CN100388433C - 压力控制方法及等离子加工装置 - Google Patents

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Abstract

利用压力检测范围不同的第一和第二压力传感器132，134检测蚀刻装置100的处理室102内的压力。压力控制器144从第一及第二压力传感器132，134的各压力数据根据处理室102内的压力选择最佳压力数据。进而，对应处理室102内的压力利用所选择的分辨率分解所选择的压力数据，求出规定的数据密度的压力数据。压力控制器144以使该压力数据跟随设定压力数据的方式控制压力调整阀130。

Description

压力控制方法及等离子加工装置
技术领域
本发明涉及压力控制方法及等离子加工装置，特别是涉及设置在半导体制造装置中的压力控制机构的压力控制方法。
背景技术
历来，在半导体装置的制造工艺中，使用进行各种等离子加工的等离子加工装置，例如，使用等离子体蚀刻装置。该装置的结构为，在维持在规定的减压气氛下的处理室内生成等离子体，对配置在处理室内的被处理体进行处理。并且，根据压力传感器的压力数据通过控制压力(排气量)调整阀调整处理室内的压力。
近来，伴随着半导体装置的超高集成化及超多层化的倾向，通过对材料不同的多个膜进行连续处理进行蚀刻。在该处理当中，有时在处理过程中根据膜的材料增减处理室内的压力。进而，根据膜的材料，要求在几个Pa左右的低压下进行处理。此外，将压力传感器设定能检测的压力检测范围，一般地，越是能够以高精度检测低压力，其压力检测范围越窄。因此，为了监视各个膜的处理压力的检测及处理室内的整个压力变化，有时需要适当地切换多个压力传感器以便获得压力控制用的压力数据。
但是，在上述现有技术中，处理装置根据预先设定的切换信息进行各压力传感器的切换。即，压力控制器不能根据压力传感器的压力数据自动地进行各压力传感器的切换。因此，在处理室内压力变化大时，不能迅速地进行压力传感器的选择，很难获得追随压力变化的压力数据。其结果是，存在着处理室内的压力控制滞后，容易造成处理不均匀的问题。
此外，近来，由于半导体装置的超微细化趋势，在蚀刻处理中也要求对被处理体进行超微细化处理。在对被处理体进行超微细化加工时，要严格地调整处理室内的压力，有必要维持在规定的压力。因此，要求更仔细地分析压力传感器的压力数据，可靠地进行压力控制。但是，当在对处理没有影响的压力范围内也进行检测压力的详细分析时，会增加运算处理时间。其结果是存在着导致压力调整阀的响应性下降的问题。
本发明是鉴于上述现有技术中所存在的上述问题形成的，其目的是提供一种可以解决上述问题及其它问题、新型且得到改善的压力控制方法及等离子加工装置。
发明概述
为了解决上述课题，根据本发明的第一个方面，提供一种压力控制方法，在根据检测处理室内的压力的压力检测机构的压力数据，控制调整处理室内压力的压力调整机构的压力控制机构的压力控制方法中，其特征为，在处理室内连接有各自压力检测范围不同的多个压力检测机构，至少两个压力检测机构具有重迭的压力检测范围，所述控制方法包括以下工序：对于压力检测范围不同的多个压力检测机构的每一个，设定获得压力数据的压力数据获取范围的工序；基于各个压力数据获取范围，设定从各压力检测机构的压力数据中选择出用于压力控制的压力数据的压力数据选择值的工序；将各压力检测机构的压力数据与压力数据选择值进行比较，选择用于压力控制的压力数据的工序；根据所选择的压力数据和基于设定压力值的设定压力数据，控制压力调整机构的工序。
根据这种方法，基于各压力检测机构的压力数据可以获得对应于处理室内的压力的最佳压力检测机构的压力数据。因此，即使采用多个压力检测范围不同的压力检测机构，也可以迅速地获得所要求的压力数据，其结果是，即使用多个压力检测机构也可以确保和只使用一个压力检测机构时几乎相同的控制特性。
优选地，压力数据获得范围以如下方式设定，即，在各个压力检测机构的压力检测范围重迭的范围内，从各压力检测机构的压力数据中选择压力检测精度高的压力检测机构的压力数据。根据这种方法，可以在各压力检测机构的压力检测范围重迭的范围内，获得压力检测精度高的压力检测机构的压力数据。其结果是，由于利用最佳的压力数据进行压力控制，从而可进一步提高压力的控制性能。
