CN201708142U - 在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘 - Google Patents

在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘 Download PDF

Info

Publication number
CN201708142U
CN201708142U CN2010201381243U CN201020138124U CN201708142U CN 201708142 U CN201708142 U CN 201708142U CN 2010201381243 U CN2010201381243 U CN 2010201381243U CN 201020138124 U CN201020138124 U CN 201020138124U CN 201708142 U CN201708142 U CN 201708142U
Authority
CN
China
Prior art keywords
holding tray
wafer
wafer holding
metal
aluminum metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2010201381243U
Other languages
English (en)
Inventor
李广宁
胡旭峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2010201381243U priority Critical patent/CN201708142U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201708142U publication Critical patent/CN201708142U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘,该晶圆放置盘置于金属腔内的底部,为圆环结构,在圆弧内侧分布多个用于固定晶圆的夹钳,在圆环结构的表面,具有以晶圆放置盘的圆心为圆心,半径依次增大的多个圆环凹槽。本实用新型提供的晶圆放置盘能够在沉积金属衬垫的过程中防止晶圆被粘附损坏。

Description

在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘 
技术领域
本实用新型涉及半导体技术中铝金属沉积领域,特别涉及一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘。 
背景技术
在半导体器件的制作过程中,常常会涉及金属薄膜的制成,比如铝金属沉积的制成,用于在封装时通过引线连接到集成电路管壳上的电极上。通常,铝金属沉积的制作过程都是将晶圆采用晶圆夹钳固定在金属腔体中,然后在金属腔体中采用溅射的方式在晶圆表面得到铝金属沉积。 
图1为现有技术所采用的用于铝金属沉积的金属腔体剖面结构图,如图所示,该金属腔体为密闭真空环境,其中具有晶圆放置盘、晶圆及金属靶板,其中,金属靶板作为阴极,由需要溅射的金属材料制成,比如铝,放置在晶圆放置盘上的晶圆作为阳极。金属靶板和晶圆平行相对。晶圆位于金属腔体底部,金属靶板位于金属顶部,在溅射时,从金属腔体的进气孔中通入惰性气体,比如氩气,从惰性气体辉光放电产生的高密度阳离子被吸引到阴极上,高速轰击金属靶板,撞击出金属离子后沉积到作为阳极的晶圆表面上,从而在晶圆表面上沉积得到铝金属沉积层,将尾气从排气口排出。 
其中,晶圆固定在晶圆放置盘上,晶圆放置盘通过均匀分布的若干个晶圆夹钳固定晶圆。如图2所示,图2为晶圆放置盘的俯视图,从图中可以看出,晶圆放置盘为一个圆环结构,在圆环内侧,均匀分布了六个夹钳,用于将晶圆固定在该晶圆放置盘中。 
夹钳的剖面结构图如图3所示,夹钳的外侧平滑连接圆环,内侧具有凹槽,用于卡住晶圆。 
