CN100376702C - 合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法 - Google Patents

合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法 Download PDF

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Abstract

一种合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法，其特征在于包括下列步骤：(1)将金属Zr和Ti按摩尔比4∶6～7∶3称量，熔炼制成母合金；(2)将母合金剪切成小块，置于控温设备中，升温至500℃以上，保温3小时以上后，使其自然降至室温，取出样品。本发明只需简单的设备，在较低的温度下，从Zr-Ti合金直接制备相应的ZrTiO4单相粉末；与现有多元氧化物单相制备方法相比，制备工艺简单，无污染，而且节省时间。

Description

合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法
技术领域
本发明涉及一种合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法。
背景技术
多元氧化物单相通常采用固相反应法制备，即以两种或多种氧化物为原料，使其在高温下发生化学反应，生成氧化物单相。这种方法的缺点是形成单相所需温度特别高(1400摄氏度以上)。为了降低合成温度，很多研究者采用湿法制备氧化物单相陶瓷，如共沉淀法、熔胶-凝胶法，但是湿法制备过程中带来的杂质不易除去，而且该方法耗时。近几年，有报道采用机械合金法，先合成氧化物的非晶相，再对非晶相热处理使其析出多元氧化物单相，但是机械合金法合成氧化物的非晶相所需时间长达20小时，而且非晶相的热处理工艺很难控制。
发明内容
本发明要解决的问题是：克服现有技术的不足，提供一种简单易行、省时省力，并且在低温下可直接得到高纯度产物的合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法。
本发明的技术解决方案是：合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法，其特征在于包括下列步骤：
(1)将金属Zr和Ti按摩尔比4∶6～7∶3称量，熔炼制成母合金；
(2)将母合金剪切成小块(0.3～0.7克)，置于控温设备中，升温至500℃以上，保温3小时以上，使其自然降至室温，取出样品。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
(1)所需设备简单，只需制备合金和控制温度的设备。
(2)制备工艺简单，将合金置于控温设备，设定温度和时间即可。
(3)无污染，利用的是金属与空气中氧气的反应，不引入其它任何杂质，工艺简单、省时省力。
具体实施例
实施例1，
按4∶6摩尔比称量金属Zr和Ti，用电弧熔炼成母合金，剪切成0.5克左右的小块，置于电阻炉中，升温至600℃，保温5小时后，使其自然降至室温，取出样品。
实施例2，
按1∶1摩尔比称量金属Zr和Ti，用电弧熔炼成母合金，剪切成0.5克左右的小块，置于电阻炉中，升温至500℃以上，保温3小时后，使其自然降至室温，取出样品。
实施例3，
按7∶3摩尔比称量金属Zr和Ti，用电弧熔炼成母合金，剪切成0.5克左右的小块，置于电阻炉中，升温至600℃，保温5小时后，使其自然降至室温，取出样品。

Claims (1)

1.一种合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法，其特征在于包括下列步骤：
(1)将金属Zr和Ti按摩尔比4∶6～7∶3称量，熔炼制成母合金；
(2)将母合金剪切成0.3～0.7克的小块，置于控温设备中，升温至500℃以上，保温3小时以上，使其自然降至室温，取出样品。
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Assignee: Shandong Wanzhong Technology Co., Ltd.

Assignor: Beihang University

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Denomination of invention: Method for preparing single-phase oxide by alloy direct oxidation under low temperature

Granted publication date: 20080326

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Record date: 20100602

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