优选地，以所选择的压力数据的数据值跟踪设定压力数据的数据值的方式控制压力调整机构。根据这种方法，可以以使处理室内部与设定压力实质上相同的方式控制压力调整机构。其结果是，可以使处理室的内部维持在设定的压力上。
此外，根据本发明的第二个方面，提供一种压力控制的方法，在基于检测处理室内压力的压力检测机构的压力数据控制调整处理室内压力的压力调整机构的压力控制机构的压力控制方法中，其特征为，它包括以下工序：对应于压力检测机构的压力检测范围，对将压力数据分解成多个虚拟地使压力数据的数据密度变化的两个以上的分辨率的各分辨率适用范围进行设定的工序；基于各分辨率的适用范围，设定从各分辨率中选择出一个分辨率的分辨率选择值的工序；比较压力数据与分辨率选择值，从各分辨率中选择出一个分辨率的工序；基于选择的分辨率，虚拟地使压力数据的数据密度变化的工序；根据使数据密度变化的压力数据以及基于设定压力值的设定压力数据控制压力调整机构的工序。
根据这种方法，可以以规定的分辨率将从压力检测机构得到的数据分解，使之变化成规定的数据密度。进而，将压力检测机构的压力检测范围划分成特定的范围，可以对于划分的每一个特定范围设定不同的分辨率。因此，例如在包含进行处理的设定压力的特定范围内，通过提高分辨率可以获得更正确的压力信息，能够进行可靠的压力检测。
优选地，在包含设定压力值的特定压力范围内，以压力数据的数据密度增加的方式设定分辨率。根据这种方法，在包含进行处理的设定压力的特定范围内，可以获得正确的压力信息，可以进行严格的压力控制。
此外，优选地，以随着从大气压力接近于设定压力值，压力数据的数据密度增加的方式设定分辨率。根据这种方法，随着处理室内的压力从大气压接近设定压力值，可以虚拟地提高压力的检测精度。其结果是，可以同时兼顾处理时的严格的压力控制和简化不进行处理时压力数据的运算。
优选地，以数据密度发生变化的压力数据的数据值跟踪设定压力数据的数据值的方式控制压力调整机构。根据这种方法，可以使处理室内部维持在设定的压力。
此外，根据本发明的第三个方面，提供一种压力控制方法，在基于检测处理室内压力的压力检测机构的压力数据控制调整处理室内压力的压力调整机构的压力控制机构的压力控制方法中，其特征为，它包括以下工序：对于压力检测范围不同的多个压力检测机构的每一个，设定获得压力数据的压力数据获取范围的工序；基于各压力数据获取范围，设定从各压力检测机构的压力数据中选择用于压力控制的压力数据的压力数据选择值的工序；在各个压力数据获取范围的每一个中，把压力数据分解为多个并设定使压力数据的数据密度虚拟地变化的两个以上的分辨率中各个分辨率的适用范围的工序；基于各个分辨率的适用范围，设定从对应于所选择的压力数据的各分辨率中选择一个分辨率的分辨率选择值的工序；比较各压力检测机构的压力数据与压力数据选择值、选择用于压力控制的压力数据的工序；比较所选择的压力数据与分辨率选择值，从各分辨率中选择一个分辨率的工序；基于所选择的分辨率，使所选择的压力数据的数据密度虚拟地变化的工序；根据使数据密度变化的压力数据及基于设定压力值的设定压力数据，控制压力调整机构的工序。
根据这种方法，基于压力数据，可以从多个压力检测机构的压力数据中选择出最佳的数据。从而，与压力检测机构的数目无关，可以确保只用一个压力检测机构的压力数据时的控制特性。并且，根据这种方法，可以在各压力检测机构的各自的压力检测范围内，并且在该范围的特定区间内设定特定的分辨率。从而，可以借助按照所要求的精度的压力数据进行压力控制。
优选地，以如下方式设定压力数据获取范围，即，在各压力检测机构的压力检测范围重迭的范围内，从各压力检测机构的压力数据中选择压力检测精度高的压力检测机构的压力数据。
优选地，以在包含设定压力值的特定的压力范围内压力数据的数据密度增加的方式设定分辨率。
优选地，以随着从大气压接近设定压力值压力数据的数据密度增加的方式设定分辨率。
优选地，以数据密度发生变化的压力数据的数据值跟踪设定压力数据的数据值的方式控制压力调整机构。
此外，根据本发明，提供一种其特征为采用具有上述优良效果的压力控制方法控制处理室内的压力的等离子加工装置。
附图的简单说明
图1是表示可应用本发明的蚀刻装置的简略剖视图。
图2是用于说明图1所示的蚀刻装置的压力控制结构的简略说明图。
实施发明的最佳形式
