CN100373642C - 用于制造发光装置的方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 96
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 27
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 13
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 13
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 6
- 230000035618 desquamation Effects 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N nitric acid;trihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.Cl.O[N+]([O-])=O NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 magnesium nitride Chemical class 0.000 description 3
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N pyriproxyfen Chemical compound C=1C=CC=NC=1OC(C)COC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种用于制造发光装置的方法，是借由下列步骤来进行：(i)先提供一具有一由氮化镓系列材料构成的孔洞性中间层的第一发光元件，(ii)将一接合基板接合至第一发光元件的发光单元中相反于衬底的一侧面上，(iii)破坏该孔洞性中间层而使衬底剥离，而形成一具一剥离面的第二发光元件，及(iv)于该第二发光元件上分别电连接一第一与一第二电极，而形成一发光装置，该方法使用具孔洞结构的第一发光元件来制造，因此可降低剥离衬底的成本并增加良率。
Description
技术领域
本发明是一种用于制造发光装置的方法，特别是涉及一种利用剥离技术(lift off)制造发光装置的方法。
背景技术
已知目前以氮化镓为主的(gallium nitride-based)材料所制成的发光二极管，一般会有光取出效率(light extraction efficiency)不佳的问题，因为通常被用来成长氮化镓系列材料的基板为晶格常数与氮化系列材料相近的碳化硅(SiC)或蓝宝石(α-Al2O3)基板，但是，因为SiC基板具有吸光的性质，所以会吸收发光层射往基板方向的光，而蓝宝石基板因折射系数小于氮化系列材料但是大于空气，而易产生全反射效应，所以同样会造成光无法顺利射出，因此以该二者或其类似物作为基板材料的发光装置，一般无法获得所需的光取出效率。
参阅图1，已知业界为增加以氮化镓为主的材料所制成的发光二极管的光取出效率，在制造上会先制备一包含一譬如为导电(热)SiC基板的衬底11、一缓冲层12及一发光单元13的发光元件1，该发光单元13依序包含一与该缓冲层12相接的n型覆盖层131(n-cladding layer)、一发光层132(active light-emitting layer)，以及一p型覆盖层133(p-cladding layer)。然后，会于该发光单元13的p型覆盖层133上形成一反射层14，譬如银金属层，之后再透过一粘着层15将一导电的接合基板16，譬如Si基板接合至该粘着层上，然后会使用激光剥离技术(lift off)于图1所示之位置17破坏该缓冲层12，并使衬底11剥离，最后如图2所示分别于该接合基板16与该n型覆盖层131上形成一p型欧姆电极181和n型欧姆电极182，即可制备出一具金属反射层14的发光二极管100。
上述制备LED的方式具有可重复使用基板的优点，只要对剥离后的衬底11施予适当的表面处理，即可重复使用高成本的SiC或蓝宝石基板，另外此技术亦具有将非导电衬底11，譬如蓝宝石基板等换成导电接合基板16，譬如Si基板的优点，如此制成的发光二极管100可供用于高功率用途，譬如照明等。此利用激光剥离方式来制备发光二极管的技术已揭示于期刊论文：Appl.Phys.Lett.，72(5)，February，1998中。
当在上述的发光二极管100的p型欧姆电极181和n型欧姆电极182施予一适当直流压差，可使发光单元13的发光层132因电子空穴的复合(combination)而产生光，此由发光层132产生的光会被该反射层14反射，并经由发光二极管100与外界的界面射出，如图2中以虚线表示的光路径，而不会像一般发光装置中光会不断地折射与反射后转成热能并影响元件的可靠度。