采用图1所示的结构在晶圆上沉积铝金属层时,金属也会沉积到晶圆放置盘上(包括夹钳),在沉积过程中随着温度的不断增高,沉积在晶圆放置盘上的金属有时会融化,晶圆放置盘上靠近晶圆边缘的融化金属(包括夹钳)顺着流到晶圆边缘上,将晶圆粘附到晶圆放置盘上,导致晶圆的损坏。 
如图4所示,图4为现有技术的晶圆放置盘的剖视图,在晶圆沉积金属过程中,沉积在晶圆放置盘靠近晶圆边缘的金属融化后顺着流到晶圆边缘上,将晶圆粘附到晶圆放置盘上,导致了晶圆的损坏。 
发明内容
有鉴于此,本实用新型提供一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘,该晶圆放置盘能够在沉积铝金属层的过程中防止晶圆被粘附损坏。 
为达到上述目的,本实用新型实施的技术方案具体是这样实现的: 
一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘,该晶圆放置盘置于金属腔内的底部,为圆环结构,在圆弧内侧分布多个用于固定晶圆的夹钳,在圆环结构的表面,具有以晶圆放置盘的圆心为圆心,半径依次增大的多个圆环凹槽。 
所述多个圆环凹槽为4~6个。 
所述多个圆环凹槽均匀分布在晶圆放置盘上或不均匀分布在晶圆放置盘上。 
所述圆环凹槽的深度不大于30厘米,宽度不大于30厘米。 
由上述技术方案可见,本实用新型提供的晶圆放置盘在圆环结构的表面采用多个凹槽的结构,该多个凹槽的结构可以多存集所沉积的金属,在沉积的铝融化后,由于有沟槽的存在,不会顺着流到晶圆边缘上,将晶圆粘附到晶圆放置盘,不会造成晶圆的损坏。因此,本实用新型提供的晶圆放置盘在沉积铝金属层的过程中防止了晶圆被粘附损坏。 
附图说明
图1为现有技术所采用的用于铝金属沉积的金属腔体剖面结构图; 
图2为现有技术的晶圆放置盘的俯视图; 
图3为现有技术的晶圆放置盘中的夹钳剖视图; 
图4为现有技术的晶圆放置盘的剖视图; 
图5为本实用新型提供的晶圆放置盘的俯视图; 
图6为本实用新型提供的晶圆放置盘的剖视图; 
附图中各个技术名词涉及的附图标记: 
阴极-101,金属靶板-102,排气口-103,晶圆-104,晶圆放置盘-105,阳极-106,圆环-201,夹钳-202,融化的金属-401,和圆环凹槽-501。 
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下参照附图并举实施例,对本实用新型作进一步详细说明。 
在背景技术可以看出,目前造成晶圆在沉积铝金属层时会损坏的原因就是,沉积在晶圆放置盘上金属在持续沉积的过程中,有时会融化并沿着靠近晶圆的边缘流到晶圆上,使得晶圆粘附到晶圆放置盘上。为了解决问题,本实用新型改进晶圆放置盘的结构,在晶圆放置盘的圆环表面,制作以晶圆放置盘的圆心为圆心,半径依次增大的多个圆环凹槽,用于多存集沉积的金属。金属被融化时,由于这多个圆环凹槽的存在,融化的金属也不会顺着流到晶圆边缘上,将晶圆粘附到晶圆放置盘上,不会造成晶圆的损坏。 
以下对晶圆放置盘进行详细说明。 
图5为本实用新型提供的晶圆放置盘的俯视图, 
晶圆放置盘为一个圆环结构,在圆环内侧,均匀分布了六个夹钳,用于将晶圆固定在该晶圆放置盘中。其中,在晶圆放置盘的圆环表面,以晶圆放置盘的圆心为圆心,半径依次增大的多个圆环凹槽。在这里,圆环凹槽的数量不作限制,可以为4~6个。这多个圆环凹槽可以均匀分布在晶圆放置盘上,也可以不均匀分布。每个圆环凹槽的深度不大于30厘米,宽度不大于30厘米。 
在该实施例中,夹钳的数量也可以不为6个,可以为3个或4个,也可以不均匀分布在圆环内侧,只要可以夹住晶圆即可。 
图6为本实用新型提供的晶圆放置盘的剖视图,从图中可以看出,在夹钳的外侧平滑连接晶圆放置盘的圆环,在圆环表面具有圆环凹槽,夹钳内侧具有凹槽,卡住晶圆。其中,圆环凹槽在沉积金属衬垫过程中,将沉积在晶圆放置盘上的金属存集,不会导致在融化时顺着靠近晶圆边缘的位置处流到晶圆边缘上,粘住晶圆。 
在本实用新型中,所沉积的金属沉积可以为铝沉积,也可以为其他金属沉积。 
在本实用新型中,晶圆放置盘置于金属腔内的底部,也就是图1所示的金属腔内的底部。 
以上举较佳实施例,对本实用新型的目的、技术方案和优点进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。 

Claims (4)