下面参照附图详细说明优选地适合于等离子体蚀刻装置的压力控制方法的实施本发明的压力控制方法的一种实施形式。
(1)蚀刻装置的结构
首先参照图1说明可应用本发明的蚀刻装置100的结构。处理室102形成于导电性的气密处理容器104内。处理容器104保护接地。此外，在处理室102内对向地配置上部电极106和下部电极108。下部电极108兼作被处理体、例如半导体晶片(下面称之为“晶片”)W的载置台。此外，在下部电极108的周围设置扩散板110。并且在下部电极108上，中间经由耦合器114连接有高频电源112，向所述下部电极上外加例如13.56MHz的偏压用高频电压。
在本实施形式中，在工艺程序空载时，停止高频电源112的输出以期节省能量。即，一般所用的高频电源(线性放大器)，在无信号时流过闲散电流，如果是晶体管的话会产生集电极损耗，如果是FET(场效应晶体管)的话，会造成漏极损耗。在本实施形式中为减少这一损耗，在工艺程序空载时，切断偏压用高频电源，以期节省能量。
作为其方法，例如可以考虑在偏压用直流电源的交流电功率供应线设置通或断的继电器的方法，或者设置接通或切断偏压用交流电源的驱动信号的回路的方法。此外，作为切断偏压电源的期间，例如可以是从加工过程结束(切断高频电源112经过规定的期间之后)之后直到下一个未处理的晶片被运入处理室102内的期间，或者是从加工过程结束之后直到下一个加工过程开始(在接通高频电源112的规定期间之前)的期间。
此外，在上部电极106上中间经由耦合器118连接有高频电源116，向其上外加例如60MHz的等离子体生成用高频功率。此外，在上部电极106上形成多个气体排出口106a。利用这种结构，经由流量调整阀122，开关阀124，气体排出口106a导入从气体供应源120供应的处理气体，例如，碳氟化合物气体。此外，处理室102内的气体利用真空泵126经由扩散板110，排气通路128，压力调整阀(压力调整机构)130排出。
此外，在处理室102内、中间经由各开关阀136，138，压力检测孔140，142连接到各自的压力检测范围不同的多个压力检测机构，例如，第一及第二压力传感器132，134。第一及第二压力传感器132，134例如由电容压力计构成。此外，例如第一压力传感器132检测特定压力范围，例如0Pa～25Pa的压力，根据所检测出的压力将0V～10V的电压作为压力数据输出。此外，第二压力传感器134检测比第一压力传感器132更宽的压力范围，例如检测0Pa～1000Pa的压力，根据所检测出的压力将0V～10V的电压作为压力数据输出。
此外，将压力控制器144连接到第一及第二压力传感器132，134上。在上述压力控制器144上连接有上述压力调整阀130。并且，压力控制器144根据第一及第二压力传感器132，134的压力数据和基于设定压力的设定压力数据控制压力调整阀130，把处理室102的内部设定成规定的压力。下面，详细描述压力控制器144的压力控制。压力控制器144配备有将从第一及第二压力传感器132，134输出的作为模拟数据的电压变换成数字数据的图中未示出的A/D(模拟/数字)变换器等用于压力控制的各种装置。
(2)压力控制方法
下面将作为本发明核心的处理室102内的压力控制方法分成设定工序(a)及控制工序(b)进行说明。
(a)设定工序
在设定工序(a)中，在压力控制器144中设定压力数据获取范围，压力数据选择值，分辨率，分辨率适用范围，分辨率选择值，控制用压力值。
(a-1)压力数据获取范围及压力数据选择值的设定
压力数据获取范围是决定将第一压力传感器132或第二压力传感器134的压力数据中的哪一个用于压力控制的范围。压力数据选择值是基于压力数据获取范围进行第一压力传感器132或第二压力传感器134的压力数据选择的值(阈值)
如上所述，第一传感器132可以检测0Pa～25Pa的压力。第二传感器134可以检测0Pa～1000Pa的压力。其中，第一压力传感器132比第二传感器134的压力检测精度高。因此，在第一压力传感器132可以检测的范围内，优选地采用第一压力传感器132的压力数据。从而，第一压力传感器132的压力数据获取范围设定为0Pa～25Pa。第二压力传感器134的压力数据获取范围设定为25Pa～1000Pa。