上述利用激光剥离技术来制造LED的方法虽然具有可重复使用基板的优点，但是激光设备成本高、使用寿命较短，且聚焦的控制不易，一般会有良率不足的问题，所以不适于商业化的量产。
发明内容
因此，本发明的目的，即在提供一种利用剥离技术且成本较低、良率较高并适于量产的制造发光装置的方法。
于是，本发明用于制造发光装置的方法包含下列步骤：
(i)提供一第一发光元件，该第一发光元件依序包含一衬底、一孔洞性中间层、一由氮化镓系列为主的材料所制成的基础层，及一可产生光的发光单元，该中间层包括多个彼此间隔散布的墩部，及一个以上位于该衬底、基础层与该等墩部间的间隔部，该间隔部具有一空间，且该等墩部是由一与该基础层相同的材料所制成；
(ii)将一接合基板接合至该发光单元的相反于该衬底的一侧面上；
(iii)破坏该孔洞性中间层而使该衬底剥离，而形成一具一剥离面的第二发光元件；及
(iv)于该第二发光元件上分别电连接一第一与一第二电极，而形成一发光装置。
此制造方法是利用本案申请人所发明的第一发光元件来进行制备，该第一发光元件的特征在于：因为具有一孔洞性中间层，因此，可利用低成本、易控制且在商业上大量被使用的湿蚀刻技术来破坏中间层并使衬底剥离，或者因中间层具有孔洞结构，所以即使利用激光来剥离衬底，亦会因需破坏之中间层体积较小，而在成本上较以往的激光剥离来得低且良率较高。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明：
图1是一示意图，其说明以往利用激光剥离技术来制造发光装置的方法。
图2是一剖面示意图，其说明以往利用激光剥离技术所制得的具一反射层与一导电基板的发光装置。
图3是一示意图，其说明本发明制造方法利用具孔洞性中间层的第一发光元件及剥离技术来制备发光装置的过程。
图4是一剖面示意图，其说明本发明制造方法的步骤(i)-(iii)所制得的一第二发光元件。
图5是一剖面示意图，其说明本发明制造方法所制得的含一导电基板的发光装置。
图6是一剖面示意图，其说明本发明制造方法所制得的含一非导电基板的发光装置。
图7是一立体示意图，其说明本发明方法可借由在一衬底上形成多个氮化镓系列材料所构成的岛状突凸块，来制备孔洞性中间层。
图8是一剖面示意图，其说明本发明方法可在前述的岛状凸块上横向成长与岛状凸块相同材质的基部，来形成基础层。
图9是一剖面示意图，其说明本发明方法可借由形成岛状凸块及横向外延等步骤，来制备第一发光元件。
图10是一剖面示意图，其说明本发明方法可借由形成多个介于墩部间的阻绝膜，来确保中间层的孔洞性。
图11是一剖面示意图，其说明本发明方法可借因为第一发光元件的发光单元上形成一反射层，来增加光取出效率。
图12是一原子力显微镜的视图，其说明衬底和形成于衬底上的岛状凸块。
图13是一扫描式电子显微镜的剖面视图，其说明形成在基础层和衬底之间的中间层的间隔部和墩部。
图14是一扫描式电子显微镜的剖面视图，其说明以蚀刻液蚀刻20分钟后，中间层被破坏并使基板剥离而形成一粗糙之剥离面。
具体实施方式
在本发明被详细描述之前，要注意的是，在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。
较佳地，本发明的制造方法是包含下列步骤：
(i)如图3所示，提供一第一发光元件21，该第一发光元件21依序包含一衬底3、一孔洞性中间层4、一基础层5，及一可产生光的发光单元6，该中间层4包括多个彼此间隔散布的墩部41，及一个以上位于该衬底3、基础层5与该等墩部41间的间隔部42，该间隔部42具有一空间421，且该等墩部41与基础层5皆由以氮化镓系列为主的材料所制成，该发光单元6包括一形成于基础层5上的第一覆盖层61、一形成于第一覆盖层61上的发光层62，及一形成于发光层62上的第二覆盖层63；
(ii)借由一粘着层7将一接合基板8接合至该发光单元6的相反于该衬底3的一侧面64上(如图3双箭头所示)；
(iii)破坏该孔洞性中间层4而使该衬底3剥离，并形成一具一剥离面53的第二发光元件22(如图4所示)；及
(iv)如图5或图6所示，于该第二发光元件22上分别电连接一第一与一第二电极300、400，而形成一发光装置500。
需注意的是，当该基础层5的材质与第一覆盖层61同为高浓度掺杂的氮化镓层时，该步骤(iii)的破坏程度可只破坏中间层4，并保留基础层5，如图4与图5所示地，因为这种材质的基础层5可以导电，电极400可直接与其电连接。如图6所示，但是当基础层5的材质不是经高浓度掺杂的可导电的氮化镓系列材料时，则步骤(iii)必须进一步破坏基础层5，并使得剥离面53是形成于第一覆盖层61上，且电极400是与第一覆盖层61电连接的。
较佳地，步骤(i)中所使用的第一发光元件21的衬底3，是由一选自于由下列所构成的群组中的材料所制成：碳化硅(SiC)、蓝宝石(α-Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氮化铝及硅(Si)。
