CN100404858C - 一种电子枪真空薄膜沉积系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电子枪真空薄膜沉积系统,包括真空腔体,在所述真空腔体外侧相对于所述真空腔体水平截面的几何中心线对称设置有若干个真空泵接口。由于本发明真空泵设置于底法兰盘的边缘或真空腔体侧壁,因此真空泵的安装不影响电子枪及其它部件的安装和布置,而且真空泵接口的对称布置或周向均匀布置保证了真空腔体内流场的对称分布,这种对称流场使电子枪蒸发的气体粒子在其上方的基片表面上沉积更加均匀。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子枪真空薄膜沉积系统。
背景技术
现有的电子枪真空薄膜沉积系统,其真空腔体底部空间被电子枪及其供电部件、水冷部件等所占据,真空泵系统往往被安装在真空腔体壁面的一侧,如图1、2所示,这样放置的真空泵在腔体内形成不对称的流场,如图3所示。因流场不对称,导致腔体内横截面上的压力分布不均匀从而影响薄膜沉积质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种流场对称、不影响成膜质量的一种电子枪真空薄膜沉积系统。
为达到上述目的,本发明的技术解决方案为:
一种电子枪真空薄膜沉积系统,包括真空腔体,在所述真空腔体外侧相对于所述真空腔体水平截面的几何中心线对称设置有若干个真空泵接口。
进一步,在所述真空腔体底部沿径向向外延伸有一盘状腔体,该盘状腔体连接一法兰,在该法兰边缘,相对于所述真空腔体水平截面的几何中心线对称设置有若干个真空泵接口。
进一步,在所述法兰盘边缘,以所述真空腔体水平截面的几何中心为圆心周向均布有若干个真空泵接口。
进一步,在所述真空腔体侧壁相对于真空腔体水平截面的几何中心线周向均匀设置有若干个真空泵接口。
由于本发明中真空泵接口设置于真空腔体底部法兰盘的边缘或真空腔体侧壁,因此真空泵的安装不影响电子枪及其它部件的安装和布置,而且,真空泵接口的对称布置或周向均匀布置保证了真空腔体内流场的对称分布,这种对称流场使电子枪蒸发的气体粒子在基片表面上沉积更加均匀。
附图说明
图1为目前普遍的真空获得系统的主视图;
图2为目前普遍的真空获得系统的俯视图;
图3为目前普遍的真空获得系统内的流场示意图;
图4为本发明实施例一真空获得系统主视图;
图5为本发明实施例一真空获得系统俯视图;
图6为本发明实施例二真空获得系统俯视图;
图7为本发明真空腔体内的流场示意图;
图8为本发明实施例三真空获得系统主视图;
图9为本发明实施例三真空获得系统俯视图。
具体实施方式:
如图4、5所示实施例一,本发明一种电子枪真空薄膜沉积系统包括真空腔体1,真空腔体1底部沿径向向外延伸有一盘状腔体1,该盘状腔体1连接一法兰盘2,法兰盘2上预设置有若干个电子枪和其它部件的接口及备用口3,在法兰盘2边缘相对于真空腔体1的水平截面的几何中心线对称设置有若干个真空泵接口4,在实施例一中设置了四个真空泵接口。
法兰盘2可采用图4、5所示实施例一中的长方形,或如图6实施例二所示采用圆盘形或其他形状。如图6所示实施例二中,法兰盘2为圆形,在圆形法兰盘2上预设置有若干个电子枪和其它部件的接口及备用口3,在圆形法兰盘2边缘,以所述真空腔体1水平截面的几何中心为圆心,周向均布有若干个真空泵接口4。
由于真空泵接口4设置于法兰盘的边缘,因此真空泵的安装不影响电子枪及其它部件的安装和布置,而且真空泵接口的对称布置或周向均匀布置保证了真空腔体内流场的对称分布,如图7所示,这种对称流场可以使电子枪蒸发的气体粒子在其上方的基片表面上沉积更加均匀。
如图8、9所示实施例三,也是一种电子枪真空薄膜沉积系统形式,包括真空腔体1,在真空腔体1的侧壁5上以所述真空腔体1水平截面的几何中心为圆心,周向均布有若干个真空泵接口4,真空腔体1底部设置有若干个电子枪和其它部件的接口及备用口3。由于真空泵接口4设置于真空腔体侧壁,因此真空泵的安装不影响电子枪及其它部件在接口3的安装和布置,而且真空泵接口的周向均匀布置保证了真空腔体内流场的对称分布,这种对称流场可以使电子枪蒸发的气体粒子在其上方的基片表面上沉积更加均匀。
Claims (4)
1.一种电子枪真空薄膜沉积系统,包括真空腔体,真空腔体下方设置有电子枪、供电部件、水冷部件,真空腔体内设置有电子枪蒸发源,其特征在于:在所述真空腔体外侧相对于所述真空腔体水平截面的几何中心线对称设置有若干个真空泵接口。
2.如权利要求1所述的一种电子枪真空薄膜沉积系统,其特征在于:在所述真空腔体底部沿径向向外延伸有一盘状腔体,该盘状腔体连接一法兰,在该法兰边缘,相对于所述真空腔体水平截面的几何中心线对称设置有若干个真空泵接口。
3.如权利要求2所述的一种电子枪真空薄膜沉积系统,其特征在于:在所述法兰边缘,以所述真空腔体水平截面的几何中心为圆心周向均布有若干个真空泵接口。
4.如权利要求1所述的一种电子枪真空薄膜沉积系统,其特征在于:在所述真空腔体侧壁相对于真空腔体水平截面的几何中心线周向均匀设置有若干个真空泵接口。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CNB2005101240412A CN100404858C (zh) | 2005-11-28 | 2005-11-28 | 一种电子枪真空薄膜沉积系统 |
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---|---|
CN1766320A CN1766320A (zh) | 2006-05-03 |
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CN (1) | CN100404858C (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5287686A (en) * | 1992-08-14 | 1994-02-22 | Lindsay David P | Anti-scalping blade for rotary lawn mower |
CN1659383A (zh) * | 2002-06-04 | 2005-08-24 | 莱博尔德真空技术有限责任公司 | 抽真空装置 |
CN1671884A (zh) * | 2002-07-31 | 2005-09-21 | 东京毅力科创株式会社 | 小体积、高流导的处理室 |
CN2851276Y (zh) * | 2005-11-28 | 2006-12-27 | 中国科学院力学研究所 | 对称布置的真空获得系统 |
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2005
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