面和下表面上设置多个导电材料块2，一般采用导电性能良好的金属银材料，以压合、喷涂或者溅射的方式设置在陶瓷基板1上。其中，设置在陶瓷基板1上表面的多个导电材料块2对应连接的多个谐振器4；设置在陶瓷基板1下表面的两个导电材料块2分别与与PCB板的输入接口和输出接口相连接，通常以焊接的方式与PCB板的输入接口和输出接口相连接。谐振器4可以设置在PCB板上，通过金属片5多个导电材料块2相连接，也可以直接设置在陶瓷基板1上与陶瓷基板1合为一体。
设置在陶瓷基板1上表面的多个导电材料块之间形成间隙4并在间隙4中填充介电陶瓷材料使多个导电材料块2之间通过耦合的方式形成多个耦合电容；多个谐振器4与所形成的多个耦合电容构成滤波电路，实现信号滤波功能。
本实用新型通过多个导电材料块之间耦合形成电容，从而无需在陶瓷基板上焊接贴片电容，大大简化了组装的复杂度，并降低了成本，有利于批量生产；同时通过调节陶瓷基板的介电常数和导电材料块之间的间隙就能改变耦合电容的大小，电容具有较大的变化范围大，从而能够实现对滤波器通带宽度的增加。
参见图2，所示为本实用新型宽带宽分体式介质滤波器中陶瓷基板的正反面示意图，陶瓷基板1上表面设置的导电材料块数量为4块，分别为第一导电材料块21、第二导电材料块22、第三导电材料块23和第四导电材料块24；
第一导电材料块21与第二导电材料块22之间形成第一耦合电容；第二导电材料块22之间与第三导电材料块23之间形成第二耦合电容；第三导电材料块23和第四导电材料块24之间分别形成第三耦合电容。
陶瓷基板1下表面的两个导电材料块分别为第五导电材料块25和第六导电材料块26；由于第五导电材料块25和第六导电材料块26之间的间隙距离较远，因此两者之间并未形成耦合电容。
第五导电材料块25刚好设置在第一导电材料块21的正下方，因此第五导电材料块25与第一导电材料块21之间形成第四耦合电容，第六导电材料块26设置在第四导电材料块24的正下方，因此第六导电材料块26和第四导电材料块24之间形成第五耦合电容。第四耦合电容和第五耦合电容作为信号输入输出的电容耦合，调节其电容值可以控制产品的回波损耗。
参见图3，所示为本实用新型宽带宽分体式介质滤波器的效果仿真图，从图中可以看出，采用本实用新型的技术方案，通带宽度可以在产品中心频率的60％以上，从而真正解决了其通带宽度局限在产品中心频率的问题。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，包括由介电陶瓷材料构成的陶瓷基板、设置在所述陶瓷基板上表面的多个导电材料块、与所述多个导电材料块对应连接的多个谐振器以及设置在所述陶瓷基板下表面的两个导电材料块，所述两个导电材料块分别与与PCB板的输入接口和输出接口相连接；
所述陶瓷基板上表面的多个导电材料块之间形成间隙并在所述间隙中填充介电陶瓷材料使所述多个导电材料块之间形成多个耦合电容；
所述多个谐振器与所述多个耦合电容构成滤波电路。
2.根据权利要求1所述的宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板上表面设置的导电材料块数量为4块，分别为第一导电材料块、第二导电材料块、第三导电材料块和第四导电材料块；
所述第一导电材料块与所述第二导电材料块之间形成第一耦合电容；所述第二导电材料块之间与所述第三导电材料块之间形成第二耦合电容；所述第三导电材料块和第四导电材料块之间分别形成第三耦合电容。
3.根据权利要求2所述的宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板下表面的两个导电材料块分别为第五导电材料块和第六导电材料块；
所述第五导电材料块设置在所述第一导电材料块的正下方且其之间形成第四耦合电容，所述第六导电材料块设置在所述第四导电材料块的正下方且其之间形成第五耦合电容。
4.根据权利要求2或3所述的宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，所述第一导电材料块、所述第二导电材料块、所述第三导电材料块和所述第四导电材料块与其相对应的谐振器通过金属片相连接。
5.根据权利要求3所述的宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，所述第五导电材料块和所述第六导电材料块以焊接的方式与PCB板的输入接口和输出接口相连接。
6.根据权利要求1所述的宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，所述导电材料块采用金属银材料。
7.根据权利要求1所述的宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板采用高介电常数陶瓷材料。
8.根据权利要求1所述的宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，所述谐振器设置在PCB板上。
9.根据权利要求1所述的宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，所述谐振器设置在陶瓷基板上。
10.根据权利要求1所述的宽带宽分体式介质滤波器，其特征在于，所述导电材料块以喷涂或者溅射的方式设置在所述陶瓷基板上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520656413.5U CN204834805U (zh) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | 一种宽带宽分体式介质滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201520656413.5U CN204834805U (zh) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | 一种宽带宽分体式介质滤波器 |
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| CN204834805U true CN204834805U (zh) | 2015-12-02 |
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| CN201520656413.5U Active CN204834805U (zh) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | 一种宽带宽分体式介质滤波器 |
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| CN (1) | CN204834805U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112647050A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-04-13 | 深圳市宝元金实业有限公司 | 一种陶瓷介质滤波器的pvd纳米磁控溅射镀银金属化工艺 |
-
2015
- 2015-08-28 CN CN201520656413.5U patent/CN204834805U/zh active Active
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| CN112647050A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-04-13 | 深圳市宝元金实业有限公司 | 一种陶瓷介质滤波器的pvd纳米磁控溅射镀银金属化工艺 |
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