在第一发光元件21中，间隔部42的空间421可隔开衬底3和基础层5，并同时隔开相邻的墩部41，且当以湿蚀刻方式破坏中间层4时，可于空间421中灌注蚀刻液来将墩部41予以侵蚀，而使衬底3剥离。
较佳地，中间层4的该等墩部41是由以氮化镓系列为主的材料所制成，其化学式为AlxInyGa1-x-yN，x≥0，y≥0，1≥x+y。
较佳地，该等墩部41概呈锥柱形，且每一墩部41的横向截面的宽度介于10nm至3000nm间；较佳地，每一墩部41的横向截面的宽度介于50nm至1500nm间。该等墩部41彼此之间隔介于10nm至3000nm间；较佳地，该等墩部41彼此之间隔介于50nm至1500nm间。该等墩部41的厚度大于10nm。
发光单元6是第一发光元件21中用于发光的来源。较佳地，该第一覆盖层61和第二覆盖层63分别是具有相对应且不同型式(type)载流子(carrier)的半导体材料所制成。较佳地，第一覆盖层61是由n型氮化镓半导体材料所制成，发光层62具有由氮化铝铟镓所制成的多重量子井结构(Multiple Quantum Well；简称MQW)，第二覆盖层63是一p型的氮化镓半导体层。需说明的是，发光单元6亦可为其它类似上述发光二极管结构或熟习该项技术领域者所能推导的可发光装置，例如具有超晶格(superlattice)结构、多层次发光层或量子点发光层结构的发光装置，或者是激光二极管等。
较佳地，本发明的制造方法可进一步在步骤(i)之前进行下列用于制备第一发光元件21的步骤：
(a)如图7与图8所示，于该衬底3上形成有多个彼此间隔散布且由氮化镓系列材料所制成的岛状凸块9，每一岛状凸块9具有一形成于该衬底3上的墩部41与一形成于该墩部41上的岛状部51；
(b)如图8所示，利用横向外延方式于该等岛状部51上成长与岛状凸块9具相同材质的材料，而形成一个以上覆盖该等岛状部51的基部52，该基部52与该等岛状部51一体成型为一基础层5，且该衬底3、该等墩部41及该基部52共同界定出的一个以上具有空间421之间隔部42；
(c)如图9所示，在该基础层5上形成该发光单元6，而制备出一具孔洞性中间层4的第一发光元件21。
在图9中，因为基础层5的基部52是由岛状凸块9的岛状部51横向外延而成，因此岛状部51与基部52并无明显的晶界存在，所以以虚线来表示。至于如何控制横向外延，可借由使用非氮化镓系列材料所制成的衬底3来进行，因为当衬底3的材质不是氮化镓系列的材料时，也就是说衬底3与氮化镓系列材料间的晶格常数(lattice constant)不匹配时，所欲成长的氮化镓系列材料并不会沉积在衬底3上，而是倾向形成在具有相同材质的岛状凸块9上。最后，如图8箭头所示的方向横向成长(lateral growth)的氮化镓系列材料彼此连接并构成一基部52。而前述基部52会与衬底3和岛状凸块9彼此间界定出一空间421的孔洞结构，同时也形成该孔洞性中间层4。
较佳地，该步骤(a)可利用金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapordeposition，简称MOCVD)来形成岛状凸块9，在进行MOCVD时，所需的反应物包含NH3、含有镓的有机金属气体。如欲形成AlInGaN的混合物则需另外通入含铝的有机金属气体及含铟的有机金属气体，适用的载流子气体包含，但是不限于H2、N2，或其混合物。
较佳地，该步骤(a)是借由下列方式来进行MOCVD：先于400℃～1200℃成长温度范围内，于基板上利用较低的NH3分压直接成长具有岛状型态的氮化铝铟镓。或可先于较低温的成长温度(<800℃)下先成长一氮化铝铟镓低温层，接着升高温度至高于950℃，且控制NH3气体分压在较低的环境，使氮化铝铟镓低温层因为气氛转变与温度改变而改变型态，并形成岛状的氮化铝铟镓缓冲层。
较佳地，该步骤(b)是借由下列方式来进行：通入含镓的有机金属气体，且控制在低于1200℃的温度下进行侧向外延成长。
该步骤(c)可利用任何以往的方式来制备，譬如前述的MOCVD，此为业界熟知的技术，在此不再赘述。
需说明的是，上述的成长方法皆极为成熟且为业界所知悉。成长的方法也可使用分子束外延(molecular beam epitaxy)或其它类似的方法。另外，因为制程的控制及稳定性等因素影响，有时部分的该等岛状凸块9会彼此相连，也就是说间隔部42的数量不只一个，而是形成有多数之间隔部42，且部分间隔部42的空间421是彼此连通的。
较佳地，如图10所示的，本发明的制造方法还包含一介于步骤(a)与(b)之间的步骤(a-1)，该步骤(a-1)是在前述该等岛状凸块9形成后，于该衬底3上未被岛状凸块9覆盖处形成一个以上的阻绝膜422，阻绝膜422是由一与该基础层5材质的晶格常数不匹配的材料所构成。
较佳地，阻绝膜422是由氮化硅(silicon nitride)或氮化镁(magnesium nitride)所制成。氮化硅材质的阻绝膜422的制备方式是于前述的多数岛状凸块9(即墩部41和岛状部51)制成后，以硅烷(SiH4)和氨气(NH3)为反应气体反应生成。氮化镁材质的阻绝膜422的制备亦可依类似方式或以往方法来进行。