此外，压力数据选择值，为了从第一及第二压力传感器132，134的各压力数据获取范围获得规定的压力数据，设定为对应于25Pa的电压值。即，压力数据选择值对应于上述压力，在第一压力传感器132中设定为10V，在第二压力传感器134中设定为0.25V。从而，在压力减少时，当从第二压力传感器134输入基于0.25V的电压值的压力数据时，压力控制器144切换成基于第一压力传感器132的压力数据的控制。同时，当压力上升时，当从第一压力传感器132输入基于10V的电压值的压力数据时，压力控制器144切换成基于第二压力传感器134的压力数据的控制。采用这种方法，可以根据处理室102内的压力从第一及第二压力传感器132，134的各压力数据中选择最佳的压力数据。从而，可以确保和基于一个压力传感器所得到的压力数据进行控制时几乎相同的控制性能。
(a-2)分辨率，分辨率应用范围，分辨率选择值的设定
分辨率分解第一压力传感器132或第二压力传感器134的压力数据，使数据密度变化，虚拟地改变第一压力传感器132或第二压力传感器134的压力检测精度。分辨率应用范围是决定在第一及第二压力传感器132，134的各压力数据获取范围内应用各分辨率中的哪一个的范围。分辨率选择值是根据分辨率应用范围进行应用的分辨率的选择的值(阈值)。
在本实施形式中，通过后面所述的连续处理，蚀刻形成于氧化膜(SiO2膜)上的多晶硅膜及形成于多晶硅膜上的硅化钨膜，形成门电极。硅化钨膜优选地在低压力下，例如在0.4Pa进行处理。多晶硅膜优选地在高于硅化钨的处理压力、例如在15Pa的压力下进行处理。因此，在上述各处理压力下，有必要进行正确的压力控制。进而，由于硅化钨膜的处理在低压力下进行，所以需要更加严格的压力控制。
首先分解第一压力传感器132的压力数据的分辨率，例如设定为两级不同的分辨率。即，在包含硅化钨膜的处理压力0Pa～10Pa的范围内，设定成以最细的精度，例如以0.01Pa单位的精度获得压力数据。此外，在含有多晶硅膜的处理压力的10Pa～25Pa的范围内，例如设定成以0.025Pa单位的精度获得压力数据。从而，第一压力传感器132的分辨率应用范围变成0Pa～10Pa和10Pa～25Pa。
此外，在0Pa～10Pa的范围内，从第一压力传感器132输出4V以下的电压。因此，将从第一压力传感器132输出的对应于10Pa的电压4V例如分割成1000份。如果借助这种分辨率设定，获得由4mV单位的电压所构成的压力数据的话，可以进行0.01Pa单位的压力控制。此外，在10Pa～25Pa的范围内，从第一压力传感器132输出4V～10V的电压。因此，把从第一压力传感器132输出的例如对应于25Pa的电压10V分割成1000份。如果借助这样设定的分辨率获得由10mV单位的电压构成的压力数据的话，可以进行0.025Pa单位的压力控制。
此外对于第一压力传感器132的压力数据的分辨率选择值，为了根据上述各分辨率应用范围应用上述各分辨率，设定为对应于25Pa的电压值4V。借助这种设定，压力控制器114以第一压力传感器132的输出电压4V为界选择上述各分辨率。
另一方面，分解第二压力传感器134的压力数据的分辨率与第一压力传感器一样，例如，设定为二级不同的分辨率。即，在25Pa～100Pa的范围内，例如设定成以0.1Pa单位的精度获得压力数据。此外，在100Pa～1000Pa的范围内，例如设定为以1Pa单位的精度获得压力数据。从而，第二压力传感器134的分辨率应用范围为25Pa～100Pa和100Pa～1000Pa。
此外，在25Pa～100Pa的范围内，从第二压力传感器134输出1V以下的电压。因此，将从第二压力传感器134输出的对应于100Pa的电压1V例如分割成1000份。通过这样设定分辨率，如果获得由1mV单位的电压构成的压力数据的话，可以进行0.1Pa单位的压力控制。此外，在100Pa～1000Pa的范围内，从第二压力传感器134输出1V～10V的电压。从而，将从第二压力传感器134输出的对应于1000Pa的电压10V分割成1000份。通过这种分辨率设定获得10mV单位的电压构成的压力数据的话，可以进行1Pa单位的压力控制。
此外，对于第二压力传感器134的压力数据的分辨率选择值，为了基于上述各分辨率应用范围应用上述各分辨率，设定为对应于100Pa的电压值1V。根据这种设定，压力控制器114以第二压力传感器的输出电压1V为界选择上述各分辨率。根据这种方法，随着接近进行处理的压力，可以提高压力数据的精度。从而，在处理时可以进行更加严格的压力控制，可以在处理时间之外的期间迅速地进行压力控制。
