CN205376701U - 一种对称电容交叉耦合结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公布了一种对称电容交叉耦合结构，包括盖板、腔体、和设置在腔体内的谐振柱；所述盖板上具有调节螺钉；所述腔体和谐振柱形成四个谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔，第二谐振腔和第三谐振腔，第三谐振腔和第四谐振腔之间均为感性耦合，第一谐振腔和第四谐振腔之间容性耦合，其特征在于：不相邻的两个谐振腔之间设置有容性耦合元件。本实用新型提出一种新型对称电容交叉耦合的实现方式。在原有的对称电容交叉耦合结构上增加1-3或2-4电容，使得在通带左边再产生一个零点。本实用新型有效的解决了合路器在高频段中交叉耦合对称结构难实现高隔离问题，实现在不改变腔体结构的情况下满足了客户指标，减少排腔个数，降低成本。
Description
技术领域
本实用新型属于电子通讯技术领域，特别是涉及一种用于实现通信设备产品结构的简单化的对称电容交叉耦合结构。
背景技术
在通讯产品中我们经常会用到对称电容交叉耦合方式，特别是在合路器等产品中运用的比较广泛，其拓扑结构如图1所示，其中带圆圈的1、2、3、4分别代表滤波器的腔体，电感连线表示它们之间主耦合，1-4电容表示对称交叉耦合。这种对称电容好处是可以同时实现两个传输零点使排腔结构简单化。但是当频率较高时对称电容其实是非对称的，它产生的零点在通带左边较弱右边较强如图3所示，从而使得各通带之间相互隔离不理想。
发明内容
本实用新型目的在于针对现有对称电容交叉耦合结构的缺陷，提供一种对称电容在高频段产生的非对称的情况下使左右两边抑制的对称电容交叉耦合结构。
本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案：
一种对称电容交叉耦合结构，包括盖板、腔体、和设置在腔体内的谐振柱；所述盖板上具有调节螺钉；所述腔体和谐振柱形成四个谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔，第二谐振腔和第三谐振腔，第三谐振腔和第四谐振腔之间均为感性耦合，第一谐振腔和第四谐振腔之间容性耦合，其特征在于：不相邻的两个谐振腔之间设置有容性耦合元件。
其进一步特征在于：所述第一谐振腔和第二谐振腔，第二谐振腔和第三谐振腔，第三谐振腔和第四谐振腔之间为无隔墙的开放式结构；第一谐振腔和第四谐振腔之间设置有阶梯状隔墙。
优选的：所述第一谐振腔和第四谐振腔之间设置有电容铜片进行容性耦合；不相邻的两个谐振腔之间设置有电容铜片进行容性耦合。
所述电容铜片通过设置在阶梯状隔墙上的支撑件和PEEK螺钉固定在阶梯状隔墙上。
本实用新型提出一种新型对称电容交叉耦合的实现方式。在原有的对称电容交叉耦合结构上增加1-3或2-4电容，使得在通带左边再产生一个零点。本实用新型有效的解决了合路器在高频段中交叉耦合对称结构难实现高隔离问题，实现在不改变腔体结构的情况下满足了客户指标，减少排腔个数，降低成本。
附图说明
图1为现有技术拓扑结构示意图。
图2为本实用新型拓扑结构示意图。
图3为现有技术的频率响应曲线。
图4为本实用新型频率响应曲线。
图5为本实用新型俯视示意图。
图6为本实用新型腔体俯视示意图。
图7为本实用新型腔体立体示意图。
具体实施方式
下面结合具体实例对本实用新型进一步详细说明。
一种新型对称电容交叉耦合的实现方式。其拓扑结构如图2所示，在原有的图1拓扑结构上增加2-4电容。增加2-4电容的作用是在通带左边再产生一个零点如图4所示。
如图5-7所示，其具体结构，包括盖板7、腔体1、和设置在腔体1内的谐振柱11。所述盖板7上具有调节螺钉9，通过螺钉8和腔体1连接。所述腔体1和谐振柱11形成四个谐振腔，不相邻的两个谐振腔之间设置有电容铜片4，第一谐振腔和第四谐振腔之间设置有电容铜片3进行容性耦合。第一谐振腔和第二谐振腔，第二谐振腔和第三谐振腔，第三谐振腔和第四谐振腔之间为无隔墙的开放式结构；第一谐振腔和第四谐振腔之间设置有阶梯状隔墙6。
所述电容铜片3和电容铜片4通过设置在阶梯状隔墙6上的支撑件2和PEEK螺钉5固定在阶梯状隔墙6上。谐振柱11和调节螺钉9主要实现合路器的电性能：频率和带宽。该合路器交叉耦合机械结构易实现。
综上所述，采用本实用新型技术方案，打破了因排腔方式受限导致产品使用对称电容设计的局限性，实现了高隔离度的产品。
以上所述是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于任何熟悉本技术及其领域的人，在不脱离本实用新型构思的前提下，可能做出各种推演或变更，都应当属于本新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种对称电容交叉耦合结构，包括盖板、腔体、和设置在腔体内的谐振柱；所述盖板上具有调节螺钉；所述腔体和谐振柱形成四个谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔，第二谐振腔和第三谐振腔，第三谐振腔和第四谐振腔之间均为感性耦合，第一谐振腔和第四谐振腔之间容性耦合，其特征在于：不相邻的两个谐振腔之间设置有容性耦合元件。
2.根据权利要求1所述的对称电容交叉耦合结构，其特征在于：所述第一谐振腔和第二谐振腔，第二谐振腔和第三谐振腔，第三谐振腔和第四谐振腔之间为无隔墙的开放式结构；第一谐振腔和第四谐振腔之间设置有阶梯状隔墙。
3.根据权利要求1或2所述的对称电容交叉耦合结构，其特征在于：所述第一谐振腔和第四谐振腔之间设置有电容铜片进行容性耦合；不相邻的两个谐振腔之间设置有电容铜片进行容性耦合。
4.根据权利要求3所述的对称电容交叉耦合结构，其特征在于：所述电容铜片通过设置在阶梯状隔墙上的支撑件和PEEK螺钉固定在阶梯状隔墙上。
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| CN201521077649.XU CN205376701U (zh) | 2015-12-22 | 2015-12-22 | 一种对称电容交叉耦合结构 |
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| CN205376701U true CN205376701U (zh) | 2016-07-06 |
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| CN (1) | CN205376701U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105576329A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-05-11 | 江苏贝孚德通讯科技股份有限公司 | 一种对称电容交叉耦合结构 |
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2015
- 2015-12-22 CN CN201521077649.XU patent/CN205376701U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN105576329A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-05-11 | 江苏贝孚德通讯科技股份有限公司 | 一种对称电容交叉耦合结构 |
| CN105576329B (zh) * | 2015-12-22 | 2019-05-21 | 江苏贝孚德通讯科技股份有限公司 | 一种对称电容交叉耦合结构 |
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