因为在制备岛状凸块9的过程中，衬底3表面上未被墩部41覆盖处31可能会残存有少许的氮化镓系列材料，所以在步骤(b)横向外延之前，先形成具不同晶格常数材质的阻绝膜422(步骤(a-1))，可确保横向外延时基础层5的基部52是由岛状部51横向成长，而非由衬底3表面上残余的氮化镓系列材料向上垂直成长，同时也可进一步确保空间421(孔洞性)的存在。
较佳地，如图11所示，本发明的制造方法还包含一介于步骤(i)与(ii)之间的步骤(i-1)，该步骤(i-1)是在接合该接合基板8前于该发光单元6上形成一由金属构成的反射层200，而制得一发光装置500。适用于作为反射层200的金属包含，但是不限于金(Au)与银(Ag)。反射层200可反射发光单元6的发光层62中所产生的光，而增加发光装置500的光取出效率，因此当使用的接合基板8为易吸光基板时，较佳地是包含步骤(i-1)。
较佳地，如图3所示，本发明的制造方法还包含一介于步骤(i)与(ii)之间的步骤(i-2)，步骤(i-2)是对该第一发光元件21的发光单元6施予一分离(isolation)处理，以形成多个相间隔的区块。步骤(i-2)可借由干蚀刻(ICP)制程在发光单元6中形成多个实质垂直贯穿第一覆盖层61、发光层62，及第二覆盖层63的沟道(channel)，而将发光单元6区隔成多个芯片(chip)，以提高最终产品的良率。
有关适用于步骤(ii)的接合基板8包含导电与非导电系列，以下分二部分来说明当基板为导电与不导电时，二电极300、400的不同配置情形：
(1)如图5所示，当接合基板8为导电基板(大多亦为高热导基板)，譬如硅、砷化镓或铜时，步骤(iv)的二电极300、400是分别被配置于接合基板8与剥离面53上。使用导电(导热)接合基板8所制成的发光装置500可被用于易产生大量热能的照明(如车灯)上。
(2)如图6所示，当接合基板8为非导电基板，譬如氧化锌或蓝宝石时，本发明方法还包含一介于步骤(iii)与(iv)间的步骤(iii-1)，该步骤(iii-1)是将发光单元6的第一覆盖层61、发光层62及第二覆盖层63沿一实质平行于该等层叠置的方向600进行部分移除(如虚线表示的方块)，并于该第二覆盖层63上形成一移除面631。然后该步骤(iv)是于该移除面631及该步骤(iii)所形成的剥离面53上分别电连接该第一与第二电极300、400。
有关适用于步骤(ii)中作为粘着层的材料，可视基板的导电性质来作变化。当接合基板8可导电时，可使用导电性接合材料，譬如Au/Sn或Pd/In。当当接合基板8不能导电时，可使用非导电性接合材料，譬如环氧树脂(epoxy)等。
较佳地，步骤(iii)所形成的剥离面53为一纳米级粗糙面。该纳米级粗糙面可增加发光装置500的光取出效率。
较佳地，步骤(iii)是借由湿蚀刻方式来使该衬底3剥离，因为蚀刻液可快速地渗入中间层4的空间421中。适用于步骤(iii)的蚀刻液是该等对于基础层5的材枓的蚀刻速率大于衬底3的蚀刻速率者，例如氢氧化钾溶液(KOH)、盐酸溶液(HCl)、磷酸溶液(H3PO4)或王水等。当以湿蚀刻方式移除孔洞性中间层4时，剥离面53自然地会因蚀刻而形成一纳米级粗糙面。
另外，步骤(iii)亦可借由激光来使衬底3剥离，适用于本发明的激光为业界所熟知，譬如KrF等，亦可参照论文Appl.Phys.Lett.，72(5)，February，1998的揭示。当使用激光来剥离衬底3时，因为激光的聚焦破坏方式不易产生粗糙的剥离面，所以本发明方法还包含在步骤(iii)与(iv)间的步骤(iii-2)，步骤(iii-2)是将步骤(iii)形成的剥离面53处理成一纳米级粗糙面。有关剥离面3的粗糙度可借由前述的湿蚀刻来制造，适用的蚀刻液同前述。
选择性地，步骤(iii)中除了破坏孔洞性中间层4的墩部41外，可进一步破坏该基础层5，即该剥离面53是形成于岛状凸块9的墩部41与岛状部51交界线91的上方，交界线91如图10所示。
前述步骤(iii)破坏的程度可借由使用不同的破坏方式来控制。譬如使用湿蚀刻时，会在破坏中间层4墩部41的同时，也将基础层5的基部52予以破坏，且基础层5被破坏的程度是受制于蚀刻参数，包含蚀刻时间与蚀刻液浓度等。当使用激光来破坏孔洞性中间层4时，则可较精准地控制破坏位置在中间层4。
如前述地，当基础层5的材质为非导电时，则步骤(iii)需进一步破坏该发光单元6的第一覆盖层61，并使剥离面53形成于第一覆盖层61上，如此并不会严重损及发光装置500的发光效果。
本发明将就以下实施例来作进一步说明，但是应了解的是，该等实施例只为例示说明的用，而不应被解释为本发明实施的限制。
实施例
<实施例1>
参照图3～11，本实施例是依据下列步骤来制备一发光装置500：
(a)首先将一蓝宝石衬底3置入一反应器的承载盘，然后通入H2(g)，并升高温度至1100℃以进行基板高温处理，然后降温至400℃～1200℃成长温度范围内，通入流量50sccm的三甲基镓气体(Tri-methyl Gallium，简称TMGa(g))与分压20slm的NH3(g)，直接在基板上成长氮化镓的岛状凸块9，请参阅图12的原子力显微镜(Atomic Force Microscopy)的视图；