1.一种在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘,该晶圆放置盘置于金属腔内的底部,为圆环结构,在圆弧内侧分布多个用于固定晶圆的夹钳,在圆环结构的表面,具有以晶圆放置盘的圆心为圆心,半径依次增大的多个圆环凹槽。
2.如权利要求1所述的晶圆放置盘,其特征在于,所述多个圆环凹槽为4~6个。
3.如权利要求1所述的晶圆放置盘,其特征在于,所述多个圆环凹槽均匀分布在晶圆放置盘上或不均匀分布在晶圆放置盘上。
4.如权利要求1所述的晶圆放置盘,其特征在于,所述圆环凹槽的深度不大于30厘米,宽度不大于30厘米。
CN2010201381243U 2010-03-15 2010-03-15 在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘 Expired - Lifetime CN201708142U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010201381243U CN201708142U (zh) 2010-03-15 2010-03-15 在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010201381243U CN201708142U (zh) 2010-03-15 2010-03-15 在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201708142U true CN201708142U (zh) 2011-01-12

Family

ID=43445296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010201381243U Expired - Lifetime CN201708142U (zh) 2010-03-15 2010-03-15 在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201708142U (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104743201A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 可兼容多尺寸晶片的托盘结构
CN104746024A (zh) * 2013-12-29 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 防止反应腔室内发生打火的沉积方法及反应腔室
CN104851832A (zh) * 2014-02-18 2015-08-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种固定装置、反应腔室及等离子体加工设备
CN105441896A (zh) * 2014-09-17 2016-03-30 和舰科技(苏州)有限公司 一种用于金属溅镀机铝制程沉积腔的夹具环

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104746024A (zh) * 2013-12-29 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 防止反应腔室内发生打火的沉积方法及反应腔室
CN104746024B (zh) * 2013-12-29 2017-09-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 防止反应腔室内发生打火的沉积方法及反应腔室
CN104743201A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 可兼容多尺寸晶片的托盘结构
CN104851832A (zh) * 2014-02-18 2015-08-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种固定装置、反应腔室及等离子体加工设备
CN104851832B (zh) * 2014-02-18 2018-01-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种固定装置、反应腔室及等离子体加工设备
CN105441896A (zh) * 2014-09-17 2016-03-30 和舰科技(苏州)有限公司 一种用于金属溅镀机铝制程沉积腔的夹具环
CN105441896B (zh) * 2014-09-17 2018-04-10 和舰科技(苏州)有限公司 一种用于金属溅镀机铝制程沉积腔的夹具环

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102663848B1 (ko) 기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치
CN201708142U (zh) 在铝金属沉积过程中的晶圆放置盘
CN104752274B (zh) 工艺腔室以及半导体加工设备
TW201803191A (zh) 用於無遮罩薄膜電池製造的系統及方法
KR101409617B1 (ko) 스퍼터링 장치
CN113322440B (zh) 半导体工艺设备及其工艺腔室
CN109735814B (zh) 磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备
JP2004535513A5 (zh)
CN104878363A (zh) 机械卡盘及等离子体加工设备
TWI686491B (zh) 用於沉積材料在基板上的方法及製程腔室
JP2020522896A (ja) 管型perc太陽電池のコーティング装置、及びコーティング方法
KR950001863A (ko) 자기세척 시준기
US7297247B2 (en) Electroformed sputtering target
KR20150106953A (ko) 기판 프로세스 챔버를 위한 핀형 셔터 디스크
CN202576553U (zh) 磁控溅射靶材
CN204455275U (zh) 一种溅射工艺反应腔的内衬结构
CN206502866U (zh) 一种卡点位置可调的石墨舟
CN104241184A (zh) 承载装置及等离子体加工设备
CN106611737B (zh) 一种压环装置
CN209890728U (zh) 磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备
CN114990514B (zh) 一种物理气相沉积用双面镀膜载板
CN206858650U (zh) 一种磁控溅射装置
CN105331933A (zh) 一种物理气相沉积方法
CN113249702B (zh) 提高磁控溅射环境洁净度的磁控溅射设备
CN105097638A (zh) 一种新型腔内倒角陶瓷环

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING

Free format text: FORMER OWNER: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CORPORATION

Effective date: 20121107

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 100176 DAXING, BEIJING

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121107

Address after: 100176 No. 18, Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone

Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation

Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Patentee before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20110112

CX01 Expiry of patent term