(a-3)控制用压力值的设定
控制用压力值是基于设定在压力控制器114上的Pa单位的压力值计算出来的进行压力控制用的值。压力控制器144，如上所述，最大可以获得0.01Pa单位的压力数据。此外，压力的检测范围，最大为0Pa～1000Pa。因此，将1000Pa分割成100000份，以对应于以0.01Pa的方式设定控制用压力值。从而，当压力控制器144例如输入0.3Pa的设定压力值时，计算出以30作为控制压力值，根据该值30进行压力控制。根据这种方法，在第一及第二压力传感器132，134的整个压力检测范围内，可以很容易地进行0.01Pa单位的压力设定。
(b)控制工序
下面，参照图1和图2说明蚀刻处理时的压力控制工序。首先，在进行处理前，预先进行第一及第二压力传感器132，134的偏移调整(调零)。同时，在压力控制器114上设定处理多晶硅膜的0.4Pa压力值和处理硅化钨膜的15Pa压力值。压力控制器144将各设定压力值换算成上述控制用压力值，用于进行控制。此外，在完成各种设定后，把上述晶片W载置于下部电极108上。然后，把从气体供应源供应的处理气体导入到处理室102内。同时，利用真空泵126排出处理室102内的气体。通过这种排气，如图2所示，降低处理室102内的压力。
在处理室102内的压力为100Pa～1000Pa的情况下，从第一压力传感器132把10V电压输入到控制器144中，并且根据压力，从第二压力传感器134把1V～10V的电压输入到控制器144中。压力控制器144判断从第二压力传感器134输入的电压值大于对应于25Pa的压力数据选择值0.25V时，采用第二压力传感器134的压力数据。进而，压力控制器144判断从第二压力传感器134输入的电压值大于对应于100Pa的分辨率选择值1V时，以能得到1Pa单位压力值的分辨率分解第二压力传感器134的压力数据。从而，压力控制器144根据1Pa单位的压力数据控制压力调整阀130。
此外，在处理室102内的压力降低到25Pa～100Pa的情况下，从第二压力传感器将0.25V～1V的电压输入到压力控制器144。压力控制器144判断从第二压力传感器134输入的电压值为分辨率选择值1V以下，则切换分辨率，基于0.1Pa单位的压力数据控制压力调整阀130。
进而，在处理室102内的压力低于25Pa时，从第一压力传感器132将低于10V的电压输入到压力控制器144，并且从第二压力传感器134将低于0.25V的电压输入到压力控制器144中。压力控制器144判断从第二压力传感器134输入的电压值小于压力数据选择值0.25V时，则采用第一压力传感器132的压力数据。进而，压力传感器144判断从第一压力传感器132输入的电压值大于对应于10Pa的分辨率选择值4V时，则用能获得0.025Pa单位的压力值的分辨率将第一压力传感器132的压力数据分解。从而，压力控制器144基于0.025Pa单位的压力数据控制压力调整阀130。
当处理室102内的压力达到蚀刻硅化钨膜的15Pa时，压力控制器144以维持该压力的方式控制压力调整阀130。在维持这种压力之后，在上部电极106上外加上面所述的60MHz的高频功率，将处理气体等离子体化。并且，在下部电极108上外加上述13.56MHz的高频功率，把等离子体引入晶片W。采用这种结构蚀刻硅化钨，形成门电极。
当对上述硅化钨膜进行规定的蚀刻处理后，接着对多晶硅膜进行蚀刻处理。在即将露出多晶硅膜之前，压力控制器144控制压力调整阀130将处理室102内的压力一直降低到处理多晶硅膜的0.4Pa。在处理室102内的压力降低到10Pa以下时，从第一传感器132将4V以下的电压输入到压力控制器144中。压力控制器144判断从第一压力传感器132输入的电压值在分辨率选择值4V以下，则切换分辨率，基于0.01Pa单位的压力数据控制调整阀130。进而，当处理室102内当压力达到0.4Pa时，压力控制器144以维持该压力的方式控制压力调整阀130。借助这种压力控制，在多晶硅膜上也形成规定形状的门电极。此外，在进行多晶硅膜的蚀刻时，也可以适当改变外加上部电极106及下部电极108上的高频功率的频率以及导入到处理室102内的处理气体。