(b)在约1000℃的温度下，通入TMGa(g)(50sccm)，以进行侧向外延成长，并持续至基础层5成长达3μm，而完成侧向外延成长并封闭所有的空间421，
请参阅图13的扫描式电子显微镜(Scanning Electronic Microscopy)的剖面视图；
(c)通入siH4(g)成为N型掺杂元素，眇在基础层5上形成厚度为2μm的n-type氮化镓半导体覆盖层，完成后停止供应TMGa(g)与siH4(g)，将载流子气体由H2(g)转换为N2(g)，并持续通入NH3(g)，接着将温度降至750℃，准备进行发光层的成长，首先成长一具有200
厚度的GaN载流子阻障层，接着成长一氧化铟镓(InCraN)载流子局限层，接着成长一200
厚度的GaN载流子阻障层而形成一发光区，重复此发光区结构的成长，而形成一多重发光层。接着将载流子气体切换为H2(g)，维持通入NH3(g)，然后升高温度至900℃，并通入TMGa(g)与Cp2Mg(g)形成厚度为l500
的P型半导体覆盖层，而制备出一如图3所示第一发光元件21；
(ii)于该第一发光元件21上涂覆一环氧树脂，并利用热压法将一硅基板8接合至该发光单元6上；
(iii)将(ii)所制得的结合有硅基板8的元件浸泡至王水中并历时约20分钟，以破坏中间层4并使蓝宝石基板3剥离，并形成一粗糙的剥离面53，请参阅图14的扫描式电子显微镜的剖面视图；
(iv)利用蒸镀方式分别于硅质接合板8与剥离面53上形成一Cr/Au电极300、400，即完成发光装置500的制备。
<实施例2>
以和实施例l相同的步骤制备发光装置500，不同处在于：进一步在步骤(a)、(b)间进行步骤(a-1)，就是在反应器中通入SiH4(流量～40sccm)，使反应形成氮化硅阻绝膜422(厚度大于1)，并使氮化铝铟镓岛状凸块9为氮化硅所包覆。
<实施例3>
以和实施例1相同的步骤制备发光装置500，不同处在于：步骤(ii)使用蓝宝石基板而非硅质接合板，且进一步在步骤(iii)、(iv)间进行步骤(iii-1)，就是利用干蚀刻将第一覆盖层61、发光层62及第二覆盖层63沿一实质平行于该等层叠置的方向600部分移除，并于该第二覆盖层63上形成一移除面631，然后步骤(iv)是于移除面631及剥离面53上分别电连接一Cr/Au电极300、400。
本实施例的特点在于：因为步骤(iii)是使用湿蚀刻方式来破坏孔洞性中间层4，所形成的剥离面53为一纳米级粗糙面，所以虽然同样使用蓝宝石基板作为接合基板8，来取代第一发光元件21的蓝宝石基板3，但是因所形成剥离面53的粗糙度，而使得所制得的发光装置500的光取出效率会较一般以蓝宝石为基板的发光二极管来得佳。
归纳上述，本发明用于制造发光装置的方法，是利用一具孔洞性中间层的第一发光元件为起始构造来进行，因此在剥离衬底时，即使用以往的激光剥离技术来进行，也可降低剥离成本，更特别地是，因为所使用的第一发光元件具孔洞性之中间层，因此可使用湿蚀刻方式来剥离衬底，在成本上确实较以往利用衬底剥离技术来制造发光装置的方法，来得降低不少。
Claims (25)
1.一种用于制造发光装置的方法，其特征在于，包含下列步骤：
i、提供一第一发光元件，该第一发光元件依序包含一衬底、一孔洞性中间层、一由氮化镓系列为主的材料所制成的基础层，及一可产生光的发光单元，该中间层包括多个彼此间隔散布的墩部，及一个以上位于该衬底、基础层与所述墩部间的间隔部，该间隔部具有一空间，且所述墩部是由一与该基础层相同的材料所制成；
ii、将一接合基板接合至该发光单元的相反于该衬底的一侧面上；
iii、破坏该孔洞性中间层而使该衬底剥离，而形成一具一剥离面的第二发光元件；及
iv、于该第二发光元件上分别电连接一第一与一第二电极，而形成一发光装置。
2.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤i中第一发光元件的中间层的墩部是由一以氮化镓系列为主的材料所制成，该以氮化镓系列为主的材料的化学式为AlxInyGal-x-yN，x≥0，y≥0，1≥x+y。
3.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤i中第一发光元件的中间层具有一大于10纳米的厚度。
4.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤i中第一发光元件的所述墩部彼此间的距离介于10至3000纳米间。
5.如权利要求4所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤i中第一发光元件的所述墩部彼此间的距离介于50至1500纳米间。
6.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤i中第一发光元件的中间层的所述墩部呈锥柱形，且墩部的横向截面的宽度介于10至3000纳米间。
7.如权利要求6所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：所述墩部的横向截面的宽度是介于50纳米至1500纳米间。
8.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤i中第一发光元件的衬底是由一选自于由下列所构成的群组中的材料所制成：碳化硅、蓝宝石、氧化锌、氮化铝、硅。
9.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤i中第一发光元件的发光单元具有一形成于该基础层的基部上的第一覆盖层、一形成于该第一覆盖层上的发光层，及一形成于该发光层上的第二覆盖层，该第一覆盖层和第二覆盖层分别是具有相对应的且不同型态的载流子的半导体材料所制成。
10.如权利要求9所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该第一覆盖层是由n型半导体材料所制成，该第二覆盖层是由p型半导体材料所制成。
11.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于，还包含下列在步骤i前的用于制备该第一发光元件的步骤：
a、于该衬底上形成有多个彼此间隔散布且由氮化镓系列材料所制成的岛状凸块，每一岛状凸块具有一形成于该衬底上的墩部与一形成于该墩部上的岛状部
b、利用横向外延方式于所述岛状部上成长与岛状凸块具相同材质的材料，而形成一个以上覆盖所述岛状部的基部，该基部与所述岛状部一体成型为一基础层，且该衬底、所述墩部及该基部共同界定出的该具有空间的间隔部；
c、在该基础层上形成该发光单元。
12.如权利要求11所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于，还包含在步骤a与b之间的步骤a-1，该步骤a-1是在前述所述岛状凸块形成后，于该衬底上未被岛状凸块覆盖处形成一个以上由一与该基础层材质的晶格常数不匹配的材料所构成的阻绝膜。
13.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于，还包含一介于步骤i与ii之间的步骤i-1，该步骤i-1是在接合该接合基板前于该发光单元上形成一由金属构成的反射层。
14.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于，还包含一介于步骤i与ii之间的步骤i-2，该步骤i-2是对该第一发光元件施予一分离处理，以形成多个相间隔的区块。
15.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤ii所使用的接合基板为一导电基板。
16.如权利要求15所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤iV是于该接合基板及该步骤iii所形成的剥离面上，分别电连接该第一与第二电极。
17.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤ii所使用的接合基板为一非导电基板，且该发光单元具有一形成于该基础层的基部上的第一覆盖层、一形成于该第一覆盖层上的发光层，及一形成于该发光层上的第二覆盖层，该第一覆盖层和第二覆盖层分别是具有相对应的且不同型态的载流子的半导体材料所制成。
18.如权利要求17所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于，还包含一介于步骤iii与iv间的步骤iii-1，该步骤iii-1是将该第一覆盖层、发光层及第二覆盖层沿一实质平行于所述层叠置的方向进行部分移除，并于该第二覆盖层上形成一移除面，然后该步骤iv是于该移除面及该步骤iii所形成的剥离面上分别电连接该第一与第二电极。
19.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤iii中所形成的剥离面为一纳米级粗糙面。
20.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤iii是借由湿蚀刻方式来使该衬底剥离。
21.如权利要求20所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤iii的湿蚀刻是使用一由下列所构成的群组中的蚀刻液来进行：氢氧化钾溶液、盐酸溶液、磷酸溶液，以及王水。
22.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤iii是借由激光来使该衬底剥离。