上面参照附图对本发明的优选实施形式进行了说明，但本发明并并不限于上述结构。在权利要求书范围所述的技术思想范畴内，从事本领域的技术人员可以想象得到各种变更例及修改例，应当理解，这些变更例和修改例也属于本发明的技术范围。
例如，在上述实施例中，列举了利用两个压力传感器检测处理室内压力的结构的例子进行了说明，但本发明并不限于这种结构。本发明也适用于用一个或三个以上的压力检测机构检测压力、进行控制的场合。
此外，在上述实施形式中，列举了用两个不同的分辨率分解第一及第二压力传感器的压力数据的结构的例子进行了说明，但本发明并不限于此。本发明也适用于根据设定压力利用三个以上的分辨率进行分解的情况。
此外，在上述实施形式中，以进行平行平板型等离子体蚀刻装置的处理室内的压力控制的结构为例进行了说明，但本发明并不局限于这种结构。本发明除平行平板型等离子加工装置之外，还适用于电感耦合型及微波型各种等离子加工装置的处理室内的压力控制。
根据本发明，尽管利用多个压力检测机构检测处理室内的压力，还是可以迅速地选择各压力检测机构的压力数据，用于压力控制。因此，尽管用多个压力检测机构检测压力，也可以确保和基于一个压力检测机构的压力数据的控制相同的控制性能。此外，根据本发明，可以虚拟地提高压力检测机构的压力检测精度。从而，可以正确地进行处理室内的压力控制。此外，根据本发明，可以借助软件处理求出用于压力控制的压力数据。因此，即使处理室内的压力有很大的变化时，也可以几乎与该压力变化同时检测出处理室内的压力。从而可以跟踪压力变化进行压力控制。
工业上的可利用性
本发明在半导体装置的制造工序中可应用于需要进行压力控制的处理过程中，特别是可应用于需要对处理室内的压力进行严格的调整、必须维持规定的压力对被处理体进行超微细化处理的过程中。
符号说明
100      蚀刻装置
102      处理室
106      上部电极
108      下部电极
114，116 高频电源
120      气体供应源
126      真空泵
130      压力调整阀
132      第一压力传感器
134      第二压力传感器
144       压力控制器
W         晶片

Claims (5)

1.一种压力控制方法，基于检测处理室内压力的压力检测机构的压力数据控制调整前述处理室内压力的压力调整机构的压力控制机构，其特征为，所述压力控制方法包括以下工序：
对于前述压力检测范围不同的多个压力检测机构中的每一个，设定获得前述压力数据的压力数据获取范围的工序；
基于前述各压力数据获取范围，设定从前述各压力检测机构的前述压力数据中选择用于压力控制的压力数据的压力数据选择值的工序；
在前述各个压力数据获取范围内的每一个中，对把前述压力数据分解为多个使前述压力数据的数据密度虚拟地变化的两个以上的分辨率的各分辨率适用范围进行设定的工序；
基于前述各分辨率的适用范围，设定从对应于前述所选择的压力数据的前述各分辨率中选择一个分辨率的分辨率选择值的工序；
比较前述各压力检测机构的压力数据与前述压力数据选择值，选择用于压力控制的压力数据的工序；
比较前述所选择的压力数据与前述分辨率选择值，从各分辨率中选择一个分辨率的工序；
基于前述所选择的分辨率，使前述所选择的压力数据的数据密度虚拟地变化的工序；
根据使前述数据密度变化的压力数据及基于设定压力值的设定压力数据，控制前述压力调整机构的工序。
2.如权利要求1所述的压力控制方法，其特征为，以在前述各压力检测机构的前述压力检测范围重达的范围内，从前述各压力检测机构的压力数据中选择压力检测精度高的前述压力检测机构的压力数据的方式设定前述压力数据获取范围。
3.如权利要求1所述的压力控制方法，其特征为，在包含前述设定压力值的规定压力范围内，以前述压力数据的数据密度增加的方式设定前述分辨率。
4.如权利要求1所述的压力控制方法，其特征为，以随着从大气压接近前述设定压力值，前述压力数据的数据密度增加的方式设定前述分辨率。
5.如权利要求1所述的压力控制方法，其特征为，以前述数据密度发生变化的压力数据的数据值跟随前述设定压力数据的数据值的方式控制前述压力调整机构。
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