23.如权利要求22所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于，还包含在步骤iii与iv间的步骤iii-2，该步骤iii-2是将步骤iii中所形成的剥离面处理成一纳米级粗糙面。
24.如权利要求1所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤iii中进一步破坏该基础层。
25.如权利要求17所述的用于制造发光装置的方法，其特征在于：该步骤iii中进一步破坏该第一覆盖层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100988629A CN100373642C (zh) | 2004-12-13 | 2004-12-13 | 用于制造发光装置的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100988629A CN100373642C (zh) | 2004-12-13 | 2004-12-13 | 用于制造发光装置的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1790755A CN1790755A (zh) | 2006-06-21 |
| CN100373642C true CN100373642C (zh) | 2008-03-05 |
Family
ID=36788388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100988629A Expired - Fee Related CN100373642C (zh) | 2004-12-13 | 2004-12-13 | 用于制造发光装置的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100373642C (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8502190B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-08-06 | Industrial Technology Research Institute | Device of light-emitting diode |
| TWI422075B (zh) * | 2009-03-13 | 2014-01-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 覆晶式半導體光電元件之結構及其製造方法 |
| CN105662594A (zh) * | 2016-01-16 | 2016-06-15 | 柳州市妇幼保健院 | 眼科直接眼底镜防尘夹套 |
| EP3819941A4 (en) * | 2018-07-04 | 2022-04-06 | LG Electronics, Inc. | DISPLAY DEVICE WITH SEMICONDUCTOR LIGHT-emitting device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101752471B (zh) * | 2008-12-05 | 2014-03-26 | 晶元光电股份有限公司 | 光电元件 |
| CN101872815B (zh) * | 2009-04-21 | 2012-07-04 | 财团法人工业技术研究院 | 发光二极管元件以及其制造方法 |
| WO2013141561A1 (ko) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 서울옵토디바이스주식회사 | 에피층과 성장 기판 분리 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 |
| TWI609541B (zh) * | 2016-12-12 | 2017-12-21 | 聯亞光電工業股份有限公司 | 半導體雷射裝置 |
| CN109755358B (zh) * | 2018-12-30 | 2020-05-22 | 广东省半导体产业技术研究院 | 垂直结构器件及其制备方法 |
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-
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- 2004-12-13 CN CNB2004100988629A patent/CN100373642C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1790755A (zh) | 2006-06-21 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |